JP2019184393A - 膜厚測定装置 - Google Patents
膜厚測定装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019184393A JP2019184393A JP2018074641A JP2018074641A JP2019184393A JP 2019184393 A JP2019184393 A JP 2019184393A JP 2018074641 A JP2018074641 A JP 2018074641A JP 2018074641 A JP2018074641 A JP 2018074641A JP 2019184393 A JP2019184393 A JP 2019184393A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- substrate
- film thickness
- film
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0675—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating using interferometry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
- G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
以下、本実施の形態に関する膜厚測定装置について説明する。説明の便宜上、まず、入射光が基板を透過して測定ステージの上面で反射し、その反射光がセンサーの受光部に到達する場合について説明する。
図4は、本実施の形態に関する膜厚測定装置の、特に測定部の構造の例を概略的に示す断面図である。図4に例が示されるように、膜厚測定装置は、測定ステージ1Bと、測定ステージ1Bの上面に配置された基板2とを備える。被測定膜3は、基板2の上面に形成される。
本実施の形態に関する膜厚測定装置について説明する。以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
図3は、本実施の形態に関する膜厚測定装置の、特に測定部の構造の例を概略的に示す断面図である。図3に例が示されるように、膜厚測定装置は、測定ステージ1Aと、基板2と、光源4と、ハーフミラー6と、受光部5とを備える。被測定膜3は、基板2の上面に形成される。
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。
Claims (7)
- 光を透過する基板の上面に形成された被測定膜の膜厚を測定する膜厚測定装置であり、
前記基板の平面視における縁部にのみ接触し、かつ、前記基板を下方から支持するステージと、
前記ステージの下方において前記ステージから離間して位置し、かつ、平面視において前記ステージに囲まれる領域に少なくとも一部が位置する反射抑制部と、
前記被測定膜に対して光を照射する光源と、
前記光源から照射された光が前記被測定膜の上面に反射した第1の光と、前記光源から照射された光が前記被測定膜を透過し、さらに、前記基板の上面に反射した第2の光とが入射される受光部とを備え、
前記反射抑制部は、前記ステージに接触せず大気中に露出する前記基板の下面から離間して位置し、
前記反射抑制部は、前記反射抑制部に入射した前記光源からの光が、前記受光部に反射されることを抑制する、
膜厚測定装置。 - 前記ステージは、平面視においてリング形状である、
請求項1に記載の膜厚測定装置。 - 前記反射抑制部の上面には、粗面状の光吸収コーティングが形成される、
請求項1または請求項2に記載の膜厚測定装置。 - 前記反射抑制部は、凹面鏡である、
請求項1または請求項2に記載の膜厚測定装置。 - 光を透過する基板の上面に形成された被測定膜の膜厚を測定する膜厚測定装置であり、
前記基板を下方から支持するステージと、
前記被測定膜に対して光を照射する光源と、
前記光源から照射された光が前記被測定膜の上面に反射した第1の光と、前記光源から照射された光が前記被測定膜を透過し、さらに、前記基板の上面に反射した第2の光とが入射される受光部とを備え、
前記ステージの上面には、凹部が形成され、
前記ステージは、平面視で前記凹部を囲む領域において前記基板の下面と接触し、
前記凹部の断面形状は、円弧形状である、
膜厚測定装置。 - 前記基板の下面の前記凹部に対向する部分が、大気中に露出する、
請求項5に記載の膜厚測定装置。 - 前記凹部の内壁に、粗面状の光吸収コーティングが形成される、
請求項5または請求項6に記載の膜厚測定装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018074641A JP6956673B2 (ja) | 2018-04-09 | 2018-04-09 | 膜厚測定装置 |
US16/266,123 US10677585B2 (en) | 2018-04-09 | 2019-02-04 | Film thickness measuring apparatus |
DE102019204466.2A DE102019204466A1 (de) | 2018-04-09 | 2019-03-29 | Filmdicken-Messvorrichtung |
CN201910272081.3A CN110360941B (zh) | 2018-04-09 | 2019-04-04 | 膜厚测定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018074641A JP6956673B2 (ja) | 2018-04-09 | 2018-04-09 | 膜厚測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019184393A true JP2019184393A (ja) | 2019-10-24 |
JP6956673B2 JP6956673B2 (ja) | 2021-11-02 |
Family
ID=67991597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018074641A Active JP6956673B2 (ja) | 2018-04-09 | 2018-04-09 | 膜厚測定装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10677585B2 (ja) |
JP (1) | JP6956673B2 (ja) |
CN (1) | CN110360941B (ja) |
DE (1) | DE102019204466A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10734340B2 (en) * | 2018-05-15 | 2020-08-04 | Camtek Ltd. | Height measurements of conductive structural elements that are surrounded by a photoresist layer |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6390704A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-21 | Canon Inc | 光学式計測機器用測定台 |
JPH11230860A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-08-27 | Fujitsu Ltd | 光学的薄膜計測方法及び装置並びにこの装置に用いられる光学的薄膜計測妨害光除去装置 |
