JP2019190307A - 噴射制御装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(第1実施形態)
以下、第1実施形態について図1および図2を参照して説明する。
ここでは、ソレノイド2を駆動する際における制御ロジックを説明するが、ソレノイド3を駆動する際における制御ロジックも同様のものとなる。駆動制御部10は、設定された駆動期間TQの開始時点である時刻t1において、トランジスタQ3およびトランジスタQ4をオン駆動する。これにより、ソレノイド2に対し昇圧電圧Vboostが印加され、ソレノイド電流が増加に転じる。
Ts=Tc …(1)
本実施形態の噴射制御装置1では、トランジスタQ1およびトランジスタQ4またはQ5がオンされるとソレノイド2または3にバッテリ電圧VBが印加され、トランジスタQ3およびトランジスタQ4またはQ5がオンされるとソレノイド2または3に昇圧電圧Vboostが印加される。また、噴射制御装置1では、トランジスタQ2がオフされるとダイオードD2の両端が短絡されていない状態となり、トランジスタQ2がオンされるとダイオードD2の両端が短絡された状態となる。
以下、第2実施形態について図3を参照して説明する。
第2実施形態では、ソレノイド2、3を駆動する際における制御ロジックの内容が第1実施形態と異なっている。なお、噴射制御装置1の構成は、第1実施形態と共通する。
Ts=TQ−Td …(2)
以下、第3実施形態について図4を参照して説明する。
第3実施形態では、ソレノイド2、3を駆動する際における制御ロジックの内容が第1実施形態と異なっている。なお、噴射制御装置1の構成は、第1実施形態と共通する。
Ts=Tq1 …(3)
以下、第4実施形態について図5を参照して説明する。
本実施形態の噴射制御装置41は、第1実施形態の噴射制御装置1に対し、駆動回路4および制御IC5に代えて駆動回路42および制御IC43を備えている点などが異なる。
本実施形態の制御ロジックでは、第1実施形態の制御ロジックに対し、トランジスタQ2のオンとオフの制御が異なっている。前述した通り、本実施形態では、駆動制御部44は、トランジスタQ1およびトランジスタQ2について、共通の駆動信号により、それらのオンとオフを制御するようになっている。
なお、本発明は上記し且つ図面に記載した各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で任意に変形、組み合わせ、あるいは拡張することができる。
上記各実施形態で示した数値などは例示であり、それに限定されるものではない。
トランジスタQ1〜Q5としては、Nチャネル型のMOSトランジスタに限らずとよく、様々な種類の半導体スイッチング素子を用いることができる。
逆流防止用ダイオードとしては、トランジスタQ2のボディダイオードにより構成するものに限らずともよく、別途ダイオードを追加してもよい。
トランジスタQ1、Q2の各オン駆動電圧をそれぞれ別々のブートストラップ回路を用いて生成する構成としてもよい。
Claims (8)
- 内燃機関に燃料を噴射する噴射弁が有するソレノイド(2、3)の駆動を制御する噴射制御装置であって、
直流電圧が供給される直流電源線(L1)から前記ソレノイドへと至る給電経路のうち上流側に設けられる第1上流側スイッチ(Q1)と、
前記直流電圧を昇圧して得られる昇圧電圧が供給される昇圧電源線(L2)から前記ソレノイドへと至る給電経路のうち上流側に設けられる第2上流側スイッチ(Q3)と、
2つの前記給電経路の下流側に共通に設けられる下流側スイッチ(Q4、Q5)と、
前記ソレノイドの上流側端子と前記第1上流側スイッチとの間に前記第1上流側スイッチ側をアノードとして設けられる逆流防止用ダイオード(D2)と、
前記ソレノイドの上流側端子と前記第1上流側スイッチとの間に前記逆流防止用ダイオードと並列に設けられる短絡スイッチ(Q2)と、
前記第1上流側スイッチ、前記第2上流側スイッチ、前記下流側スイッチおよび前記短絡スイッチのオンとオフを制御するものであり、前記下流側スイッチをオンするとともに前記第1上流側スイッチおよび前記第2上流側スイッチのうち一方をオンすることにより前記ソレノイドを駆動する駆動制御部(10、44)と、
を備える噴射制御装置。 - 前記駆動制御部(10)は、前記第1上流側スイッチおよび前記短絡スイッチについて、それぞれ独立して制御するようになっている請求項1に記載の噴射制御装置。
- 前記駆動制御部(10、44)は、前記第1上流側スイッチおよび前記短絡スイッチについて、共通の制御を行うようになっている請求項1に記載の噴射制御装置。
- 前記駆動制御部(44)は、前記第1上流側スイッチおよび前記短絡スイッチについて、共通の信号により、それらのオンとオフを制御する請求項3に記載の噴射制御装置。
- 前記駆動制御部(10、44)は、前記短絡スイッチがオンする期間および前記第2上流側スイッチがオンする期間が重複しないように、それらスイッチのオンとオフを制御する請求項1から4のいずれか一項に記載の噴射制御装置。
- さらに、前記昇圧電源線と前記ソレノイドの下流側端子との間に前記ソレノイドの下流側端子側をアノードとして接続された回生用ダイオード(D4、D5)を備え、
前記駆動制御部(10、44)は、前記下流側スイッチがオフする期間には、前記第1上流側スイッチおよび前記第2上流側スイッチがいずれもオフするように、それらスイッチのオンとオフを制御する請求項1から5のいずれか一項に記載の噴射制御装置。 - さらに、前記ソレノイドに印加される印加電圧を検出する印加電圧検出部(7)を備え、
前記駆動制御部(10)は、前記印加電圧検出部により検出される前記印加電圧が前記直流電圧より高い期間には、前記短絡スイッチがオフするように制御する請求項1から6のいずれか一項に記載の噴射制御装置。 - 前記第1上流側スイッチおよび前記短絡スイッチは、いずれもNチャネル型のMOSトランジスタにより構成されており、
前記駆動制御部は、前記第1上流側スイッチをオン駆動するためのオン駆動電圧および前記短絡スイッチをオン駆動するためのオン駆動電圧を、共通のブートストラップ回路(8)を用いて生成する請求項1から7のいずれか一項に記載の噴射制御装置。
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