JP2019149486A - 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)半導体ウェーハの表面に、構成元素として炭素、リン及び水素を含むクラスターイオンを照射して、該半導体ウェーハの表層部に、前記クラスターイオンの構成元素が固溶した改質層を形成する第1工程と、
前記半導体ウェーハの改質層上にエピタキシャル層を形成する第2工程と、
を有し、前記クラスターイオン中の炭素、リン及び水素の原子数をCxPyHz(x,y,zは1以上の整数である。)で表記したとき、炭素原子数xに対するリン原子数yの比y/xが0.5以上2.0以下を満たすことを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
本発明の一実施形態による半導体エピタキシャルウェーハ100の製造方法は、図1に示すように、半導体ウェーハ10の表面10Aに、構成元素として炭素、リン及び水素を含むクラスターイオン12を照射して、該半導体ウェーハ10の表層部に、前記クラスターイオン12の構成元素が固溶した改質層14を形成する第1工程(図1ステップA,B)と、前記半導体ウェーハ10の改質層14上にエピタキシャル層18を形成する第2工程(図1ステップC)と、を有する。エピタキシャル層18は、裏面照射型固体撮像素子等の半導体素子を製造するためのデバイス層となる。
半導体ウェーハ10としては、例えばシリコン、化合物半導体(GaAs、GaN、SiC)からなり、表面にエピタキシャル層を有しないバルクの単結晶ウェーハが挙げられるが、裏面照射型固体撮像素子を製造する場合、一般的にはバルクの単結晶シリコンウェーハを用いる。また、半導体ウェーハ10として、チョクラルスキ法(CZ法)や浮遊帯域溶融法(FZ法)により育成された単結晶シリコンインゴットをワイヤーソー等でスライスしたものを使用することができる。また、より高いゲッタリング能力を得るために、半導体ウェーハ10に炭素および/または窒素を添加してもよい。さらに、半導体ウェーハ10に任意のドーパントを所定濃度添加して、いわゆるn+型もしくはp+型、またはn−型もしくはp−型の基板としてもよい。
改質層14上に形成するエピタキシャル層18としては、シリコンエピタキシャル層が挙げられ、一般的な条件により形成することができる。例えば、水素をキャリアガスとして、ジクロロシラン、トリクロロシランなどのソースガスをチャンバー内に導入し、使用するソースガスによっても成長温度は異なるが、概ね1000〜1200℃の範囲の温度でCVD法により半導体ウェーハ10上にエピタキシャル成長させることができる。エピタキシャル層18は、厚さを1〜15μmの範囲内とすることが好ましい。厚さが1μm未満の場合、半導体ウェーハ10からのドーパントの外方拡散によりエピタキシャル層18の抵抗率が変化してしまう可能性があり、また、15μm超えの場合、固体撮像素子の分光感度特性に影響が生じるおそれがあるためである。
本発明の一実施形態による半導体デバイスの製造方法は、上記の製造方法で製造された半導体エピタキシャルウェーハ100の表面に位置するエピタキシャル層18に、半導体デバイスを形成することを特徴とする。この製造方法によれば、デバイス形成プロセスが低温の場合でも、エピタキシャル層において水素によるパッシベーション効果が十分に得られる。
CZ単結晶シリコンインゴットから得たn−型シリコンウェーハ(直径:300mm、厚み:775μm、ドーパント種類:リン、抵抗率:20Ω・cm)を用意した。次いで、クラスターイオン発生装置(日新イオン機器社製、CLARIS(登録商標))を用いて、原料ガスとしてトリメチルホスフィン(C3H9P)を用いてCPH2クラスターイオン(CxPyHzにおいてy/x=1.0)を生成及び抽出し、加速電圧80keV/Cluster(水素1原子あたりの加速電圧1.74keV/atom、炭素1原子あたりの加速電圧20.9keV/atom、リン1原子あたり53.9keV/atom)の照射条件でシリコンウェーハの表面に照射した。なお、クラスターイオンを照射した際のドーズ量を1.0×1015cluster/cm2とした。水素原子数に換算すると2.0×1015atoms/cm2であり、炭素原子数に換算すると1.0×1015atoms/cm2であり、リン原子数に換算すると1.0×1015atoms/cm2である。また、クラスターイオンのビーム電流値を550μAとした。
