JP2019530379A - 利得モードによる反射損失及び不整合が改善された増幅器 - Google Patents
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 25
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000011045 prefiltration Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
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- H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
- H03G3/3042—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers
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- H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
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- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
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- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0277—Selecting one or more amplifiers from a plurality of amplifiers
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- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
- H03F1/223—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
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- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
- H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
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- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
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- H03G1/0017—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier
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- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
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- H04B—TRANSMISSION
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Abstract
Description
本願は、2016年8月31日に出願された「利得モードによる反射損失及び不整合が改善された増幅器」との名称の米国仮出願第62/382,252号の優先権を主張する。その全体がすべての目的のためにここに、参照として明示的に組み入れられる。
Claims (29)
- 異なるバイアス電流にわたって変化する入力インピーダンスを有する信号の増幅器であって、
それぞれがアクティブになることができる複数のスイッチング可能増幅ブランチを含む利得段を含み、
前記アクティブな増幅ブランチの一つ以上が、目標調整を前記入力インピーダンスに与える増幅器。 - 前記複数のスイッチング可能増幅ブランチはそれぞれが、スイッチングトランジスタ及びRF段トランジスタを含む請求項1の増幅器。
- 第1利得モードにおいて前記RF段トランジスタの第1複数がアクティブになり、
前記第1利得モードよりも低い第2利得モードにおいて前記RF段トランジスタの第2複数がアクティブになり、
前記第2利得モードにおけるアクティブなRF段トランジスタの数が前記第1利得モードよりも少ない請求項2の増幅器。 - 信号の増幅器であって、
複数の利得レベルを与えるように構成された可変利得段を含み、
前記複数の利得レベルは、前記可変利得段により各信号に提示される異なる入力インピーダンス値をもたらし、
前記可変利得段は、それぞれがアクティブになることができる複数のスイッチング可能増幅ブランチを含み、
前記アクティブな増幅ブランチの一つ以上が目標調整を各入力インピーダンス値に与える増幅器。 - 前記複数のスイッチング可能増幅ブランチはそれぞれがスイッチングトランジスタ及びRF段トランジスタを含む請求項4の増幅器。
- 第1利得モードにおいて前記RF段トランジスタの第1複数がアクティブになり、
前記第1利得モードよりも低い第2利得モードにおいて前記RF段トランジスタの第2複数がアクティブになり、
第2利得モードにおけるアクティブなRF段トランジスタの数が前記第1利得モードよりも少ない請求項5の増幅器。 - 信号の増幅器であって、
複数の利得レベルを与えるべく構成された可変利得段を含み、
前記複数の利得レベルは、前記可変利得段により各信号に提示される異なる入力インピーダンス値をもたらし、
前記可変利得段は、複数のスイッチング可能誘導素子を有するスケーリング可能インピーダンスブロックを含み、
前記複数のスイッチング可能誘導素子は、目標調整を各入力インピーダンス値に与えるべくアクティブになるように構成される増幅器。 - 前記スケーリング可能インピーダンスブロックは、利得レベルが減少する場合に前記インダクタンスを増加させるべく構成される請求項7の増幅器。
- 前記スケーリング可能インピーダンスブロックは、前記可変利得段のRF段トランジスタのソースに結合される請求項7の増幅器。
