JP2019129491A - 光電変換装置、撮像システム、移動体 - Google Patents
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Abstract
Description
(光電変換装置)
図1は、本発明の第1実施形態の光電変換装置の構成の一例を示すブロック図である。光電変換装置100は、複数の画素200が行列状(2次元状)に配列された画素部101を有している。図1では、図示の便宜から、4つの画素200のみ示されているが、実際の光電変換装置では数千万個以上の画素が配列される。本実施形態では光電変換部202−1、202−2に注目する。本例では、1つの画素200が複数(本実施形態では2個)の光電変換部202−1、202−2を有している。また、光電変換装置100は、画素部101の周辺回路として、タイミングジェネレータ102、垂直走査回路103、アナログ増幅器104、水平走査回路105、信号出力回路106などを有する。本実施形態の光電変換装置100はいわゆるCMOSイメージセンサである。
図2には第1実施形態の画素及び読み出し回路の構成が示されている。ここで画素部101中の各画素200は2つの光電変換部202−1、202−2を有している。2つの光電変換部202−1、202−2は1つのマイクロレンズ(不図示)を共有する。これにより、光電変換装置100に入る光を瞳分割し、オートフォーカス(AF)に必要な位相差情報を得ることができる。
号を増幅する増幅MOSトランジスタ201が設けられ、増幅MOSトランジスタ201と電源VDDによりソースフォロワ回路が構成されている。ここでは増幅MOSトランジスタ201を用いた増幅回路としてソースフォロワ回路(ドレイン接地回路)を例示しているが、増幅MOSトランジスタ201を用いた増幅回路はソース接地回路でもよいし、ゲート接地回路でもよい。各々の回路は、選択された画素200を読み出し回路211へ接続するための信号線206を持っている。本実施形態では、第1の光電変換部202−1で発生した電荷に基づく信号が読み出される第1の信号線206−1と、第2の光電変換部202−2で発生した電荷に基づく信号が読み出される第2の信号線206−2が設けられている。以下、第1の光電変換部202−1で発生した電荷に基づく信号を「第1の信号」又は「第1の光電変換部に対応する信号」と称し、第2の光電変換部202−2で発生した電荷に基づく信号を「第2の信号」又は「第2の光電変換部に対応する信号」と称す。
図3、図4には第1実施形態の画素読み出しの駆動タイミングの詳細が示されている。TX1は、転送MOSトランジスタ203−1を駆動するための制御信号であり、TX2は、転送MOSトランジスタ203−2を駆動するための制御信号である。RES1は、リセットMOSトランジスタ204−1を駆動するための制御信号であり、RES2は、リセットMOSトランジスタ204−2を駆動するための制御信号である。SEL1は、セレクトMOSトランジスタ205−1を駆動するための制御信号であり、SEL2は、
セレクトMOSトランジスタ205−2を駆動するための制御信号である。ADDは、信号平均処理用MOSトランジスタ212を駆動するための制御信号である。これらの制御信号(電圧)は、垂直走査回路103又は水平走査回路105から与えられる。出力1は、第1の読み出し回路(アナログ増幅器)211−1より出力される信号であり、出力2は、第2の読み出し回路(アナログ増幅器)211−2より出力される信号である。
図3を用いて、被写体から位相差情報を取得する読み出し方法(「AF読み出しモード」又は「AF読み出し」と称す)を説明する。AF読み出しでは、第1の読み出し回路211−1と第2の読み出し回路211−2の増幅ゲインは同じ値になるように設定される。時刻t1にSEL1及びSEL2をハイにし、該当行の画素をセレクト状態にする。時刻t2にRES1及びRES2をローにし、画素リセットを終了させる。その後、時刻t3までの間に、ノイズレベルのサンプリングを実施する。時刻t3にTX1及びTX2をハイにし、光電変換部からの電荷転送を開始する。時刻t4にTX1及びTX2をローにし、電荷転送を終了する。その後、時刻t5までの間に、信号レベルのサンプリングを実施する。時刻t5にRES1及びRES2をハイにし、画素リセットを行う。そして時刻t6にSEL1及びSEL2をローにし、画素の選択を解除する。時刻t1からt6の間、ADDは常にローの状態であり、光電変換部202−1、2に対応する信号は個別に増幅され、独立に信号出力回路106に入力される。このAF読み出しを2つの光電変換部202−1、2で同時に行うことで、被写体の位相差情報を取得できる。2つの光電変換部202−1、2が画素内で左右に配置されている場合は水平方向の位相差情報を取得でき、2つの光電変換部202−1、2が画素内で上下に配置されている場合は垂直方向の位相差情報を取得することができる。
