JP2019191222A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】耐油性に優れる電子写真感光体を提供する。【解決手段】導電性基体３と、導電性基体上に設けられ、結着樹脂と電荷発生材料と正孔輸送材料とジフェノキノン系電子輸送材料と平面共役構造及び炭素数８以上のアルキル基を有し融点が７０℃以下である化合物とを含有する単層型の感光層２とを有する電子写真感光体７。【選択図】図１

Description

本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関する。

従来の電子写真方式の画像形成装置においては、帯電、静電潜像形成、現像、転写のプロセスを通じて電子写真感光体の表面上に形成したトナー像を記録媒体に転写させる。

例えば、特許文献１には、導電性基体上に、少なくとも、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、結着樹脂と、を含有する感光層を備える電子写真感光体であって、正孔輸送剤のオレイン酸トリグリセリドに対する溶解度を５〜３５重量％の範囲内の値とするとともに、感光層が、添加剤として特定のビフェニル誘導体を含有することを特徴とする電子写真感光体が開示されている。

特許文献２には、導電性基体上に、少なくとも、電荷発生剤、正孔輸送剤、及び結着樹脂を含有する感光層を備えた電子写真感光体であって、結着樹脂として複数のポリカーボネート樹脂を用いるとともに、感光層が、可塑剤成分として、特定のビフェニル誘導体を含有することを特徴とする電子写真感光体が開示されている。

特許文献３には、導電性支持体上に少なくとも電荷発生物質、電荷輸送物質及び結着樹脂を含有する感光層を設けた電子写真用感光体において、感光層にビフェニル、セバシン酸及びこれらの誘導体から選ばれた少なくとも１種の化合物を含有し、且つ前記結着樹脂が特定の構造単位を主要繰り返し単位として有するポリカーボネート樹脂であることを特徴とする電子写真用感光体が開示されている。

特開２００７−１１４３６４号公報 特開２００７−１０２１９９号公報 特開平０６−０７５３９４号公報

単層型の感光層を有する感光体（単層型感光体）の感度を向上させる方法として、例えば、高い電子移動度を有する一般式（１）で表される電子輸送材料を用いる方法が挙げられる。
しかしながら、感光層に一般式（１）で表される電子輸送材料を含む単層型感光体では、例えば感光体の表面に油分が付着すると、次第に感光層に割れが発生していくことがある。そして、感光層に割れが生じた感光体を用いて形成された画像には、割れに起因する色点が発生することがあるため、耐油性の高い感光体が求められている。

本発明の課題は、単層型の感光層が、結着樹脂、電荷発生材料、正孔輸送材料、一般式（１）で表される電子輸送材料、及び下記式（Ｃ１）で表される化合物を含有する場合に比較して、耐油性に優れる電子写真感光体を提供することである。

上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
＜１＞
導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられ、結着樹脂と電荷発生材料と正孔輸送材料と下記一般式（１）で表される電子輸送材料と平面共役構造及び炭素数８以上のアルキル基を有し融点が７０℃以下である化合物とを含有する単層型の感光層と、
を有する電子写真感光体。

前記一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、各々独立に、水素原子、炭素数１以上１２以下のアルキル基、炭素数１以上１２以下のアルコキシ基、シクロアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ただし、Ｒ^１は、Ｒ^２〜Ｒ^４の少なくともいずれかと異なる基である。

＜２＞
前記一般式（１）で表される電子輸送材料１００質量部に対する前記化合物の添加量は、３０質量部以上１４０質量部以下である＜１＞に記載の電子写真感光体。
＜３＞
前記一般式（１）で表される電子輸送材料１００質量部に対する前記化合物の添加量は、３５質量部以上９０質量部以下である＜２＞に記載の電子写真感光体。

＜４＞
前記化合物は、前記平面共役構造を含む縮合環を有する＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
＜５＞
前記平面共役構造を含む縮合環は、ナフタレン骨格及びフルオレン骨格の少なくとも一方を有する＜４＞に記載の電子写真感光体。
＜６＞
前記化合物は、下記一般式（２）で表される化合物及び下記一般式（３）で表される化合物の少なくとも１種である＜５＞に記載の電子写真感光体。

前記一般式（２）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、及びＲ^１７は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアラルキル基を示す。Ｒ^１８は、炭素数８以上のアルキル基又は−Ｌ^１８１−Ｏ−Ｒ^１８２を示す。ただし、Ｌ^１８１はアルキレン基を示し、Ｒ^１８２は炭素数８以上のアルキル基を示す。

前記一般式（３）中、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、及びＲ^２７は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアラルキル基を示す。Ｒ^２８は、炭素数８以上のアルキル基又は−Ｌ^２８１−Ｏ−Ｒ^２８２を示す。ただし、Ｌ^２８１はアルキレン基を示し、Ｒ^２８２は炭素数８以上のアルキル基を示す。

＜７＞
前記結着樹脂は、芳香環を有する＜１＞〜＜６＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
＜８＞
前記結着樹脂は、下記一般式（ＰＣＡ）で表される構造単位及び下記一般式（ＰＣＢ）で表される構造単位の少なくとも一方を含むポリカーボネート樹脂である＜７＞に記載の電子写真感光体。

前記一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は、炭素数６以上１２以下のアリール基を示す。Ｘ^Ｐ１は、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、アルキレン基、又は、シクロアルキレン基を示す。

＜９＞
前記一般式（１）のＲ^１は、炭素数３以上１２以下の分岐状アルキル基、炭素数３以上１２以下の分岐状アルコキシ基、シクロアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す＜１＞〜＜８＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体。

＜１０＞
＜１＞〜＜９＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
＜１１＞
＜１＞〜＜９＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。

＜１＞に係る発明によれば、単層型の感光層が、結着樹脂、電荷発生材料、正孔輸送材料、一般式（１）で表される電子輸送材料、及び下記式（Ｃ１）で表される化合物を含有する場合に比較して、耐油性に優れる電子写真感光体が提供される。

＜２＞に係る発明によれば、一般式（１）で表される電子輸送材料１００質量部に対する前記化合物の添加量が３０質量部未満又は１４０質量部を超える場合に比較して、耐油性と電気特性とが両立された電子写真感光体が提供される。
＜３＞に係る発明によれば、一般式（１）で表される電子輸送材料１００質量部に対する前記化合物の添加量が３５質量部未満又は９０質量部を超える場合に比較して、耐油性と電気特性とがより両立された電子写真感光体が提供される。

＜４＞、＜５＞、又は＜６＞に係る発明によれば、前記化合物が単環構造の化合物である場合に比べ、耐油性に優れる電子写真感光体が提供される。

＜７＞又は＜８＞に係る発明によれば、前記結着樹脂が脂肪族である場合に比べ、耐油性に優れる電子写真感光体が提供される。

＜９＞に係る発明によれば、前記一般式（１）のＲ^１〜Ｒ^４がいずれも水素原子、炭素数１以上１２以下の直鎖状アルキル基、又は炭素数１以上１２以下の直鎖状アルコキシ基である場合に比べ、耐油性に優れる電子写真感光体が提供される。

＜１０＞又は＜１１＞に係る発明によれば、単層型の感光層が、結着樹脂、電荷発生材料、正孔輸送材料、一般式（１）で表される電子輸送材料、及び下記式（Ｃ１）で表される化合物を含有する電子写真感光体を適用した場合に比較して、割れに起因する色点の発生が抑制された画像が得られるプロセスカートリッジ又は画像形成装置が提供される。

本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す概略部分断面図である。 本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。 本実施形態に係る画像形成装置の他の例を示す概略構成図である。