- 無線周波数(RF)増幅器であって、
入力ノードと、
出力ノードと、
それぞれがアクティブになることができる複数のスイッチング可能増幅ブランチを含む利得段と
を含み、
前記アクティブな増幅ブランチの一つ以上が目標調整を前記入力インピーダンスに与えるRF増幅器。 - 前記RF増幅器は低雑音増幅器(LNA)である請求項10のRF増幅器。
- 前記LNAは、入力段及びカスコード段を有するカスコード構成に実装される請求項11のRF増幅器。
- 複数の利得設定のそれぞれにおける前記入力インピーダンスへの前記目標調整は、前記入力ノードにおいて近似的に一定のインピーダンスを与えるように選択される請求項10のRF増幅器。
- 前記複数のトランジスタは、一つのトランジスタが最低利得設定において動作し、かつ、付加的なトランジスタが増加した利得設定のそれぞれに対して動作するように構成される請求項10のRF増幅器。
- 信号を増幅する方法であって、
複数の利得設定の選択された一つになるように利得段を構成することであって、前記利得設定の少なくともいくつかが、前記信号に提示される異なるインピーダンスをもたらすことと、
前記選択された利得設定に対し、前記利得段により前記信号に提示されたインピーダンスを調整することと
を含み、
前記調整されたインピーダンスは、前記複数の利得設定にわたって入力において前記インピーダンスの目標とされる一定の値を与えるように構成される方法。 - 前記利得段は低雑音増幅器(LNA)の一部である請求項15の方法。
- 前記調整されたインピーダンスは、前記複数の利得設定間で近似的に一定のインピーダンスをもたらす請求項15の方法。
- 前記インピーダンスを調整することは、前記利得段のRF段トランジスタのソースに結合されたインダクタンスの一つ以上を調整することを含む請求項15の方法。
- 前記インピーダンスを調整することは、電気的に並列の構成にある複数のトランジスタを動作させることを含み、
各トランジスタが、関連トランジスタを選択的にアクティブにする関連スイッチを有する請求項15の方法。 - 前記複数のトランジスタを動作させることは、各トランジスタのドレインにおいてスイッチング動作を行って前記トランジスタの動作を制御することを含む請求項19の方法。
- 無線周波数(RF)回路を有する半導体ダイであって、
基板と、
前記基板に実装されたRF増幅器と
を含み、
前記RF増幅器は、それぞれがアクティブになることができる複数のスイッチング可能増幅ブランチを含む利得段を含み、
前記アクティブな増幅ブランチの一つ以上が目標調整を前記入力インピーダンスに与える半導体ダイ。 - 前記基板はシリコンオンインシュレータ(SOI)基板を含む請求項21の半導体ダイ。
- 前記RF増幅器は低雑音増幅器(LNA)である請求項21の半導体ダイ。
- 無線周波数(RF)モジュールであって、
複数のコンポーネントを受容するべく構成されたパッケージ基板と、
前記パッケージ基板に実装されたRF増幅器と
を含み、
前記RF増幅器は、それぞれがアクティブになることができる複数のスイッチング可能増幅ブランチを含む利得段を含み、
前記アクティブな増幅ブランチの一つ以上が目標調整を前記入力インピーダンスに与えるRFモジュール。 - 前記RF増幅器は、パッケージ基板に取り付けられた半導体ダイに実装される請求項24のRFモジュール。
- 前記RF増幅器は低雑音増幅器(LNA)である請求項24のRFモジュール。
- 前記RFモジュールはダイバーシティ受信(DRx)モジュールである請求項24のRFモジュール。
- 無線デバイスであって、
無線周波数(RF)信号を少なくとも受信するべく構成されたアンテナと、
前記アンテナと通信するRF増幅器と、
送受信器と
を含み、
前記RF増幅器は、それぞれがアクティブになることができる複数のスイッチング可能増幅ブランチを含む利得段を含み、
前記アクティブな増幅ブランチの一つ以上が、目標とされる位相を与えるべく目標調整を前記入力インピーダンスに与え、
前記送受信器は、増幅されたRF信号を、前記RF増幅器からの目標とされる位相によって処理するように構成される無線デバイス。 - 前記無線デバイスは、受信動作において異なる利得を含むように構成された携帯電話機である請求項28の無線デバイス。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022000197A JP7386906B2 (ja) | 2016-08-31 | 2022-01-04 | 利得モードによる反射損失及び不整合が改善された増幅器 |
JP2023193420A JP2024020381A (ja) | 2016-08-31 | 2023-11-14 | 増幅器、半導体ダイ及び無線デバイス |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662382252P | 2016-08-31 | 2016-08-31 | |
US62/382,252 | 2016-08-31 | ||
PCT/US2017/049481 WO2018045096A1 (en) | 2016-08-31 | 2017-08-30 | Amplifier with improved return loss and mismatch over gain modes |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022000197A Division JP7386906B2 (ja) | 2016-08-31 | 2022-01-04 | 利得モードによる反射損失及び不整合が改善された増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019530379A true JP2019530379A (ja) | 2019-10-17 |
JP2019530379A5 JP2019530379A5 (ja) | 2020-10-08 |
Family
ID=61243635
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019531600A Pending JP2019530379A (ja) | 2016-08-31 | 2017-08-30 | 利得モードによる反射損失及び不整合が改善された増幅器 |
JP2022000197A Active JP7386906B2 (ja) | 2016-08-31 | 2022-01-04 | 利得モードによる反射損失及び不整合が改善された増幅器 |
