JP2019128551A - 像加熱装置及び画像形成装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】省電力性を保ちつつ、立ち上げ直後の画像不良の発生を抑制することができる技術を提供する。【解決手段】記録材の搬送方向に対して直交する方向に並ぶ複数の発熱体を有するヒータと、複数の発熱体への通電を制御する制御部と、を有し、制御部は複数の発熱体のうち少なくとも2つ以上の発熱体を個々に制御可能であり、ヒータの熱によって記録材に形成された画像を加熱する像加熱装置において、制御部は、複数の発熱体を所定の立ち上げ完了目標温度まで立ち上げる際の立ち上げ所要時間の大小を判断し、複数の発熱体のうち最も立ち上げ所要時間が長いと判断された発熱体を第1の発熱体とし、複数の発熱体のうち第1の発熱体より立ち上げ所要時間が短いと判断された発熱体を第2の発熱体とした際に、第1の発熱体の立ち上げ性能を基準として第2の発熱体の立ち上げ制御パラメータを変更することで、第2の発熱体への通電を制御する。【選択図】図6

Description

本発明は、電子写真方式や静電記録方式を利用した複写機、プリンタ等の画像形成装置に搭載する定着器、あるいは記録材上の定着済みトナー画像を再度加熱することによりトナー画像の光沢度を向上させる光沢付与装置、等の像加熱装置に関する。また、この像加熱装置を備える画像形成装置に関する。
複写機やプリンタ等の画像形成装置に用いられる像加熱装置において、省電力化の要請から、記録材上に形成された画像部を選択的に加熱する方式が提案されている(特許文献1)。この方法では、ヒータの発熱範囲(加熱領域)をヒータの長手方向(記録材の搬送方向に直交する方向)に対し複数個の発熱ブロックに分割し、記録材上の画像の有無に応じて、各発熱ブロックを選択的に発熱制御するものである。すなわち、記録材上に画像が無い部分(非画像部)において発熱ブロックへの通電を減少させることで省電力化を図っている。
特開平6−95540号公報
ここで、上述のような構成の像加熱装置を用いた場合、各発熱ブロックにおける発熱量のばらつきにより、記録材を加熱する温度に達するまでの時間(以下、立ち上げ時間)が短い発熱ブロックと、立ち上げ時間が長い発熱ブロックが生じる。記録材は、立ち上げ時間が長い発熱ブロックの立ち上がりに合わせて搬送されるため、記録材が搬送されるまでの間、立ち上げ時間が短い発熱ブロックは、立ち上げ時間が長い発熱ブロックよりも高温状態で待たされることになる。その結果、立ち上げ直後に蓄熱状態のムラが生じるため、画像の光沢度ムラやホットオフセットなどといった画像不良が発生する場合があった。
本発明の目的は、省電力性に優れるともに、立ち上げ直後の画像不良の発生を抑制することができる技術を提供することである。
上記目的を達成するため、本発明の像加熱装置は、
基板と、前記基板上に設けられた前記基板の長手方向に並ぶ複数の発熱体と、を有するヒータを有し、前記ヒータの熱を利用して記録材に形成された画像を加熱する像加熱部であって、前記長手方向に分割された複数の加熱領域を有する像加熱部と、
前記複数の加熱領域を選択的に加熱すべく、前記複数の発熱体の通電を選択的に制御する通電制御部と、
を備える像加熱装置において、
前記複数の発熱体のそれぞれの発熱体について、通電時の温度の上昇の割合を示す立ち上げ性能を取得する取得部を備え、
前記通電制御部は、前記複数の発熱体をそれぞれ所定の目標温度まで昇温させる立ち上げシーケンスにおいて、前記取得部が取得した前記立ち上げ性能に基づいて、前記立ち上げ性能が互いに異なる発熱体が同じタイミングで前記所定の目標温度に到達するように、前記複数の発熱体の通電を選択的に制御することを特徴とする。
上記目的を達成するため、本発明の画像形成装置は、
記録材に画像を形成する画像形成部と、
記録材に形成された画像を記録材に定着する定着部として、上記像加熱装置と、
を備えることを特徴とする。
本発明によれば、省電力性を保ちつつ、立ち上げ直後の画像不良の発生を抑制することができる。
本発明の実施例に係る画像形成装置の断面図 実施例1の像加熱装置の断面図 実施例1のヒータ構成図 実施例1のヒータ制御回路図 実施例1の加熱領域の説明図 実施例1の立ち上げシーケンスの説明図 実施例1と比較例1の比較実験の結果 実施例2の立ち上げシーケンスの説明図 実施例5の立ち上げシーケンスの説明図 実施例6の立ち上げシーケンスの説明図 実施例7の立ち上げシーケンスの説明図