以下、本発明の一例である実施形態について詳細に説明する。

［電子写真感光体］
本実施形態に係る電子写真感光体は、導電性基体と、導電性基体上に設けられ、結着樹脂と電荷発生材料と正孔輸送材料と一般式（１）で表される電子輸送材料と平面共役構造及び炭素数８以上のアルキル基を有し融点が７０℃以下である化合物とを含有する単層型の感光層と、を有する。

前記一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、各々独立に、水素原子、炭素数１以上１２以下のアルキル基、炭素数１以上１２以下のアルコキシ基、シクロアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ただし、Ｒ^１は、Ｒ^２〜Ｒ^４の少なくともいずれかと異なる基である。

なお、「共役構造」とは、分子内に存在する２以上の多重結合が１つの単結合をはさんで連なっている構造をいい、例えば、１，３−ブタジエン構造、ベンゼン環構造等が挙げられる。また、「平面共役構造」とは、上記共役構造を形成する原子が同一平面状に存在する構造をいい、例えばベンゼン環構造等が挙げられる。
また、単層型の感光層とは、電荷発生能と共に、正孔輸送性及び電子輸送性を持つ感光層である。
以下、「単層型の感光層」を単に「感光層」と称する場合がある。

従来、電子写真感光体（以下、「感光体」とも称する）としては、製造コスト及び画質安定性の観点から、単層型の感光層を有する感光体（単層型感光体）が望ましい。単層型感光体は、電荷発生能と、電荷輸送能と、を併せ持つ機能一体型の感光層を有するため、積層型感光体ほどの感度が得られにくい。しかし、近年の高画質化の要求に伴い、単層型感光体には更なる高感度化が求められている。
そして、単層型感光体の感度を向上させる方法として、例えば、高い電子移動度を有する一般式（１）で表される電子輸送材料を用いる方法が挙げられる。しかし、上記電子輸送材料を用いた単層型感光体では、高い感度が得られるものの、接触する部材に含まれる化学物質や皮脂等の油分が感光体の表面に付着することで、単層型の感光層に割れが生じることがある。また、この割れに起因して、画像に色点が発生することがある。
一方、本実施形態の感光体は、耐油性に優れるため、上記油分の付着に起因する感光層の割れが抑制され、感光層の割れに起因する画像の色点も抑制される。その理由は定かではないが、以下のように推測される。

一般的に、感光層は、感光層形成用塗布液を基体に塗布し、乾燥させることで得られる。乾燥させる過程では、塗布液に含まれる成分（結着樹脂等）が収縮し、収縮によって発生した応力が、残留応力として感光層内に残ることがある。
そして、感光層の残留応力が大きい感光体では、感光体の表面における油分の付着による感光層の割れが生じやすくなる。具体的には、感光体の表面に油分が付着すると、感光層内に含まれる材料が次第に油分へ溶解し、感光層内に空隙が生じる。そのとき、感光層の残留応力が大きいと、空隙の発生によって、感光層内の結着樹脂における分子鎖の絡み合い構造が残留応力に耐え切れなくなり、割れが生じやすくなると考えられる。

これに対し、本実施形態に係る感光体では、単層型の感光層が、結着樹脂、電荷発生材料、正孔輸送材料、一般式（１）で表される電子輸送材料（以下「特定電子輸送材料」ともいう）に加え、平面共役構造及び炭素数８以上のアルキル基（以下「長鎖アルキル基」ともいう）を有し融点が７０℃以下である化合物（以下「特定化合物」ともいう）を含有する。
そのため、油分の付着に伴う感光層の割れが抑制され、耐油性に優れる。具体的には、推定作用ではあるが、特定化合物が平面共役構造を有することにより、特定化合物の平面共役構造と結着樹脂との間に相互作用が働きやすく、感光層内に空隙が生じても、結着樹脂における分子鎖の絡み合い構造が維持されやすくなると考えられる。また、特定化合物が長鎖アルキル基を有することにより、経時的に上記長鎖アルキル基が構造変化することで安定化し、残留応力の緩和された感光層が得られやすくなると考えられる。さらに、融点が上記範囲である特定化合物を含有する感光層は、形成される過程で徐々に固化するため、ガラス転移温度が低く、残留応力が小さく抑えられた感光層となりやすいと考えられる。

以上のことから、本実施形態の感光体は、単層型の感光層が特定電子輸送材料を含有していても、耐油性が高く、油分の付着に伴う感光層の割れが抑制され、割れに起因する色点の発生が抑制された画像が形成されるものと推測される。

以下、図面を参照しつつ、本実施形態に係る電子写真感光体を詳細に説明する。
図１は、本実施形態に係る電子写真感光体７の一部の断面を概略的に示している。
図１に示した電子写真感光体７は、例えば、導電性基体３を備え、導電性基体３上に、単層型の感光層２が最外層として設けられて構成されている。
なお、必要に応じてその他の層を設けてもよい。その他の層としては、例えば、導電性基体３と単層型の感光層２との間に設けられる下引層等が挙げられる。

以下、本実施形態に係る電子写真感光体の各層について詳細に説明する。なお、符号は省略して説明する。

（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０^１３Ωｃｍ未満であることをいう。

導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。

粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて支持体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。

粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。

陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。

陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。

導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。

ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。

（単層型の感光層）
単層型の感光層は、少なくとも結着樹脂と、電荷発生材料と、正孔輸送材料と、特定電子輸送材料と、特定化合物と、を含み、必要に応じてその他添加剤を含んでもよい。以下、単層型の感光層に含まれる各成分について詳細に説明する。

−結着樹脂−
結着樹脂としては、特に制限はないが、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。
これらの結着樹脂は、単独で用いてもよく、２種以上混合して用いてもよい。

結着樹脂の中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂が好ましい。
また、感光層の成膜性の観点から、粘度平均分子量３００００以上８００００以下のポリカーボネート樹脂、及び粘度平均分子量３００００以上８００００以下のポリアリレート樹脂の少なくとも１種を用いることがよい。

なお、ポリカーボネート樹脂及びポリアリレート樹脂の粘度平均分子量の測定方法としては、例えば、次の方法により測定される。樹脂１ｇをメチレンクロライド１００ｃｍ^３に溶解し、２５℃の測定環境下でウベローデ粘度計により、その比粘度ηｓｐを測定し、ηｓｐ／ｃ＝〔η〕＋０．４５〔η〕^２ｃの関係式（ただしｃは濃度（ｇ／ｃｍ^３）より極限粘度〔η〕（ｃｍ^３／ｇ）をもとめ、Ｈ．Ｓｃｈｎｅｌｌによって与えられている式、〔η〕＝１．２３×１０^−４Ｍｖ^０．８３の関係式より粘度平均分子量Ｍｖを求める。

また、結着樹脂は、芳香環を有することが好ましい。芳香環を有する結着樹脂を用いることで、耐油性のより高い感光体が得られる。その理由は定かではないが、結着樹脂が芳香環を有すると、特定化合物の平面共役構造と結着樹脂との相互作用がより強く働きやすくなるためであると推測される。

結着樹脂としては、芳香環を有する結着樹脂の中でも特に、下記一般式（ＰＣＡ）で表される構造単位及び下記一般式（ＰＣＢ）で表される構造単位の少なくとも一方を含むポリカーボネート樹脂が好ましい。

前記一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は、炭素数６以上１２以下のアリール基を表す。Ｘ^Ｐ１は、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、アルキレン基、又は、シクロアルキレン基を表す。

一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４が表すアルキル基としては、炭素数１以上６以下（好ましくは炭素数１以上３以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基等の低級アルキル基が好ましい。

