JP2019139210A - 位相差フィルムおよび表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は位相差フィルムおよび表示装置を提供する。【解決手段】少なくとも２種の非液晶性高分子を含む位相差薄膜を含み、前記位相差薄膜は、ｎｘ≧ｎｙ＞ｎｚの屈折率および８０ｎｍ／μｍ以上の単位厚さ当たりの厚さ方向位相差を満足し、ここで、ｎｘは前記位相差薄膜の遅相軸での屈折率であり、ｎｙは前記位相差薄膜の進相軸での屈折率であり、ｎｚは前記位相差薄膜の遅相軸および進相軸に対する垂直方向の屈折率であり、３６０ｎｍ〜７４０ｎｍの波長領域の平均光透過率が８８％以上である位相差フィルムおよびこれを含む表示装置に関する。【選択図】図１

Description

本発明は、位相差フィルムおよび表示装置に関する。

平板表示装置は、自ら発光する発光表示装置と、別途の光源を必要とする受光型表示装置に分けられ、これらの画質を改善するための方法として位相差フィルムが用いられる。位相差フィルムは、例えば高分子フィルムを一軸または二軸方向に延伸して所定の位相差を実現することができる。

近来、延伸高分子フィルムの代わりにコーティング型位相差フィルムが研究されている。コーティング型位相差フィルムは、基材上に溶液をコーティングして形成されることによって、工程が容易で薄い厚さを実現することができる。

しかし、コーティング型位相差フィルムは薄い厚さを有し、かつ所望の位相差と光透過度を同時に満足しにくい。

本発明の一実施例は、薄い厚さを有し、かつ所望の位相差と光透過度を同時に満足する位相差フィルムを提供する。

本発明の他の実施例は、前記位相差フィルムを含む表示装置を提供する。

本発明のまた他の実施例は、前記位相差フィルムをインセル（ｉｎ−ｃｅｌｌ）化した液晶表示装置を提供する。

本発明の一実施例によれば、少なくとも２種の非液晶性高分子を含む位相差薄膜を含み、前記位相差薄膜はｎ_ｘ≧ｎ_ｙ＞ｎ_ｚの屈折率および約８０ｎｍ／μｍ以上の単位厚さ当たりの厚さ方向位相差を満足し、ここで、ｎ_ｘは前記位相差薄膜の遅相軸での屈折率であり、ｎ_ｙは前記位相差薄膜の進相軸での屈折率であり、ｎ_ｚは前記位相差薄膜の遅相軸および進相軸に対する垂直方向の屈折率であり、約３６０ｎｍ〜７４０ｎｍの波長領域の平均光透過率が約８８％以上である位相差フィルムを提供する。

前記非液晶性高分子は、それぞれ約１５０℃以上のガラス転移温度を有することができる。

前記非液晶性高分子のうちの一つはポリアミドイミドであってもよい。

前記非液晶性高分子のうちの他の一つはポリイミドであってもよい。

前記ポリアミドイミドは、前記ポリイミドと同一またはそれより多く含まれることができる。

前記ポリアミドイミドは、前記ポリイミドと前記ポリアミドイミドの総含有量に対して約５０〜７５重量％で含まれることができる。

前記位相差薄膜の屈折率はｎ_ｘ＝ｎ_ｙ＞ｎ_ｚを満足することができる。

前記位相差薄膜の単位厚さ当たりの厚さ方向位相差は約８０ｎｍ／μｍ〜１２０ｎｍ／μｍであってもよい。

前記位相差薄膜の厚さは約５μｍ以下であってもよい。

前記位相差フィルムは前記位相差薄膜からなることができ、前記位相差薄膜は非延伸薄膜であってもよい。

前記位相差フィルムの黄色度（ＹＩ）は１．０以下であり、ヘイズは０．３以下であってもよい。

他の実施例によれば、前記位相差フィルムを含む表示装置を提供する。

他の実施例によれば、光源および液晶表示パネルを含み、前記液晶表示パネルは、前記光源側に位置する第１基板と、前記第１基板と向き合う第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に位置する液晶層と、前記第２基板と前記液晶層の間に位置し少なくとも２種の非液晶性高分子を含む位相差薄膜とを含み、前記位相差薄膜は、ｎ_ｘ≧ｎ_ｙ＞ｎ_ｚの屈折率および約８０ｎｍ／μｍ以上の単位厚さ当たりの厚さ方向位相差を満足し、ここで、ｎ_ｘは前記位相差薄膜の遅相軸での屈折率であり、ｎ_ｙは前記位相差薄膜の進相軸での屈折率であり、ｎ_ｚは前記位相差薄膜の遅相軸および進相軸に対する垂直方向の屈折率であり、前記位相差薄膜の約３６０ｎｍ〜７４０ｎｍの波長領域の平均光透過率は約８８％以上である液晶表示装置を提供する。

前記非液晶性高分子は、それぞれ約１５０℃以上のガラス転移温度を有することができる。

前記非液晶性高分子のうちの一つはポリアミドイミドであってもよい。

前記非液晶性高分子のうちの他の一つはポリイミドであってもよい。

前記ポリアミドイミドは、前記ポリイミドと同一またはそれより多く含まれることができる。

前記ポリアミドイミドは、前記ポリイミドと前記ポリアミドイミドの総含有量に対して約５０〜７５重量％で含まれることができる。

前記位相差薄膜の屈折率はｎ_ｘ＝ｎ_ｙ＞ｎ_ｚを満足することができる。

前記位相差薄膜の単位厚さ当たりの厚さ方向位相差は約８０ｎｍ／μｍ〜１２０ｎｍ／μｍであってもよい。

前記位相差薄膜の厚さは約５μｍ以下であってもよい。

前記液晶表示装置は、前記第２基板と前記液晶層の間で前記位相差薄膜のいずれか一側に位置する偏光層をさらに含んでもよい。

前記液晶表示装置は、前記位相差薄膜の上部に位置する色変換層をさらに含むことができ、前記色変換層は、前記光源から第１可視光の供給を受けて前記第１可視光と同一または前記第１可視光より長い波長の光である第２可視光を放出する発光体を含んでもよい。

薄い厚さを有し、かつ位相差と光透過度を同時に満足する位相差フィルムを提供することができる。このような位相差フィルムは表示装置に含まれて表示装置の表示特性を改善させることができる。

一実施例による表示装置を概略的に示す断面図である。 一実施例による表示装置を概略的に示す断面図である。 他の実施例による表示装置を概略的に示す断面図である。

以下、本発明の実施形態について本技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、権利範囲は様々な相異な形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限定されない。

図面において、様々な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似した部分には、同一な図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとするとき、これは、他の部分の「直上に」ある場合だけではなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の「直上に」あるとするときには、中間に他の部分がないことを意味する。

本明細書で別途の定義がない限り、「置換」とは、化合物中の水素原子がハロゲン原子（Ｆ、Ｂｒ、Ｃｌ、またはＩ）、ヒドロキシ基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アジド基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、カルボニル基、カルバモイル基、チオール基、エステル基、カルボキシル基やその塩、スルホン酸基やその塩、燐酸やその塩、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニル基、Ｃ２〜Ｃ２０アルキニル基、Ｃ６〜Ｃ３０アリール基、Ｃ７〜Ｃ３０アリールアルキル基、Ｃ１〜Ｃ３０アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ２０ヘテロアルキル基、Ｃ３〜Ｃ２０ヘテロアリールアルキル基、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、Ｃ３〜Ｃ１５シクロアルケニル基、Ｃ６〜Ｃ１５シクロアルキニル基、Ｃ３〜Ｃ３０ヘテロシクロアルキル基およびこれらの組み合わせから選択された置換基で置換されたことを意味する。

以下、一実施例による位相差フィルムを説明する。

一実施例による位相差フィルムは、溶液工程によってコーティングされたコーティング型位相差薄膜を含むことができ、コーティング型位相差薄膜は、例えば非延伸薄膜であってもよい。

位相差薄膜は約５μｍ以下の薄い厚さを有することができ、前記範囲内で例えば約４．５μｍ以下、約４．２μｍ以下、約４．０μｍ以下、約３．８μｍ以下、約３．５μｍ以下、約３．３μｍ以下、約３．２μｍ以下、約３．０μｍ以下の厚さを有することができる。

