JP2019133118A - 表示パネル及び表示パネルの上部基板を製造する方法 - Google Patents

表示パネル及び表示パネルの上部基板を製造する方法 Download PDF

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Abstract

【課題】シャープなパターンを有する遮光層を含む表示パネル、および表示パネルの上部基板を製造する方法を提供する。【解決手段】表示パネルは、第１領域１０１および第１領域のそばにある第２領域１０２を有し、上部基板、底部基板、基底部基板の間に配置された表示媒体層を含む。上部基板は、外表面を有する支持板１０９、支持板の外表面に配置され、且つ第１領域内に設置されたパターン化遮光層１０３、および支持板の外表面に配置され、且つ第１領域において消失するパターン化反射防止層１１０を含む。表示パネルのパターン化遮光層は、ウェットプロセスにより支持板の外表面に形成され、シャープなエッジおよび良好な直線性でパターン化され、所望の遮光効果を提供することができる。【選択図】図２Ａ

Description

本発明は、電子デバイスに関するものであり、特に、表示パネルに関するものである。
表示領域を線引きするため、通常、表示パネルにパターン化遮光層を追加する。パターン化遮光層は、フレーム状パターンまたはマトリックス状パターンを有するブラックマトリックスであってもよく、フレーム状パターンまたはマトリックス状パターンで取り囲まれた領域を表示領域とする。表示領域を定義する他に、パターン化遮光層は、不要な光漏れを防ぐこともできる。
一般的な液晶表示パネルは、上部と底部の基板層の間に液晶材料を含む層を挟む。上部基板と底部基板をシーラント（sealant）または接着剤で結合し、液晶セルを形成する。セルが組み立てられたら、インクジェット、スクリーン、またはＡＰＲ印刷等のウェットプロセスで上部基板の外表面に遮光層を形成する。ディスプレイの非表示領域にパターン化遮光層を配置して、光漏れを防ぎ、表示コントラストを向上させる。ウェットプロセスで形成されたパターン化遮光層のエッジの直線性とシャープネスは、理想から遠ざかる傾向にあるため、パターン化遮光層の形成時に真っ直ぐでシャープなエッジが生成された場合よりも、得られる遮蔽効果およびコントラストが悪い。
したがって、本発明は、シャープなパターンを有する遮光層を含む表示パネルを提供する。
したがって、本発明は、上部基板上にシャープなパターンを有する遮光層を取得するための表示パネルの上部基板を製造する方法を提供する。
１つの実施形態において、表示パネルは、第１および第２領域を有することができる。表示パネルは、上部基板、底部基板、および上部基板と底部基板の間に配置された表示媒体層を含む。上部基板は、外表面を有する支持板、支持板の外表面に配置され、且つ第１領域において消失するパターン化反射防止層、および支持板の外表面に配置され、且つ第１領域内に設置されたパターン化遮光層を含む。
１つの実施形態において、上部基板は、さらに、支持板の外表面に配置され、パターン化遮光層を覆う保護層を含むことができる。
１つの実施形態において、保護層は、第１領域および第２領域の両方に設置されてもよい。
１つの実施形態において、保護層は、第１領域の第１厚さおよび第２領域の第２厚さを表すことができ、第１厚さは、第２厚さよりも厚い。
１つの実施形態において、保護層の上表面は、パターン化反射防止層の上表面と同一平面上にあってもよい。
１つの実施形態において、上部基板は、第１領域よりも第２領域においてより疎水性であってもよい。
１つの実施形態において、パターン化反射防止層の上表面を改質して、パターン化反射防止層の上表面に疎水層を形成することができる。
１つの実施形態において、上部基板は、さらに、パターン化遮光層と支持板の間に配置された下部層を含むことができる。
１つの実施形態において、下部層の上表面を改質して、下部層とパターン化遮光層の間に疎水層を形成することができる。
１つの実施形態において、パターン化反射防止層の材料は、下部層の材料と異なってもよい。
１つの実施形態において、パターン化遮光層は、支持板の外表面と直接接触して配置されてもよい。
１つの実施形態において、支持板は、表示パネルの第１領域内に凹部を表すことができ、支持板の凹部にパターン化遮光層を配置してもよい。
１つの実施形態において、パターン化遮光層の底面は、パターン化反射防止層の底面と同一平面上にある。
１つの実施形態において、パターン化遮光層の上表面は、パターン化反射防止層の底面と同一平面上にある。
１つの実施形態において、表示パネルの上部基板を製造する方法は、以下のステップを含むことができる。表示パネルは、上部基板、底部基板、上部基板と底部基板の間の表示媒体を含むことができる。反射防止層を有する支持板を提供する。パターン化反射防止層を形成するために、第１領域の反射防止層の一部を除去する。反射防止層の一部が除去された第１領域の支持板の上に、パターン化遮光層を形成する。
１つの実施形態において、パターン化遮光層を形成する前に、疎水性改質（hydrophobic modification）により、パターン化反射防止層を有する支持板の上に、疎水層をさらに形成する。
１つの実施形態において、パターン化遮光層を形成する前に、第１領域の疎水層を除去する。
１つの実施形態において、疎水性改質の前に、第１領域の支持板の上に下部層をさらに形成する。疎水層は、また、疎水性改質の間に下部層の上に形成され、下部層の疎水性材料の分布密度は、パターン化反射防止層の疎水性材料の分布密度よりも小さい。
１つの実施形態において、第１領域の支持板の上に下部層をさらに形成し、下部層の上にパターン化遮光層を形成する。
１つの実施形態において、支持板は、反射防止層をパターン化してパターン化反射防止層を生成している間に、第１領域において部分的に除去され、凹部を有する。
１つの実施形態において、パターン化遮光層を覆う保護層をさらに形成する。
１つの実施形態において、保護層は、第２領域の反射防止層をさらに覆うために形成される。
１つの実施形態において、パターン化遮光層は、インクジェット印刷プロセスを行うことによって、第１領域の支持板の上に形成される。
１つの実施形態において、パターン化遮光層は、スーパーインクジェット印刷プロセスを行うことによって、第１領域の支持板の上に形成される。