JP2000065536A (ja) * | 1998-08-20 | 2000-03-03 | Otsuka Denshi Kk | 膜厚及び光学定数の測定方法及び装置 |
JP2005140726A (ja) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Omron Corp | 薄膜測定方法及び薄膜測定装置 |
JP2005249602A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 膜厚測定方法および装置 |
JP2010072034A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Seiko Epson Corp | 画像形成装置及び感光体ユニット、転写ベルトユニット |
JP2010203814A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 薄膜検査装置及びその方法 |
JP2014202642A (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-27 | オリンパス株式会社 | 光学素子の面間隔測定装置および面間隔測定方法 |
US20160202038A1 (en) * | 2015-01-12 | 2016-07-14 | Korea Research Institute Of Standards And Science | Thickness measuring apparatus and thickness measuring method |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3807870A (en) * | 1972-05-22 | 1974-04-30 | G Kalman | Apparatus for measuring the distance between surfaces of transparent material |
JPS61201107A (ja) * | 1985-03-05 | 1986-09-05 | Toshiba Corp | 透明な膜の表面検査方法 |
JPH0252205A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 膜厚測定方法 |
US5604581A (en) * | 1994-10-07 | 1997-02-18 | On-Line Technologies, Inc. | Film thickness and free carrier concentration analysis method and apparatus |
US5754294A (en) * | 1996-05-03 | 1998-05-19 | Virginia Semiconductor, Inc. | Optical micrometer for measuring thickness of transparent wafers |
US5748091A (en) * | 1996-10-04 | 1998-05-05 | Mcdonnell Douglas Corporation | Fiber optic ice detector |
US5717490A (en) * | 1996-10-17 | 1998-02-10 | Lsi Logic Corporation | Method for identifying order skipping in spectroreflective film measurement equipment |
US6166819A (en) * | 1998-06-26 | 2000-12-26 | Siemens Aktiengesellschaft | System and methods for optically measuring dielectric thickness in semiconductor devices |
US6108077A (en) * | 1998-12-08 | 2000-08-22 | Nanometrics Incorporated | Sample support with a non-reflecting sample supporting surface |
JP2000346620A (ja) * | 1999-06-09 | 2000-12-15 | Toshiba Corp | 膜厚測定方法とその装置およびそれを用いたエッチング装置 |
TW594218B (en) * | 2000-07-03 | 2004-06-21 | Alps Electric Co Ltd | Reflector and reflective liquid crystal display device |
US6573999B1 (en) * | 2000-07-14 | 2003-06-03 | Nanometrics Incorporated | Film thickness measurements using light absorption |
JP3976021B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2007-09-12 | 富士ゼロックス株式会社 | 位置計測システム |
JP4423168B2 (ja) * | 2004-11-02 | 2010-03-03 | 株式会社ミツトヨ | 表面性状測定装置 |
JP2006349534A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Fujinon Corp | 動体測定用干渉計装置および動体測定用光干渉計測方法 |
US7880897B2 (en) * | 2007-12-28 | 2011-02-01 | Fujinon Corporation | Light wave interferometer apparatus |
US8300232B2 (en) * | 2009-08-19 | 2012-10-30 | Siemens Energy, Inc. | Method of measuring coating thickness using infrared light |
JP2012037365A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-23 | Nec Corp | 膜厚測定装置および膜厚測定方法 |
WO2013061417A1 (ja) * | 2011-10-26 | 2013-05-02 | 三菱電機株式会社 | 膜厚測定方法 |
JP5189711B1 (ja) * | 2012-02-15 | 2013-04-24 | 株式会社シンクロン | 光学式膜厚計測装置及び光学式膜厚計測装置を用いた薄膜形成装置 |
JP6290637B2 (ja) * | 2014-01-30 | 2018-03-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 膜厚計測方法及び膜厚計測装置 |
WO2016059670A1 (ja) * | 2014-10-14 | 2016-04-21 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法 |
JP2017211293A (ja) | 2016-05-26 | 2017-11-30 | 日本電気株式会社 | 画像取得装置及び膜厚測定方法 |
KR101886919B1 (ko) * | 2016-06-16 | 2018-09-11 | 한국표준과학연구원 | 영상분광광학계를 이용한 다층막 구조물의 두께와 형상 측정장치 및 측정방법 |