一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４が表すシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチルが挙げられる。

一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４が表すアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基等が挙げられる。

一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｘ^Ｐ１が表すアルキレン基としては、炭素数１以上１２以下（好ましくは炭素数１以上６以下、より好ましくは炭素数１以上３以下）の直鎖状又は分岐状のアルキレン基が挙げられる。
直鎖状のアルキレン基として具体的には、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｎ−ペンチレン基、ｎ−ヘキシレン基、ｎ−ヘプチレン基、ｎ−オクチレン基、ｎ−ノニレン基、ｎ−デシレン基、ｎ−ウンデシレン基、ｎ−ドデシレン基等が挙げられる。
分岐状のアルキレン基として具体的には、イソプロピレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ−ブチレン基、ｔｅｒｔ−ブチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、ｔｅｒｔ−ペンチレン基、イソヘキシレン基、ｓｅｃ−ヘキシレン基、ｔｅｒｔ−ヘキシレン基、イソヘプチレン基、ｓｅｃ−ヘプチレン基、ｔｅｒｔ−ヘプチレン基、イソオクチレン基、ｓｅｃ−オクチレン基、ｔｅｒｔ−オクチレン基、イソノニレン基、ｓｅｃ−ノニレン基、ｔｅｒｔ−ノニレン基、イソデシレン基、ｓｅｃ−デシレン基、ｔｅｒｔ−デシレン基、イソウンデシレン基、ｓｅｃ−ウンデシレン基、ｔｅｒｔ−ウンデシレン基、ネオウンデシレン基、イソドデシレン基、ｓｅｃ−ドデシレン基、ｔｅｒｔ−ドデシレン基、ネオドデシレン基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、ブチレン基等の低級アルキル基が好ましい。

一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｘ^Ｐ１が表すシクロアルキレン基としては、炭素数３以上１２以下（好ましくは炭素数３以上１０以下、より好ましくは炭素数５以上８以下）のシクロアルキレン基が挙げられる。
シクロアルキレン基として具体的には、シクロプロピレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基、シクロドデカニレン基等が挙げられる。
これらの中でも、シクロアルキレン基としては、シクロヘキシレン基が好ましい。

なお、一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、及びＸ^Ｐ１が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子）、アルキル基（例えば炭素数１以上６以下のアルキル基）、シクロアルキル基（例えば炭素数５以上７以下のシクロアルキル基）、アルコキシ基（例えば炭素数１以上４以下のアルコキシ基）、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基等）等が挙げられる。

一般式（ＰＣＡ）において、Ｒ^Ｐ１、及びＲ^Ｐ２は、各々独立に、水素原子、又は炭素数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、Ｒ^Ｐ１、及びＲ^Ｐ２は、水素原子を表すことがより好ましい。
一般式（ＰＣＢ）において、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４は、各々独立に、水素原子、又は炭素数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｘ^Ｐ１がアルキレン基、又はシクロアルキレン基を表すことが好ましい。

一般式（ＰＣＡ）で表される構造単位及び一般式（ＰＣＢ）で表される構造単位の具体例としては、例えば、以下のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

また、結着樹脂は、一般式（ＰＣＡ）で表される構造単位と、一般式（ＰＣＢ）で表される構造単位と、の両方を含むポリカーボネート樹脂がより好ましい。

一般式（ＰＣＡ）で表される構造単位と一般式（ＰＣＢ）で表される構造単位との両方を含むポリカーボネート樹脂の具体例としては、例えば、以下のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。なお、例示化合物中、ｐｍ、ｐｎは共重合比を示す。

ここで、一般式（ＰＣＡ）で表される構造単位と一般式（ＰＣＢ）で表される造単位との両方を含むポリカーボネート樹脂において、一般式（ＰＣＡ）で表される構造単位の含有率（共重合比）は、ポリカーボネート樹脂を構成する全構造単位に対して５モル％以上９５モル％以下の範囲がよく、感光層（電荷輸送層）の耐磨耗性を高める観点から、好ましくは５モル％以上５０モル％以下の範囲、さらに好ましくは１５モル％以上３０モル％以下の範囲である。
具体的には、ポリカーボネート樹脂の上記例示化合物中、ｐｍ、ｐｎは共重合比（モル比）を示すが、ｐｍ：ｐｎ＝９５：５から５：９５の範囲、５０：５０から５：９５の範囲、更に好ましくは、１５：８５から３０：７０の範囲が挙げられる。

一般式（ＰＣＡ）で表される構造単位及び一般式（ＰＣＢ）で表される構造単位の少なくとも一方を含むポリカーボネート樹脂を他の結着樹脂と併用する場合、他の結着樹脂の含有量は全結着樹脂に対して１０質量％（好ましくは５質量％以下）であることがよい。

結着樹脂の感光層の全固形分に対する含有量は、３５質量％以上６０質量％以下であることがよく、好ましくは２０質量％以上３５質量％以下である。

−電荷発生材料−
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。

これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。

一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。

すなわち電荷発生材料としては、例えば３８０ｎｍ以上５００ｎｍの露光波長の光源を用いる場合には無機顔料が好ましく、７００ｎｍ以下８００ｎｍの露光波長の光源を用いる場合には、金属及び無金属フタロシアニン顔料が好ましい。

ここで、電荷発生材料としては、単層型感光体の高感度化の点から、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも１種が好ましく、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がより好ましい。

ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料としては、特に制限はないが、Ｖ型のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がよい。
特に、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料としては、例えば、６００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の波長域での分光吸収スペクトルにおいて、８１０ｎｍ以上８３９ｎｍ以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がより優れた分散性が得られる観点から望ましい。電子写真感光体の材料として用いた場合に、優れた分散性と、十分な感度、帯電性及び暗減衰特性とが得られ易くなる。

また、上記の８１０ｎｍ以上８３９ｎｍ以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、平均粒径が特定の範囲であり、且つ、ＢＥＴ比表面積が特定の範囲であることが望ましい。具体的には、平均粒径が０．２０μｍ以下であることが望ましく、０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下であることがより望ましく、一方、ＢＥＴ比表面積が４５ｍ^２／ｇ以上であることが望ましく、５０ｍ^２／ｇ以上であることがより望ましく、５５ｍ^２／ｇ以上１２０ｍ^２／ｇ以下であることが特に望ましい。平均粒径は、体積平均粒径（ｄ５０平均粒径）でレーザ回折散乱式粒度分布測定装置（ＬＡ−７００、堀場製作所社製）にて測定した値である。また、ＢＥＴ式比表面積測定器（島津製作所製：フローソープＩＩ２３００）を用い窒素置換法にて測定した値である。
ここで、平均粒径が０．２０μｍより大きい場合、又は比表面積値が４５ｍ^２／ｇ未満である場合は、顔料粒子が粗大化しているか、又は顔料粒子の凝集体が形成される傾向があり、分散性や、感度、帯電性及び暗減衰特性といった特性に欠陥が生じやすい傾向にあり、それにより画質欠陥を生じ易くなることがある。

ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の最大粒径（一次粒子径の最大値）は、１．２μｍ以下であることが望ましく、１．０μｍ以下であることがより望ましく、より望ましくは０．３μｍ以下である。かかる最大粒径が上記範囲を超えると、黒点が発生しやすい。

ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、感光体が蛍光灯などに暴露されたことに起因する濃度ムラを抑制する観点から、平均粒径が０．２μｍ以下、最大粒径が１．２μｍ以下であり、且つ、比表面積値が４５ｍ^２／ｇ以上であることが望ましい。

ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、ＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜、１６．０゜、２４．９゜、２８．０゜に回折ピークを有するＶ型であることが望ましい。

