JP2019192733A5 - - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112242295B (zh) 2019-07-19 2025-12-09 Asmip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
JP2022049449A (ja) * 2020-09-16 2022-03-29 東京エレクトロン株式会社 SiN膜埋め込み方法及び成膜装置
US11862458B2 (en) 2021-09-08 2024-01-02 Applied Materials, Inc. Directional selective deposition
KR102837958B1 (ko) * 2021-10-27 2025-07-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 방법 및 성막 시스템
JP2024085546A (ja) * 2022-12-15 2024-06-27 東京エレクトロン株式会社 凹部の埋込方法及びプラズマ処理装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07161703A (ja) * 1993-12-03 1995-06-23 Ricoh Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH11340217A (ja) * 1998-05-22 1999-12-10 Tokyo Electron Ltd プラズマ成膜方法
JP3378909B2 (ja) * 1999-06-21 2003-02-17 東北大学長 ドライエッチング方法及びその装置
JP2002043411A (ja) 2000-07-21 2002-02-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US7241696B2 (en) 2002-12-11 2007-07-10 International Business Machines Corporation Method for depositing a metal layer on a semiconductor interconnect structure having a capping layer
JP4186725B2 (ja) * 2003-06-24 2008-11-26 トヨタ自動車株式会社 光電変換素子
JP5276437B2 (ja) 2006-05-31 2013-08-28 東京エレクトロン株式会社 窒化珪素膜の形成方法、半導体装置の製造方法、およびプラズマcvd装置
US20110065276A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
JP6742165B2 (ja) * 2016-06-14 2020-08-19 東京エレクトロン株式会社 窒化珪素膜の処理方法および窒化珪素膜の形成方法

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