位相差薄膜は、例えば下記関係式１の屈折率を満足することができる。
[関係式１]
ｎ_ｘ≧ｎ_ｙ＞ｎ_ｚ
前記関係式１において、
ｎ_ｘは位相差薄膜の面内屈折率が最も大きい方向（以下、‘遅相軸（ｓｌｏｗ ａｘｉｓ）’という）での屈折率であり、
ｎ_ｙは位相差薄膜の面内屈折率が最も小さい方向（以下、‘進相軸（ｆａｓｔ ａｘｉｓ）’という）での屈折率であり、
ｎ_ｚは位相差薄膜の遅相軸および進相軸に対する垂直方向の屈折率である。

位相差薄膜は関係式１の屈折率を有することによって、視野角依存性を減らす補償機能をもっと効果的に行うことができる。

一例として、位相差薄膜は、例えば下記関係式１ａの屈折率を満足することができる。
[関係式１ａ]
ｎ_ｘ＝ｎ_ｙ＞ｎ_ｚ
前記関係式１ａにおいて、ｎ_ｘとｎ_ｙが完全に同一である場合だけでなく、実質的に同じ場合も含み、例えばｎ_ｘとｎ_ｙの差が約１０ｎｍ以下、前記範囲内で例えば約５ｎｍ以下である場合実質的に同じ場合と見られる。関係式１ａを満足することによって、実質的に面内等方性を有することができる。

位相差薄膜は入射される光を円偏光させて位相差を発生させることができる。位相差は面内位相差（ｉｎ−ｐｌａｎｅ ｐｈａｓｅ ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ、Ｒ_ｅ）と厚さ方向位相差（ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ ｐｈａｓｅ ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ、Ｒ_ｔｈ）で示すことができる。特に、位相差薄膜は約５μｍ以下の薄い厚さを有するので、補償機能を効果的に実現するための所定の単位厚さ当たりの位相差を満足することができる。

位相差薄膜の厚さ方向位相差（Ｒ_ｔｈ／ｄ）は、１μｍ単位厚さ当たりの位相差薄膜の厚さ方向に発生する位相差であって、Ｒ_ｔｈ／ｄ＝[（ｎ_ｘ＋ｎ_ｙ）／２]−ｎ_ｚで表される。ここで、ｎ_ｘは位相差薄膜の遅相軸での屈折率であり、ｎ_ｙは位相差薄膜の進相軸での屈折率であり、ｎ_ｚは位相差薄膜の遅相軸および進相軸に対する垂直方向の屈折率であり、ｄは位相差薄膜の厚さである。

位相差薄膜は約８０ｎｍ／μｍ以上の単位厚さ当たりの厚さ方向位相差を有することができる。位相差薄膜は、前記範囲内で約８０ｎｍ／μｍ〜３００ｎｍ／μｍの単位厚さ当たりの厚さ方向位相差を有することができ、前記範囲内で例えば約８０ｎｍ／μｍ〜２５０ｎｍ／μｍ、例えば約８０ｎｍ／μｍ〜２３０ｎｍ／μｍ、約８０ｎｍ／μｍ〜２２０ｎｍ／μｍ、約８０ｎｍ／μｍ〜２００ｎｍ／μｍ、約８０ｎｍ／μｍ〜１８０ｎｍ／μｍ、約８０ｎｍ／μｍ〜１５０ｎｍ／μｍ、約８０ｎｍ／μｍ〜１２０ｎｍ／μｍの単位厚さ当たりの厚さ方向位相差を有することができる。前記範囲の単位厚さ当たりの厚さ方向位相差を有することによって、薄い厚さの位相差薄膜で効果的な補償機能を行うことができる。

位相差薄膜は少なくとも２種の非液晶性高分子を含むことができ、これらを組み合わせて上述した光学的特性を示すことができる。

非液晶性高分子は耐熱性高分子を含むことができる。耐熱性高分子は、例えば約１５０℃以上のガラス転移温度（Ｔｇ）を有することができ、前記範囲内で例えば約１８０℃以上のガラス転移温度（Ｔｇ）を有することができ、例えば約２００℃以上のガラス転移温度（Ｔｇ）を有することができ、例えば約２２０℃以上のガラス転移温度（Ｔｇ）を有することができ、例えば約２３０℃以上のガラス転移温度（Ｔｇ）を有することができる。

一例として、位相差薄膜は２種の非液晶性高分子を含んでもよく、２種の非液晶性高分子のうちの一つはポリアミドイミドであってもよい。

一例として、位相差薄膜は２種の非液晶性高分子を含んでもよく、２種の非液晶性高分子のうちの一つはポリイミドであってもよい。

一例として、位相差薄膜は２種の非液晶性高分子を含んでもよく、２種の非液晶性高分子のうちの一つはポリイミドであってもよく、もう一つはポリアミドイミドであってもよい。

一例として、位相差薄膜はポリイミドとポリアミドイミドの混合物を含んでもよい。
ポリイミドは構造中にイミド構造単位を有することができ、例えば下記の化学式１で表される構造単位を含むことができる。

前記化学式１において、
Ｒ^５０はそれぞれの反復単位で同一または異なり、それぞれ独立して単一結合、置換または非置換のＣ１〜Ｃ３０脂肪族有機基、置換または非置換のＣ３〜Ｃ３０脂環族有機基、置換または非置換のＣ６〜Ｃ３０芳香族有機基、置換または非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロ環基またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ^５１はそれぞれの反復単位で同一または互いに異なり、それぞれ独立して置換または非置換のＣ６〜Ｃ３０芳香族有機基を含み、前記芳香族有機基は単独で存在するか；２つ以上の芳香族有機基が互いに結合して縮合環を形成するか；２つ以上の芳香族有機基が単一結合、置換または非置換のフルオレニル基、Ｏ、Ｓ、Ｃ（＝Ｏ）、ＣＨ（ＯＨ）、Ｓ（＝Ｏ）_２、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２、（ＣＨ_２）_ｐ１（ここで、１≦ｐ１≦１０）、（ＣＦ_２）_ｑ１（ここで、１≦ｑ１≦１０）、Ｃ（ＣＨ_３）_２、Ｃ（ＣＦ_３）_２またはＣ（＝Ｏ）ＮＨによって連結されてもよく、
Ｒ^５２およびＲ^５３はそれぞれ独立して置換または非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基、置換または非置換のＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、置換または非置換のＣ１〜Ｃ３０アルコキシ基、置換または非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換または非置換のＣ３〜Ｃ３０ヘテロ環基、ハロゲン、ヒドロキシ基、置換または非置換のシリル基またはこれらの組み合わせであってもよく、
ｎ５７およびｎ５８はそれぞれ独立して０〜３の整数であってもよい。

一例として、化学式１で表される構造単位は下記の化学式１ａで表される構造単位、下記の化学式１ｂで表される構造単位またはこれらの組み合わせを含むことができるが、これに限定されるものではない。

一例として、ポリイミドは約１０、０００〜２００、０００の重量平均分子量を有することができる。

ポリイミドは、例えば無水物とジアミン化合物を反応させて得ることができる。一例として、無水物はテトラカルボン酸二無水物であってもよく、テトラカルボン酸二無水物は、例えば３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（３，３’，４，４’−ｂｉｐｈｅｎｙｌｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＢＰＤＡ）、４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸無水物（４，４’−（ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｉｓｏｐｒｏｐｙｌｉｄｅｎｅ）ｄｉｐｈｔｈａｌｉｃ ａｎｈｙｄｒｉｄｅ、６ＦＤＡ）またはこれらの組み合わせであってもよく、ジアミン化合物は、例えば２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（２，２’−ｂｉｓ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ、ＴＦＤＢ）であってもよい。

ポリアミドイミドは構造中にアミド構造単位およびイミド構造単位を有することができ、例えば、下記の化学式２で表される構造単位と下記の化学式３で表される構造単位とを含むことができる。