上記の製造条件で得たエピタキシャルシリコンウェーハについて、SIMS測定により、シリコンエピタキシャル層表面からの深さ方向における炭素、リン及び水素の濃度プロファイルを測定した。その結果、シリコンウェーハの表層部120nm(つまり、シリコンエピタキシャル層/シリコンウェーハの界面から120nm)において、改質層が特定された。
実験例1では、原料ガスとしてトリメチルホスフィン(C3H9P)を用いてCPH2クラスターイオンを生成及び抽出してシリコンウェーハに照射したが、本実験例2では、表1に示す種々の原料ガスから種々のクラスターイオン種を生成し、シリコンウェーハに照射した。実験例1と同様に、加速電圧は80keV/Clusterとし、ドーズ量は1.0×1015cluster/cm2とし、クラスターイオンのビーム電流値は550μAとした。次いで、実験例1と同じ条件でシリコンエピタキシャル層を形成して、エピタキシャルシリコンウェーハを得た。なお、実験例1のクラスターイオン条件は、表1中のNo.1に相当する。
各水準で得られたエピタキシャルシリコンウェーハについて、改質層周辺の断面をTEM(Transmission Electron Microscope:透過型電子顕微鏡)により観察した。代表して、No.1(発明例)の断面TEM画像を図7(A)に、No.3(比較例)の断面TEM画像を図7(B)に示す。図7(B)に示されるように、y/xが3.0のNo.3では、リンに起因するものと思われる転位ループが改質層中の比較的深い領域に形成されていることが確認された。一方で、図7(A)に示されるように、y/xが1.0のNo.1では、このような転位ループは確認されなかった。その他の水準でも同様に、転位ループは確認されなかった。この結果を表1にまとめている。
低温熱処理時の水素拡散量の評価方法として、低温熱処理である700℃、30分の熱処理をおこなった際の第2ピークの減少量を求めた。求め方は700℃、30分の熱処理前の第2ピークに対してSIMS測定の検出下限値の7.0×1016atoms/cm3以上の領域の積分をおこない面積濃度を算出する。その後700℃、30分の熱処理後の第2ピークの面積濃度も同様に算出をおこない、その差を低温熱処理時の水素拡散量とした。低温熱処理時の水素拡散量の評価の基準として、Si(100)/SiO2界面における界面準位密度が1.0×1010〜1.0×1011atoms/cm2であることから、1.0×1010atoms/cm2以下の場合、デバイスプロセスにおけるパッシベーション効果が期待できない可能性がある。そのため、低温熱処理時の水素拡散量の評価基準として1.0×1010atoms/cm2を設定した。
10 半導体ウェーハ
10A 半導体ウェーハの表面
12 クラスターイオン
14 改質層
18 エピタキシャル層
Claims (5)
- 半導体ウェーハの表面に、構成元素として炭素、リン及び水素を含むクラスターイオンを照射して、該半導体ウェーハの表層部に、前記クラスターイオンの構成元素が固溶した改質層を形成する第1工程と、
前記半導体ウェーハの改質層上にエピタキシャル層を形成する第2工程と、
を有し、前記クラスターイオン中の炭素、リン及び水素の原子数をCxPyHz(x,y,zは1以上の整数である。)で表記したとき、炭素原子数xに対するリン原子数yの比y/xが0.5以上2.0以下を満たすことを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。 - xが1以上3以下、yが1以上3以下、zが1以上12以下である、請求項1に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記第1工程において、前記クラスターイオンのビーム電流値を50μA以上5000μA以下とする、請求項1又は2に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記半導体ウェーハがシリコンウェーハである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の製造方法で製造された半導体エピタキシャルウェーハの前記エピタキシャル層に、半導体デバイスを形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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