JP2019133910A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図3において、Rp−jXpは、真空容器110の内部空間にプラズマが発生している状態で第1平衡端子211および第2平衡端子212の側から第1電極106および第2電極111の側(本体10の側)を見たときのインピーダンス(ブロッキングキャパシタ104のリアクタンスを含む)を示している。Rpは抵抗成分、−Xpはリアクタンス成分を示している。また、図3において、Xは、バラン103の第1コイル221のインピーダンスのリアクタンス成分(インダクタンス成分)を示している。ISOは、X/Rpに対して相関を有する。
図14において、Rp−jXp(=Rp/2−jXp/2+Rp/2−jXp/2)は、真空容器110の内部空間にプラズマが発生している状態で第1平衡端子211および第2平衡端子212の側から第1電極105aおよび第2電極105bの側(本体10の側)を見たときのインピーダンス(ブロッキングキャパシタ104a及び104bのリアクタンスを含む)を示している。Rpは抵抗成分、−Xpはリアクタンス成分を示している。また、図14において、Xは、第1バラン103の第1コイル221のインピーダンスのリアクタンス成分(インダクタンス成分)を示している。ISOは、X/Rpに対して相関を有する。
Claims (20)
- 第1不平衡端子、第2不平衡端子、第1平衡端子および第2平衡端子を有するバランと、
接地された真空容器と、
前記第1平衡端子に電気的に接続された第1電極と、
前記第2平衡端子に電気的に接続された第2電極と、
前記真空容器の中に配置され、接地された接地電極と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記接地電極は、互いに平行に配置された複数の板部を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記複数の板部は、断面において前記接地電極が櫛歯形状を有するように配置されている、
ことを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記接地電極は、1つの断面において櫛歯形状を有する、
ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1電極は、第1部材を保持する第1保持面を有し、前記第2電極は、第2部材を保持する第2保持面を有し、前記第1保持面および前記第2保持面は、1つの平面に属している、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記接地電極は、前記1つの平面と交差するように配置されている、
ことを特徴とする請求項5に記載のプラズマ処理装置。 - 前記接地電極は、前記第1部材と前記第2部材との間に配置される部分を含む、
ことを特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1保持面は、前記第1部材を介して前記真空容器の内部空間に対向し、前記第2保持面は、前記第2部材を介して前記真空容器の前記内部空間に対向する、
ことを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 第3不平衡端子、第4不平衡端子、第3平衡端子および第4平衡端子を有する第2バランと、
前記第3平衡端子に電気的に接続された第3電極と、
前記第4平衡端子に電気的に接続された第4電極と、を更に備え、
前記第4電極は、前記第3電極の周囲に配置され、
前記第3電極および前記第4電極は、前記1つの平面に対向するように配置されている、
ことを特徴とする請求項5乃至8のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1平衡端子と前記第1電極とがブロッキングキャパシタを介して電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第2平衡端子と前記第2電極とがブロッキングキャパシタを介して電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1平衡端子と前記第1電極とがブロッキングキャパシタを介して電気的に接続され、前記第2平衡端子と前記第2電極とがブロッキングキャパシタを介して電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1電極および前記第2電極が絶縁体を介して前記真空容器によって支持されている、
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記バランは、前記第1不平衡端子と前記第1平衡端子とを接続する第1コイルと、前記第2不平衡端子と前記第2平衡端子とを接続する第2コイルとを有する、
ことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記バランは、前記第1平衡端子と前記第2平衡端子との間に接続された第3コイルおよび第4コイルを更に有し、前記第3コイルおよび前記第4コイルは、前記第3コイルと前記第4コイルとの接続ノードの電圧を前記第1平衡端子の電圧と前記第2平衡端子の電圧との中点とするように構成されている、
ことを特徴とする請求項14に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1電極は第1ターゲットを保持し、前記第2電極は第2ターゲットを保持し、前記第1電極は前記第1ターゲットを介して処理対象の基板の側の空間と対向し、前記第2電極は前記第2ターゲットを介して前記空間と対向する、
ことを特徴とする請求項1乃至15のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1電極は第1基板を保持し、前記第2電極は第2基板を保持し、前記プラズマ処理装置は、前記第1基板および前記第2基板をエッチングするエッチング装置として構成されている、
ことを特徴とする請求項1乃至15のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 高周波電源と、
前記高周波電源と前記バランとの間に配置されたインピーダンス整合回路と、
を更に備えることを特徴とする請求項1乃至17のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1平衡端子および前記第2平衡端子の側から前記第1電極および前記第2電極の側を見たときの前記第1平衡端子と前記第2平衡端子との間の抵抗成分をRpとし、前記第1不平衡端子と前記第1平衡端子との間のインダクタンスをXとしたときに、1.5≦X/Rp≦5000を満たす、
ことを特徴とする請求項1乃至18のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1平衡端子および前記第2平衡端子の側から前記第1電極および前記第2電極の側を見たときの前記第1平衡端子と前記第2平衡端子との間の抵抗成分をRpとし、前記第1不平衡端子と前記第1平衡端子との間のインダクタンスをXとしたときに、1.5≦X/Rp≦5000を満たし、
前記第3平衡端子および前記第4平衡端子の側から前記第3電極および前記第4電極の側を見たときの前記第3平衡端子と前記第4平衡端子との間の抵抗成分をRp’とし、前記第3不平衡端子と前記第3平衡端子との間のインダクタンスをX’としたときに、1.5≦X’/Rp’≦5000を満たす、
ことを特徴とする請求項9に記載のプラズマ処理装置。
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