前記化学式２において、
Ｌは単一結合、−ＣＯＮＨ−、−Ｐｈ−ＣＯＮＨ−Ｐｈ−、または−ＮＨＣＯ−Ｐｈ−ＣＯＮＨ−であってもよく、ここで、Ｐｈは置換または非置換フェニレンであってもよく、
Ｒ^２は置換または非置換の１または２以上のＣ６〜Ｃ３０芳香族環を含む２価の有機基で、２つ以上の芳香族環が互いに結合して融合環を形成するか、２つ以上の芳香族環が単一結合、Ｏ、Ｓ、Ｓ（＝Ｏ）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ、ＣＲ^ａ（ＯＨ）、ＳｉＲ^ｂＲ^ｃまたは（ＣＲ^ｄＲ^ｅ）_ｐ２（ここで１≦ｐ２≦１０）で連結されてもよく、ここでＲ^ａ〜Ｒ^ｅはそれぞれ独立して水素、置換または非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基であってもよく、
Ｒ^６およびＲ^７はそれぞれ独立して電子求引性基（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｗｉｔｈｄｒａｗｉｎｇ ｇｒｏｕｐ）であってもよく、例えば−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨＣｌ_２、−ＣＣｌ_３、−ＣＨ_２Ｂｒ、−ＣＨＢｒ_２、−ＣＢｒ_３、−ＣＨ_２Ｉ、−ＣＨＩ_２、−ＣＩ_３、−ＮＯ_２、−ＣＮ、−ＣＯＣＨ_３または−ＣＯ_２Ｃ_２Ｈ_５であってもよく、
Ｒ^８およびＲ^９はそれぞれ独立して置換または非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基、置換または非置換のＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、置換または非置換のＣ１〜Ｃ３０アルコキシ基、置換または非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換または非置換のＣ３〜Ｃ３０ヘテロ環基、ハロゲン、ヒドロキシ基、置換または非置換のシリル基またはこれらの組み合わせであってもよく、
ｎ３は０〜４の整数であってもよく、ｎ５は０〜３の整数であってもよく、ｎ３＋ｎ５は０〜４の整数であってもよく、
ｎ４は０〜４の整数であってもよく、ｎ６は０〜３の整数であってもよく、ｎ４＋ｎ６は０〜４の整数であってもよい。

前記化学式３において、
Ｒ^１０はそれぞれの反復単位で同一または異なり、それぞれ独立して単一結合、置換または非置換のＣ１〜Ｃ３０脂肪族有機基、置換または非置換のＣ３〜Ｃ３０脂環族有機基、置換または非置換のＣ６〜Ｃ３０芳香族有機基、置換または非置換のＣ２〜Ｃ３０のヘテロ環基またはこれらの組み合わせであり、
Ｒ^１１はそれぞれの反復単位で同一または互いに異なり、それぞれ独立して置換または非置換のＣ６〜Ｃ３０芳香族有機基を含み、前記芳香族有機基は単独で存在するか；２つ以上の芳香族有機基が互いに結合して縮合環を形成するか；２つ以上の芳香族有機基が単一結合、置換または非置換のフルオレニル基、Ｏ、Ｓ、Ｃ（＝Ｏ）、ＣＨ（ＯＨ）、Ｓ（＝Ｏ）_２、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２、（ＣＨ_２）_ｐ３（ここで、１≦ｐ３≦１０）、（ＣＦ_２）_ｑ３（ここで、１≦ｑ３≦１０）、Ｃ（ＣＨ_３）_２、Ｃ（ＣＦ_３）_２またはＣ（＝Ｏ）ＮＨによって連結されてもよく、
Ｒ^１２およびＲ^１３はそれぞれ独立して置換または非置換のＣ１〜Ｃ３０アルキル基、置換または非置換のＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、置換または非置換のＣ１〜Ｃ３０アルコキシ基、置換または非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、置換または非置換のＣ３〜Ｃ３０ヘテロ環基、ハロゲン、ヒドロキシ基、置換または非置換のシリル基またはこれらの組み合わせであってもよく、
ｎ７およびｎ８はそれぞれ独立して０〜３の整数であってもよい。

一例として、前記化学式２で表される構造単位は、下記の化学式２ａで表される構造単位、下記の化学式２ｂで表される構造単位またはこれらの組み合わせを含むことができるが、これに限定されるものではない。

一例として、化学式３で表される構造単位は、下記の化学式３ａで表される構造単位、下記の化学式３ｂで表される構造単位またはこれらの組み合わせを含むことができるが、これに限定されるものではない。

一例として、ポリアミドイミドは化学式２で表される構造単位と化学式３で表される構造単位が約９０：１０〜１０：９０のモル比率で含まれることができる。前記範囲内で例えば化学式２で表される構造単位と化学式３で表される構造単位は７０：３０〜３０：７０のモル比率で含まれることができ、前記範囲内で例えば化学式２で表される構造単位と化学式３で表される構造単位は約６０：４０〜４０：６０のモル比率で含まれることができる。

一例として、ポリアミドイミドは約５０、０００〜２００、０００の重量平均分子量を有することができる。

ポリアミドイミドは、例えば無水物、ジアミン化合物およびジカルボン酸誘導体を反応させて得ることができる。一例として、無水物はテトラカルボン酸二無水物であってもよく、テトラカルボン酸二無水物は、例えば３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（３，３’，４，４’−ｂｉｐｈｅｎｙｌｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＢＰＤＡ）、４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸無水物（４，４’−（ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｉｓｏｐｒｏｐｙｌｉｄｅｎｅ）ｄｉｐｈｔｈａｌｉｃ ａｎｈｙｄｒｉｄｅ、６ＦＤＡ）またはこれらの組み合わせであってもよく、ジアミン化合物は、例えば２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（２，２’−ｂｉｓ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ、ＴＦＤＢ）であってもよく、ジカルボン酸誘導体は、例えば４，４’−ビフェニルジカルボニルクロリド（４，４’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ ｄｉｃａｒｂｏｎｙｌ ｃｈｌｏｒｉｄｅ、ＢＰＣＬ）、テレフタロイルクロリド（ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌｏｙｌ ｃｈｌｏｒｉｄｅ、ＴＰＣＬ）またはこれらの組み合わせであってもよい。
一例として、ポリアミドイミドはジアミン化合物１モルに対してテトラカルボン酸二無水物約０．１〜０．７モルとジカルボン酸誘導体約０．３〜０．９モルの比率で供給して得られる。

一例として、ポリアミドイミドはジカルボン酸誘導体とジアミン化合物をまず反応させてアミド構造単位を形成し、これに更にテトラカルボン酸二無水物を添加して反応させてアミド構造単位とアミック酸構造単位を連結させてポリアミドイミドを得ることができる。

一例として、ポリアミドイミドはジカルボン酸誘導体とジアミン化合物を反応させてアミド基を含み、両末端がアミノ基で終わるオリゴマー（以下、‘アミド基含有オリゴマー’という）をまず製造した後、アミド基含有オリゴマーをジアミン化合物にしてテトラカルボン酸二無水物と反応させてポリアミドイミドを得ることもできる。

一例として、位相差薄膜はポリイミドとポリアミドイミドとの混合物を含むことができ、ポリアミドイミドはポリアミドと同一またはそれより多く含まれることができる。例えば、ポリアミドイミドはポリイミドとポリアミドイミドの総含有量に対して約５０〜７５重量％、例えば約５５〜７５重量％、例えば約６０〜７５重量％、例えば約６５〜７５重量％で含まれることができる。ポリアミドイミドが前記範囲で含まれることによって、上述した屈折率および位相遅延を有し、かつ良好な透光特性を有する位相差フィルムを実現することができる。

一例として、位相差フィルムは上述した屈折率および位相遅延を有し、かつ約３６０ｎｍ〜７４０ｎｍの波長領域で約８８％以上の平均光透過率、約１．０以下の黄色度（ＹＩ）および約０．３以下のヘイズを同時に満足することができる。

位相差フィルムは多様な表示装置に適用され得る。

図１は、一実施例による表示装置を概略的に示す断面図である。

図１を参照すると、一実施例による表示装置１００は、表示パネル５０と位相差フィルム１０とを含むことができる。

表示パネル５０は、例えば液晶表示パネルまたは有機発光表示パネルであってもよい。
位相差フィルム１０は観察者側に配置される。

図２は、一実施例による表示装置を概略的に示す断面図である。

図２を参照すると、一実施例による有機発光装置６００は、有機発光表示パネル７００と有機発光表示パネル７００の一面に位置する位相差フィルム１０とを含む。

有機発光表示パネル７００は、ベース基板７１０と、下部電極７２０と、有機発光層７３０と、上部電極７４０と、封止基板７５０とを含むことができる。

ベース基板７１０はガラスまたはプラスチックで作られる。

下部電極７２０および上部電極７４０のうちの一つはアノード（ａｎｏｄｅ）であり、他の一つはカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）であってもよい。アノードは正孔（ｈｏｌｅ）が注入される電極で、仕事関数（ｗｏｒｋ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）の高い導電物質で作られ、カソードは電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）が注入される電極で、仕事関数の低い導電物質で作られる。下部電極７２０および上部電極７４０のうちの少なくとも一つは発光した光が外部に出られる透明導電物質で作られ、例えばＩＴＯまたはＩＺＯであってもよい。

