JP2019165246A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1から図3に示すように、実施形態1に係る発光装置100は、半導体レーザ素子10と、半導体レーザ素子10を覆い半導体レーザ素子10からの光を通過させるための貫通孔30aを備えたキャップ30と、キャップ30の貫通孔30a内に設けられ半導体レーザ素子10からの光とは異なる波長の光を発する波長変換部材40と、を備えた発光装置であって、キャップ30は、セラミックで構成された第1部材31と、金属材料で構成された第2部材32と、を備え、貫通孔30aは、第1部材31を貫通する第1貫通孔31aと第2部材32を貫通する第2貫通孔32aとを有し、波長変換部材40は、第2部材32に設けられている発光装置である。以下、順に説明する。
半導体レーザ素子10としては、レーザダイオードなどを用いることができる。レーザダイオードとしては、例えば300nm〜600nmの範囲、好ましくは420nm〜470nmの範囲に発光ピーク波長を有するものを用いることができる。300nm〜600nmの範囲に発光ピーク波長を有するレーザダイオードを半導体レーザ素子10として用いる場合には、例えば酸化アルミニウム(Al2O3)をセラミックとして用い銅を金属材料として用いることにより、セラミックの反射率を金属材料の反射率よりも高くすることできる。さらに、420nm〜470nmの範囲に発光ピーク波長を有するレーザダイオードを半導体レーザ素子10として用いる場合には、300nm〜600nmの範囲に発光ピーク波長がある場合と同様の効果があることに加えて、YAG系蛍光体などを波長変換部材40として用いて半導体レーザ素子10からの光(例:青色系、紫色系など)と波長変換部材40(例:YAG系蛍光体など)からの光とを組み合わせることで白色光を容易に取り出すことができるという効果がある。
キャップ30は、半導体レーザ素子10を覆い半導体レーザ素子10からの光を通過させるための貫通孔30aを備えている。半導体レーザ素子10から出射した光はキャップ30が備える貫通孔30aを通過してキャップ30の外部に取り出される。貫通孔30aの形状は特に限定されないが、例えば、図6(a)や図6(b)に示すように、平面視において円形状や矩形状などにすることができる。
波長変換部材40は、キャップ30の貫通孔30a内に設けられ半導体レーザ素子10からの光とは異なる波長の光を発する。波長変換部材40としては、例えば、半導体レーザ素子10からの光により励起される蛍光体60を含有した焼結体、透光性樹脂、あるいはガラスなどを用いることができる。この場合は、波長変換部材40に入射した半導体レーザ素子10からの光により、焼結体中または透光性樹脂中の蛍光体60が励起され、この励起された蛍光体60から半導体レーザ素子10からの光とは異なる波長の光が発せられる。
図4、図5に示すように、実施形態2に係る発光装置200は、波長変換部材40の「側面」が第2部材32に設けられている点で、波長変換部材40の「下面」が第2部材32に設けられている実施形態1に係る発光装置100と相違する。実施形態2によっても、実施形態1と同様に、光学特性の安定性と放熱性とに優れた発光装置を提供することができる。
20 ヒートシンク
21 ステム
22 リード
30 キャップ
30a 貫通孔
31 第1部材
31a 第1貫通孔
32 第2部材
32a 第2貫通孔
33 支持体
34 第3部材
40 波長変換部材
40a 波長変換部材
40b 波長変換部材
50 金属部材
60 蛍光体
100 発光装置
200 発光装置
X 段差部
Claims (10)
- 半導体レーザ素子と、
支持体と、
セラミックで構成され、第1貫通孔を有する第1部材と、
金属材料で構成され、第2貫通孔を有する第2部材と、
前記半導体レーザ素子からの光とは異なる波長の光を発する波長変換部材と、
を備え、
前記第2部材は、前記第1部材よりも前記半導体レーザ素子の側に設けられており、かつ、前記第2部材の下面が前記支持体に支持され、
前記波長変換部材は、前記第1貫通孔と前記第2貫通孔を有する貫通孔内に設けられる発光装置。 - 前記波長変換部材の側面が、前記第2部材に設けられる請求項1に記載の発光装置。
- 前記波長変換部材の側面が、前記第1部材に設けられる請求項1に記載の発光装置。
- 前記波長変換部材が、前記第2部材に設けられる請求項1に記載の発光装置。
- 前記支持体が金属材料で構成されている請求項1乃至4のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記波長変換部材は、多層構造である請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記波長変換部材は、焼結体の波長変換部材を下層に、ガラスの波長変換部材を上層に設けられた多層構造である請求項1乃至7のいずれか一項に記載の発光装置。
- 多層構造の上層に設けられたガラスの前記波長変換部材は、赤色系の蛍光体を含有する請求項7に記載の発光装置。
- さらに、前記支持体が固定されるステムを備える請求項1乃至8に記載の発光装置。
- 前記半導体レーザ素子が載置されるヒートシンクを備え、
前記ヒートシンクは前記ステムに固定される請求項9に記載の発光装置。
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