図4を用いて、被写体から撮像情報を取り出す読み出し方法(「撮像読み出しモード」又は「撮像読み出し」と称す)を説明する。撮像読み出しでは、第1の読み出し回路211−1の増幅ゲインG1と第2の読み出し回路211−2の増幅ゲインG2が互いに異なる(例えばG1>G2)ように設定される。
モードで信号の読み出しが行われる。また、行単位の切り替えとは、1フレームの画像を撮影する際に、適用する読み出しモードを行毎に選択可能な方法である。1行毎にモードを変えてもよいし、複数行毎にモードを変えてもよい。本実施形態のAF読み出しと撮像読み出しはADDの駆動が入る他は全て同じタイミングで行うことができ、一連の読み出し操作にかかる時間はAF読み出しでも撮像読み出しでも変わらない。そのため、動画撮影中にフレーム単位でAF読み出しと撮像読み出しを切り替えたとしても、フレーム毎の処理時間が同一である。さらに1フレーム中の一部の行でAF読み出しを実施し、他の行で撮像読み出しを実施する、というように行単位でAF読み出しと撮像読み出しを切り替えても、処理時間が変わることはない。このことによって、AF読み出しと撮像読み出しを切り替えたとしても、動画のフレームレートが変化したり、光電変換装置の蓄積時間が変動したりしないため、高品質な撮影画像を取得することができる。
(光電変換装置)
図5は、第2実施形態の光電変換装置の構成を示すブロック図である。画素部101にて光電変換された信号は、タイミングジェネレータ102により制御された垂直走査回路103によって、1行毎に順次読み出される。読み出された信号は、アナログデジタル変換器501に入力され、AD変換処理が行われる。得られたデジタル信号は、タイミングジェネレータ102により制御された水平走査回路105によって、順次信号出力回路106へ入力される。該信号は、信号出力回路106にてノイズ減算処理等を行われた後、光電変換装置100の出力として外部(例えば画像処理回路など)に出力される。
図6には第2実施形態の画素及び読み出し回路の構成が示されている。第1実施形態と同じく画素部101中の各画素200は2つの光電変換部202から構成されている。画素200から第1及び第2の信号を読み出す方法は第1実施形態と同様である。
図7、図8には第2実施形態の画素読み出しの駆動タイミングの詳細が示されている。図3、4と同様に各MOSトランジスタに与えられる制御信号(電圧)を示している。アナログ信号1は、サンプルホールド容量601−1に入力される電圧を示し、アナログ信号2は、サンプルホールド容量601−2に入力される電圧を示している。REF1は、容量602−1に入力されるリファレンス信号(ランプ信号)の電圧を示し、REF2は、容量602−2に入力されるリファレンス信号(ランプ信号)の電圧を示している。
図7を用いて、AF読み出しを説明する。時刻t1にSEL1及びSEL2をハイにし、該当行の画素をセレクト状態にする。時刻t2にRES1及びRES2をローにし、画素リセットを終了させる。その後、時刻t3までの間に、ノイズ信号のアナログデジタル変換を実施する。時刻t3にてTX1及びTX2をハイにし、光電変換部からの電荷転送を開始する。時刻t4でTX1及びTX2をローにし、電荷転送を終了する。その後、REF1及びREF2にリファレンス信号を入力し、時刻t5までの間に信号のアナログデジタル変換を実施する。時刻t5にてRES1及びRES2をハイにし、画素リセットを行う。そして時刻t6にSEL1及びSEL2をローにし、画素の選択を解除する。時刻t1からt6の間、ADDは常にローの状態であり、光電変換部202−1、2に対応する信号は独立にアナログデジタル変換される。このAF読み出しによれば、第1実施形態と同様に、被写体の位相差情報を取得することができる。
図8を用いて、撮像読み出しを説明する。撮像読み出しでは、第1の読み出し回路600−1に入力するリファレンス信号REF1と第2の読み出し回路600−2に入力するリファレンス信号REF2の傾きを異ならせる。図8の例では、REF1として、傾きの小さい(電圧の時間的変化が遅い)リファレンス信号を入力し、REF2として、傾きの大きい(電圧の時間的変化が早い)リファレンス信号を入力する。これにより、第1の読み出し回路600−1と第2の読み出し回路600−2の間でAD変換のゲインを異ならせる。
