JP2019514207A5

JP2019514207A5 -

Info

Publication number: JP2019514207A5
Application number: JP2018551419A
Authority: JP
Filing date: 2017-03-31
Publication date: 2020-04-30

Description

図13A〜図13Cは、厚さ150μmのホウケイ酸ガラスにおける（レーザ入射側（より大きな方）で）直径133μm及び直径87μmのめっき後の貫通孔ビア202を示している。いずれの場合においても、側壁角度は約82°であり、出口における直径は、それぞれ85μm及び41μmであった。図13Aは、ガラス基板においてレーザエッチングされた貫通孔ビアのUVレーザ走査型顕微鏡写真である。図13Bは、本明細書で述べられたプロセスを介してシーディングされめっきされた図13Aに示される貫通孔ビアの暗視野顕微鏡写真である。図13Cは、図13Bに示されるめっき後の貫通孔ビアの断面の顕微鏡写真である。また、LODESTONE（商標）レーザ加工システムを用いて厚さ50μmのSchott社のAF32 Ecoガラス（図示せず）にも貫通孔ビアが形成され、この形成されたビア202は、上部径が40μmで出口径が16μmであった。図13A〜図13Cは、2017年２月14日〜17日のIPC Apexカンファレンスでの論文において提示されたものである。

Claims

第１のレーザプロセスにおいて、レーザエネルギービームをワークピースに照射して前記ワークピース内に凹部を形成し、
第２のレーザプロセスにおいて、レーザエネルギービームをシード材料に照射して前記凹部内にシード層を形成し、
前記シード層をシードとして用いてめっきプロセスを行って前記凹部内に導電フィーチャを形成する、
方法。
前記ワークピースはガラス基板を含む、請求項１の方法。
前記シード層は銅を含む、請求項１から２のいずれかの方法。
前記めっきを行う際に、無電解めっきプロセスを行う、請求項１から２のいずれかの方法。
前記導電フィーチャは銅を含む、請求項１から２のいずれかの方法。
前記導電フィーチャは、12μmよりも小さな幅を有する、請求項１から２のいずれかの方法。
前記導電フィーチャは銅を含み、前記導電フィーチャは、バルク銅の抵抗率の1.5倍以下の抵抗率を有する、請求項１から２のいずれかの方法。
さらに、前記ワークピース内に貫通孔を形成し、
前記シード層を形成する際に、前記貫通孔内に前記シード層を形成する、請求項１から２のいずれかの方法。
前記レーザエネルギービームは、550 nmよりも短い波長を有する、請求項１から２のいずれかの方法。
前記レーザエネルギービームは、200kHzより低いパルス繰り返し率と20Wよりも低い平均パワーとにより特徴付けられる、請求項１から２のいずれかの方法。
前記シード層を形成する際に、
前記ワークピース上に金属酸化物を含むインクを供給し、
前記インクに前記レーザエネルギービームを照射することにより前記金属酸化物を化学的に還元する、
請求項１から２のいずれかの方法。
前記シード層を形成する際に、
前記レーザエネルギービームに対して透明なキャリア基板とドナー膜とを含むドナー構造を用意し、前記ドナー膜は前記ワークピースに面しており、
前記キャリア基板を透過して前記レーザエネルギービームが前記ドナー膜の一部に当たるように前記レーザエネルギービームを照射し、前記レーザエネルギービームが当たった前記ドナー膜の少なくとも一部が前記ワークピースに転写される、
請求項１から２のいずれかの方法。
前記ドナー構造は、前記シード層の形成中に前記ワークピースから離間している、請求項12の方法。
前記第２のレーザプロセスにおいて照射される前記レーザエネルギービームはパルスレーザエネルギービームである、請求項12の方法。
前記第２のレーザプロセスにおいて照射される前記レーザエネルギービームを供給するために準連続波（QCW）レーザが用いられる、請求項12の方法。
前記導電フィーチャは配線メッシュである、請求項１から２のいずれかの方法。
前記ワークピースと前記導電フィーチャは、90％以上の光透過率を呈する、請求項１から２のいずれかの方法。
前記ワークピースは柔軟性を有する、請求項１から２のいずれかの方法。
前記ワークピースは主面を有し、
前記凹部は、前記主面から延びる側壁面を含み、
前記第２のレーザプロセスにおいて、前記シード層が前記凹部の前記側壁面に形成される、
請求項１の方法。
前記凹部は、前記側壁面から延びる底面をさらに含み、
前記第２のレーザプロセスにおいて、前記シード層が前記凹部の前記底面に形成される、
請求項19の方法。
前記第２のレーザプロセスにおいて、さらに、前記凹部の外部に前記シード層を形成し、
さらに、前記めっきプロセスの前に前記凹部の外部の前記シード層を除去する、
請求項１の方法。
前記ワークピースは主面を有し、
前記凹部は、前記主面から前記ワークピースの内部に延び、
前記凹部を規定する面の粗さは、前記主面の粗さより大きい、
請求項１の方法。
ワークピースに隣接してドナー構造を配置し、前記ドナー構造は、レーザエネルギービームに対して透明なキャリア基板とドナー膜とを含み、前記ドナー膜は、前記ワークピースに面しており、
レーザ誘起前方転写（LIFT）プロセスを行って前記ワークピース上に前記ドナー膜における材料で形成されるフィーチャを生成し、
前記LIFTプロセスにおいて、前記キャリア基板を透過するように前記ドナー膜上に前記レーザエネルギービームを照射し、
前記ドナー膜上に照射される前記レーザエネルギービームは前記ドナー膜を加熱し、
前記レーザエネルギービームは、10MHzより高いパルス繰り返し率と100Wよりも高い平均パワーとにより特徴付けられる、
方法。
さらに、前記レーザエネルギービームを照射しつつ、前記レーザエネルギービームと前記ドナー膜との間で相対移動を生じさせる、請求項23の方法。
第１のレーザプロセスにおいて、レーザエネルギービームをワークピースに照射して前記ワークピース内に貫通孔を形成し、
第２のレーザプロセスにおいて、レーザエネルギービームをシード材料に照射して前記貫通孔内にシード層を形成し、
前記シード層をシードとして用いてめっきプロセスを行って前記貫通孔内に導電フィーチャを形成する、
方法。