以上のように、表示パネルの第１領域にある支持板の外表面にパターン化遮光層を配置する。第１領域は、支持板上のパターン化反射防止層により露呈されてもよく、あるいは支持板の凹部によって表されてもよい。パターン化遮光層は、良好な直線性を有するシャープなエッジを表すことができ、同時に、パターン化遮光層は、ウェットプロセスにより上部基板の上に形成される。したがって、表示パネルのパターン化遮光層は、表示画像のコントラストを劣化させずに所望の遮光機能を提供し、表示パネルの品質を向上させることができる。
添付図面は、本発明の原理がさらに理解されるために含まれており、本明細書に組み込まれ、且つその一部を構成するものである。図面は、本発明の実施形態を例示しており、説明とともに、本発明の原理を説明する役割を果たしている。
図１（ａ）は、本発明の１つの実施形態に係る表示パネルの上面図を概略的に示したものである。図１（ｂ）は、図１（ａ）の表示パネルの断面図を概略的に示したものである。 図２（ａ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を示したものである。図２（ｂ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を示したものである。図２（ｃ）〜図２（ｅ）は、本発明の１つの実施形態に係る上部基板を製造するステップの一部を実行している時の上部基板の概略的断面図を示したものである。図２（ｆ）〜図２（ｇ）は、本発明の別の実施形態に係る上部基板を製造するステップの一部を実行している時の上部基板の概略的断面図を示したものである。 図３（ａ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を概略的に示したものである。図３（ｂ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を示したものである。 図４（ａ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を概略的に示したものである。図４（ｂ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を示したものである。図４（ｃ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を示したものである。 図５（ａ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を概略的に示したものである。図５（ｂ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を示したものである。図５（ｃ）〜図５（ｆ）は、本発明の１つの実施形態に係る上部基板を製造するステップの一部を実行している時の上部基板の概略的断面図を示したものである。 図６（ａ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を概略的に示したものである。図６（ｂ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を示したものである。図６（ｃ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を概略的に示したものである。図６（ｄ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を示したものである。
図面を明確にするため、図面において、疎水層１１１および１１４は、本実施形態の他の構成要素と比較して、大幅に拡大された厚さで示してある。
以下、添付の図面を例として、本発明の実施形態を詳細に説明する。各図面および関連説明において、同一または類似する構成要素には、同一の参照番号を使用する。
本発明の開示において、「素子Ａは、素子Ｂの上に配置される」という語法は、位置的関係を説明するために使用するものであり、素子Ａと素子Ｂの間に配置された１つ、または複数の他の素子の可能性を含むと同時に、素子Ａと素子Ｂの間に他の素子が存在しない場合も含む。
図１（ａ）および図１（ｂ）は、本発明の１つの実施形態に係る表示パネル１００の上面図および断面図をそれぞれ概略的に示したものである。表示パネル１００は、第１領域１０１および第１領域１０１のそばにある第２領域１０２を含むことができる。第１領域１０１は、上部から見た時にフレーム状パターンを有し、且つ第２領域１０２を取り囲むことができる。また、表示パネル１００は、第１領域１０１内に設置されたパターン化遮光層１０３を有することができる。詳しく説明すると、パターン化遮光層１０３は、本実施形態において、フレーム状パターンを有する。第１領域１０１は、パターン化遮光層１０３が配置される領域とみなしてもよい。パターン化遮光層１０３は、遮光効果を有する。そのため、パターン化遮光層１０３によって表示パネル１００の表示光が遮断または遮蔽されるため、第２領域１０２に表示画像が表示され、表示領域とみなすことができる。別の実施形態において、パターン化遮光層１０３は、設計要求に応じて、他のパターンまたは層に従って配置されてもよい。
図１（ｂ）の断面図に示すように、表示パネル１００は、上部基板１０４、上部基板１０４の反対側にある底部基板１０５、および上部基板１０４と底部基板１０５の間に配置された表示媒体層１０６およびシーラント１０７を有する。表示媒体層１０６は、上部基板１０４と底部基板１０５の間に配置され、且つシーラント１０７によって取り囲まれる。表示媒体層１０６は、液晶で作ることができるため、上部基板１０４、底部基板１０５、表示媒体層１０６、およびシーラント１０７は、液晶セルとして使用することができるが、本発明はこれに限定されない。上部基板１０４は、パターン化遮光層１０３、電極層１０８、支持板１０９、およびパターン化反射防止層１１０を含むことができる。パターン化遮光層１０３およびパターン化反射防止層１１０は、支持板１０９の同じ表面に配置される。パターン化反射防止層１１０は、第１領域１０１に存在しないようにパターン化され、パターン化遮光層１０３は、第１領域１０１内に配置される。電極層１０８は、表示媒体層１０６に近い側に配置される。