一方、クロロガリウムフタロシアニン顔料としては、例えば、電子写真感光体材料として優れた感度が得られる、ブラッグ角度（２θ±０．２°）７．４°、１６．６°、２５．５°及び２８．３°に回折ピークを有するものであることが望ましい。
なお、クロロガリウムフタロシアニン顔料の好適な分光吸収スペクトルの最大ピーク波長、平均粒径、最大粒径、及び比表面積値は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料と同様である。

感光層の全固形分に対する電荷発生材料の含有量は、１質量％以上５質量％以下がよく、好ましくは１．２質量％以上４．５質量％以下である。

−正孔輸送材料−
正孔輸送材料としては、特に制限はないが、例えば、２，５−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール誘導体；１，３，５−トリフェニル−ピラゾリン、１−［ピリジル−（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）ピラゾリン等のピラゾリン誘導体；トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ′−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−４−アミン、トリ（ｐ−メチルフェニル）アミニル−４−アミン、ジベンジルアニリン等の芳香族第３級アミノ化合物；Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン等の芳香族第３級ジアミノ化合物、３−（４′−ジメチルアミノフェニル）−５，６−ジ−（４′−メトキシフェニル）−１，２，４−トリアジン等の１，２，４−トリアジン誘導体；４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン等のヒドラゾン誘導体；２−フェニル−４−スチリル−キナゾリン等のキナゾリン誘導体；６−ヒドロキシ−２，３−ジ（ｐ−メトキシフェニル）ベンゾフラン等のベンゾフラン誘導体；ｐ−（２，２−ジフェニルビニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン等のα−スチルベン誘導体；エナミン誘導体；Ｎ−エチルカルバゾール等のカルバゾール誘導体；ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール及びその誘導体等；上記した化合物で構成される基を主鎖又は側鎖に有する重合体；などが挙げられる。これらの正孔輸送材料は、１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

これらの中でも、電荷移動度の観点から、芳香族第３級アミノ化合物がよく、中でも、下記一般式（ＨＴ１）で表されるトリアリールアミン系正孔輸送材料、及び下記一般式（ＨＴ２）で表されるブタジエン系正孔輸送材料が好ましい。また、トリアリールアミン系正孔輸送材料としては、下記一般式（ＨＴ１ａ）で表されるベンジジン系正孔輸送材料を用いてもよい。

トリアリールアミン系正孔輸送材料（ＨＴ１）について説明する。
トリアリールアミン系正孔輸送材料（ＨＴ１）は、下記一般式（ＨＴ１）で表される正孔輸送材料である。

一般式（ＨＴ１）中、Ａｒ^Ｔ１、Ａｒ^Ｔ２、及びＡｒ^Ｔ３は、各々独立に、アリール基、又は−Ｃ_６Ｈ_４−Ｃ（Ｒ^Ｔ４）＝Ｃ（Ｒ^Ｔ５）（Ｒ^Ｔ６）を示す。Ｒ^Ｔ４、Ｒ^Ｔ５、及びＲ^Ｔ６は、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はアリール基を示す。Ｒ^Ｔ５及びＲ^Ｔ６は、結合して炭化水素環構造を形成してもよい。

一般式（ＨＴ１）において、Ａｒ^Ｔ１、Ａｒ^Ｔ２、及びＡｒ^Ｔ３が表すアリール基としては、炭素数６以上１５以下（好ましくは６以上９以下、より好ましくは６以上８以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、フルオレン基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基が好ましい。

一般式（ＨＴ１）において、Ｒ^Ｔ４、Ｒ^Ｔ５、及びＲ^Ｔ６が表すアルキル基としては、後述する一般式（ＨＴ１ａ）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３が表すアルキル基の例と同様であり、好ましい範囲も同様である。

一般式（ＨＴ１）において、Ｒ^Ｔ４、Ｒ^Ｔ５、及びＲ^Ｔ６が表すアリール基としては、Ａｒ^Ｔ１、Ａｒ^Ｔ２、及びＡｒ^Ｔ３が表すアリール基の例と同様であり、好ましい範囲も同様である。

なお、一般式（ＨＴ１）において、Ａｒ^Ｔ１、Ａｒ^Ｔ２、及びＡｒ^Ｔ３、並びに、Ｒ^Ｔ４、Ｒ^Ｔ５、及びＲ^Ｔ６が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、例えばハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数６以上１０以下アリール基などが挙げられる。また、上記各置換基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。

トリアリールアミン系正孔輸送材料（ＨＴ１）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

ここで、電荷移動度の観点から、一般式（ＨＴ１）で表されるトリアリールアミン系正孔輸送材料のうち、特に、「−Ｃ_６Ｈ_４−Ｃ（Ｒ^Ｔ４）＝Ｃ（Ｒ^Ｔ５）（Ｒ^Ｔ６）」を有するトリアリールアミン系正孔輸送材料が好ましい。中でも、後述するトリアリールアミン系正孔輸送材料（ＨＴ１）の具体例（ＨＴ１−４）で表されるトリアリールアミン系正孔輸送材料が好ましい。

ベンジジン系正孔輸送材料（ＨＴ１ａ）について説明する。
ベンジジン系正孔輸送材料（ＨＴ１ａ）は、下記一般式（ＨＴ１ａ）で表される正孔輸送材料である。

一般式（ＨＴ１ａ）中、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。

一般式（ＨＴ１ａ）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。

一般式（ＨＴ１ａ）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３が表すアルキル基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。

一般式（ＨＴ１ａ）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。

一般式（ＨＴ１ａ）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３が表すアリール基としては、炭素数６以上１０以下（好ましくは６以上９以下、より好ましくは６以上８以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基が好ましい。

なお、一般式（ＨＴ１ａ）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子および基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。

ベンジジン系正孔輸送材料（ＨＴ１ａ）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

以下に、トリアリールアミン系正孔輸送材料（ＨＴ１）、及びベンジジン系正孔輸送材料（ＨＴ１ａ）の具体例（ＨＴ１−１）〜（ＨＴ１−７）を示すが、これに限定されるわけではない。

ブタジエン系正孔輸送材料（ＨＴ２）について説明する。
ブタジエン系正孔輸送材料（ＨＴ２）は、下記一般式（ＨＴ２）で表される正孔輸送材料である。

一般式（ＨＴ２）中、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。
ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。

一般式（ＨＴ２）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。

一般式（ＨＴ２）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表すアルキル基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基、イソウンデシル基、ｓｅｃ−ウンデシル基、ｔｅｒｔ−ウンデシル基、ネオウンデシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ−ドデシル基、ｔｅｒｔ−ドデシル基、ネオドデシル基、イソトリデシル基、ｓｅｃ−トリデシル基、ｔｅｒｔ−トリデシル基、ネオトリデシル基、イソテトラデシル基、ｓｅｃ−テトラデシル基、ｔｅｒｔ−テトラデシル基、ネオテトラデシル基、１−イソブチル−４−エチルオクチル基、イソペンタデシル基、ｓｅｃ−ペンタデシル基、ｔｅｒｔ−ペンタデシル基、ネオペンタデシル基、イソヘキサデシル基、ｓｅｃ−ヘキサデシル基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシル基、ネオヘキサデシル基、１−メチルペンタデシル基、イソヘプタデシル基、ｓｅｃ−ヘプタデシル基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシル基、ネオヘプタデシル基、イソオクタデシル基、ｓｅｃ−オクタデシル基、ｔｅｒｔ−オクタデシル基、ネオオクタデシル基、イソノナデシル基、ｓｅｃ−ノナデシル基、ｔｅｒｔ−ノナデシル基、ネオノナデシル基、１−メチルオクチル基、イソイコシル基、ｓｅｃ−イコシル基、ｔｅｒｔ−イコシル基、ネオイコシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。

