JP2019530379A5

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Info

Publication number: JP2019530379A5
Application number: JP2019531600A
Authority: JP
Filing date: 2017-08-30
Publication date: 2020-10-08

Claims

異なるバイアス電流にわたって変化する入力インピーダンスを有して、カスコード構成で実装された低雑音増幅器（ＬＮＡ）である、信号の増幅器であって、
前記増幅器は、
カスコード段と、
前記カスコード段に結合された利得段と
を含み、
前記利得段は、それぞれがアクティブになることができる複数のスイッチング可能増幅ブランチを含み、
前記アクティブな増幅ブランチの一つ以上が、複数の利得設定それぞれにおける目標調整を前記入力インピーダンスに与え、
前記目標調整は、近似的に一定のインピーダンスを入力ノードに与えるべく選択される増幅器。
前記複数のスイッチング可能増幅ブランチはそれぞれが、スイッチングトランジスタ及びＲＦ段トランジスタを含む請求項１の増幅器。
第１利得モードにおいて前記ＲＦ段トランジスタの第１複数がアクティブになり、
前記第１利得モードよりも低い第２利得モードにおいて前記ＲＦ段トランジスタの第２複数がアクティブになり、
前記第２利得モードにおけるアクティブなＲＦ段トランジスタの数が前記第１利得モードよりも少ない請求項２の増幅器。
前記カスコード構成は、前記利得段の第１トランジスタが最低利得設定で動作可能となるように、かつ、前記利得段の第２トランジスタが、増加した利得設定のそれぞれに対して動作可能となるように構成される請求項１の増幅器。
前記利得段のトランジスタのソースに結合されたインダクタをさらに含む請求項１の増幅器。
前記利得段は、電気的に並列の構成の複数のトランジスタを含み、
各トランジスタは、関連トランジスタを選択的にアクティブにするスイッチング可能増幅ブランチに関連付けられる請求項１の増幅器。
前記複数のトランジスタのそれぞれのドレインに結合されたスイッチをさらに含む請求項６の増幅器。
無線周波数（ＲＦ）回路を有する半導体ダイであって、
基板と、
前記基板に実装されたＲＦ増幅器と
を含み、
前記ＲＦ増幅器は、カスコード構成で実装された低雑音増幅器（ＬＮＡ）であり、
前記ＲＦ増幅器は、カスコード段と、前記カスコード段に結合された利得段とを含み、
前記利得段は、それぞれがアクティブになることができる複数のスイッチング可能増幅ブランチを含み、
前記アクティブな増幅ブランチの一つ以上が、複数の利得設定のそれぞれにおける目標調整を入力インピーダンスに与え、
前記目標調整は、近似的に一定のインピーダンスを入力ノードに与えるべく選択される半導体ダイ。
前記カスコード構成は、第１トランジスタが最低利得設定で動作可能となるように、かつ、第２トランジスタが、増加した利得設定のそれぞれに対して動作可能となるように構成される請求項８の半導体ダイ。
前記利得段は、電気的に並列の構成の複数のトランジスタを含み、
各トランジスタは、関連トランジスタを選択的にアクティブにするスイッチング可能増幅ブランチに関連付けられる請求項８の半導体ダイ。
無線デバイスであって、
無線周波数（ＲＦ）信号を少なくとも受信するべく構成されたアンテナと、
前記アンテナと通信するＲＦ増幅器と、
送受信器と
を含み、
前記ＲＦ増幅器は、カスコード構成で実装された低雑音増幅器（ＬＮＡ）であり、
前記ＲＦ増幅器は、カスコード段と、前記カスコード段に結合された利得段とを含み、
前記利得段は、それぞれがアクティブになることができる複数のスイッチング可能増幅ブランチを含み、
前記アクティブな増幅ブランチの一つ以上が、複数の利得設定のそれぞれにおける目標調整を入力インピーダンスに与え、
前記目標調整は、近似的に一定のインピーダンスを入力ノードに与えるべく選択され、
前記送受信器は、前記ＲＦ増幅器からの増幅されたＲＦ信号を処理するように構成される無線デバイス。
前記無線デバイスは、受信動作において異なる利得を含むように構成された携帯電話機である請求項１１の無線デバイス。
前記複数のスイッチング可能増幅ブランチはそれぞれが、スイッチングトランジスタ及びＲＦ段トランジスタを含む請求項１１の無線デバイス。
第１利得モードにおいて前記ＲＦ段トランジスタの第１複数がアクティブになり、
前記第１利得モードよりも低い第２利得モードにおいて前記ＲＦ段トランジスタの第２複数がアクティブになり、
前記第２利得モードにおけるアクティブなＲＦ段トランジスタの数が前記第１利得モードよりも少ない請求項１３の無線デバイス。
前記利得段に結合されたスケーリング可能インピーダンスブロックをさらに含む請求項１の増幅器。
前記スケーリング可能インピーダンスブロックは、
複数の誘導素子と、
前記複数の誘導素子の一つ以上のインダクタンスを前記増幅器に選択的に加えるべく基準電位ノードに選択的に結合される複数のスイッチと
を含む請求項１５の増幅器。
前記複数のスイッチング可能増幅ブランチはそれぞれが、スイッチングトランジスタ及びＲＦ段トランジスタを含む請求項８の半導体ダイ。
前記利得段に結合されたスケーリング可能インピーダンスブロックをさらに含む請求項８の半導体ダイ。
前記スケーリング可能インピーダンスブロックは、
複数の誘導素子と、
前記複数の誘導素子の一つ以上のインダクタンスを前記ＲＦ増幅器に選択的に加えるべく基準電位ノードに選択的に結合される複数のスイッチと
を含む請求項１８の半導体ダイ。
前記利得段に結合されたスケーリング可能インピーダンスブロックをさらに含む請求項１１の無線デバイス。