有機発光層７３０は、下部電極７２０と上部電極７４０に電圧が印加された時、光を発し得る有機物質を含む。

下部電極７２０と有機発光層７３０との間、および上部電極７４０と有機発光層７３０との間には、付帯層（図示せず）をさらに含んでもよい。付帯層は、電子と正孔の均衡を合わせるための正孔伝達層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）および電子伝達層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。

封止基板７５０は、ガラス、金属および／または高分子で作られ、下部電極７２０、有機発光層７３０および上部電極７４０を封止して外部から水分および／または酸素が流入することを防止することができる。

位相差フィルム１０は前述した通りであり、光が出る側に配置される。例えば、ベース基板７１０側に光が出る背面発光（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）構造の場合、ベース基板７１０の外側に配置され、封止基板７５０側に光が出る前面発光（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）構造の場合、封止基板７５０の外側に配置される。

位相差フィルム１０の一面には偏光子２０をさらに含む。

偏光子２０は、位相差フィルム１０と直接当接していてもよく、粘着剤または接着剤によって結合されていてもよい。

偏光子２０は、例えば、延伸されたポリビニルアルコール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ、ＰＶＡ）で作られた偏光板であってもよいし、前記偏光板は、例えばポリビニルアルコールフィルムを延伸し、これにヨウ素または二色性染料を吸着させた後、ホウ酸処理および洗浄などの方法で形成される。

偏光子２０は、例えば、高分子樹脂と二色性染料とを溶融混合（ｍｅｌｔ ｂｌｅｎｄ）して準備された偏光フィルムであってもよいし、前記偏光フィルムは、例えば高分子樹脂と二色性染料とを混合し、前記高分子樹脂の溶融点以上の温度で溶融してシートに製作する方法で形成してもよい。前記高分子樹脂は疎水性高分子樹脂であってもよいし、例えばポリオレフィンであってもよい。

偏光子２０は、入射光を線偏光にすることができ、補償フィルム１０は、偏光子２０を通過した線偏光の光を円偏光にすることができる。

図３は、他の実施例による表示装置を概略的に示す断面図である。

図３を参照すると、一実施例による液晶表示装置５００は、光源４０と液晶表示パネル３００とを含む。

光源４０は、液晶表示パネル３００に光を供給する面光源、点光源または線光源であってもよいし、例えばエッジ型または直下型に配置される。光源４０は、発光体を含む発光部、発光部の下側に位置して発光部から出る光を反射させる反射板、発光部から発光した光を液晶パネル側に供給する導光板および／または導光板上部に位置する一つ以上の光学シートを含むことができるが、これに限定されるものではない。

発光体は、例えば蛍光ランプまたは発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＬＥＤ）であってもよいし、例えば可視光線領域の光（以下、‘可視光’という）を供給でき、例えば高いエネルギーを有する青色光（ｂｌｕｅ ｌｉｇｈｔ）を供給することができる。

液晶表示パネル３００は光源４０側に配置されている下部表示板１００と、下部表示板１００と対向する上部表示板２００と、下部表示板１００および上部表示板２００の間に位置する液晶層３とを含む。

下部表示板１００は、下部基板１１０、複数の配線（図示せず）、薄膜トランジスターＱ、画素電極１９１および配向膜１１を含む。

下部基板１１０は、例えば、ガラス基板または高分子基板のような絶縁基板であってもよいし、高分子基板は例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリイミドまたはこれらの組み合わせで作られるが、これに限定されるものではない。

下部基板１１０の上に、ゲート信号を伝達する複数のゲート線（図示せず）およびデータ信号を伝達する複数のデータ線（図示せず）が互いに交差して形成されており、ゲート線およびデータ線によって定義される領域にほぼ行列（ｍａｔｒｉｘ）形態で配列された複数の画素（ｐｉｘｅｌ）ＰＸを含む。

下部基板１１０の上に複数の薄膜トランジスターＱが形成されている。薄膜トランジスターＱはゲート線に連結されているゲート電極（図示せず）、ゲート電極と重畳する半導体（図示せず）、ゲート電極と半導体との間に位置するゲート絶縁膜（図示せず）、データ線に連結されているソース電極（図示せず）および半導体を中心にソース電極と向き合うドレイン電極（図示せず）を含むことができる。図３では、各画素ＰＸに一つの薄膜トランジスターＱを含む構造を例示的に示したが、これに限定されず、二つ以上の薄膜トランジスターを含んでもよい。

薄膜トランジスターＱの上には保護膜１８０が形成されており、保護膜１８０は薄膜トランジスターＱを露出する接触孔１８５を有する。

保護膜１８０の上には画素電極１９１が形成されている。画素電極１９１はＩＴＯまたはＩＺＯのような透明導電体で作られ、接触孔１８５を通じて薄膜トランジスターＱと電気的に連結されている。画素電極１９１は所定のパターンを有することができる。

画素電極１９１の上には配向膜１１が形成されている。

上部表示板２００は、上部基板２１０と、色変換層２３０と、内部偏光層２４０と、内部位相差薄膜２５０と、共通電極２７０と、配向膜２１とを含む。

上部基板２１０は、例えばガラス基板または高分子基板のような絶縁基板であってもよいし、高分子基板は、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリイミドまたはこれらの組み合わせで作られるが、これに限定されるものではない。

上部基板２１０の一面にはブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ ｍａｔｒｉｘ）とも呼ばれる遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は画素電極１９１の間の光漏れを防止する。

また、上部基板２１０の一面には色変換層（ｃｏｌｏｒ ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ）２３０が形成されている。色変換層２３０は所定の波長領域の光が供給されて、これと同一または他の波長領域の光を放出して色を表示することができる。色変換層２３０は光によって刺激されて自ら光を出す光発光（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）物質、つまり、発光体を含む。発光体は、例えば量子ドットおよび蛍光体のうちの少なくとも一つであってもよい。

一例として、発光体は光源４０から供給された光の波長領域と同一またはそれより長い波長領域の光を放出することができる。例えば、光源４０が青色光を供給する場合、発光体はそのような波長領域の青色光を放出したり、青色光より長い波長領域、例えば赤色光または緑色光を発光したりすることができる。

このように発光体を含む色変換層２３０を含むことによって、高い光変換効率および低い消費電力を実現することができる。また、既存の染料および／または顔料を含む色フィルターが光源４０から出る光の相当量を吸収して光効率が低いものと比較して、発光体を含む色変換層２３０は吸収による光の損失を大きく減らすことができるので、光効率を高めることができる。また、発光体固有の発光色によって色純度を高めることができる。また、発光体は全ての方向に散乱される散乱光を発光するので、視野角特性を改善することができる。

図３には例示的に、赤色光を放出する赤色発光体を含む赤色変換層２３０Ｒ、緑色光を放出する緑色発光体を含む緑色変換層２３０Ｇ、および青色光を放出する青色発光体を含む青色変換層２３０Ｂを示しているが、これに限定されるものではない。赤色変換層２３０Ｒは、例えば約５９０ｎｍ超過７００ｎｍ以下の波長領域の光を放出することができ、緑色変換層２３０Ｇは約５１０ｎｍ〜５９０ｎｍの波長領域の光を放出することができ、青色変換層２３０Ｂは約３８０ｎｍ以上５１０ｎｍ未満の波長領域の光を放出することができる。一例として、発光体は、例えば青緑色（ｃｙａｎ）光を放出する発光体、赤紫色（ｍａｇｅｎｔａ）光を発光体および／または黄色（ｙｅｌｌｏｗ）光を放出する発光体であってもよく、このような発光体をさらに含んでもよい。一例として、光源４０が青色光を供給する時、青色変換層２３０Ｂは別途の発光体なしに光源から供給される光をそのまま透過させて青色を表示でき、この時、青色変換層２３０Ｂは空いていたり、透明絶縁体を含んでいたりしてもよい。