一般式（ＨＴ２）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−イコシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基、イソウンデシルオキシ基、ｓｅｃ−ウンデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ウンデシルオキシ基、ネオウンデシルオキシ基、イソドデシルオキシ基、ｓｅｃ−ドデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ドデシルオキシ基、ネオドデシルオキシ基、イソトリデシルオキシ基、ｓｅｃ−トリデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−トリデシルオキシ基、ネオトリデシルオキシ基、イソテトラデシルオキシ基、ｓｅｃ−テトラデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−テトラデシルオキシ基、ネオテトラデシルオキシ基、１−イソブチル−４−エチルオクチルオキシ基、イソペンタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ペンタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンタデシルオキシ基、ネオペンタデシルオキシ基、イソヘキサデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキサデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシルオキシ基、ネオヘキサデシルオキシ基、１−メチルペンタデシルオキシ基、イソヘプタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシルオキシ基、ネオヘプタデシルオキシ基、イソオクタデシルオキシ基、ｓｅｃ−オクタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクタデシルオキシ基、ネオオクタデシルオキシ基、イソノナデシルオキシ基、ｓｅｃ−ノナデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノナデシルオキシ基、ネオノナデシルオキシ基、１−メチルオクチルオキシ基、イソイコシルオキシ基、ｓｅｃ−イコシルオキシ基、ｔｅｒｔ−イコシルオキシ基、ネオイコシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。

一般式（ＨＴ２）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表すアリール基としては、炭素数６以上３０以下（好ましくは６以上２０以下、より好ましくは６以上１６以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニリル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましい。

なお、一般式（ＨＴ２）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子および基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。

一般式（ＨＴ２）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６の隣接する二つの置換基同士（例えばＲ^Ｃ１１及びＲ^Ｃ１２同士、Ｒ^Ｃ１３及びＲ^Ｃ１４同士、Ｒ^Ｃ１５及びＲ^Ｃ１６同士）が連結した炭化水素環構造における、当該置換基同士を連結する基としては、単結合、２，２’−メチレン基、２，２’−エチレン基、２，２’−ビニレン基などが挙げられ、これらの中でも単結合、２，２’−メチレン基が好ましい。
ここで、炭化水素環構造として具体的には、例えば、シクロアルカン構造、シクロアルケン構造、シクロアルカンポリエン構造等が挙げられる。

一般式（ＨＴ２）において、ｎ及びｍは、１であることが好ましい。

一般式（ＨＴ２）において、正孔輸送能の高い感光層（正孔輸送層）形成の点から、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、又は炭素数１以上２０以下のアルコキシ基を表し、ｍ及びｎが１又は２を表することが好ましく、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が水素原子を表し、ｍ及びｎが１を表すことがより好ましい。
つまり、ブタジエン系正孔輸送材料（ＨＴ２）は、下記構造式（ＨＴ２ａ）で表される正孔輸送材料（例示化合物（ＨＴ２−３））であることがより好ましい。

以下に、ブタジエン系正孔輸送材料（ＨＴ２）の具体例（ＨＴ２−１）〜（ＨＴ２−２４）を示すが、これに限定されるわけではない。

なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・ＣＨ_３：メチル基
・ＯＣＨ_３：メトキシ基

ブタジエン系正孔輸送材料（ＨＴ２）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

正孔輸送材料の含有量は、例えば、結着樹脂に対して１０質量％以上９８質量％以下がよく、望ましくは６０質量％以上９５質量％以下、より望ましくは７０質量％以上９０質量％以下である。

−電子輸送材料−
本実施形態では、電子輸送材料として、一般式（１）の電子輸送材料（特定電子輸送材料）が適用される。

前記一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、各々独立に、水素原子、炭素数１以上１２以下のアルキル基、炭素数１以上１２以下のアルコキシ基、シクロアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ただし、Ｒ^１は、Ｒ^２〜Ｒ^４の少なくともいずれかと異なる基である。

Ｒ^１及びＲ^３はそれぞれ独立に、電子輸送材料の結晶化に伴う感光層の割れ抑制の観点から、炭素数３以上１２以下のアルキル基、炭素数３以上１２以下のアルコキシ基、シクロアルキル基、アリール基、又はアラルキル基が好ましく、炭素数３以上１２以下の分岐状アルキル基、炭素数３以上１２以下の分岐状アルコキシ基、シクロアルキル基、アリール基、又はアラルキル基がより好ましく、炭素数３以上８以下の分岐状アルキル基又は炭素数３以上８以下の分岐状アルコキシ基が更に好ましく、ｔ−ブチル基が特に好ましい。
また、電子輸送材料の結晶化に伴う感光層の割れ抑制の観点から、Ｒ^１及びＲ^３は同じ基であることが好ましい。

Ｒ^２及びＲ^４はそれぞれ独立に、電子輸送材料の結晶化に伴う感光層の割れ抑制の観点から、水素原子、炭素数１以上８以下のアルキル基、又は炭素数１以上８以下のアルコキシ基であることが好ましく、水素原子、炭素数１以上４以下の直鎖状アルキル基、又は炭素数１以上４以下の直鎖状アルコキシ基であることがより好ましく、炭素数１以上３以下の直鎖状アルキル基又は炭素数１以上３以下の直鎖状アルコキシ基であること更に好ましく、メチル基であることが特に好ましい。
また、電子輸送材料の結晶化に伴う感光層の割れ抑制の観点から、Ｒ^２及びＲ^４は同じ基であることが好ましい。
更に、電子輸送材料の結晶化に伴う感光層の割れ抑制の観点から、Ｒ^１とＲ^２とは、異なる基であることが好ましく、また、Ｒ^３とＲ^４とは異なる基であることが好ましい。

以下、一般式（１）で表される電子輸送材料（特定電子輸送材料）の例示化合物を示すが、これに限定されるわけではない。なお、以下の例示化合物番号は、例示化合物（１−番号）と以下表記する。具体的には、例えば、例示化合物５は、「例示化合物（１−５）」と以下表記する。
なお、電子輸送材料は、電子輸送材料の結晶化に伴う感光層の割れ抑制の観点から、下記例示化合物（１−１）を含むことが好ましく、下記例示化合物（１−１）であることがより好ましい。

なお、上記例示化合物中の略記号等は、以下の意味を示す。
・ｔ−Ｃ_４Ｈ_９：ｔ−ブチル基
・ＣＨ_３Ｏ：メトキシ基
・ｔ−Ｃ_４Ｈ_９Ｏ：ｔ−ブトキシ基
・ｃ−Ｃ_６Ｈ_１１：シクロヘキシル基
・Ｃ_６Ｈ_５：フェニル基
・Ｃ_６Ｈ_５ＣＨ_２：ベンジル基

特定電子輸送材料は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を組合せて用いてもよい。また、本実施形態の目的を阻害しない範囲で、必要に応じて特定電子輸送材料以外の他の電子輸送材料を併用してもよい。
なお、特定電子輸送材料以外の他の電子輸送材料を含有させる場合の含有量としては、電子輸送材料全体に対し、例えば１０質量％以下の範囲が好ましい。

他の電子輸送材料としては、例えば、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、キサントン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノビニル系化合物、エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。これら他の電子輸送材料は１種を単独で又は２種以上を混合して用いてもよいが、これらに限定されるものではない。

感光層における電子輸送材料の含有量は、電子輸送材料の結晶化に伴う感光層の割れ抑制の観点から、感光層の全質量に対し、８質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上１８質量％以下であることがより好ましく、１２質量％以上１６質量％以下であることが特に好ましい。
また、正孔輸送材料１００質量部に対する電子輸送材料の含有量は、１１質量部以上１００質量部以下が好ましく、２５質量部以上８２質量部以下がより好ましい。
なお、電子輸送材料として２種以上を組み合わせて用いた場合（例えば、特定電子輸送材料と他の電子輸送材料とを組み合わせて用いた場合等）、上記電子輸送材料の含有量は前記２種以上の電子輸送材料の合計含有量を意味する。

−特定化合物−
特定化合物は、平面共役構造及び炭素数８以上のアルキル基（長鎖アルキル基）を有し、かつ、融点が７０℃以下である化合物である。
特定化合物が有する平面共役構造としては、例えば芳香族環が挙げられ、具体的には、例えば、ベンゼン環構造、ナフタレン環構造、アントラセン環構造、フェナントレン環構造等が挙げられ、その中でも、感光層の割れ抑制の観点から、ベンゼン環構造、ナフタレン環構造が好ましい。
特定化合物は、１分子中に平面共役構造を１つのみ有してもよく、２つ以上有してもよい。特定化合物が１分子中に有する平面共役構造の数は、感光層の割れ抑制の観点から、１以上３以下が好ましく、１以上２以下がより好ましい。

特定化合物が有する長鎖アルキル基の炭素数は、８以上であれば特に限定されず、感光層の割れ抑制の観点から、８以上１２以下が好ましい。また、長鎖アルキル基は、直鎖状であっても分岐状であってもよく、感光層の割れ抑制の観点から、直鎖状であることが好ましい。
炭素数８以上１２以下の直鎖状のアルキル基としては、例えば、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル基等が挙げられる。
炭素数８以上１２以下の分岐状のアルキル基としては、例えば、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。
なお、特定化合物は、１分子中に長鎖アルキル基を１つのみ有してもよく、２つ以上有してもよい。特定化合物が１分子中に有する長鎖アルキル基の数は、感光層の割れ抑制の観点から、１以上３以下が好ましく、１以上２以下がより好ましい。

特定化合物は、平面共役構造を含む縮合環を有することが好ましい。
平面共役構造を含む縮合環としては、例えば、ナフタレン骨格を有する縮合環、アントラセン骨格を有する縮合環、フェナントレン骨格を有する縮合環、フルオレン骨格を有する縮合環等が挙げられ、その中でも、感光層の割れ抑制の観点から、ナフタレン骨格を有する縮合環、フルオレン骨格を有する縮合環が好ましい。

特定化合物の融点は、７０℃以下であり、０℃以上７０℃以下が好ましく、３０℃以上６０℃以下がより好ましい。
ここで、特定化合物の融点は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により得られたＤＳＣ曲線における吸熱ピークから求める。なお、電子写真感光体の感光層に含まれる特定化合物の融点を求める場合は、感光層の組成を分析することで特定化合物の化学構造を特定し、同じ化学構造を有する化合物を別途準備し、測定を行ってもよい。

特定化合物としては、例えば、下記一般式（２）で表される化合物、下記一般式（３）で表される化合物、下記一般式（４）で表される化合物、下記一般式（５）で表される化合物が挙げられる。

前記一般式（２）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、及びＲ^１７は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアラルキル基を示す。Ｒ^１８は、炭素数８以上のアルキル基（長鎖アルキル基）又は−Ｌ^１８１−Ｏ−Ｒ^１８２を示す。ただし、Ｌ^１８１はアルキレン基を示し、Ｒ^１８２は炭素数８以上のアルキル基（長鎖アルキル基）を示す。

一般式（２）中、Ｒ^１１〜Ｒ^１７が示すハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ^１１〜Ｒ^１７が示すアルキル基としては、例えば、直鎖状又は分岐状で、炭素数１以上４以下（好ましくは１以上３以下）のアルキル基が挙げられ、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基等が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ^１１〜Ｒ^１７が示すアルコキシ基としては、例えば、炭素数１以上４以下（好ましくは１以上３以下）のアルコキシ基が挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ^１１〜Ｒ^１７が示すアリール基としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基等が挙げられる。これらの中でも、Ｒ^１１〜Ｒ^１７が示すアリール基としては、フェニル基が好ましい。

一般式（２）中、Ｒ^１１〜Ｒ^１７が示すアラルキル基としては、−Ｌ−Ａｒで示される基が挙げられる。但し、Ｌは、アルキレン基を示し、Ａｒは、アリール基を示す。
Ｌが示すアルキレン基としては、直鎖状又は分岐状の炭素数１以上１２以下のアルキレン基が挙げられ、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ−ブチレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ−ブチレン基、ｔｅｒｔ−ブチレン基、ｎ−ペンチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、ｔｅｒｔ−ペンチレン基等が挙げられる。
Ａｒが示すアリール基としては、フェニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基エチルフェニル基等が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ^１１〜Ｒ^１７が示すアラルキル基の具体例としては、例えば、ベンジル基、メチルベンジル基、ジメチルベンジル基、フェニルエチル基、メチルフェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基等が挙げられる。

一般式（２）中、Ｒ^１８が示す長鎖アルキル基の具体例及び好ましい基は、前述の特定化合物が有する長鎖アルキル基として説明した通りである。
一般式（２）中、Ｒ^１８が示す−Ｌ^１８１−Ｏ−Ｒ^１８２で示される基は、Ｌ^１８１がアルキレン基を示し、Ｒ^１８２は、炭素数８以上のアルキル基（長鎖アルキル基）を示す。
Ｌ^１８１が示すアルキレン基としては、直鎖状又は分岐状の炭素数１以上１２以下のアルキレン基が挙げられ、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ−ブチレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ−ブチレン基、ｔｅｒｔ−ブチレン基、ｎ−ペンチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、ｔｅｒｔ−ペンチレン基等が挙げられる。
Ｒ^１８２が示す長鎖アルキル基の具体例及び好ましい基も、前述の特定化合物が有する長鎖アルキル基として説明した通りである。

一般式（２）で表される化合物としては、感光層の割れ抑制の観点から、Ｒ^１１〜Ｒ^１７が各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、又はアルキル基を示し、Ｒ^１８が炭素数８以下の直鎖状のアルキル基を示す化合物が好ましい。

以下、一般式（２）で表される化合物の例示化合物を示すが、これに限定されるわけではない。なお、以下の例示化合物番号は、例示化合物（２−番号）と以下表記する。具体的には、例えば、例示化合物２は、「例示化合物（２−２）」と以下表記する。

前記一般式（３）中、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、及びＲ^２７は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアラルキル基を示す。Ｒ^２８は、炭素数８以上のアルキル基又は−Ｌ^２８１−Ｏ−Ｒ^２８２を示す。ただし、Ｌ^２８１はアルキレン基を示し、Ｒ^２８２は炭素数８以上のアルキル基を示す。

一般式（３）中、Ｒ^２１〜Ｒ^２７が示すハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、及びアラルキル基としては、それぞれ、一般式（２）中、Ｒ^１１〜Ｒ^１７が示すハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、及びアラルキル基と同様の基が挙げられ、好ましい基についても同様である。

一般式（３）中、Ｒ^２８が示す長鎖アルキル基又は−Ｌ^２８１−Ｏ−Ｒ^２８２で示される基としては、それぞれ、一般式（２）中、Ｒ^１８が示す長鎖アルキル基及び−Ｌ^１８１−Ｏ−Ｒ^１８２で示される基と同様の基が挙げられ、好ましい基についても同様である。