図9は、第3実施形態の光電変換装置の構成を示すブロック図である。本実施形態は、第1実施形態と第2実施形態とを組み合わせたものであり、読み出し回路としてアナログ
増幅器およびアナログデジタル変換器を持っている。具体的には、本実施形態の読み出し回路は、画素200から読み出された信号をまずアナログ増幅器(211−1、2)によって増幅し、その後段において、増幅された信号をアナログデジタル変換器(600−1、2)によってデジタル値に変換する。それぞれの回路の具体的な構成及び動作については、第1及び第2実施形態で述べたものと同じであるため、説明を割愛する。なお、図9では、アナログ増幅器(211−1、2)とアナログデジタル変換器(600−1、2)の間に、スイッチ(信号平均処理用MOSトランジスタ)900を設けている。しかし、2つのアナログ増幅器から出力される信号を平均化する処理が不要であれば、スイッチ900は省略しても構わない。
上記第1ないし第3実施形態では、2つの光電変換部に対応する2つの信号を2つの読み出し回路で個別に処理するAF読み出しモードと、2つの信号の平均信号を2つの読み出し回路で処理する撮像読み出しモードを説明した。これに対し、第4実施形態では、1つの光電変換部に対応する1つの信号を2つの読み出し回路で処理する第3の読み出しモードを説明する。なお、光電変換装置の回路構成については、前述の実施形態と同様のものを採用できるため、説明を割愛する。
を実行する。図10の処理との違いは、SEL1の代わりにSEL2をハイにして、第2の光電変換部202−2をセレクト状態にする点と、電荷転送の際にTX2をハイにする点である。それ以外は図10の処理と同じであるため、説明を割愛する。図11の処理によれば、第2の光電変換部202−2で発生した電荷に基づく信号を、2つの異なるゲインで同時に読み出すことができる。これら2つの異なるゲインで得られた信号を組み合わせることで、第2の光電変換部202−2に対応する信号のダイナミックレンジを拡げることができる。
本発明の第5実施形態による撮像システムについて、図12を用いて説明する。図12は、本実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。
本発明の第6実施形態による撮像システム及び移動体について、図13A及び図13Bを用いて説明する。図13A及び図13Bは、本実施形態による撮像システム及び移動体の構成を示す図である。
制御装置である制御ECU430が接続されている。すなわち、制御ECU430は、距離情報に基づいて移動体を制御する移動体制御手段の一例である。また、撮像システム400は、衝突判定部418での判定結果に基づいて、ドライバーへ警報を発する警報装置440とも接続されている。例えば、衝突判定部418の判定結果として衝突可能性が高い場合、制御ECU430はブレーキをかける、アクセルを戻す、エンジン出力を抑制するなどして衝突を回避、被害を軽減する車両制御を行う。警報装置440は音等の警報を鳴らす、カーナビゲーションシステムなどの画面に警報情報を表示する、シートベルトやステアリングに振動を与えるなどしてユーザに警告を行う。
第2半導体チップに配置することもできる。
200:画素
202−1:第1の光電変換部
202−2:第2の光電変換部
206−1:第1の信号線
206−2:第2の信号線
207−1:入力容量(第1の入力部)
207−2:入力容量(第2の入力部)
211−1:第1の読み出し回路
211−2:第2の読み出し回路
212:スイッチ
Claims (15)
- 第1の光電変換部と、
第2の光電変換部と、
前記第1の光電変換部で発生した電荷に基づく第1の信号が読み出される第1の信号線と、
前記第2の光電変換部で発生した電荷に基づく第2の信号が読み出される第2の信号線と、
前記第1の信号線が接続された第1の入力部を有し、前記第1の入力部に入力された信号を第1のゲインで増幅及び/又はAD変換の処理を行う第1の回路と、
前記第2の信号線が接続された第2の入力部を有し、前記第2の入力部に入力された信号に対し前記第1のゲインとは異なる第2のゲインで増幅及び/又はAD変換の処理を行う第2の回路と、
前記第1の信号線と前記第2の信号線の間の接続状態/非接続状態を切り替えるスイッチとを有することを特徴とする光電変換装置。 - 前記スイッチにより前記第1の信号線と前記第2の信号線の間を非接続状態とし、前記第1の信号を前記第1の回路により処理し、前記第2の信号を前記第2の回路により処理する、第1のモードと、
前記スイッチにより前記第1の信号線と前記第2の信号線の間を接続状態とし、前記第1の信号と前記第2の信号の平均信号を、前記第1の回路と前記第2の回路のそれぞれで処理する、第2のモードと、を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。 - 前記スイッチにより前記第1の信号線と前記第2の信号線の間を接続状態とし、前記第1の信号を、前記第1の回路と前記第2の回路のそれぞれで処理する、第3のモードをさらに有する
ことを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。 - 前記第1のモードでは、前記第2の回路は、前記第1のゲインと同じ第3のゲインで前記第2の信号の増幅及び/又はAD変換の処理を行う
ことを特徴とする請求項2又は3に記載の光電変換装置。 - 前記第1のモードと前記第2のモードが、フレーム単位で切り替えられる
ことを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1のモードと前記第2のモードが、行単位で切り替えられる
ことを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1のモードによる処理時間と前記第2のモードによる処理時間とが同一である
ことを特徴とする請求項5又は6に記載の光電変換装置。 - 前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部は、1つの画素に設けられている
ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部は、1つのマイクロレンズの下に配置されている
ことを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1の光電変換部で発生した電荷に基づく信号を前記第1の信号線へ出力する第1
の増幅回路と、前記第2の光電変換部で発生した電荷に基づく信号を前記第2の信号線へ出力する第2の増幅回路と、を有し、
前記スイッチは、前記第1の増幅回路及び前記第2の増幅回路と、前記第1の回路及び前記第2の回路と、の間に配置されている
ことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1の回路はアナログ増幅器であり、前記第1のゲインは増幅ゲインであり、
前記第2の回路はアナログ増幅器であり、前記第2のゲインは増幅ゲインである
ことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1の回路はAD変換器であり、前記第1のゲインはAD変換ゲインであり、
前記第2の回路はAD変換器であり、前記第2のゲインはAD変換ゲインである
ことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1の回路はアナログ増幅器とAD変換器から構成される回路であり、前記第1のゲインは増幅ゲインもしくはAD変換ゲイン、又はその両方であり、
前記第2の回路はアナログ増幅器とAD変換器から構成される回路であり、前記第2のゲインは増幅ゲインもしくはAD変換ゲイン、又はその両方である
ことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 請求項1〜13のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力される信号を処理する処理装置と、
を有することを特徴とする撮像システム。 - 移動体であって、
請求項1〜13のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
移動装置と、
前記光電変換装置から出力される信号から情報を取得する処理装置と、
前記情報に基づいて前記移動装置を制御する制御装置と、
を有することを特徴とする移動体。
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Citations (4)
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