JP2023193420A Pending JP2024020381A (ja) | 2016-08-31 | 2023-11-14 | 増幅器、半導体ダイ及び無線デバイス |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022000197A Active JP7386906B2 (ja) | 2016-08-31 | 2022-01-04 | 利得モードによる反射損失及び不整合が改善された増幅器 |
JP2023193420A Pending JP2024020381A (ja) | 2016-08-31 | 2023-11-14 | 増幅器、半導体ダイ及び無線デバイス |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10284160B2 (ja) |
JP (3) | JP2019530379A (ja) |
KR (1) | KR102551663B1 (ja) |
CN (1) | CN109845095B (ja) |
DE (1) | DE112017004369T5 (ja) |
GB (4) | GB2606088B (ja) |
SG (1) | SG11201901802RA (ja) |
WO (1) | WO2018045096A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2606088B (en) * | 2016-08-31 | 2023-02-08 | Skyworks Solutions Inc | Amplifier with improved return loss and mismatch over gain modes |
JP2020022163A (ja) | 2018-08-01 | 2020-02-06 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | 可変電力増幅器バイアスインピーダンス |
US11824273B2 (en) * | 2019-11-14 | 2023-11-21 | Renesas Electronics America Inc. | Minimizing impedance variation during passive phase shifting |
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CN115459793A (zh) * | 2021-06-08 | 2022-12-09 | 开元通信技术(厦门)有限公司 | 一种射频装置 |
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- 2017-08-30 CN CN201780064779.5A patent/CN109845095B/zh active Active
- 2017-08-30 US US15/691,625 patent/US10284160B2/en active Active
- 2017-08-30 WO PCT/US2017/049481 patent/WO2018045096A1/en active Application Filing
- 2017-08-30 KR KR1020197009156A patent/KR102551663B1/ko active IP Right Grant
- 2017-08-30 SG SG11201901802RA patent/SG11201901802RA/en unknown
- 2017-08-30 JP JP2019531600A patent/JP2019530379A/ja active Pending
- 2017-08-30 GB GB1904242.3A patent/GB2569065B/en active Active
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CN109845095A (zh) | 2019-06-04 |
GB2605900B (en) | 2023-02-08 |
GB2605900A (en) | 2022-10-19 |
GB2605901A (en) | 2022-10-19 |
SG11201901802RA (en) | 2019-03-28 |
US20210111684A1 (en) | 2021-04-15 |
US20190334494A1 (en) | 2019-10-31 |
WO2018045096A1 (en) | 2018-03-08 |
GB201904242D0 (en) | 2019-05-08 |
US20180062601A1 (en) | 2018-03-01 |
GB2606088B (en) | 2023-02-08 |
GB2569065A (en) | 2019-06-05 |
GB202209037D0 (en) | 2022-08-10 |
KR20190052020A (ko) | 2019-05-15 |
GB2605901B (en) | 2023-02-08 |
GB2569065B (en) | 2022-12-07 |
GB202209033D0 (en) | 2022-08-10 |
US10284160B2 (en) | 2019-05-07 |
DE112017004369T5 (de) | 2019-05-16 |
JP2024020381A (ja) | 2024-02-14 |
JP7386906B2 (ja) | 2023-11-27 |
US10771029B2 (en) | 2020-09-08 |
US11476819B2 (en) | 2022-10-18 |
JP2022046730A (ja) | 2022-03-23 |
GB2606088A (en) | 2022-10-26 |
CN109845095B (zh) | 2024-01-30 |
KR102551663B1 (ko) | 2023-07-04 |
GB202209049D0 (en) | 2022-08-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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