以下、一般式（３）で表される化合物の例示化合物を示すが、これに限定されるわけではない。なお、以下の例示化合物番号は、例示化合物（３−番号）と以下表記する。具体的には、例えば、例示化合物５は、「例示化合物（３−５）」と以下表記する。

前記一般式（４）中、Ｒ^３１は、炭素数８以上のアルキル基を示し、Ｒ^３２は、水素原子又はアルキル基を示す。

一般式（４）中、Ｒ^３１が示す炭素数８以上のアルキル基（長鎖アルキル基）の具体例及び好ましい基は、前述の特定化合物が有する長鎖アルキル基として説明した通りである。
一般式（４）中、Ｒ^３２が示すアルキル基としては、炭素数７以下のアルキル基、炭素数８以上のアルキル基（長鎖アルキル基）が挙げられるが、感光層の割れ抑制の観点から、長鎖アルキル基であることが好ましい。
また、一般式（４）で表される化合物は、感光層の割れ抑制の観点から、Ｒ^３１が示す基とＲ^３２が示す基とが同じ基であることがより好ましい。

以下、一般式（４）で表される化合物の例示化合物を示すが、これに限定されるわけではない。なお、以下の例示化合物番号は、例示化合物（４−番号）と以下表記する。具体的には、例えば、例示化合物５は、「例示化合物（４−５）」と以下表記する。

前記一般式（５）中、Ｒ^４１は、炭素数８以上のアルキル基又は炭素数８以上のアルコキシ基を示し、Ｒ^４２は、水素原子、アルキル基、又はアルコキシ基を示す。

一般式（５）中、Ｒ^４１が示す炭素数８以上のアルキル基（長鎖アルキル基）の具体例及び好ましい基は、前述の特定化合物が有する長鎖アルキル基として説明した通りである。
一般式（５）中、Ｒ^４１が示す炭素数８以上のアルコキシ基は、−Ｏ−Ｒ^４１１で示される基であり、Ｒ^４１１は上記長鎖アルキル基を示す。
また、一般式（５）中のＲ^４１の置換位置は、１位であっても２位であってもよく、感光層の割れ抑制の観点から、１位であることが好ましい。

一般式（５）中、Ｒ^４２が示すアルキル基及びアルコキシ基は、例えば、それぞれ炭素数１以上８以下のアルキル基及びアルコキシ基が挙げられる。
また、一般式（５）中のＲ^４２の置換位置は、５位〜８位のいずれであってもよい。

以下、一般式（５）で表される化合物の例示化合物を示すが、これに限定されるわけではない。なお、以下の例示化合物番号は、例示化合物（５−番号）と以下表記する。具体的には、例えば、例示化合物５は、「例示化合物（５−５）」と以下表記する。

特定化合物は、これらの中でも特に、高感度と割れ抑制との両立の観点から、一般式（２）で表される化合物及び一般式（３）で表される化合物が特に好ましい。
なお特定化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

また、特定電子輸送材料１００質量部に対する特定化合物の添加量は、特に限定されないが、３０質量部以上１４０質量部以下が好ましく、３５質量部以上９０質量部以下がより好ましい。
上記特定化合物の添加量が上記範囲であることにより、上記範囲より少ない場合に比べて感光層の割れがさらに抑制され、上記範囲よりも多い場合に比べて電気特性の高い感光体が得られる。
なお、上記特定化合物が２種以上併用されている場合、上記特定化合物の添加量とは、併用された２種以上の特定化合物の合計添加量を意味する。

−その他添加剤−
単層型の感光層には、酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤等の周知のその他添加剤を含んでいてもよい。また、単層型の感光層が表面層となる場合、フッ素樹脂粒子、シリコーンオイル等を含んでいてもよい。

−単層型の感光層の形成−
単層型の感光層は、上記成分を溶剤に加えた感光層形成用塗布液を用いて形成される。
溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類、アセトン、２−ブタノン等のケトン類、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類、テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状もしくは直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は単独又は２種以上混合して用いる。

感光層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。

感光層形成用塗布液を下引層上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等が挙げられる。

単層型の感光層の膜厚は、好ましくは５μｍ以上６０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下の範囲に設定される。

［画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）］
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。

本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。

中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。

本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。

なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。

図２は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図２に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。

図２におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。

なお、図２には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。

−帯電装置−
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。

−露光装置−
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。

−現像装置−
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。

現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。

−クリーニング装置−
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。

−転写装置−
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。

−中間転写体−
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。

図３は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図３に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。

以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。なお、特に断りがないかぎり、「部」は「質量部」、「％」は「質量％」であることを示す。

＜実施例１＞
−感光層形成用塗布液の製造−
電荷発生材料としてＣｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜、１６．０゜、２４．９゜、２８．０゜の位置に回折ピークを有するＶ型のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（以下「ＨＯＧａＰＣ」ともいう）１．２部と、結着樹脂としてビスフェノールＺポリカーボネート樹脂（前記式ＰＣ−１で表されるポリカーボネート樹脂、ｐｍ：２５、ｐｎ：７５、粘度平均分子量：５万）４６．８部と、正孔輸送材料として前記一般式（ＨＴ２）で表される正孔輸送材料である例示化合物（ＨＴ２−３）３７部と、電子輸送材料として前記一般式（１）で表される電子輸送材料である例示化合物（１−１）１０部と、特定化合物として前記一般式（４）で表される化合物である例示化合物（４−５）８部と、溶剤としてテトラヒドロフラン２５０部と、からなる混合物を、２５℃に維持しながら、直径１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて６時間分散し、感光層形成用塗布液を得た。

−感光層の形成−
得られた感光層形成用塗布液を２８℃に制御しながら、浸漬塗布法にて、直径３０ｍｍ、長さ２４４．５ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、１４０℃、３０分の乾燥硬化を行い、膜厚３０μｍの単層型の感光層を形成した。
以上の工程を経て、実施例１における電子写真感光体を作製した。
一般式（１）で表される電子輸送材料１００質量部に対する特定化合物の添加量を表１（表１中の「添加量」）に示す。

＜実施例２＞
特定化合物として、前記一般式（５）で表される化合物である例示化合物（５−５）８部を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例２における電子写真感光体を作製した。
一般式（１）で表される電子輸送材料１００質量部に対する特定化合物の添加量を表１（表１中の「添加量」）に示す。

＜実施例３＞
特定化合物として、前記一般式（２）で表される化合物である例示化合物（２−１）８部を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例３における電子写真感光体を作製した。
一般式（１）で表される電子輸送材料１００質量部に対する特定化合物の添加量を表１（表１中の「添加量」）に示す。

＜実施例４＞
特定化合物として、前記一般式（３）で表される化合物である例示化合物（３−１）８部を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例４における電子写真感光体を作製した。
一般式（１）で表される電子輸送材料１００質量部に対する特定化合物の添加量を表１（表１中の「添加量」）に示す。

＜実施例５＞
特定化合物の添加量を３部とした以外は、実施例２と同様にして、実施例５における電子写真感光体を作製した。
一般式（１）で表される電子輸送材料１００質量部に対する特定化合物の添加量を表１（表１中の「添加量」）に示す。

＜実施例６＞
特定化合物の添加量を１０部とした以外は、実施例２と同様にして、実施例６における電子写真感光体を作製した。
一般式（１）で表される電子輸送材料１００質量部に対する特定化合物の添加量を表１（表１中の「添加量」）に示す。