発光体は、例えば蛍光体および量子ドットのうちの少なくとも一つであってもよい。
一例として、赤色変換層２３０Ｒは赤色蛍光体を含むことができ、例えばＹ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ、ＹＶＯ_４：Ｅｕ、Ｂｉ、Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ、Ｂｉ、ＳｒＳ：Ｅｕ、（Ｃａ、Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ、ＳｒＹ_２Ｓ_４：Ｅｕ、ＣａＬａ_２Ｓ_４：Ｃｅ、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ）_３ＳｉＯ_５：Ｅｕ、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ）_２Ｓｉ_５Ｎ_８：Ｅｕおよび（Ｃａ、Ｓｒ）_２ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕから選択された一つ以上でありうる。一例として、緑色変換層２３０Ｇは緑色蛍光体を含むことができ、例えばＹＢＯ_３：Ｃｅ、Ｔｂ、ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ、Ｍｎ、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ）（Ａｌ、Ｇａ）_２Ｓ_４：Ｅｕ、ＺｎＳ：Ｃｕ、ＡｌＣａ_８Ｍｇ（ＳｉＯ_４）_４Ｃｌ_２：Ｅｕ、Ｍｎ、Ｂａ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ、（Ｂａ、Ｓｒ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ、Ｂａ_２（Ｍｇ、Ｚｎ）Ｓｉ_２Ｏ_７：Ｅｕ、（Ｂａ、Ｓｒ）Ａｌ_２Ｏ_４：Ｅｕ、Ｓｒ_２Ｓｉ_３Ｏ_８．２ＳｒＣｌ_２：Ｅｕ、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ）Ｐ_２Ｏ_７Ｎ_８：Ｅｕ、Ｍｎ、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ）_３Ｐ_２Ｏ_８：Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃａ_３Ｓｃ_２Ｓｉ_３Ｏ_１２：Ｃｅ、ＣａＳｃ_２Ｏ_４：Ｃｅ、ｂ−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ、Ｌｎ_２Ｓｉ_３Ｏ_３Ｎ_４：Ｔｂおよび（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ）Ｓｉ_２Ｏ_２Ｎ_２：Ｅｕから選択された一つ以上でありうる。

一例として、赤色変換層２３０は量子ドットを含むことができる。量子ドットは広い意味の半導体ナノ結晶を意味し、例えば等方性半導体ナノ結晶、クアンタムロードおよびクアンタムプレートなど多様な模様を有することができる。ここで、クアンタムロードは縦横比が１より大きい、例えば縦横比が約２以上、約３以上または約５以上の量子ドットを意味する。一例として、クアンタムロードの縦横比は約５０以下、約３０以下、または約２０以下であってもよい。量子ドットは、例えば約１ｎｍ〜約１００ｎｍの粒径（球形でない場合、最も長い部分の大きさ）を有することができ、例えば約１ｎｍ〜８０ｎｍの粒径を有することができ、例えば約１ｎｍ〜５０ｎｍの粒径を有することができ、例えば約１ｎｍ〜２０ｎｍの粒径を有することができる。

量子ドットは、大きさおよび／または組成を変化させて発光波長を調節することができる。例えば、量子ドットはＩＩ族−ＶＩ族化合物、ＩＩＩ族−Ｖ族化合物、ＩＶ族−ＶＩ族化合物、ＶＩ族化合物またはこれらの組み合わせを含むことができる。ＩＩ−ＶＩ族化合物は、例えばＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳおよびこれらの混合物からなる群より選択される二元素化合物；ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳおよびこれらの混合物からなる群より選択される三元素化合物；およびＨｇＺｎＴｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅおよびこれらの混合物からなる群より選択される四元素化合物からなる群より選択される。ＩＩＩ−Ｖ族化合物はＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂおよびこれらの混合物からなる群より選択される二元素化合物；ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰおよびこれらの混合物からなる群より選択される三元素化合物；およびＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂおよびこれらの混合物からなる群より選択される四元素化合物からなる群より選択される。ＩＶ−ＶＩ族化合物は、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅおよびこれらの混合物からなる群より選択される二元素化合物；ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅおよびこれらの混合物からなる群より選択される三元素化合物；およびＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅおよびこれらの混合物からなる群より選択される四元素化合物からなる群より選択される。ＩＶ族化合物は、Ｓｉ、Ｇｅおよびこれらの混合物からなる群より選択される単元素化合物；およびＳｉＣ、ＳｉＧｅおよびこれらの混合物からなる群より選択される二元素化合物からなる群より選択される。

量子ドットは前記二元素化合物、三元素化合物または四元素化合物を実質的に均一な濃度に含んだり、濃度分布が部分的に異なる状態に分かれて含んだりしてもよい。量子ドットは、一つの量子ドットを異なる量子ドットが取り囲むコア−シェル（ｃｏｒｅ−ｓｈｅｌｌ）構造を有することもできる。例えば、量子ドットのコアとシェルの界面はシェルに存在する元素の濃度が中心に行くほど低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有することができる。例えば、量子ドットのシェルを構成する物質組成が量子ドットのコアをなす物質組成より高いエネルギーバンドギャップを有することができ、これによって、量子拘束効果を有することができる。量子ドットは、一つの量子ドットのコアとこれを取り囲む多層の量子ドットのシェルを含む構造であってもよい。この時、多層のシェル構造は２層以上のシェル構造を有するもので、それぞれの層は単一組成、合金または濃度勾配を有することができる。例えば、多層のシェルの中、コアから遠い方に位置するシェルがコアから近く位置するシェルより高いエネルギーバンドギャップを有することができ、これによって、量子拘束効果を有することができる。

量子ドットは約１０％以上、例えば約３０％以上、約５０％以上、約６０％以上、約７０％以上または約９０％以上の量子収率（ｑｕａｎｔｕｍ ｙｉｅｌｄ）を有することができるが、これに限定されるものではない。量子ドットは比較的狭い幅のスペクトルを有することができる。例えば、量子ドットは約４５ｎｍ以下、例えば約４０ｎｍ以下または約３０ｎｍ以下の発光波長スペクトルの半値幅を有することができる。

量子ドットは、ポリマーに分散している量子ドット−ポリマー複合体の形態で色変換層２３０に含まれる。ポリマーは、量子ドット−ポリマー複合体のマトリックス（ｍａｔｒｉｘ）の役割をすることができ、量子ドットを消光（ｑｕｅｎｃｈｉｎｇ）しない物質であれば特に限られない。ポリマーは透明ポリマーであることができ、例えばポリビニルピロリドン、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（メチル）アクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート（ＰＢＭＡ）、これらの共重合体またはこれらの組み合わせであることができるが、これに限定されるものではない。量子ドット−ポリマー複合体は１層または多層であってもよい。

色変換層２３０の一面には内部偏光層（ｉｎ−ｃｅｌｌ ｐｏｌａｒｉｚｉｎｇ ｌａｙｅｒ）２４０が形成されている。

内部偏光層２４０は、液晶表示パネル３００内部に位置する偏光層であり、色変換層２３０の下部の全面（ｗｈｏｌｅ ｓｕｒｆａｃｅ）に配置されている。内部偏光層２４０は色変換層２３０の下部に位置して、色変換層２３０に偏光された光を供給することができる。

このように内部偏光層２４０は色変換層２３０の下部に位置し液晶表示パネル３００の外側に付着された別途の偏光板を備えないことにより、色変換層２３０の発光体から放出した光が液晶表示パネル３００の外側に付着された偏光板の影響を受けることなく明暗比を改善することができる。具体的に、色変換層２３０の発光体は偏光が壊れた状態の散乱光（ｓｃａｔｔｅｒｅｄ ｌｉｇｈｔ）を放出するが、もし色変換層２３０の上部、つまり、散乱光が通過する位置に偏光板が位置する場合ブラック輝度が大きく増加して明暗比が低くなることができる。また、色変換層２３０の発光体から放出した散乱光による液晶表示装置の視野角の改善効果を妨害せず、そのまま維持できる。

したがって、内部偏光層２４０を使うことで、発光体から放出される光が液晶表示パネルの外部に付着された偏光板の影響を受けて色が変質したり映像が歪曲されたりすることを防止し、発光体固有の発光特性を維持することによって高い色純度を確保し光損失を減らすことができる。また、内部偏光層は約１μｍ以下の薄膜であるので、液晶表示装置の厚さを減らすことができる。

内部偏光層２４０は光源４０から出て液晶層３を通過した光を線偏光に変換させる線状偏光子（ｌｉｎｅａｒ ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）であってもよい。

