JP2019192725A5 - - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05243167A (ja) * 1992-02-28 1993-09-21 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP3258240B2 (ja) * 1996-09-10 2002-02-18 株式会社日立製作所 エッチング方法
JP2000195841A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Fujitsu Ltd エッチング装置及びエッチング方法
JP4701776B2 (ja) 2005-03-25 2011-06-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
US7674393B2 (en) 2005-03-25 2010-03-09 Tokyo Electron Limited Etching method and apparatus
US7578258B2 (en) * 2006-03-03 2009-08-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for selective pre-coating of a plasma processing chamber
JP2011151263A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Tokyo Electron Ltd エッチング方法、エッチング装置及びリング部材
JP5198611B2 (ja) * 2010-08-12 2013-05-15 株式会社東芝 ガス供給部材、プラズマ処理装置およびイットリア含有膜の形成方法
JP6462477B2 (ja) * 2015-04-27 2019-01-30 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
JP6537473B2 (ja) * 2015-10-06 2019-07-03 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
JP6697416B2 (ja) * 2016-07-07 2020-05-20 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料、パターン形成方法、レジスト下層膜形成方法、及びレジスト下層膜材料用化合物
JP6465189B2 (ja) * 2016-07-21 2019-02-06 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法及び真空処理装置
TWI689988B (zh) * 2016-07-21 2020-04-01 日商東京威力科創股份有限公司 半導體裝置之製造方法、真空處理裝置及基板處理裝置

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