以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状それらの相対配置などは、発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるべきものである。すなわち、この発明の範囲を以下の実施の形態に限定する趣旨のものではない。
[実施例1]
1.画像形成装置の構成
図1は、本発明の実施例に係る画像形成装置の概略断面図である。本発明が適用可能な画像形成装置としては、電子写真方式や静電記録方式を利用した複写機、プリンタなどが挙げられ、ここではレーザプリンタに適用した場合について説明する。
画像形成装置100は、ビデオコントローラ120と制御部113を備える。ビデオコントローラ120は、記録材に形成される画像の情報を取得する取得部として、パーソナルコンピュータ等の外部装置から送信される画像情報及びプリント指示を受信して処理するものである。制御部113は、ビデオコントローラ120と接続されており、ビデオコントローラ120からの指示に応じて画像形成装置100を構成する各部を制御するものである。制御部113は、後述するヒータの温調制御において各種立ち上げ性能を見積もる見積部あるいは各種立ち上げ性能を取得する取得部を担う構成であり、かかる制御における主体となる。ビデオコントローラ120が外部装置からプリント指示を受けると、以下の動作で画像形成が実行される。
プリント信号が発生すると、画像情報に応じて変調されたレーザ光をスキャナユニット21が出射し、帯電ローラ16によって所定の極性に帯電された感光ドラム19表面を走査する。これにより感光ドラム19には静電潜像が形成される。この静電潜像に対して現像ローラ17からトナーが供給されることで、感光ドラム19上の静電潜像は、トナー画像として現像される。一方、給紙カセット11に積載された記録材(記録紙)Pはピックアップローラ12によって一枚ずつ給紙され、搬送ローラ対13によってレジストローラ
対14に向けて搬送される。更に、記録材Pは、感光ドラム19上のトナー画像が感光ドラム19と転写ローラ20で形成される転写位置に到達するタイミングに合わせて、レジストローラ対14から転写位置へ搬送される。記録材Pが転写位置を通過する過程で感光ドラム19上のトナー画像は記録材Pに転写される。その後、記録材Pは定着部(像加熱部)としての定着装置(像加熱装置)200で加熱され、トナー画像が記録材Pに加熱定着される。定着済みのトナー画像を担持する記録材Pは、搬送ローラ対26、27によって画像形成装置100上部のトレイに排出される。
なお、18は、感光ドラム19を清掃するドラムクリーナ、28は記録材Pのサイズに応じて幅調整可能な一対の記録材規制板を有する給紙トレイ(手差しトレイ)である。給紙トレイ28は、定型サイズ以外の記録材Pにも対応するために設けられている。29は、給紙トレイ28から記録材Pを給紙するピックアップローラ、30は定着装置200等を駆動するモータである。商用の交流電源401に接続されたヒータ駆動手段(通電制御部)としての制御回路400は、定着装置200への電力供給を行う。上述した、感光ドラム19、帯電ローラ16、スキャナユニット21、現像ローラ17、転写ローラ20が、記録材Pに未定着画像を形成する画像形成部を構成している。また、本実施例では、感光ドラム19、帯電ローラ16、現像ローラ17を含む現像ユニット、ドラムクリーナ18を含むクリーニングユニットが、プロセスカートリッジ15として画像形成装置100の装置本体に対して着脱可能に構成されている。
本実施例の画像形成装置100は、記録材Pの搬送方向に直交する方向における最大通紙幅が216mmであり、LETTERサイズ(216mm×279mm)の普通紙を232.5mm/secの搬送速度で毎分44.3枚プリントすることが可能である。
2.定着装置(定着部)の構成
図2は、本実施例の像加熱装置としての定着装置200の模式的断面図である。定着装置200は、定着フィルム202と、定着フィルム202の内面に接触するヒータ300と、定着フィルム202を介してヒータ300と共に定着ニップ部Nを形成する加圧ローラ208と、金属ステー204と、を有する。