一例として、内部偏光層２４０は、例えば延伸されたポリビニルアルコール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ、ＰＶＡ）で作られ、例えば、ポリビニルアルコールフィルムを延伸し、これにヨウ素または二色性染料を吸着させた後、ホウ酸処理および洗浄などの方法で形成される。

一例として、内部偏光層２４０は、例えば高分子と二色性染料を溶融混合（ｍｅｌｔ ｂｌｅｎｄ）して準備された偏光フィルムであってもよいし、例えば高分子と二色性染料とを混合し、前記高分子の溶融点以上の温度で溶融してシートに製作する方法で形成してもよい。前記高分子は、疎水性高分子であってもよいし、例えばポリオレフィンであってもよい。
一例として、内部偏光層２４０はワイヤーグリッド偏光子（ｗｉｒｅ ｇｒｉｄ ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）であってもよい。ワイヤーグリッド偏光子は、複数の金属ワイヤーが一方向に配列されている構造で、入射光がワイヤーグリッド偏光子を通過すれば金属ワイヤーに平行な成分は吸収または反射し、垂直な成分だけが透過して線偏光をなす。この時、光の波長が金属ワイヤー間の間隔より大きい場合に効率的な線偏光をなす。ワイヤーグリッド偏光子は内部偏光層に適用可能であり、薄い厚さによって液晶表示装置５００の薄型化を実現するに有利である。

内部偏光層２４０の一面には内部位相差薄膜（ｉｎ−ｃｅｌｌ ｐｈａｓｅ ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ）２５０が形成されている。

内部位相差薄膜２５０は液晶表示パネル３００内部に位置し、一例として、内部位相差薄膜２５０は内部偏光層２４０と当接していてもよい。一例として、内部位相差薄膜２５０は他の層を介在して内部偏光層２４０から離隔していてもよいし、例えば、酸化ケイ素、酸化窒素のような絶縁膜を介在して離隔していてもよい。

内部位相差薄膜２５０は、上述した位相差薄膜を含む位相差フィルムと同一でもよい。
内部位相差薄膜２５０は上述のように溶液工程によってコーティングされたコーティング型位相差薄膜であってもよいし、コーティング型位相差薄膜は非延伸薄膜であってもよい。一例として、内部位相差薄膜２５０は後述する少なくとも２種の非液晶性高分子の混合物を溶液として準備してコーティングおよび乾燥し、乾燥段階で非液晶性高分子の線配向または面配向を誘導することによって、所定の位相差を付与できる。

内部位相差薄膜２５０は約５μｍ以下の薄い厚さを有することができ、前記範囲内で例えば約４．５μｍ以下、約４．２μｍ以下、約４．０μｍ以下、約３．８μｍ以下、約３．５μｍ以下、約３．３μｍ以下、約３．２μｍ以下、約３．０μｍ以下の厚さを有することができる。

内部位相差薄膜２５０は約８０ｎｍ／μｍ以上の単位厚さ当たりの厚さ方向位相差を有することができる。内部位相差薄膜２５０は、前記範囲内で約８０ｎｍ／μｍ〜３００ｎｍ／μｍの単位厚さ当たりの厚さ方向位相差を有することができ、前記範囲内で例えば約８０ｎｍ／μｍ〜２５０ｎｍ／μｍ、例えば約８０ｎｍ／μｍ〜２３０ｎｍ／μｍ、約８０ｎｍ／μｍ〜２２０ｎｍ／μｍ、約８０ｎｍ／μｍ〜２００ｎｍ／μｍ、約８０ｎｍ／μｍ〜１８０ｎｍ／μｍ、約８０ｎｍ／μｍ〜１５０ｎｍ／μｍ、約８０ｎｍ／μｍ〜１２０ｎｍ／μｍの単位厚さ当たりの厚さ方向位相差を有することができる。前記範囲の単位厚さ当たりの厚さ方向位相差を有することによって、効果的な補償機能を行うことができる。

内部位相差薄膜２５０は、前述のように、ｎ_ｘ≧ｎ_ｙ＞ｎ_ｚの屈折率を有することができ、例えばｎ_ｘ＝ｎ_ｙ＞ｎ_ｚの屈折率を有することができる。

内部位相差薄膜２５０は、前述のように、少なくとも２種の非液晶性高分子を含むことができ、これらを組み合わせて上述した光学的特性を満足することができる。

一例として、内部位相差薄膜２５０は２種の非液晶性高分子を含むことができ、２種の非液晶性高分子のうちの一つはポリアミドイミドであってもよい。

一例として、内部位相差薄膜２５０は２種の非液晶性高分子を含むことができ、２種の非液晶性高分子のうちの一つはポリイミドであってもよい。

一例として、内部位相差薄膜２５０は２種の非液晶性高分子を含むことができ、２種の非液晶性高分子のうちの一つはポリイミドであってもよく、他の一つはポリアミドイミドであってもよい。

一例として、内部位相差薄膜２５０はポリイミドとポリアミドイミドとの混合物を含んでもよい。ポリイミドとポリアミドイミドに対する説明は前述した通りである。

一例として、ポリアミドイミドはポリアミドと同一またはそれより多く含まれることができる。例えば、ポリアミドイミドはポリイミドとポリアミドイミドの総含有量に対して約５０〜７５重量％、例えば約５５〜７５重量％、例えば約６０〜７５重量％、例えば約６５〜７５重量％で含まれることができる。ポリアミドイミドが前記範囲で含まれることによって、上述した屈折率および位相遅延を有し、かつ良好な透光特性を有する位相差フィルムを実現することができる。

一例として、内部位相差薄膜２５０は上述した屈折率および位相遅延を有しつつ約３６０ｎｍ〜７４０ｎｍの波長領域で約８８％以上の平均光透過率、約１．０以下の黄色度（ＹＩ）および約０．３以下のヘイズを同時に満足することができる。

内部位相差薄膜２５０は上述した屈折率および位相遅延を有することによって、ブラックモードで色変換層２３０に到達する前の側面からの光漏れを減らしたり防止したりすることができ、これによって、ブラックモードで色変換層２３０の不必要な発光を減らすことによって、ブラック輝度を減少させて明暗比を改善することができる。

内部位相差薄膜２５０の一面には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は、例えばＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電体で作られ、内部位相差薄膜２５０の全面に形成されることができる。共通電極２７０は所定のパターンを有することができる。

共通電極２７０の一面には配向膜２１が塗布されている。

下部表示板１００と上部表示板２００との間には複数の液晶３０を含む液晶層３が介在している。液晶３０は正または負の誘電率異方性を有することができる。一例として、液晶３０は負の誘電率異方性を有することができる。一例として、液晶３０は画素電極１９１と共通電極２７０との間に電場無印加時に基板１１０、２１０の表面に対して実質的に垂直方向に整列されている。これによって、液晶表示装置５００は垂直配向液晶表示装置（ｖｅｒｔｉｃａｌ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ＬＣＤ）を実現することができる。

液晶表示パネル３００の下部には、下部偏光層４４０および下部位相差フィルム４５０をさらに含んでもよい。

下部偏光層４４０は下部表示板１００の外側に付着している。下部偏光層４４０は線状偏光子であってもよいし、光源４０から供給される光を偏光させて液晶層３に偏光された光を供給することができる。

一例として、下部偏光層４４０は、例えば、延伸されたポリビニルアルコール（ＰＶＡ）で作られ、例えば、ポリビニルアルコールフィルムを延伸し、これにヨウ素または二色性染料を吸着させた後、ホウ酸処理および洗浄などの方法で形成することができる。

一例として、下部偏光層４４０は、例えば、高分子と二色性染料を溶融混合して準備された偏光フィルムであってもよいし、例えば、高分子と二色性染料を混合し前記高分子の溶融点以上の温度で溶融してシートに製作する方法で形成してもよい。前記高分子は疎水性高分子であってもよいし、例えばポリオレフィンであってもよい。

一例として、下部偏光層４４０はワイヤーグリッド偏光子であってもよい。ワイヤーグリッド偏光子は、内部偏光層２４０と組み合わせて液晶表示装置５００の薄型化を実現するに有利である。

下部位相差フィルム４５０は下部表示板１００の外側に付着しており、下部表示板１００と下部偏光層４４０との間に配置されている。下部位相差フィルム４５０は１層または２層以上であってもよい。