また、図面は、底部基板１０５をプレート状構造として示しているが、底部基板１０５は、ガラスプレート等の別の支持基板、またはシリコン背面板（図示せず）を含むトランジスタアレイ基板、および薄型トランジスタアレイ等のトランジスタアレイまたはその上のＣＯＭＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）デバイスアレイ（図示せず）であってもよく、トランジスタアレイおよび電極層１０８は、駆動電場を提供して表示媒体層１０６を駆動するために使用することができる。したがって、表示パネル１００は、ＴＦＴ液晶（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD）パネルまたはＬＣｏＳ（Liquid Crystal on Silicon）表示パネルであってもよい。いくつかの別の実施形態において、電極層１０８は、表示パネル１００の駆動回路設計に基づいて省略してもよい。電極層１０８は、ＩＴＯ、または導電性で、表示光を通過させる他の導電性材料で作られることができる。パターン化反射防止層１１０が存在しない第１領域１０１に形成されたパターン化遮光層１０３は、良好な直線性を有するシャープなエッジを表すため、表示パネル１００の品質を向上させることができる。
図２（ａ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を示したものである。図２（ａ）に示した上部基板２０４Ａの拡大図は、図１（ｂ）において描写した領域Ａに対応する。図２（ａ）に示した上部基板２０４Ａの構造は、表示パネル１００の上部基板１０４の例示的実施例であってもよい。図２（ａ）において、表示パネルの上部基板２０４Ａは、外表面Ｓ０を有する支持板１０９、パターン化遮光層１０３、およびパターン化反射防止層１１０を含むことができる。パターン化遮光層１０３およびパターン化反射防止層１１０は、支持板１０９の外表面Ｓ０に配置されてもよく、パターン化遮光層１０３の底面Ｓ１は、パターン化反射防止層１１０の底面と同一平面上にあってもよい。また、上部基板２０４Ａは、さらに、表示パネルの第１領域１０１において、パターン化遮光層１０３の上部に形成された保護層１１２を含むことができる。
本実施形態において、パターン化反射防止層１１０の上表面Ｓ２は、シラン表面処理等の疎水性改質を受けて、疎水性材料の層を形成することができる。顕微鏡下で、パターン化反射防止層１１０の上表面Ｓ２は、疎水性材料と機能化されて、疎水層１１１を形成するため、疎水特性を得ることができる。疎水層１１１を形成する材料は、シラン、フッ素化シラン、長鎖アルコール、または酸を含むことができるが、本発明はこれに限定されない。詳しく説明すると、疎水層１１１を形成する材料は、水酸基を含有し、パターン化反射防止層１１０の上表面Ｓ２と反応することができる。パターン化反射防止層１１０の材料は、シリコン酸化物（ＳｉＯx）、チタン酸化物（ＴｉＯx）、または疎水性材料と反応して疎水層１１１を形成することのできる表面水酸基を露出する両方の組み合わせであってもよい。パターン化反射防止層１１０は、例えば、ＳｉＯx−ＴｉＯx−ＳｉＯx−ＴｉＯx−ＳｉＯxの積層構造を有する積み重ねられた多層薄膜であってもよい。積み重ねられた多層薄膜における個々のＳｉＯx層の厚さは、５ｎｍ〜３００ｎｍまでの範囲内であってもよく、積み重ねられた多層薄膜における個々のＴｉＯx層の厚さは、５ｎｍ〜１００ｎｍまでの範囲内であってもよい。ＳｉＯx層およびＴｉＯx層の５５０ｎｍの波長における反射指数は、それぞれ１．５および２．３付近であってもよい。
パターン化反射防止層１１０は、第２領域１０２のみに留まるようにパターン化され、且つ第１領域１０１の支持板１０９を露出することができる。そのため、パターン化遮光層１０３は、インクジェット印刷プロセス、スクリーン印刷プロセス、ＡＰＲ印刷プロセス、スーパーインクジェット印刷プロセス等のウェットプロセスにより、表示パネルの第１領域１０１内の支持板１０９の外表面Ｓ０と直接接触して形成されることができる。パターン化遮光層１０３の材料は、有機染料を含むことができるが、本発明はこれに限定されない。また、パターン化反射防止層１１０は、第１領域１０１を露呈するため、パターン化遮光層１０３の底面Ｓ１は、パターン化反射防止層１１０の底面と同一平面上にあってもよい。いくつかの別の実施形態において、パターン化遮光層１０３の底面Ｓ１は、パターン化反射防止層１１０の底面よりも低くてもよく、あるいはパターン化遮光層１０３の底面Ｓ１がパターン化反射防止層１１０の底面よりも高くなるよう、薄膜化した反射防止層が第１領域１０１に残留してもよい。
支持板１０９の上に配置された保護層１１２は、パターン化遮光層１０３を覆う。保護層１１２の材料は、酸化物であってもよい。さらに詳しく説明すると、保護層１１２は、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＩＴＯ、またはＺｎＯで作られることができるが、本発明はこれに限定されない。パターン化遮光層１０３の上に配置された保護層１１２の厚さは、変化してもよいため、いくつかの実施形態において、保護層１１２の上表面Ｓ３は、パターン化反射防止層１１０の上表面Ｓ２と同一平面上にあってもよいが、別の実施形態において、保護層１１２の上表面Ｓ３は、パターン化反射防止層１１０の上表面Ｓ２で定義される平面と疎水層１１１の上表面Ｓ４で定義される平面の間にあってもよい。図面を明確にするため、図面において、疎水層１１１は、本実施形態の他の構成要素と比較して、大幅に拡大された厚さで示してある。一般的に、疎水層１１１の厚さは、ナノメートルよりも少ない厚さから数十ナノメートルまでの厚さ（例えば、０．１〜９０ｎｍ）であってもよい。
図２（ｂ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を示したものである。図２（ｂ）に示した上部基板２０４Ｂの拡大図は、図１（ｂ）において描写した領域Ａに対応する。図２（ｂ）に示した上部基板２０４Ｂの構造は、表示パネル１００の上部基板１０４の例示的実施例であってもよい。図２（ｂ）に示した上部基板２０４Ｂは、図２（ａ）に示した上部基板２０４Ａと類似するため、２つの実施形態において同じ、または類似する参照番号は、同じ、または類似する構成要素を示す。図２（ｂ）に示した上部基板２０４Ｂと図２（ａ）に示した上部基板２０４Ａの相違点は、パターン化遮光層１０３の上部に保護層１１２’の部分１１２ａを配置する他に、第２領域１０２の疎水層１１１の上にも保護層１１２’の部分１１２ｂが配置されることである。保護層１１２’の部分１１２ａおよび部分１１２ｂは、同じ厚さを有することができる。あるいは、保護層１１２’の厚さは、変化してもよいため、いくつかの実施形態において、部分１１２ａの上表面Ｓ３は、疎水層１１１の上部にある部分１１２ｂの上表面Ｓ５と同一平面上にあってもよい。本実施形態において、保護層１１２’は、第１領域１０１と第２領域１０２の両方に設置されるため、上部基板２０４Ｂの最外表面は、保護層１１２’によって決定される均一性を有することができる。比較すると、上部基板２０４Ａは、第１領域１０１よりも第２領域１０２においてより優れた疎水性を有することができる。しかしながら、本発明はこれに限定されない。
図２（ｃ）〜図２（ｅ）は、本発明の１つの実施形態に係る上部基板を製造するステップの一部を実行している時の上部基板の概略的断面図を示したものである。本実施形態において、図２（ｃ）に示すように、支持板１０９の上にブランケット反射防止層１１０’を形成し、疎水性材料（例えば、シラン）でブランケット表面の機能化を行って、ブランケット反射防止層１１０’の上に疎水層１１１’を生成することができる。
続いて、図２（ｄ）に示すように、支持板１０９の上のブランケット反射防止層１１０’をパターン化して、第１領域１０１のブランケット反射防止層１１０’の一部を除去することにより、疎水層１１１を有するパターン化反射防止層１１０を形成することができる。そのため、パターン化反射防止層１１０が消失して、第１領域１０１に存在しなくなる。このステップでは、マスクを用いて第２領域１０２にあるブランケット反射防止層１１０’を遮蔽し、プラズマボンバード（plasma bombardment）等のドライエッチングプロセスまたはウェットエッチングプロセスを使用して第１領域１０１におけるブランケット反射防止層１１０’を除去することにより、ブランケット反射防止層１１０’をパターン化することができる。ドライおよびウェットエッチングプロセスは、周知の技術であるため、ここでは説明を省略する。
その後、図２（ｅ）に示すように、インクジェット、スーパーインクジェット、スクリーン、またはＡＰＲ印刷等のウェットプロセスにより、第１領域１０１の支持板１０９の上にパターン化遮光層１０３を形成する。本実施形態において、パターン化反射防止層１１０の上表面Ｓ２は、第１領域１０１の支持板１０９の露出した外表面Ｓ０よりもさらに疎水性であるため、印刷プロセス中にインク材料が第２領域１０２に溢れることなく、第１領域１０１に均一に散布することができる。したがって、インク材料を均一に分散させ、第１領域１０１内にしっかりと制限することができる。その後、硬化プロセスを行ってインク材料を凝固し、パターン化遮光層１０３を形成する。詳しく説明すると、パターン化遮光層１０３は、良好な直線性を有するシャープなエッジを表すことができる。本実施形態において、図２（ｄ）のステップは、第１領域１０１内の支持板１０９の外表面Ｓ０を粗くするため、パターン化遮光層１０３を形成するインク材料が改良された接触領域を有する支持板１０９の外表面Ｓ０に接触することにより、支持板１０９とパターン化遮光層１０３の間の接続を向上させることができる。
図２（ｅ）のステップの後、図２（ａ）に示した保護層１１２または図２（ｂ）に示した保護層１１２’を形成して、パターン化遮光層１０３を覆うことができる。保護層１１２または１１２’の形成は、スパッタリング、加熱蒸散、または原子層堆積（atomic layer deposition）により行うことができる。堆積プロトコルは、周知の技術であるため、ここでは説明を省略する。いくつかの別の実施形態において、パターン化遮光層１０３を形成した後、パターン化反射防止層１１０上の疎水層１１１を除去して、疎水層１１１が第1領域１０１および第２領域１０２の両方において存在しなくなるようにしてもよい。そのため、図２（ｂ）に示した保護層１１２’の部分１１２ｂは、その間に疎水層１１１を挟まずに、第２領域１０２のパターン化反射防止層１１０と接触することができる。
図２（ｆ）〜図２（ｇ）は、本発明の別の実施形態に係る上部基板を製造するステップの一部を実行している時の上部基板の概略的断面図を示したものである。本実施形態において、図２（ｆ）に示すように、疎水性改質によって処理されていない反射防止層をパターン化することにより、支持板１０９の上にパターン化反射防止層１１０を形成する。続いて、図２（ｇ）に示すように、パターン化反射防止層１１０を疎水性改質して、パターン化反射防止層１１０の上に疎水層１１１を形成する。疎水層１１１を形成した後、図２（ｅ）のステップおよび保護層１１２および１１２’を形成するステップを行って、上部基板２０４Ａまたは上部基板２０４Ｂを製造することができる。
詳しく説明すると、図２（ｇ）のステップにおいて、疎水層１１１は、第１領域１０１の支持板１０９の上に形成されない。例えば、疎水性改質を行っている間にマスクを使用して第１領域を遮蔽し、その後、マスクを除去することにより、疎水層１１１が第１領域１０１に延伸しないようにすることができる。あるいは、第１および第２領域１０１および１０２の両方において、疎水性材料（例えば、シラン）を用いてブランケット表面の機能化を行い、その後、さらにパターン化プロセスを行って、第１領域１０１に分散した疎水性材料を除去してもよい。一例として、第２領域１０２を遮蔽しながら、約２００ｎｍの波長を有するＵＶ光を第１領域１０１に照射することによって、第１領域１０１に分散した疎水性材料を除去することができるため、第１領域１０１の疎水性材料が劣化し、または分解され、第２領域の疎水性材料が残って、疎水層１１を形成することができる。
図３（ａ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を概略的に示したものである。図３（ａ）に示した上部基板３０４Ａの拡大図は、図１（ｂ）において描写した領域Ａに対応する。図３（ａ）に示した上部基板３０４Ａの構造は、表示パネル１００の上部基板１０４の例示的実施例であってもよい。図３（ａ）を参照すると、上部基板３０４Ａは、上部基板２０４Ａと類似するため、２つの実施形態において同じ、または類似する参照番号は、同じ、または類似する構成要素を示す。詳しく説明すると、上部基板３０４Ａは、支持板１０９’、パターン化遮光層１０３、パターン化反射防止層１１０、および保護層１１２を含むことができる。パターン化反射防止層１１０は、疎水層１１１の追加によって改質された上表面Ｓ２を有することができる。詳しく説明すると、図２（ｃ）〜図２（ｅ）または図２（ｆ）〜図２（ｇ）に示したステップを実行する（図２（ｄ）または図２（ｆ）のステップが第１領域１０１の支持板１０９’の一部をさらに除去する）ことにより、上部基板３０４Ａを製造することができる。本実施形態において、パターン化遮光層１０３は、上部基板３０４Ａの支持板１０９’内に固定される。第１領域１０１の支持板１０９’の厚さＴ１は、第２領域１０２の支持板１０９’の厚さＴ２よりも薄い。つまり、支持板１０９’内に凹部Ｒが存在するため、パターン化遮光層１０３が堆積した支持板１０９’の外表面Ｓ０は、パターン化反射防止層１１０の底面Ｓ６によって定義される平面の下方にある。したがって、パターン化遮光層１０３の底面Ｓ１は、パターン化反射防止層１１０の底面Ｓ６によって定義される平面の下方の位置にある。いくつかの実施形態において、パターン化遮光層１０３の厚さを調整することができるため、パターン化遮光層１０３の上表面Ｓ７は、パターン化反射防止層１１０の底面Ｓ６と同一平面上にあってもよいが、本発明はこれに限定されない。パターン化反射防止層１１０および凹部Ｒは、同じパターニングステップによってパターン化されてもよいため、パターン化反射防止層１１０の側壁は、凹部Ｒの側壁と同一平面上にあってもよく；あるいは、パターン化反射防止層１１０の側壁と凹部Ｒの側壁の間に明らかな段差が形成されなくてもよい。
図３（ｂ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を示したものである。図３（ｂ）に示した上部基板３０４Ｂの拡大図は、図１（ｂ）において描写した領域Ａに対応する。図３（ｂ）に示した上部基板３０４Ｂの構造は、表示パネル１００の上部基板１０４の例示的実施例であってもよい。図３（ｂ）に示した上部基板３０４Ｂは、図３（ａ）に示した上部基板３０４Ａと類似するため、２つの実施形態において同じ、または類似する参照番号は、同じ、または類似する構成要素を示す。図３（ｂ）に示すように、上部基板３０４Ｂと上部基板３０４Ａの相違点は、パターン化遮光層１０３の上部に保護層１１２’の部分１１２ａを配置する他に、第２領域１０２の疎水層１１１の上にも保護層１１２’の部分１１２ｂが配置されることである。保護層１１２’の部分１１２ａおよび部分１１２ｂは、同じ厚さを有することができる。あるいは、保護層１１２’の厚さは、変化してもよいため、いくつかの実施形態において、部分１１２ａの上表面Ｓ３は、疎水層１１１の上部にある部分１１２ｂの上表面Ｓ５と同一平面上にあってもよい。
図４（ａ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を概略的に示したものである。図４（ａ）に示した上部基板４０４Ａの拡大図は、図１（ｂ）において描写した領域Ａに対応する。図４（ａ）を参照すると、上部基板４０４Ａは、上部基板３０４Ａと類似するため、２つの実施形態において同じ、または類似する参照番号は、同じ、または類似する構成要素を示す。詳しく説明すると、上部基板４０４Ａは、支持板１０９’、パターン化遮光層１０３、パターン化反射防止層１１０、および保護層１１２を含むことができ、さらに、下部層１１３を含む。支持板１０９’は、第１領域１０１において凹部Ｒを有することができ、凹部Ｒの中に下部層１１３およびパターン化遮光層１０３が順番に配置される。しかしながら、いくつかの別の実施形態において、支持板１０９’を図２（ａ）に示した支持板１０９に置き換えてもよい。つまり、いくつかの実施形態において、凹部Ｒは、存在しなくてもよいため、パターン化反射防止層１１０と同じ平面に下部層１１３が配置される。
下部層１１３は、パターン化遮光層１０３と第１領域１０１の支持板１０９’の間に配置される。さらに詳しく説明すると、下部層１１３は、凹部Ｒ内の支持板１０９の外表面Ｓ０と直接接触してもよく、パターン化遮光層１０３と直接接触する上表面Ｓ８を有することができる。下部層１１３の材料は、酸化物であってもよく；例えば、下部層１１３は、ＳｉＯ2で作られることができるが、本発明はこれに限定されない。
本実施形態において、表示パネルの第１領域１０１の支持板１０９’の厚さＴ１は、第２領域１０２の支持板１０９’の厚さＴ２よりも薄い。つまり、支持板１０９’内に凹部Ｒが存在する。下部層１１３およびパターン化遮光層１０３が堆積した支持板１０９’の外表面Ｓ０は、パターン化反射防止層１１０の底面Ｓ６によって定義される平面の下方にある。下部層１１３およびパターン化遮光層１０３は、いずれも上部基板４０４Ａの支持板１０９’内に固定される。いくつかの実施形態において、パターン化遮光層１０３の上表面Ｓ７は、パターン化反射防止層１１０の底面Ｓ６と同一平面上にあってもよい。
本実施形態において、図２（ｃ）〜図２（ｅ）のステップを実行する（図２（ｄ）のステップが第１領域１０１の支持板１０９’の一部をさらに除去し、図２（ｅ）のステップの前に下部層１１３を形成する）ことにより、上部基板４０４Ａを製造することができる。また、図２（ｅ）のステップの前に、第１領域１０１内に位置する凹部Ｒ内に、下部層１１３を形成する。いくつかの別の実施形態において、図２（ｆ）〜図２（ｇ）のステップを実行する（図２（ｆ）のステップが第１領域１０１の支持板１０９’の一部をさらに除去する）ことにより、上部基板４０４Ａを製造してもよい。また、図２（ｇ）のステップの後に、第１領域１０１内に位置する凹部Ｒ内に下部層１１３を形成し、続いて、パターン化遮光層１０３を形成してもよい。いくつかのさらに別の実施形態において、図２（ｇ）のステップ（第２領域１０２に疎水層１１１を形成する）の前に凹部Ｒ内に下部層１１３を形成するステップを行い、図２（ｇ）のステップの後にパターン化遮光層１０３を形成するステップを行ってもよい。パターン化反射防止層１１０および凹部Ｒは、同じパターニングステップによってパターン化することができるため、パターン化反射防止層１１０の側壁は、凹部Ｒの側壁と同一平面上にあってもよく；あるいは、パターン化反射防止層１１０の側壁と凹部Ｒの側壁の間に明らかな段差が形成されなくてもよい。
図４（ｂ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を示したものである。図４（ｂ）に示した上部基板４０４Ｂの拡大図は、図１（ｂ）において描写した領域Ａに対応する。図４（ｂ）に示した上部基板４０４Ｂの構造は、表示パネル１００の上部基板１０４の例示的実施例であってもよい。図４（ｂ）に示した上部基板４０４Ｂは、図４（ａ）に示した上部基板４０４Ａと類似するため、２つの実施形態において同じ、または類似する参照番号は、同じ、または類似する構成要素を示す。図４（ｂ）に示すように、上部基板４０４Ｂと上部基板４０４Ａの相違点は、パターン化遮光層１０３の上部に保護層１１２’の部分１１２ａを配置する他に、第２領域１０２の疎水層１１１の上にも保護層１１２’の部分１１２ｂが配置されることである。
図４（ｃ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を示したものである。上部基板４０４Ｃと上部基板４０４Ｂの相違点は、下部層１１３’の厚さである。上部基板４０４Ｃにおいて、図４（ｃ）に示すように、下部層１１３’の上表面Ｓ８は、反射防止層１１０の底面Ｓ６と同一平面上にあってもよく、あるいは、同じように、パターン化遮光層１０３の底面Ｓ１は、反射防止層１１０の底面Ｓ６と同一平面上にあってもよい。つまり、パターン化遮光層１０３は、パターン化反射防止層１１０と同じ平面上に配置されてもよく、下部層１１３’の厚さは、実質的に、凹部Ｒの深さと同じであってもよい。
図５（ａ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を概略的に示したものである。図５（ａ）に示した上部基板５０４Ａの拡大図は、図１（ｂ）において描写した領域Ａに対応する。図５（ａ）に示した上部基板５０４Ａの構造は、表示パネル１００の上部基板１０４の例示的実施例であってもよい。図５（ａ）を参照すると、上部基板５０４Ａは、上部基板４０４Ａと類似するため、２つの実施形態において同じ、または類似する参照番号は、同じ、または類似する構成要素を示す。上部基板５０４Ａは、支持板１０９’、パターン化遮光層１０３、パターン化反射防止層１１０、保護層１１２、および下部層１１３を含むことができる。
下部層１１３の上表面Ｓ８を改質することにより、下部層１１３の上方に疎水層１１４を形成することができる。１つの実施形態において、疎水層１１４を形成するために使用する疎水性材料は、シラン、フッ素化シラン、長鎖アルコール、または酸を含むことができるが、本発明はこれに限定されない。１つの実施形態において、疎水層１１４を形成するために使用する疎水性材料は、パターン化反射防止層１１０の上表面Ｓ２の疎水層１１１を構成する材料と同じ材料であってもよいが、別の実施形態において、２つの疎水層１１４および１１１は、異なる材料で作られてもよい。
図５（ｂ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を示したものである。図５（ｂ）に示した上部基板５０４Ｂの拡大図は、図１（ｂ）において描写した領域Ａに対応する。図５（ｂ）に示した上部基板５０４Ｂの構造は、表示パネル１００の上部基板１０４の例示的実施例であってもよい。図５（ｂ）に示した上部基板５０４Ｂは、図５（ａ）に示した上部基板５０４Ａと類似するため、２つの実施形態において同じ、または類似する参照番号は、同じ、または類似する構成要素を示す。図５（ｂ）に示した部基板５０４Ｂと図５（ａ）に示した上部基板５０４Ａの相違点は、パターン化遮光層１０３の上部に保護層１１２’の部分１１２ａを配置する他に、第２領域１０２の疎水層１１１の上にも保護層１１２’の部分１１２ｂが配置されることである。保護層１１２’の部分１１２ａおよび部分１１２ｂは、同じ厚さを有することができる。あるいは、保護層１１２’の厚さは、変化してもよいため、いくつかの実施形態において、部分１１２ａの上表面Ｓ３は、疎水層１１１の上部にある部分１１２ｂの上表面Ｓ５と同一平面上にあってもよい。
図５（ｃ）〜図５（ｆ）は、本発明の１つの実施形態に係る上部基板を製造するステップの一部を実行している時の上部基板の概略的断面図を示したものである。本実施形態において、図５（ｃ）に示すように、支持板１０９の上にブランケット反射防止層１１０’を形成することができる。続いて、図５（ｄ）に示すように、支持板１０９上のブランケット反射防止層１１０’をパターン化して、パターン化反射防止層１１０を形成し、同時に、第１領域１０１の支持板１０９の一部を除去することができる。そのため、第１領域１０１に凹部Ｒを有する支持板１０９’と、第１領域１０１で消失したパターン化反射防止層１１０とが形成される。つまり、ブランケット反射防止層１１０’をパターン化するステップの間、同時に、第１領域１０１の支持板１０９’を薄膜化することにより、第１領域１０１の支持板１０９’の厚さが第２領域１０２の支持板１０９’の厚さと同じなるようにして、凹部Ｒを定義する。
その後、図５（ｅ）に示すように、第１領域１０１の支持板１０９’の上に下部層１１３を形成し、下部層１１３およびパターン化反射防止層１１０の上に、それぞれ疎水層１１４および疎水層１１１を形成する。下部層１１３の疎水性材料の分布密度は、パターン化反射防止層１１０の疎水性材料の分布密度よりも小さい。つまり、疎水層１１４は、疎水層１１１よりも疎水性が低くてもよい。
いくつかの実施形態において、下部層１１３の材料とパターン化反射防止層１１０の材料は、異なっていてもよく、疎水層１１４および疎水層１１１は、下部層１１３およびパターン化反射防止層１１０の上部に同じ疎水性改質を行うことにより、同時に形成することができる。例えば、下部層１１３は、疎水性分子と反応することのできる遊離水酸基を提供する上表面Ｓ８を有することができるが、表面機能化反応において、パターン化反射防止層１１０の上表面Ｓ２よりも効果が下がる可能性がある。パターン化反射防止層１１０の材料は、表面処理または改質プロセスの間、下部層１１３の材料よりも反応性が高くなることができる。そのため、同じ疎水性改質を受けた後、下部層１１３の疎水性材料の分布密度は、パターン化反射防止層１１０の疎水性材料の分布密度よりも小さい。
いくつかの別の実施形態において、パターン化反射防止層１１０の上表面Ｓは、下部層１１３の上表面Ｓ８よりも改良された疎水性改質を受けて、下部層１１３の疎水性材料の分布密度がパターン化反射防止層１１０の疎水性材料の分布密度よりも少なくなるようにしてもよい。例えば、下部層１１３の上表面Ｓ８が疎水性改質を１回受けて、パターン化反射防止層１１０の上表面Ｓ２が疎水性改質を２回またはそれ以上受けることができる。
疎水層１１４および疎水層１１１を形成するステップに続いて、図５（ｆ）に示すように、ウェットプロセスにより、下部層１１３の上にパターン化遮光層１０３を形成する。下部層１１３の疎水性材料の分布密度は、パターン化反射防止層１１０の疎水性材料の分布密度よりも小さいため、疎水層１１４を有する下部層１１３の上表面Ｓ８は、疎水層１１１を有するパターン化反射防止層１１０の上表面Ｓ２よりも疎水性が低い。そのため、ウェットプロセスで形成されたパターン化遮光層１０３は、良好な直線性を有することができる。パターン化遮光層１０３の形成に続いて、図５（ａ）に示した保護層１１２または図５（ｂ）に示した保護層１１２’をパターン化遮光層１０３の上に形成して、上部基板５０４Ａまたは５０４Ｂを終了することができる。
図６（ａ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を概略的に示したものである。図６（ａ）に示した上部基板６０４Ａの構造は、表示パネル１００の上部基板１０４の例示的実施例であってもよい。図６（ａ）を参照すると、上部基板６０４Ａは、上部基板２０４Ａと類似するため、２つの実施形態において同じ、または類似する参照番号は、同じ、または類似する構成要素を示す。詳しく説明すると、上部基板６０４Ａは、支持板１０９、パターン化遮光層１０３、パターン化反射防止層１１０、および保護層１１２を含むことができる。パターン化遮光層１０３の底面Ｓ１は、パターン化反射防止層１１０の底面Ｓ６と同一平面上にあってもよい。いくつかの実施形態において、保護層１１２の上表面Ｓ３は、パターン化反射防止層１１０の上表面Ｓ２と同一平面上にあってもよい。本実施形態において、パターン化反射防止層１１０の上に疎水性材料が形成されなくてもよい。例えば、上部基板６０４Ａは、図２（ｆ）のステップを行ってから、第１領域１０１内の支持板１０９の外表面Ｓ０の上部に直接スーパーインクジェット印刷を行うことによって製造することができる。スーパーインクジェット印刷は、１ｆＬ（１ｆＬ＝１０-15Ｌ）よりも小さい液滴を生成するインクジェット印刷の改良版であるため、それによりパターンを形成した時に、サブミクロン（sub μm）解像度を達成する。そのため、疎水性改質等の表面処理を行わなくても、パターン化遮光層１０３は、良好な直線性を有する所望のパターンを有する。しかしながら、いくつかの別の実施形態において、上部基板６０４Ａは、図２（ｃ）〜図２（ｅ）に示したステップを行い、さらに、パターン化遮光層１０３を形成した後に、パターン化反射防止層１１０上の疎水層１１１を除去することによって製造してもよい。また、パターン化遮光層１０３を形成するステップは、上述した実施形態のうちのどの実施形態においても、スーパーインクジェット印刷プロセスを採用することができるため、前述の実施形態の疎水層１１１は、パターン化遮光層１０３の所望のエッジ直線性を容易にする。
図６（ｂ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を示したものである。図６（ｂ）に示した上部基板６０４Ｂと上部基板６０４Ａの相違点は、パターン化遮光層１０３の上部に保護層１１２’の部分１１２ａを配置する他に、第２領域１０２の疎水層１１１の上にも保護層１１２’の部分１１２ｂが配置されることである。保護層１１２’の部分１１２ａおよび部分１１２ｂは、同じ厚さを有することができる。あるいは、保護層１１２’の厚さは、変化してもよいため、いくつかの実施形態において、部分１１２ａの上表面Ｓ３は、パターン化反射防止層１１０の上部にある部分１１２ｂの上表面Ｓ５と同一平面上にあってもよい。本実施形態において、保護層１１２’は、パターン化反射防止層１１０およびパターン化遮光層１０３と直接接触する。
図６（ｃ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を概略的に示したものである。図６（ｃ）を参照すると、上部基板６０４Ｃは、上部基板６０４Ａと類似するため、２つの実施形態において同じ、または類似する参照番号は、同じ、または類似する構成要素を示す。詳しく説明すると、図６（ｃ）において、上部基板６０４Ｃは、凹部Ｒを有する支持板１０９’、パターン化遮光層１０３、パターン化反射防止層１１０、および保護層１１２を含むことができる。本実施形態において、パターン化遮光層１０３は、上部基板６０４Ｃの支持板１０９’内に固定される。第１領域１０１の支持板１０９’の厚さＴ１は、第２領域１０２の支持板１０９’の厚さＴ２よりも薄い。つまり、支持板１０９’内に凹部Ｒが存在するため、パターン化遮光層１０３が堆積した支持板１０９’の外表面Ｓ０は、パターン化反射防止層１１０の底面Ｓ６によって定義される平面の下方にある。したがって、パターン化遮光層１０３の底面Ｓ１は、パターン化反射防止層１１０の底面Ｓ６によって定義される平面の下方の位置にある。本実施形態において、パターン化反射防止層１１０の上に疎水性材料が形成されなくてもよい。例えば、上部基板６０４Ｃは、図５（ｄ）のステップを行ってから、第１領域１０１内の支持板１０９の外表面Ｓ０の上部に直接スーパーインクジェット印刷を行い、その後、パターン化遮光層１０３の上に保護層１１２を形成することによって製造することができる。そのため、疎水性改質を省略して、製造効率を上げることができる。
図６（ｄ）は、本発明の別の実施形態に係る表示パネルの上部基板の断面の拡大図を示したものである。図６（ｄ）に示すように、上部基板６０４Ｄと上部基板６０４Ｃの相違点は、パターン化遮光層１０３の上部に保護層１１２’の部分１１２ａを配置する他に、第２領域１０２のパターン化反射防止層１１０の上にも保護層１１２’の部分１１２ｂが配置されることである。保護層１１２’の部分１１２ａおよび部分１１２ｂは、同じ厚さを有することができる。あるいは、保護層１１２’の厚さは、変化してもよいため、いくつかの実施形態において、部分１１２ａの上表面Ｓ３は、パターン化反射防止層１１０の上部にある部分１１２ｂの上表面Ｓ５と同一平面上にあってもよい。ここで、保護層１１２’の部分１１２ｂは、その間に疎水性材料を挟まずに、パターン化反射防止層１１０と直接接触することができる。
以上のように、本発明の実施形態に係る表示パネルは、上部基板の支持板の上に形成されたパターン化遮光層およびパターン化反射防止層を含む。パターン化反射防止層は、パターン化遮光層が配置されていない領域に配置される。パターン化反射防止層は、疎水性材料で機能化されてもよく；あるいは、パターン化遮光層は、スーパーインクジェット印刷プロセスによって形成されてもよい。したがって、表示パネルのパターン化遮光層は、ウェットプロセスによって表示パネルの上部に形成され、所望の遮光効果を提供するシャープなパターンを有することができる。
以上のごとく、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
本発明の実施形態に係る表示パネルは、ＴＦＴ液晶（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD）パネルまたはＬＣｏＳ（Liquid Crystal on Silicon）表示パネルとして使用することができる。
１００ 表示パネル
１０１ 第１領域
１０２ 第２領域
１０３ パターン化遮光層
１０４、２０４Ａ、２０４Ｂ、３０４Ａ、３０４Ｂ、４０４Ａ、４０４Ｂ、４０４Ｃ、５０４Ａ、５０４Ｂ、６０４Ａ、６０４Ｂ、６０４Ｃ、６０４Ｄ 上部基板
１０５ 底部基板
１０６ 表示媒体層
１０７ シーラント
１０８ 電極層
１０９、１０９’ 支持板
１１０ パターン化反射防止層
１１０’ ブランケット反射防止層
１１１、１１１’ 疎水層
１１２、１１２’ 保護層
１１２ａ、１１２ｂ 部分
１１３、１１３’ 下部層
１１４ 疎水層
Ａ 領域
Ｒ 凹部
Ｓ０ 外表面
Ｓ１、Ｓ６ 底面
Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ７、Ｓ８ 上表面
Ｔ１、Ｔ２ 厚さ

Claims (24)

  1. 第１領域および前記第１領域のそばにある第２領域を有する表示パネルであって、前記表示パネルが、
    外表面を有する支持板と、
    前記支持板の前記外表面に配置され、且つ前記第１領域において消失するパターン化反射防止層と、
    前記支持板の前記外表面に配置され、且つ前記第１領域内に設置されたパターン化遮光層と、
    を含む上部基板と、
    底部基板と、
    前記上部基板と前記底部基板の間に配置された表示媒体層と、
    を含む表示パネル。
  2. 前記上部基板が、さらに、前記支持板に配置され、前記パターン化遮光層を覆う保護層を含む請求項１に記載の表示パネル。
  3. 前記保護層が、前記第１領域および前記第２領域の両方に設置される請求項２に記載の表示パネル。
  4. 前記保護層が、前記第１領域の第１厚さおよび前記第２領域の第２厚さを有し、前記第１厚さが、前記第２厚さよりも厚い請求項３に記載の表示パネル。
  5. 前記保護層の上表面が、前記パターン化反射防止層の上表面と同一平面上にある請求項２に記載の表示パネル。
  6. 前記上部基板が、前記第１領域よりも前記第２領域においてより疎水性である請求項１に記載の表示パネル。
  7. 前記パターン化反射防止層の上表面を改質して、前記パターン化反射防止層の前記上表面に疎水層を形成する請求項１に記載の表示パネル。
  8. 前記上部基板が、さらに、前記パターン化遮光層と前記支持板の間に配置された下部層を含む請求項１に記載の表示パネル。
  9. 前記下部層の上表面を改質して、前記下部層と前記パターン化遮光層の間に疎水層を形成する請求項８に記載の表示パネル。
  10. 前記パターン化反射防止層の材料が、前記下部層の材料と異なる請求項８に記載の表示パネル。
  11. 前記パターン化遮光層が、前記支持板と直接接触する請求項１に記載の表示パネル。
  12. 前記支持板が、前記第１領域内に凹部を有し、前記凹部に前記パターン化遮光層を配置する請求項１に記載の表示パネル。
  13. 前記パターン化遮光層の底面が、前記パターン化反射防止層の底面と同一平面上にある請求項１に記載の表示パネル。
  14. 前記パターン化遮光層の上表面が、前記パターン化反射防止層の底面と同一平面上にある請求項１に記載の表示パネル。
  15. 表示パネルの上部基板を製造する方法であって、前記表示パネルが、前記上部基板、底部基板、前記上部基板と前記底部基板の間の表示媒体層を含み、前記方法が、
    反射防止層を有する支持板を提供するステップと、
    パターン化反射防止層を形成するために、第１領域の前記反射防止層の一部を除去するステップと、
    前記反射防止層の前記一部が除去された前記第１領域の前記支持板の上に、パターン化遮光層を形成するステップと、
    を含む方法。
  16. 前記パターン化遮光層を形成する前に、疎水性改質により、前記パターン化反射防止層を有する前記支持板の上に疎水層をさらに形成する請求項１５に記載の方法。
  17. 前記パターン化遮光層を形成する前に、前記第１領域の前記疎水層を除去する請求項１６に記載の方法。
  18. 前記疎水性改質の前に、前記第１領域の前記支持板の上に下部層をさらに形成し、前記疎水層が、前記疎水性改質の間に、前記下部層の上に形成され、前記下部層の疎水性材料の分布密度が、前記パターン化反射防止層の疎水性材料の分布密度よりも小さい請求項１６に記載の方法。
  19. 前記第１領域の前記支持板の上に、下部層をさらに形成し、前記下部層の上に、前記パターン化遮光層を形成する請求項１５に記載の方法。
  20. 前記支持板が、前記反射防止層をパターン化して前記パターン化反射防止層を生成している間に、前記第１領域において部分的に除去され、凹部を有する請求項１５に記載の方法。
  21. 前記パターン化遮光層を覆う保護層をさらに形成する請求項１５に記載の方法。
  22. 前記保護層が、前記第２領域の前記反射防止層をさらに覆う請求項２１に記載の方法。
  23. 前記パターン化遮光層が、インクジェット印刷プロセスを行うことによって、前記第１領域の前記支持板の上に形成される請求項１５に記載の方法。
  24. 前記パターン化遮光層が、スーパーインクジェット印刷プロセスを行うことによって、前記第１領域の前記支持板の上に形成される請求項１５に記載の方法。
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