＜比較例１＞
特定化合物に代えて、下記式（Ｃ１）で表される化合物（融点：１０４℃）８部を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例１における電子写真感光体を作製した。
一般式（１）で表される電子輸送材料１００質量部に対する式（Ｃ１）で表される化合物の添加量を表１（表１中の「添加量」）に示す。

＜比較例２＞
特定化合物に代えて、下記式（Ｃ２）で表される化合物（融点：−２０℃）８部を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例２における電子写真感光体を作製した。
一般式（１）で表される電子輸送材料１００質量部に対する式（Ｃ２）で表される化合物の添加量を表１（表１中の「添加量」）に示す。

＜比較例３＞
特定化合物に代えて、下記式（Ｃ３）で表される化合物（融点：−５０℃）８部を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例３における電子写真感光体を作製した。
一般式（１）で表される電子輸送材料１００質量部に対する式（Ｃ３）で表される化合物の添加量を表１（表１中の「添加量」）に示す。

＜比較例４＞
特定化合物に代えて、下記式（Ｃ４）で表される化合物（融点：７９℃）８部を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例４における電子写真感光体を作製した。
一般式（１）で表される電子輸送材料１００質量部に対する式（Ｃ４）で表される化合物の添加量を表１（表１中の「添加量」）に示す。

＜比較例５＞
特定化合物を添加しない以外は、実施例１と同様にして、比較例５における電子写真感光体を作製した。

［評価]
得られた各電子写真感光体について、以下の評価を行った。その結果を表１に示す。

−割れ（亀裂）評価−
感光体の外周面の１０箇所に、オレイン酸に浸漬した直径５ｍｍのろ紙を載せ、温度２０℃湿度４０％の環境下で１日（２４時間）放置した。その後、ろ紙を除去し、光学顕微鏡（ニコン製、型番：ＣＯＯＬＰＩＸ Ｐ７８００、倍率：２０倍）で感光体の外周面を観察し、ろ紙と接触していた領域ごとに亀裂（割れ）の合計長さを求め、１０箇所の平均値（以下「亀裂長さ」ともいう）を算出して下記基準により評価した。
Ａ：亀裂が全く確認されない、又は亀裂長さが０ｍｍ以上１ｍｍ未満
Ｂ：亀裂長さが１ｍｍ以上３ｍｍ未満
Ｃ：亀裂長さが３ｍｍ以上７ｍｍ未満
Ｄ：亀裂長さが７ｍｍ以上１１ｍｍ未満
Ｅ：亀裂長さが１１ｍｍ以上１５ｍｍ未満
Ｆ：亀裂長さが１５ｍｍ以上

−色点評価−
感光体の外周面に、オレイン酸１質量％ヘキサン溶液を０．５ｍｌ噴霧し、室温（２５℃）で２週間放置した。その後、室温２８℃、湿度８５％の環境下で、Ｂｒｏｔｈｅｒ社製ＨＬ５３４０Ｄを用い、５０％ハーフトーン画像を形成し、画像の色点発生の有無を以下の基準で評価した。
Ａ：色点発生なし（目視で黒点が確認されない）
Ｂ：目視で１個以上３個未満の色点が確認されるが、画質上問題なし
Ｃ：目視で３個以上１０個未満の色点が確認され、実用上問題となる
Ｄ：目視で１０個以上の色点が観測され、問題となる

−電気特性評価−
画像形成装置（Ｂｒｏｔｈｅｒ社製ＨＬ５３４０Ｄ）を電位測定用に改造した。具体的には、現像装置の代わりに電子写真感光体と正対するように表面電位測定プローブ（トレック社、Ｍｏｄｅｌ ５５５Ｐ−１）を設置し、表面電位計（トレック社製、トレック３３４）と接続し電位測定を行った。次に、室温２８℃湿度８５％の環境下で、ベタ濃度出力時の感光体表面電位（露光装置によってベタ濃度の潜像が形成された感光体の表面電位）を測定し、これを露光後電位ＶＬとした。

上記露光後電位ＶＬの測定を、５０％ハーフトーン画像を１万枚形成する前後において行い、その差ΔＶＬを求め、以下の基準で評価した。
Ａ：ΔＶＬ≦１５Ｖ
Ｂ：１５Ｖ＜ΔＶＬ≦２０Ｖ
Ｃ：２０Ｖ＜ΔＶＬ≦２５Ｖ
Ｄ：２５Ｖ＜ΔＶＬ

上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、感光層の割れの発生が抑制され、感光層の割れに伴う色点が抑制されていることがわかる。

２ 感光層、３ 導電性基体、７ 電子写真感光体、８ 帯電装置、９ 露光装置、１１ 現像装置、１３ クリーニング装置、１４ 潤滑材、４０ 転写装置、５０ 中間転写体、１００ 画像形成装置、１２０ 画像形成装置、１３１ クリーニングブレード、１３２ 繊維状部材、１３３ 繊維状部材、３００ プロセスカートリッジ

Claims (11)

1. 導電性基体と、
   前記導電性基体上に設けられ、結着樹脂と電荷発生材料と正孔輸送材料と下記一般式（１）で表される電子輸送材料と平面共役構造及び炭素数８以上のアルキル基を有し融点が７０℃以下である化合物とを含有する単層型の感光層と、
   を有する電子写真感光体。
   
   （前記一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、各々独立に、水素原子、炭素数１以上１２以下のアルキル基、炭素数１以上１２以下のアルコキシ基、シクロアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ただし、Ｒ^１は、Ｒ^２〜Ｒ^４の少なくともいずれかと異なる基である。）
2. 前記一般式（１）で表される電子輸送材料１００質量部に対する前記化合物の添加量は、３０質量部以上１４０質量部以下である請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 前記一般式（１）で表される電子輸送材料１００質量部に対する前記化合物の添加量は、３５質量部以上９０質量部以下である請求項２に記載の電子写真感光体。
4. 前記化合物は、前記平面共役構造を含む縮合環を有する請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
5. 前記平面共役構造を含む縮合環は、ナフタレン骨格及びフルオレン骨格の少なくとも一方を有する請求項４に記載の電子写真感光体。
6. 前記化合物は、下記一般式（２）で表される化合物及び下記一般式（３）で表される化合物の少なくとも１種である請求項５に記載の電子写真感光体。
   
   （前記一般式（２）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、及びＲ^１７は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアラルキル基を示す。Ｒ^１８は、炭素数８以上のアルキル基又は−Ｌ^１８１−Ｏ−Ｒ^１８２を示す。ただし、Ｌ^１８１はアルキレン基を示し、Ｒ^１８２は炭素数８以上のアルキル基を示す。）
   
   （前記一般式（３）中、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、及びＲ^２７は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアラルキル基を示す。Ｒ^２８は、炭素数８以上のアルキル基又は−Ｌ^２８１−Ｏ−Ｒ^２８２を示す。ただし、Ｌ^２８１はアルキレン基を示し、Ｒ^２８２は炭素数８以上のアルキル基を示す。）
7. 前記結着樹脂は、芳香環を有する請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
8. 前記結着樹脂は、下記一般式（ＰＣＡ）で表される構造単位及び下記一般式（ＰＣＢ）で表される構造単位の少なくとも一方を含むポリカーボネート樹脂である請求項７に記載の電子写真感光体。
   
   （前記一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は、炭素数６以上１２以下のアリール基を示す。Ｘ^Ｐ１は、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、アルキレン基、又は、シクロアルキレン基を示す。）
9. 前記一般式（１）のＲ^１は、炭素数３以上１２以下の分岐状アルキル基、炭素数３以上１２以下の分岐状アルコキシ基、シクロアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
10. 請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
    画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
11. 請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
    前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
    帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
    トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
    前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
    を備える画像形成装置。