前述のように、内部位相差薄膜２５０は５μｍ以下の薄い厚さを有するコーティング型位相差薄膜で、ｎ_ｘ≧ｎ_ｙ＞ｎ_ｚの屈折率および７０ｎｍ／μｍ以上の単位厚さ当たりの厚さ方向位相差を有することによって、ブラックモードで色変換層２３０に到達する前の側面からの光漏れを減らしたり防止したりすることができ、これによって、ブラックモードで色変換層２３０の不必要な発光を減らすことによって、ブラック輝度を減少させて明暗比を改善することができる。

本実施形態による液晶表示装置は、発光体を含む色変換層を使って色を表示することによって、光効率を高め、色特性を改善することができる。また、内部偏光層および内部位相差薄膜を液晶パネル内部に導入し、上部基板の外側に偏光板および位相差フィルムを省略することによって、上部基板の外側に配置された偏光板および位相差フィルムによって光特性および色特性が変質することを防止でき、発光体を含む色変換層による光特性および視野角特性をそのまま確保できて表示特性を改善することができる。また、内部偏光層および内部位相差薄膜を薄い厚さに実現することによって、薄型液晶表示装置を実現することができる。

以下、実施例を通じて、上述した実施例をより詳細に説明する。ただし、下記の実施例は単に説明の目的のためのものであり、権利範囲を制限するわけではない。

［合成例］
合成例１：ポリイミドの合成
温度調節器が付いた反応器内に窒素を流しながら、温度を２５℃に維持させる。ジメチルアセチルアミド（ＤＭＡｃ）１６００グラムと、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（２，２’−ｂｉｓ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：ＴＦＤＢ）１７４グラムを入れて１時間攪拌してジアミン溶液を準備する。前記ジアミン溶液にビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）３２グラムと、４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸無水物（６ＦＤＡ）１９４グラムを投入し、２５℃で４８時間攪拌してポリアミック酸溶液を得る。前記ポリアミック酸溶液に酢酸無水物１６７グラムを付加し３０分間攪拌する。次いで、これにピリジン１２９グラムを付加し２４時間攪拌してイミド化されたポリマーを含む組成物を得る。

前記溶液状態の組成物を、水８Ｌを使って沈殿させ、沈殿した固形分をろ過および粉砕し、追加洗浄してろ過および粉砕した後、１００℃の真空オーブンで乾燥してポリイミド（Ｍｗ：約１３０、０００， Ｔｇ： ２９１℃）の固形分粉末を得る。

合成例２：ポリアミドイミドの合成
温度調節器が付いた反応器内に窒素を流しながら、温度を２５℃に維持させる。ジメチルアセチルアミド（ＤＭＡｃ）１６００グラムと、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（２，２’−ｂｉｓ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：ＴＦＤＢ）２２３グラムを入れて１時間攪拌してジアミン溶液を準備する。前記ジアミン溶液にビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）３０グラムと、４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸無水物（６ＦＤＡ）４６グラムを投入し、２５℃で３時間攪拌してポリアミック酸溶液を得る。前記ポリアミック酸溶液が入っている反応器の温度を１０℃に下げ、テレフタロイルクロリド（ｐ−Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌｏｙｌ ｃｈｌｏｒｉｄｅ、ＴＰＣｌ）９９グラムを入れて２４時間攪拌して、ポリ（アミック酸−アミド）ブロックコポリマーを得る。前記ポリ（アミック酸−イミド）溶液に酢酸無水物２１３グラムを付加し３０分間攪拌する。次いで、ピリジン１６５グラムを付加し２４時間攪拌してイミド化されたポリマーを含む組成物を得る。

前記溶液状態の組成物を、水８Ｌを使って沈殿させ、沈殿した固形分をろ過および粉砕し、追加洗浄してろ過および粉砕した後、１００℃の真空オーブンで乾燥してポリアミドイミド（Ｍｗ：約１８０、０００， Ｔｇ： ３１２℃）の固形分粉末を得る。

合成例３：ポリアミドイミドの合成
温度調節器が付いた反応器内に窒素を流しながら、温度を２５℃に維持させる。ジメチルアセチルアミド（ＤＭＡｃ）１２８０グラムと、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（２，２’−ｂｉｓ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：ＴＦＤＢ）１８５グラムを入れて１時間攪拌してジアミン溶液を準備する。前記ジアミン溶液にビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）２６グラムと、４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸無水物（６ＦＤＡ）４０グラムおよびＥｎｄ−ｃａｐｐｉｎｇ ａｇｅｎｔの無水フタル酸（Ｐｈｔｈａｌｉｃ ａｎｈｙｄｒｉｄｅ）４．６グラムを投入し、２５℃で３時間攪拌してポリアミック酸溶液を得る。前記ポリアミック酸溶液にテレフタロイルクロリド（ｐ−Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌｏｙｌ ｃｈｌｏｒｉｄｅ、ＴＰＣｌ）８０グラムを入れて２４時間攪拌して、ポリ（アミック酸−アミド）ブロックコポリマーを得る。前記ポリ（アミック酸−イミド）溶液に酢酸無水物１７０グラムを付加し３０分間攪拌する。次いで、ピリジン１３０グラムを付加し２４時間攪拌してイミド化されたポリマーを含む組成物を得る。

前記溶液状態の組成物を、水８Ｌを使って沈殿させ、沈殿した固形分をろ過および粉砕し、追加洗浄してろ過および粉砕した後、１００℃の真空オーブンで乾燥してポリアミドイミド（Ｍｗ：約９７、０００， Ｔｇ： ３００℃）の固形分粉末を得る。

［製造例］：位相差フィルムの製造
合成例１で得られたポリイミド（ＰＩ）をメチルイソブチルケトン（ｍｅｔｈｙｌ ｉｓｏｂｕｔｙｌ ｋｅｔｏｎｅ、ＭＩＢＫ）に溶かしてポリイミド溶液を準備し、合成例２または３で得られたポリアミドイミド（ＰＡＩ）をジメチルアセトアミド（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｃｅｔａｍｉｄｅ、ＤＭＡｃ）に溶かしてポリアミドイミド溶液を準備する。次いで、ポリイミド溶液とポリアミドイミド溶液を表１の比率になるように混合して高分子溶液を準備する。高分子溶液の粘度は、表１の通りである。

次いで、ガラス板の上に前記高分子溶液をスピンコーティング方法で塗布し、８０℃温度で１０分間乾燥してある程度溶媒が飛んだフィルムを１８０℃のファーネスで１時間追加加工して位相差フィルムを製造する。

［評価Ｉ］
製造例と比較製造例による位相差フィルムの屈折率特性、単位厚さ当たりの厚さ方向位相差、光透過率、黄色度およびヘイズを評価する。

屈折率はプリズムの間に位相差フィルムを挟んでＰｒｉｓｍ Ｃｏｕｐｌｅｒで測定する。

単位厚さ当たりの厚さ方向位相差はＡｘｏｓｃａｎ装備（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社、米国）を用いて測定し、測定波長範囲は４００ｎｍ〜７００ｎｍである。
光透過度はＵＶ分光計（Ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ、コニカミノルタ社製、ｃｍ−３６００ｄ）を用いて３６０ｎｍ〜７４０ｎｍ領域での平均透過率を測定する。
黄色度（ＹＩ）はＵＶ分光計（Ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ、コニカミノルタ社製、ｃｍ−３６００ｄ）を用いてＡＳＴＭ Ｄ１９２５規格で測定する。

ヘイズはＵＶ分光計（Ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ、コニカミノルタ社製、ｃｍ−３６００ｄ）を用いてＡＳＴＭ Ｄ１００３に準じて測定する。

その結果は表２の通りである。

表２を参照すると、位相差フィルムの組成、つまり、ポリイミド（ＰＩ）とポリアミドイミド（ＰＡＩ）の比率により単位厚さ当たりの厚さ方向位相差が異なることを確認できる。具体的には、ポリイミド（ＰＩ）とポリアミドイミド（ＰＡＩ）とが所定の比率で混合された位相差フィルムは約８０ｎｍ／μｍ以上の単位厚さ当たりの厚さ方向位相差、約８８％以上の平均光透過率、約１．０以下の黄色度（ＹＩ）および約０．３以下のヘイズを同時に満足できる反面、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）だけ含んでいる比較製造例５による位相差フィルムは光透過率が大きく落ち、ヘイズが高くなることを確認できる。