-
2018
- 2018-04-09 JP JP2018074641A patent/JP6956673B2/ja active Active
-
2019
- 2019-02-04 US US16/266,123 patent/US10677585B2/en active Active
- 2019-03-29 DE DE102019204466.2A patent/DE102019204466A1/de active Pending
- 2019-04-04 CN CN201910272081.3A patent/CN110360941B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6390704A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-21 | Canon Inc | 光学式計測機器用測定台 |
JPH11230860A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-08-27 | Fujitsu Ltd | 光学的薄膜計測方法及び装置並びにこの装置に用いられる光学的薄膜計測妨害光除去装置 |
JP2000065536A (ja) * | 1998-08-20 | 2000-03-03 | Otsuka Denshi Kk | 膜厚及び光学定数の測定方法及び装置 |
JP2005140726A (ja) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Omron Corp | 薄膜測定方法及び薄膜測定装置 |
JP2005249602A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 膜厚測定方法および装置 |
JP2010072034A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Seiko Epson Corp | 画像形成装置及び感光体ユニット、転写ベルトユニット |
JP2010203814A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 薄膜検査装置及びその方法 |
JP2014202642A (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-27 | オリンパス株式会社 | 光学素子の面間隔測定装置および面間隔測定方法 |
US20160202038A1 (en) * | 2015-01-12 | 2016-07-14 | Korea Research Institute Of Standards And Science | Thickness measuring apparatus and thickness measuring method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110360941A (zh) | 2019-10-22 |
US20190310074A1 (en) | 2019-10-10 |
CN110360941B (zh) | 2021-12-14 |
JP6956673B2 (ja) | 2021-11-02 |
US10677585B2 (en) | 2020-06-09 |
DE102019204466A1 (de) | 2019-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI427433B (zh) | 測量設備、曝光設備,以及裝置製造方法 | |
TW200842511A (en) | Position detection apparatus and exposure apparatus | |
KR100756139B1 (ko) | 노광장치 및 그것을 이용한 디바이스의 제조방법 | |
TWI487001B (zh) | A surface position detecting device, a surface position detecting method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method | |
JP5434352B2 (ja) | 表面検査装置および表面検査方法 | |
CN110360941B (zh) | 膜厚测定装置 | |
JP2004246343A (ja) | 反射光学系及び露光装置 | |
TW200923587A (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
JPH07130636A (ja) | 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
US20220308440A1 (en) | Template, workpiece, and alignment method | |
JP4761588B1 (ja) | Euvマスク検査装置 | |
JPH0616480B2 (ja) | 縮小投影式アライメント方法およびその装置 | |
US9557523B2 (en) | Focusing method, focusing apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP2012052870A (ja) | マスクブランク検査装置およびその光学調整方法 | |
JP2006275555A (ja) | 表面形状測定方法、表面形状測定装置、露光方法、及び露光装置 | |
JP2020060521A (ja) | 異物検出装置、露光装置及び物品の製造方法 | |
JP3807933B2 (ja) | 投影露光装置及び投影露光方法 | |
JPH06236837A (ja) | 面位置検出方法及びそれを用いた投影露光装置 | |
JP2009109444A (ja) | 波面収差測定装置、露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP4547497B2 (ja) | 反射型ピンホールおよびその製造方法 | |
KR20090068838A (ko) | 표면 형상 검사 장치 | |
KR20220138803A (ko) | 노광 장치, 노광 방법 및 물품의 제조 방법 | |
JP3004076B2 (ja) | 試料面位置測定装置 | |
JPH0412523A (ja) | 位置検出装置 | |
WO2016125790A1 (ja) | 計測装置及び計測方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200706 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210513 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210525 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210701 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210907 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211005 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6956673 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |