TWI681237B

TWI681237B - 顯示面板及製造顯示面板頂基材的方法

Info

Publication number: TWI681237B
Application number: TW107107958A
Authority: TW
Inventors: 潘柏宏
Original assignee: 立景光電股份有限公司
Priority date: 2018-01-29
Filing date: 2018-03-08
Publication date: 2020-01-01
Also published as: JP2019133118A; TW201932938A; CN110095898A; US20190235327A1; US11119370B2

Abstract

依據本發明一實施例的顯示面板具有第一區以及與該第一區緊鄰的第二區，並且包括頂基材，底基材以及配置於該頂基材與該底基材之間的顯示介質層。頂基材包括支撐板，其具有外表面、圖案化遮光層，配置於支撐板的外表面並且位於第一區內、以及圖案化抗反射層，配置於支撐板的外表面並且空出第一區。顯示面板的圖案化遮光層透過濕式製程形成於支撐板的外表面，並且圖案化遮光層一具有銳邊以及良好的邊緣線性，以提供所需之遮光效果。

Description

顯示面板及製造顯示面板頂基材的方法

本發明是有關於一種電子裝置，且特別是有關於一種顯示面板。

顯示面板中通常會加入圖案化遮光層以劃分顯示區域。圖案化遮光層可以是黑色矩陣光阻，其具有框狀圖案或陣列圖案，其中被框狀圖案或陣列圖案包圍的區域為顯示區。除了定義顯示區域之外，圖案化遮光層也可防止非預期的漏光。

在傳統的液晶顯示面板中，液晶材料被頂基材與底基材包夾。頂基材與底基材透過密封層或黏著層接合，形成液晶胞。當晶胞組裝完成後，遮光層可透過濕製程如噴墨、網印或Asahi光敏樹脂印刷（APR）等製程形成於頂基材的外表面。圖案化的遮光層配置於顯示面板的非顯示區上，以避免漏光並增進顯示面板的對比度。與能夠形成邊緣為筆直且尖銳的圖案化遮光層的製作方法相比，濕製程中所形成的圖案化遮光層在邊緣的線性以及尖銳度上並不理想，其導致較差的遮光效果以及對比度。

本發明提供一種顯示面板，其包括具有銳邊圖案的遮光層，以提供所需之遮光效果從而避免漏光。

本發明提供一種製造顯示面板頂基材的方法，其中遮光層形成於頂基材之上以提供所需之遮光效應從而避免漏光。

本發明的顯示面板具有第一區以及與第一區緊鄰的第二區，並且包括頂基材、底基材以及顯示介質層配置於頂基材與底基材之間。頂基材包括支撐板具有外表面，圖案化遮光層配置於支撐板的外表面且位於第一區內。圖案化抗反射層配置於支撐板的外表面並且空出第一區。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括保護層，配置於支撐板上且覆蓋圖案化遮光層。

在本發明的一實施例中，保護層位於第一區與第二區。

在本發明的一實施例中，保護層在第一區中具有第一厚度以及在第二區中具有第二厚度且第一厚度大於第二厚度。

在本發明的一實施例中，保護層的頂表面與圖案化抗反射層的頂表面共平面。

在本發明的一實施例中，頂基材在第二區的疏水性大於在第一區的疏水性。

在本發明的一實施例中，圖案化抗反射層的頂表面經改質，且疏水層形成於圖案化抗反射層的頂表面。

在本發明的一實施例中，頂基材更包括下伏層，其配置於圖案化遮光層與支撐板之間。

在本發明的一實施例中，下伏層的頂表面經改質，且疏水層形成於下伏層與圖案化遮光層之間。

在本發明的一實施例中，圖案化抗反射層的材料與下伏層的材料不同。

在本發明的一實施例中，圖案化遮光層與支撐板直接接觸。

在本發明的一實施例中，支撐板於第一區中具有凹陷且圖案化遮光層配置於凹陷中。

在本發明的一實施例中，圖案化遮光層的底表面與圖案化抗反射層的底表面共平面。

在本發明的一實施例中，圖案化遮光層的頂表面與圖案化抗反射層的底表面共平面。

在本發明提供一種製造顯示面板頂基材的方法，該顯示面板包括頂基材、底基材以及配置於頂基材與底基材之間的顯示介質層。製造顯示面板頂基材的方法包括提供支撐板，其上配置有抗反射層，移除抗反射層位於第一區的部分以形成圖案化抗反射層，以及形成圖案化遮光層於第一區的支撐板上，其中位於第一區的支撐板上的圖案化抗反射層已移除。

在本發明的一實施例的製造顯示面板頂基材的方法更包括在形成圖案化遮光層前，透過疏水性改質形成一水層於支撐板上，支撐板上配置圖案化抗反射層。

在本發明的一實施例的製造顯示面板頂基材的方法更包括在形成圖案化遮光層前移除位於第一區的疏水層。

在本發明的一實施例的製造顯示面板頂基材的方法更包括在進行疏水性改質前，形成下伏層於第一區的支撐板上。在疏水性改質過程中，疏水層同樣形成於下伏層上，並且下伏層中的疏水性材料的分佈密度小於圖案化抗反射層的疏水性材料的分佈密度。

在本發明的一實施例的製造顯示面板頂基材的方法更包括形成下伏層於第一區的支撐板上，圖案化遮光層形成於下伏層上。

在本發明的一實施例的製造顯示面板頂基材的方法更包括在將抗反射層圖案化而形成圖案化抗反射層時，部分移除第一區的支撐板而形成凹陷。

在本發明的一實施例的製造顯示面板頂基材的方法更包括形成一保護層覆蓋圖案化遮光層。

在本發明的一實施例的製造顯示面板頂基材的方法更包括使保護層覆蓋該第二區的抗反射層。

在本發明的一實施例的製造顯示面板頂基材的方法更包括透過進行噴墨印刷製程將圖案化遮光層形成於第一區的支撐板上。

在本發明提供一種製造顯示面板頂基材的方法更包括透過進行超級噴墨印刷製程將圖案化遮光層形成於第一區的支撐板上。

基於上述，圖案化遮光層配置於顯示面板的第一區的支撐板的外表面上。第一區可以被位於支撐板的圖案化抗反射層所曝露，或者可以由支撐板的凹陷畫出。顯示面板的圖案化遮光層透過濕式製程形成於頂基材之上，圖案化遮光層可以具有銳邊以及良好的邊緣線性。據此，顯示面板的圖案化遮光層可以提供所需遮光功能，而有助於提升顯示影像之對比度，從而增進顯示面板的品質。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

下文將會附加標號以對本發明較佳實施例進行詳細描述，並以圖式說明。在可能的情況下，相同或相似的構件在圖式中將以相同的標號顯示。

在本發明所揭露的內容中，用來描述位置關係的語句「元件A配置於元件B之上」可以包括一個或多個其它元件配置於元件A與元件B之間的態樣，也可以包括並無任何元件配置於元件A與元件B之間。

圖1A與圖1B分別為依本發明一實施例之顯示面板100上視圖以及剖面圖。顯示面板100可以包括第一區101以及與第一區101緊鄰的第二區102。當從上方觀看時，第一區101可以具有一框狀圖案並且包圍第二區102。此外，顯示面板100可以具有一圖案化遮光層103配置於第一區101中。具體來說，在本實施例中，圖案化遮光層103可以具有一框狀圖案。第一區101可以視為圖案化遮光層103所配置的區域。圖案化遮光層103具有遮光效果。因此，顯示面板100的顯示光被圖案化遮光層103阻礙或遮蔽，所以可以在視為顯示區域的第二區102呈現顯示影像。在另一實施例中，圖案化遮光層103可以依據設計需求，以其它圖案或層的方式配置。

請參照圖1B的剖面圖，顯示面板100包括頂基材104、與頂基材104相對的底基材105以及配置於頂基材104與底基材105之間的顯示介質層106和密封層107。顯示介質層106配置於頂基材104與底基材105之間，並且被密封層107包圍。顯示介質層106可以由液晶所組成，因此頂基材104、底基材105、顯示介質層106以及密封層107可以視為液晶胞，但並不以此為限。頂基材104可以包括圖案化遮光層103、電極層108、支撐板109以及圖案化抗反射層110。圖案化遮光層103以及圖案化抗反射層110配置於支撐板109的同一表面。圖案化抗反射層110並沒有配置於第一區101，而圖案化遮光層103則被配置於第一區101中。電極層108配置於較接近顯示介質層106的一側。另外，即便圖式中所示的底基材105為一板狀結構，底基材105可以是一電晶體陣列基底，其包含另一支撐基材例如是玻璃板或是矽背板（未顯示）以及電晶體陣列如薄膜電晶體陣列或互補式金氧半導體（CMOS）裝置陣列（未顯示），其中電晶體陣列以及電極層108可以用來提供一驅動電場以驅動顯示介質層106。據此，顯示面板100可以是一薄膜電晶體液晶顯示（TFT-LCD）面板或是一矽基液晶（Liquid Crystal on Silicon，LCoS）顯示面板。在另一些實施例中，可以依據顯示面板100的驅動電路的設計可以省略電極層108。電極層108可以包括氧化銦錫（ITO）或其他可導電和可容許光線穿透的導電材料，並且支撐板109可以由玻璃組成，但並不以此為限。形成於第一區101中的圖案化遮光層103具有銳邊以及良好的邊緣線性，可以使顯示面板100的品質得到提升，其中圖案化抗反射層110空出第一區101。

圖2A為依本發明另一實施例的顯示面板頂基材的剖面示意圖的放大圖。圖2A中所示的頂基材204A放大圖所呈現的部分與圖1B中繪示的區域A相對應。圖2A中所示的頂基材204A的結構可以是顯示面板100的頂基材104的一個示範性例子。在圖2A中，顯示面板的頂基材204A可以包括具有外表面S0的支撐板109、圖案化遮光層103以及圖案化抗反射層110。圖案化遮光層103以及圖案化抗反射層110可以配置於支撐板109的外表面S0之上，並且圖案化遮光層103的底表面S1可以與圖案化抗反射層110的底表面共平面。此外，頂基材204A更可以包括一保護層112，其形成於圖案化遮光層103之上並且位於顯示面板的第一區101。

在本實施例中，圖案化抗反射層110的頂表面S2可以透過疏水性改質，例如是矽烷表面處理，而形成一疏水性材料層。在微觀角度下，圖案化抗反射層110的頂表面S2可以被疏水性材料官能基化而形成一疏水層111，因而得到疏水性質。形成疏水層111的材料包括矽烷、氟代矽烷、長鏈醇類或酸類，但並不以此為限。具體地說，疏水層111的形成材料可以包含羥基以與圖案化抗反射層110的頂表面S2反應。圖案化抗反射層110的材料可以是氧化矽（SiO_x ）、氧化鈦（TiO_x ）或兩者的組合，其曝露出可以與疏水材料形成疏水層111的表面羥基。圖案化抗反射層110可以是堆疊式多層薄膜，舉例來說，其可以是SiO_x -TiO_x- SiO_x -TiO_x -SiO_x 的堆疊結構，但並不以此為限。在堆疊式多層薄膜中，每一層SiO_x 層的厚度範圍為5奈米至300奈米，而每一層TiO_x 層的厚度範圍為5奈米至100奈米。在入射光光源為550奈米時，氧化矽層與氧化鈦層的反射係數(reflective indexes)分別可以是接近1.5以及2.3。

圖案化抗反射層110被圖案化成只配置於第二區102中，並且暴露位於第一區101中的支撐板109。圖案化遮光層103可以透過例如是噴墨印刷、網印、Asahi光敏樹脂（APR）印刷以及超級噴墨印刷等製程形成於顯示面板的第一區101中的支撐板109的外表面S0上以與其直接接觸。圖案化遮光層103的材料可以包括有機染料，但並不以此為限。此外，圖案化抗反射層110露出第一區101，因此圖案化光層103的底表面S1可以與圖案化抗反射層110的底表面共平面。在另一些實施例中，圖案化遮光層103的底表面S1可以低於圖案化抗反射層110的底表面，或存在薄層的抗反射層於第一區101，所以圖案化遮光層103的底表面S1可以高於圖案化抗反射層110的底表面。

保護層112配置於支撐板109上並覆蓋圖案化遮光層103。保護層112的材料可以是氧化物。更進一步地說，保護層112可以由TiO₂ 、SiO₂ 、Al₂ O₃ 、ITO或ZnO組成，但不以此為限。配置於圖案化遮光層103上的保護層112的厚度可以調整，所以在一些實施例中，保護層112的頂表面S3可以與圖案化抗反射層110的頂表面S2共平面。而在另一些實施例中，保護層112的頂表面S3可以位於由圖案化抗反射層110的頂表面S2以及疏水層111的頂表面S4之間所定義的平面。在圖式中，為清楚顯示的緣故，疏水層111的厚度相較於實施例中其他構件明顯被放大。一般來說，疏水層111的厚度範圍可以從數奈米到數十奈米，例如是0.1至90奈米。

圖2B為依本發明另一實施例的顯示面板頂基材的剖面示意圖的放大圖。圖2B中所示的頂基材204B放大圖所呈現的部分與圖1B中繪示的區域A相對應。圖2B中所示的頂基材204B的結構可以是顯示面板100的頂基材104的一個示範性例子。圖2B所示的頂基材204B與圖2A所示的頂基材204A相似，並且在兩實施例中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件。圖2B所示的頂基材204B與圖2A所示的頂基材204A的不同之處在於保護層112’的部分112b可以配置於第二區102的疏水層111之上，並且保護層112’的部分112a配置於圖案化遮光層103之上。保護層112’的部分112a以及部分112b可以具有相同的厚度。另一方面，保護層112’的厚度可以調整，因此在一些實施例中，部分112a頂表面S3可以在疏水層111之上而與部分112b的頂表面S5共平面。在本實施例中，保護層112’同時配置於第一區101與第二區102，因而頂基材204B的最外表面可以具有視乎保護層112’而定的均勻性質。相比之下，頂基材204A在第二區102中的疏水性大於在第一區101中的疏水性。然而，本發明並不以此為限。

圖2C至2E為依本發明一實施例的一顯示面板的頂基材的部分製造過程的剖面圖。在如圖2C所示的實施例中，毯覆式抗反射層110’可以被形成於支撐板109之上，並且以例如是矽烷等的疏水性材料將毯覆表面官能基化，以形成一疏水層111’於整個毯覆式抗反射層110’上。

接著，如圖2D所示，移除配置於第一區101的毯覆式抗反射層110’以及於其上的疏水層111，把配置於支撐板109之上的毯覆式抗反射層110’圖案化成圖案化抗反射層110。因此，圖案化抗反射層110空出第一區101。在此步驟中，將毯覆式抗反射層110’ 圖案化的方式可以是使用罩幕遮蔽在第二區102的毯覆式抗反射層110’，並對第一區101的毯覆式抗反射層110’進行移除，移除的方式可以是透過乾蝕刻製程，例如是等離子轟擊，或者是濕式蝕刻製程。乾式或濕式蝕刻製程為習知技術，本發明並不以此為限。

此後，如圖2E所示，形成圖案化遮光層103於支撐板109的第一區101中，形成圖案化遮光層103的方法可以是噴墨、超級噴墨(super ink-jet)、網印或Asahi光敏樹脂印刷（APR）等製程。在本實施例中，圖案化抗反射層110的頂表面S2比位於第一區101並暴露在外的支撐板109外表面S0更具疏水性，導致墨料可以均勻地分佈於第一區101，而避免其進入第二區102。據此，墨料可以是均勻地分佈並只會停留在第一區101。此後，更可以進行固化製程（curing process）以固化墨料，而形成圖案化遮光層103。具體地說，圖案化遮光層103可以具有銳利的邊緣以及良好的邊緣線性。在本實施例中，因為圖2D的移除步驟可以付予第一區101的支撐板109具有粗糙的外表面S0的緣故，形成圖案化遮光層103的墨料可以與支撐板109的外表面S0以更大的接觸面接觸，從而增加圖案化遮光層103的墨料與支撐板109之間的連接附著性。

在圖2E的步驟之後，可以進一步將如圖2A所示的保護層112或如圖2B的所示的保護層112’形成於圖案化遮光層103之上以將其覆蓋。形成保護層112或保護層112’的方法可以是濺鍍、蒸鍍或原子層沈積法。可採用的沈積流程為習知技術，但本發明並不以此為限。在另一些實施例中，在形成圖案化遮光層103之後，更可以移除位於圖案化抗反射層110之上的疏水層111，從而疏水層111不會出現在第一區101與第二區102。因此，圖2B所示的保護層112’的部分112b可以是與位於第二區102的圖案化抗反射層110接觸，而無疏水層111處於兩者之間。

圖2F至圖2G為依本發明一實施例的顯示面板的頂基材的部分製造過程的剖面圖。在如圖2F所示的實施例中，圖案化抗反射層110形成於支撐板109之上，形成的方法為對未進行疏水性改質的抗反射層進行圖案化。接著，如圖2G所示，對圖案化抗反射層110進行疏水性改質以形成疏水層111於其上。在形成疏水層111之後，可以進行圖2E所示的形成圖案化遮光層103的步驟以及進一步進行形成保護層112或112’的步驟以分別形成頂基材204A或頂基材204B。

進一步地說，在如圖2G的步驟中，疏水層111可以不形成於位於第一區101的支撐板109上。舉例來說，可以在進行疏水性改質時使用罩幕遮蔽第一區101，後續於改直步驟完成後再將罩幕移除，從而疏水層111不會延伸至第一區101。在另一實施例，也可以同時於第一區101以及第二區102以例如是矽烷的疏水性材料對整個表面進行官能基化，接著，更進行圖案化製程以移除位於第一區101的疏水性材料。舉例而言，移除位於第一區101的疏水性材料的方法包括以波長為200nm的UV光照射第一區101並遮蔽第二區102。因此第一區101中的疏水性材料被降解或分解，而第二區102的疏水性材料則被保留。

圖3A為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材304A的剖面圖的放大圖。在圖3A中所示的頂基材304A的放大圖所呈現部位與圖1B中繪示的區域A相對應。圖3A中所示的頂基材304A的結構可以是顯示面板100的頂基材104的一個示範性例子。圖3A所示的頂基材304A與圖2A所示的頂基材204A相似，並且在兩實施例中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件。更進一步地說，頂基材304A可以包括支撐板109’、圖案化遮光層103、圖案化抗反射層110、保護層112。圖案化抗反射層110可以具有經疏水層111改質的的頂表面S2。進一步地說，頂基材304A可以依照如圖2C至2E的步驟或如圖2F至2G的步驟製造，其中如圖2D的步驟或如圖2F的步驟中的移除程序更移除了位於第一區101的部分支撐板109’。在本實施例中，圖案化遮光層103被鑲嵌於頂基材304A的支撐板109’中。支撐板109’位於第一區101的厚度T1比起位於第二區102的厚度T2小。換句話說，支撐板109’具有凹陷R，從而支撐板109’在第一區101的外表面S0低於圖案化抗反射層110的底表面S6，其中圖案化遮光層103位於支撐板109’在第一區101的外表面S0。據此，圖案化遮光層103的底表面S1低於圖案化抗反射層110的底表面S6。在某些實施例中，圖案化遮光層103的厚度可以調整，從而圖案化遮光層103的頂表面S7可以與圖案化抗反射層110的底表面S6共平面，但本發明並不以此為限。因為圖案化抗反射層110與凹陷R可以在同一圖案化步驟中被圖案化的緣故，圖案化抗反射層110的側壁可以與凹陷R的側壁共平面；或是在形成圖案化抗反射層110的側壁與形成凹陷R的側壁之間，並未存在明顯的額外分階結構。

圖3B為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的放大圖。在圖3B中所示的頂基材304B的放大圖所呈現部位與圖1B中繪示的區域A相對應。圖3B中所示的頂基材304B的結構可以是顯示面板100的頂基材104的一個示範性例子。圖3B所示的頂基材304B與圖3A所示的頂基材304A相似，並且在兩實施例中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件。如圖3B所示，頂基材304B與頂基材304A的差別在於，保護層112’的部分112b可以配置於位於第二區102的疏水層111之上，而保護層112’的部分112a則配置於圖案化遮光層103之上。保護層112’的部分112a以及部分112b可以具有相同的厚度。在另一些實施例中，保護層112’的厚度可以變化，從而在某些實施例中，部分112a的頂表面S3可以與部分112b的頂表面S5皆在疏水層111之上並且共平面。

圖4A為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的放大圖。在圖4A中所示的頂基材404A的放大圖所呈現部位與圖1B中繪示的區域A相對應。圖4A所示的頂基材404A與頂基材304A相似，並且在兩實施例中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件。進一步地說，頂基材404A可以包括支撐板109’、圖案化遮光層103、圖案化抗反射層110、保護層112以及下伏層113。支撐板109’於第一區101中可以具有凹陷R，其中下伏層113以及圖案化遮光層103依序配置於凹陷R中。然而，在另一些實施例中，支撐板109’被如圖2中所示之支撐板109所取代。也就是說，在某些實施例中並不會有凹陷R，從而下伏層113配置於與圖案化抗反射層110同一平面。

下伏層113配置於圖案化遮光層103與位於第一區101的支撐板109’之間。更進一步地說，下伏層113可以在凹陷R中與支撐板109的外表面S0直接接觸，並且具有與圖案化遮光層103直接接觸的頂表面S8。下伏層113的材料可以是氧化物，舉例來說，下伏層113可以是SiO₂ ，但並不以此為限。

在本實施例中，支撐板109’位於第一區101的厚度T1比起位於第二區102的厚度T2小。換句話說，支撐板109’具有一凹陷R。支撐板109’的外表面S0低於圖案化抗反射層110的底表面S6，其中支撐板109’的外表面S0上配置下伏層113與圖案化遮光層103。下伏層113與圖案化遮光層103被鑲嵌於頂基材404A的支撐板109’中。在某些實施例中，圖案化遮光層103的頂表面S7可以與圖案化抗反射層110的底表面S6共平面。

在本實施例中，頂基材404A可以依照如圖2C至2E的步驟製造，其中進行如圖2D的步驟實可更移除部分位於第一區101的支撐板109’以及在進行如圖2E的步驟前可以先形成下伏層113。此外，在如圖2E的步驟前，下伏層113被形成於第一區101的凹陷R中。在一些實施例中，頂基材404A可以依照如圖2F至2G的步驟製造，其中進行如圖2F的步驟時更移除部分位於第一區101的支撐板109。此外，如圖2G的步驟之後，可以於第一區101的凹陷R中形成下伏層113的步驟，並且後續進行形成圖案化遮光層103的步驟。在另一些實施例中，如圖2G的步驟（形成疏水層111於第二區102中）之前，更可以在於第一區101的凹陷R中形成下伏層113，並且可以在如圖2G的步驟之後進行形成圖案化遮光層103的步驟。因為圖案化抗反射層110與凹陷R可以在同一圖案化步驟中被圖案化的緣故，圖案化抗反射層110的側壁可以與凹陷R的側壁共平面；或是在形成圖案化抗反射層110的側壁與形成凹陷R的側壁之間，並未存在明顯的額外分階結構。

圖4B為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的放大圖。在圖4B中所示的頂基材404B的放大圖所呈現部位與圖1B中繪示的區域A相對應。圖4B中所示的頂基材404B的結構可以是顯示面板100的頂基材104的一個示範性例子。圖4B所示的頂基材404B與圖4A所示的頂基材404A相似，並且在兩實施例中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件。如圖4B所示，頂基材404B與頂基材404A的差別在於，保護層112’的部分112b可以配置於位於第二區102的疏水層111之上，而保護層112’的部分112a則配置於圖案化遮光層103之上。

圖4C為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的局部放大圖。頂基材404C與頂基材404B的差別在於下伏層113厚度不同。如圖4C所示的頂基材404C，下伏層113’的頂表面S8可以與抗反射層110的底表面S6共平面，或同樣地，圖案化遮光層103的底表面S1可以與抗反射層110的底表面S6共平面。也就是說，圖案化遮光層103配置於與圖案化抗反射層110相同的平面並且下伏層113’的厚度基本上與凹陷R的厚度相同。

圖5A為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的局部放大圖。在圖5A中所示的頂基材504A的放大圖與圖1B中繪示的區域A相對應。圖5A中所示的頂基材504A的結構可以是顯示面板100的頂基材104的一個示範性例子。圖5A所示的頂基材504A與頂基材404A相似，並且在兩實施例中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件。頂基材504A可以包括支撐板109’、圖案化遮光層103、圖案化抗反射層110、保護層112以及下伏層113。

下伏層113的頂表面S8可以經改質，從而疏水層114可以形成於下伏層113之上。在一實施例中，形成疏水層114的疏水性材料包括矽烷、氟代矽烷、長鏈醇類或酸類，但並不以此為限。在一實施例中，形成疏水層114的疏水性材料可以是由與配置圖案化抗反射層110的頂表面S2的疏水層111相同的材料構成。然而在另一些實施例中，疏水層114與111可由不同的材料構成。

圖5B為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的放大圖。在圖5B中所示的頂基材504B的放大圖所呈現部位與圖1B中繪示的區域A相對應。圖5B中所示的頂基材504B的結構可以是顯示面板100的頂基材104的一個示範性例子。圖5B所示的頂基材504B與頂基材504A相似，並且在兩實施例中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件。圖5B所示的頂基材504B與圖5A所示頂基材504A的差別在於，保護層112’的部分112b可以配置於位於第二區102的疏水層111之上，而保護層112’的部分112a則配置於圖案化遮光層103之上。保護層112’的部分112a以及112b可以具有相同的厚度。此外，保護層112’的厚度可以變化，從而在某些實施例中，部分112a的頂表面S3可以與部分112b的頂表面S5皆在疏水層111之上並且共平面。

圖5C至5F為依本發明一實施例的一顯示面板的頂基材部分製造過程的剖面圖。在如圖5C所示的實施例中，毯覆式抗反射層110’可以被形成於支撐板109之上。接著，如圖5D所示，可以對配置於支撐板109之上的毯覆式抗反射層110’進行圖案化製程，而形成圖案化抗反射層110，並同時移除部分位於第一區101的支撐板109。因此，形成了在第一區101具有凹陷R的支撐板109’與空出第一區101的圖案化抗反射層110。換句話說，在將平坦抗反射層110’ 圖案化的步驟中，位於第一區101的支撐板109的厚度同時也會變薄，從而使位於第一區101的支撐板109的厚度小於位於第一區101的支撐板109的厚度，進而定義凹陷R。

此後，如圖5E所示，將下伏層113形成於第一區101的支撐板109上，並且將疏水層114與疏水層111分別形成於下伏層113與圖案化抗反射層110之上。位於下伏層113上的疏水材料的分佈密度小於位於圖案化抗反射層110上的疏水材料的分佈密度。也就是說，疏水層114的疏水性小於疏水層111的疏水性。

在一些實施例中，下伏層113的材料與圖案化抗反射層110的材料可以是不相同，疏水層114與疏水層111可以通過同一道疏水性改質製程同時形成於下伏層113和圖案化抗反射層110上。舉例來說，下伏層113的頂表面S8的自由的羥基可以與疏水性分子反應，然而相較於圖案化抗反射層110頂表面S2之下，下伏層113的頂表面S8在表面官能基反應中的反應程度較低。圖案化抗反射層110的材料可以在表面處理或是改質製程中更具反應活性。因此，在經過同樣的疏水性改質程序後，位於下伏層113上的疏水材料的分佈密度低於位於圖案化抗反射層110上的疏水材料的分佈密度。

在另一些實施例中，圖案化抗反射層110的頂表面S2比下伏層113的頂表面S8所受到疏水性改質的程度更高，使位於下伏層113上的疏水材料的分佈密度低於位於圖案化抗反射層110上的疏水材料的分佈密度。舉例來說，當下伏層113的頂表面S8受到一次疏水性改質時，圖案化抗反射層110頂表面S2已受到兩次或更多次疏水性改質。

如圖5F所示，在形成疏水層114與疏水層111的步驟之後，以濕式製程的方式形成圖案化遮光層103於下伏層113之上。因為位於下伏層113上的疏水材料的分佈密度低於位於圖案化抗反射層110上的疏水材料的分佈密度的緣故，具有疏水層114於其上的下伏層113的頂表面S8相較具有疏水層111於其上的圖案化抗反射層110的頂表面S2呈現較差的疏水性質。因此，以濕式製程形成的圖案化遮光層103具有呈線狀的銳利邊緣。在形成圖案化遮光層103之後，圖5A所示的保護層112或圖5B的所示的保護層112’可以形成於圖案化遮光層103以完成頂基材504A或504B。

圖6A為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的放大圖。在圖6A中所示的頂基材604A的放大圖所呈現部位與圖1B中繪示的區域A相對應。圖6A中所示的頂基材604A的結構可以是顯示面板100的頂基材104的一個示範性例子。圖6A所示的頂基材604A與頂基材204A相似，並且在兩實施例中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件。更進一步地說，頂基材604A可以包括支撐板109’、圖案化遮光層103、圖案化抗反射層110以及保護層112。圖案化遮光層103的底表面S1可以與圖案化抗反射層110的底表面S6共平面。在一些實施例中，保護層112的頂表面S3與圖案化抗反射層110的頂表面S2可共平面。在本實施例中，可以沒有疏水性材料形成於圖案化抗反射層110之上。舉例來說，頂基材604A可以依照如圖2F的步驟製造，接著直接於第一區101中的支撐板109的外表面S0進行一超級噴墨法。超級噴墨法為噴墨法的改良方法，其產生小於1飛升（femto-liter，1fL = 10^-15 L）的墨滴，因而在列印圖案時可達到次微米(submicron)的解析度。因此在缺少例如是疏水性改質等表面處理的情況下，圖案化遮光層103仍可以達到其所需要的呈線性銳利邊緣。然而，在一些實施例中，頂基材604A可以依照如圖2C至2E的步驟製造，並且在形成圖案化遮光層103之後，移除位於圖案化抗反射層110之上的疏水層111。此外，在任何上述實施例中，形成圖案化遮光層103的方法可以改為以超級噴墨法形成，從而有助於使圖案化遮光層103具備所需的邊緣線性。

圖6B為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的放大圖。頂基材604B與頂基材604A的差別在於，保護層112’的部分112b可以配置於位於第二區102的疏水層111之上，而保護層112’的部分112a則配置於圖案化遮光層103之上。保護層112’的部分112a以及112b可以具有相同的厚度。在其他的實施例中，保護層112’的厚度可以變化，從而在某些實施例中，部分112a的頂表面S3可以與部分112b的頂表面S5皆在圖案化抗反射層110之上並且共平面。在本實施例中，保護層112’直接與圖案化抗反射層110以及圖案化遮光層103接觸。

圖6C為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的放大圖。在圖6C中所示的頂基材604C的放大圖與頂基材604A相似，並且在兩實施例中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件。更進一步地說，圖6C中所示的頂基材604C可以包括具有凹陷R的支撐板109’、圖案化遮光層103、圖案化抗反射層110及保護層112。在本實施例中，圖案化遮光層103被鑲嵌於頂基材604C的支撐板109’中。支撐板109’位於第一區101的厚度T1比起第二區102的厚度T2小。換句話說，支撐板109’具有凹陷R，從而支撐板109’在第一區101的外表面S0低於圖案化抗反射層110的底表面S6，其中支撐板109’ 在第一區101的外表面S0上配置有圖案化遮光層103。據此，圖案化遮光層103的底表面S1低於圖案化抗反射層110的底表面S6。在本實施例中，可以沒有疏水性材料形成於圖案化抗反射層110之上。舉例來說，頂基材604C可以依照如圖5D的步驟製造，接著直接於第一區101中的支撐板109的外表面進行一超級噴墨製程，後續再形成保護層112於圖案化遮光層103。因此，疏水性改質可以被省略以提升生產效率。

圖6D為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的放大圖。圖6D所示的頂基材604D與604C的差別在於，保護層112’的部分112b可以配置於位於第二區102的疏水層111之上，而保護層112’的部分112a則配置於圖案化遮光層103之上。保護層112’的部分112a以及112b可以具有相同的厚度。在另一些實施例中，保護層112’的厚度可以變化，從而在某些實施例中，部分112a的頂表面S3可以與部分112b的頂表面S5皆在圖案化抗反射層110之上並且共平面。於此，保護層112’的部分112b可以直接與抗反射層110直接接觸而沒有疏水性材料於其間。

綜上所述，依本發明一實施例的顯示面板包括位於頂基材的支撐板上的圖案化遮光層以及圖案化抗反射層。圖案化抗反射層被配置於沒有圖案化遮光層之處。圖案化抗反射層可以經疏水性材料修飾，或是圖案化遮光層可以透過超級噴墨法製程形成。據此，顯示面板的圖案化遮光層可以透過濕式製程形成於顯示面板之上，並具有銳邊圖案以提供遮光效果。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧顯示面板101‧‧‧第一區102‧‧‧第二區103‧‧‧圖案化遮光層104、204A、204B、304A、304B、304A、304B、304C、504A、504B、604A、604B、604C、604D‧‧‧頂基材105‧‧‧底基材106‧‧‧顯示介質層107‧‧‧密封層108‧‧‧電極層109、109’‧‧‧支撐板110‧‧‧圖案化抗反射層110’‧‧‧平坦抗反射層111、111’、114‧‧‧疏水層112、112’、112a、112b‧‧‧保護層113、113’‧‧‧下伏層A‧‧‧區域R‧‧‧凹陷T1、T2‧‧‧厚度S0、S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8‧‧‧表面

圖1A為依本發明一實施例之顯示面板100的上視圖。圖1B為依本發明一實施例之顯示面板100的剖面圖。圖2A為依本發明另一實施例的顯示面板頂基材的剖面示意圖的放大圖。圖2B為依本發明另一實施例的顯示面板頂基材的剖面示意圖的放大圖。圖2C至圖2E為依本發明一實施例的顯示面板的頂基材的部分製造過程的剖面圖。圖2F至圖2G為依本發明一實施例的顯示面板的頂基材的部分製造過程的剖面圖。圖3A為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的放大圖。圖3B為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的放大圖。圖4A為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的放大圖。圖4B為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的放大圖。圖4C為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的放大圖。圖5A為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的放大圖。圖5B為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的放大圖。圖5C至5F為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材部分製造過程的剖面圖。圖6A為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的放大圖。圖6B為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的放大圖。圖6C為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的放大圖。圖6D為依本發明另一實施例的顯示面板的頂基材的剖面圖的放大圖。

100‧‧‧顯示面板

101‧‧‧第一區

102‧‧‧第二區

103‧‧‧圖案化遮光層

104‧‧‧頂基材

105‧‧‧底基材

106‧‧‧顯示介質層

107‧‧‧密封層

108‧‧‧電極層

109‧‧‧支撐板

110‧‧‧圖案化抗反射層

A‧‧‧區域

Claims

一種顯示面板，具有一第一區以及與該第一區緊鄰的一第二區，該顯示面板包括：一頂基材，包括：一支撐板，具有一外表面；一圖案化抗反射層，配置於該支撐板的該外表面並且空出該第一區；一圖案化遮光層，配置於該支撐板的該外表面並且位於該第一區內；一底基材；以及一顯示介質層，配置於該頂基材與該第二基材之間。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該頂基材更包括一保護層，配置於該支撐板上且覆蓋該圖案化遮光層。
如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中該保護層位於該第一區與該第二區。
如申請專利範圍第3項所述的顯示面板，其中該保護層在該第一區中具有一第一厚度以及在該第二區中具有一第二厚度且該第一厚度大於該第二厚度。
如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中該保護層的一頂表面與該圖案化抗反射層的一頂表面共平面。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該頂基材在該第二區的疏水性大於在該第一區的疏水性。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該圖案化抗反射層的一頂表面經改質，且一疏水層形成於該圖案化抗反射層的該頂表面。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該頂基材更包括一下伏層配置於該圖案化遮光層與該支撐板之間。
如申請專利範圍第8項所述的顯示面板，其中該下伏層的一頂表面經改質，且一疏水層形成於該下伏層與該圖案化遮光層之間。
如申請專利範圍第8項所述的顯示面板，其中該圖案化抗反射層的材料與該下伏層的材料不同。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該圖案化遮光層與該支撐板直接接觸。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該支撐板於該第一區中具有一凹陷且該圖案化遮光層配置於該凹陷中。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該圖案化遮光層的一底表面與該圖案化抗反射層的一底表面共平面。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該圖案化遮光層的一頂表面與該圖案化抗反射層的一底表面共平面。
一種製造顯示面板的一頂基材的方法，其中該顯示面板包括該頂基材、一底基材以及配置於該頂基材與該底基材之間的一顯示介質層，該方法包括：提供一支撐板，其上配置一抗反射層；移除該抗反射層位於一第一區的一部分以形成一圖案化抗反射層；以及形成一圖案化遮光層於該第一區的該支撐板上，其中位於該第一區中該圖案化抗反射層已移除。
如申請專利範圍第15項所述的方法，更包括在形成該圖案化遮光層前，透過疏水性改質形成一疏水層於配置有該圖案化抗反射層的該支撐板上。
如申請專利範圍第16項所述的方法，其中在形成該圖案化遮光層前移除位於該第一區的該疏水層。
如申請專利範圍第16項所述的方法，更包括在進行疏水性改質前，形成一下伏層於該第一區的該支撐板上，在疏水性改質過程中，該疏水層同樣形成於該下伏層上，並且該下伏層上的疏水性材料的一分佈密度小於該圖案化抗反射層上的疏水性材料的一分佈密度。
如申請專利範圍第15項所述的方法，更包括形成一下伏層於該第一區的該支撐板上，該圖案化遮光層形成於該下伏層上。
如申請專利範圍第15項所述的方法，其中在對該抗反射層進行圖案化而形成該圖案化抗反射層時，部分地移除該第一區的該支撐板而形成一凹陷。
如申請專利範圍第15項所述的方法，更包括形成一保護層覆蓋該圖案化遮光層。
如申請專利範圍第21項所述的方法，其中該保護層更覆蓋該抗反射層。
如申請專利範圍第15項所述的方法，其中進行噴墨印刷製程以將該圖案化遮光層形成於該第一區的該支撐板上。
如申請專利範圍第15項所述的方法，其中進行超級噴墨印刷製程以將該圖案化遮光層形成於該第一區的該支撐板上。