光学シミュレーション
下記のような液晶表示装置の構造を設定し液晶表示装置の平均ブラック輝度値を比較するために光学シミュレーションを行う。

光学シミュレーションはＴｅｃｈｗｉｚ ｐｒｏｇｒａｍ（（株）サンアイシステム）を利用して行い、４５０ｎｍ波長での０度〜３６０度の方位角および０度〜９０度の傾斜角でのブラック輝度の分布を計算した後、その平均値を比較する。

実施例１
観察者側から、上部基板（ガラス）、上部偏光層、上部位相差層（製造例および比較製造例による位相差フィルム）、垂直配向液晶層、下部基板（ガラス）、下部位相差層、下部偏光層、青色光源の順に配置された液晶表示装置を設定し光学シミュレーションを実施する。

各層の共通入力変数は以下の通りである。

−上部および下部基板（ガラス）の屈折率：１．５、
−上部および下部基板（ガラス）の厚さ：５００μｍ、
−上部および下部偏光層の透過度：４２．４５％、
−上部および下部偏光層の偏光度：９９．９９％、
−青色光源：４５０ｎｍ短波長光源、
−垂直配向液晶層：Ｒ_{ｔｈ、ｃｅｌｌ}＝−５６７ｎｍ
−上部位相差層：ｎ_ｘ１＝ｎ_ｙ１＞ｎ_ｚ１、ｎ_ａｖｇ＝１．６
−上部位相差層の厚さ（ｄ）：５μｍ
−下部位相差層：ｎ_ｘ２＞ｎ_ｙ２＝ｎ_ｚ２、Ｒ_ｉｎ２＝１２０ｎｍ

実施例２〜５
上部位相差層として製造例１による位相差フィルムの代わりに製造例２〜５による位相差フィルムを用いた液晶表示装置を設定したことを除いては、実施例１と同様の方法で光学シミュレーションを実施する。

比較例１〜５
上部位相差層として製造例１による位相差フィルムの代わりに比較製造例１〜４および６による位相差フィルムを用いた液晶表示装置を設定したことを除いては、実施例１と同様の方法で光学シミュレーションを実施する。

［評価ＩＩ］
実施例と比較例による液晶表示装置の平均ブラック輝度値を評価する。

平均ブラック輝度値は全ての方位角および傾斜角でのブラック輝度の平均値から求められ、平均ブラック輝度値が低いほど液晶表示装置の明暗比が高いと予想できる。
その結果は表３の通りである。

表３を参照すると、実施例による液晶表示装置は、比較例による液晶表示装置と比較して平均ブラック輝度が大きく低いことを確認できる。これから実施例による液晶表示装置は、比較例による液晶表示装置と比較して液晶表示装置の明暗比が改善されると予想できる。

上述した表２および表３を総合すると、位相差フィルムの組成、つまり、ポリイミド（ＰＩ）とポリアミドイミド（ＰＡＩ）の比率により位相差フィルムの単位厚さ当たりの厚さ方向位相差が異なり、このような位相差フィルムの単位厚さ当たりの厚さ方向位相差の変化によってこれを含む液晶表示装置の平均ブラック輝度値を調節できることを確認できる。

以上、実施例について説明したが、実際具現される構造はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明および添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも権利範囲に属することは当然である。

３：液晶層
１１、２１：配向膜
３０：液晶
４０：光源
１００：下部表示板
１１０：下部基板
１８０：保護膜
１８５：接触孔
１９１：画素電極
２００：上部表示板
２１０：上部基板
２２０：遮光部材
２３０：色変換層
２４０：上部偏光層
２５０：上部位相差層
２７０：共通電極

Claims (23)

1. 少なくとも２種の非液晶性高分子を含む位相差薄膜を含み、
   前記位相差薄膜はｎ_ｘ≧ｎ_ｙ＞ｎ_ｚの屈折率および８０ｎｍ／μｍ以上の単位厚さ当たりの厚さ方向位相差を満足し、
   ここで、ｎ_ｘは前記位相差薄膜の遅相軸での屈折率であり、ｎ_ｙは前記位相差薄膜の進相軸での屈折率であり、ｎ_ｚは前記位相差薄膜の遅相軸および進相軸に対する垂直方向の屈折率であり、
   ３６０ｎｍ〜７４０ｎｍの波長領域の平均光透過率が８８％以上である、位相差フィルム。
2. 前記少なくとも２種の非液晶性高分子はそれぞれ１５０℃以上のガラス転移温度を有する、請求項１に記載の位相差フィルム。
3. 前記非液晶性高分子のうちの一つはポリアミドイミドである、請求項１に記載の位相差フィルム。
4. 前記非液晶性高分子のうちの他の一つはポリイミドである、請求項３に記載の位相差フィルム。
5. 前記ポリアミドイミドは前記ポリイミドと同一またはそれより多く含まれている、請求項４に記載の位相差フィルム。
6. 前記ポリアミドイミドは、前記ポリイミドと前記ポリアミドイミドの総含有量に対して５０〜７５重量％で含まれる、請求項４に記載の位相差フィルム。
7. 前記位相差薄膜の屈折率はｎ_ｘ＝ｎ_ｙ＞ｎ_ｚを満足する、請求項１に記載の位相差フィルム。
8. 前記位相差薄膜の単位厚さ当たりの厚さ方向位相差は８０ｎｍ／μｍ〜１２０ｎｍ／μｍである、請求項１に記載の位相差フィルム。
9. 前記位相差薄膜の厚さは５μｍ以下である、請求項１に記載の位相差フィルム。
10. 前記位相差フィルムは前記位相差薄膜からなり、
    前記位相差薄膜は非延伸薄膜である、請求項１に記載の位相差フィルム。
11. 黄色度（ＹＩ）が１．０以下であり、ヘイズが０．３以下である、請求項１に記載の位相差フィルム。
12. 請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の位相差フィルムを含む、表示装置。
13. 光源および液晶表示パネルを含み、
    前記液晶表示パネルは、
    前記光源側に位置する第１基板と、
    前記第１基板と向き合う第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板の間に位置する液晶層と、
    前記第２基板と前記液晶層の間に位置し少なくとも２種の非液晶性高分子を含む位相差薄膜と、
    を含み、
    前記位相差薄膜は、ｎ_ｘ≧ｎ_ｙ＞ｎ_ｚの屈折率および約８０ｎｍ／μｍ以上の単位厚さ当たりの厚さ方向位相差を満足し、ここで、ｎ_ｘは前記位相差薄膜の遅相軸での屈折率であり、ｎ_ｙは前記位相差薄膜の進相軸での屈折率であり、ｎ_ｚは前記位相差薄膜の遅相軸および進相軸に対する垂直方向の屈折率であり、
    前記位相差薄膜の約３６０ｎｍ〜７４０ｎｍの波長領域の平均光透過率は８８％以上である、液晶表示装置。
14. 前記少なくとも２種の非液晶性高分子はそれぞれ１５０℃以上のガラス転移温度を有する、請求項１３に記載の液晶表示装置。
15. 前記非液晶性高分子のうちの一つはポリアミドイミドである、請求項１４に記載の液晶表示装置。
16. 前記非液晶性高分子のうちの他の一つはポリイミドである、請求項１５に記載の液晶表示装置。
17. 前記ポリアミドイミドは、前記ポリイミドと同一またはそれより多く含まれている、請求項１６に記載の液晶表示装置。
18. 前記ポリアミドイミドは、前記ポリイミドと前記ポリアミドイミドの総含有量に対して５０〜７５重量％で含まれる、請求項１６に記載の液晶表示装置。
19. 前記位相差薄膜の屈折率はｎ_ｘ＝ｎ_ｙ＞ｎ_ｚを満足する、請求項１３に記載の液晶表示装置。
20. 前記位相差薄膜の単位厚さ当たりの厚さ方向位相差は８０ｎｍ／μｍ〜１２０ｎｍ／μｍである、請求項１３に記載の液晶表示装置。
21. 前記位相差薄膜の厚さは５μｍ以下である、請求項１３に記載の液晶表示装置。
22. 前記第２基板と前記液晶層の間で前記位相差薄膜のいずれか一側に位置する偏光層をさらに含む、請求項１３に記載の液晶表示装置。
23. 前記位相差薄膜の上部に位置する色変換層をさらに含み、
    前記色変換層は、前記光源から第１可視光の供給を受けて前記第１可視光と同一または前記第１可視光より長い波長の光である第２可視光を放出する発光体を含む、請求項１３に記載の液晶表示装置。