定着フィルム202は、エンドレスベルトやエンドレスフィルムとも称される、筒状に形成された複層耐熱フィルムであり、ポリイミド等の耐熱樹脂、またはステンレス等の金属を基層としている。また、定着フィルム202の表面には、トナーの付着防止や記録材Pとの分離性を確保するため、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)等の離型性にすぐれた耐熱樹脂を被覆して離型層を形成してある。さらに、画質向上のため、上記基層と離型層の間にシリコーンゴム等の耐熱ゴムを弾性層として形成してもよい。加圧ローラ208は、鉄やアルミニウム等の材質の芯金209と、シリコーンゴム等の材質の弾性層210を有する。ヒータ300は、耐熱樹脂製のヒータ保持部材201に保持されており、定着ニップ部N内に設けられた加熱領域A〜A(詳細は後述する)を加熱することで、定着フィルム202を加熱する。ヒータ保持部材201は定着フィルム202の回転を案内するガイド機能も有している。ヒータ300には、定着フィルム202の内面に接触する側とは反対側(裏面側)に電極Eが設けられており、電気接点Cより電極Eに給電を行っている。金属ステー204は、不図示の加圧力を受けて、ヒータ保持部材201を加圧ローラ208向けて付勢する。また、ヒータ300の異常発熱により作動してヒータ300に供給する電力を遮断するサーモスイッチや温度ヒューズ等の安全素子212が、ヒータ300の裏面側に対向して配置されている。
加圧ローラ208は、図1に示したモータ30から動力を受けて矢印R1方向に回転する。加圧ローラ208が回転することによって、定着フィルム202が従動して矢印R2
方向に回転する。定着ニップ部Nにおいて記録材Pを挟持搬送しつつ定着フィルム202の熱を与えることで、記録材P上の未定着トナー画像は定着処理される。また、定着フィルム202の摺動性を確保し安定した従動回転状態を得るために、ヒータ300と定着フィルム202の間には、耐熱性の高いグリース(不図示)を介在させている。
3.ヒータの構成
図3を用いて、本実施例におけるヒータ300の構成を説明する。図3(A)はヒータ300の断面図、図3(B)はヒータ300の各層の平面図、図3(C)はヒータ300への電気接点Cの接続方法を説明する図である。図3(B)には、本実施例の画像形成装置100における記録材Pの搬送基準位置Xを示してある。本実施例における搬送基準は中央基準となっており、記録材Pはその搬送方向に直交する方向における中心線が搬送基準位置Xを沿うように搬送される。また、図3(A)は、搬送基準位置Xにおけるヒータ300の断面図となっている。
ヒータ300は、セラミックス製の基板305と、基板305上に設けられた裏面層1と、裏面層1を覆う裏面層2と、基板305上の裏面層1とは反対側の面に設けられた摺動面層1と、摺動面層1を覆う摺動面層2と、より構成される。
裏面層1は、ヒータ300の長手方向に沿って設けられている導電体301(301a、301b)を有する。導電体301は、導電体301aと導電体301bに分離されており、導電体301bは、基板上において導電体301aに対して記録材Pの搬送方向の下流側に配置されている。また、裏面層1は、導電体301a、301bに平行して設けられた導電体303(303−1〜303−7)を有する。導電体303は、導電体301aと導電体301bの間にヒータ300の長手方向に沿って設けられている。さらに、裏面層1は、通電により発熱する発熱抵抗体である、発熱体302a(302a−1〜302a−7)と発熱体302b(302b−1〜302b−7)を有する。発熱体302aは、導電体301aと導電体303の間に設けられており、導電体301aと導電体303を介して電力を供給することにより発熱する。発熱体302bは、導電体301bと導電体303の間に設けられており、導電体301bと導電体303を介して電力を供給することにより発熱する。
導電体301と導電体303と発熱体302aと発熱体302bとから構成される発熱部位は、ヒータ300の長手方向に対し7つの発熱ブロック(HB〜HB)に分割されている。すなわち、発熱体302aは、ヒータ300の長手方向に対し、発熱体302a−1〜302a−7の7つの領域に分割されている。また、発熱体302bは、ヒータ300の長手方向に対し、発熱体302b−1〜302b−7の7つの領域に分割されている。さらに、導電体303は、発熱体302a、302bの分割位置に合わせて、導電体303−1〜303−7の7つの領域に分割されている。7つの発熱ブロック(HB〜HB)は、各ブロックにおける発熱抵抗体への通電量が個別に制御されることで、それぞれの発熱量が個別に制御される。
本実施例の発熱範囲は、発熱ブロックHBの図中左端から発熱ブロックHBの図中右端までの範囲であり、その全長は220mmである。また、各発熱ブロックの長手方向長さは、すべて同じ約31mmとしているが、長さを異ならせても構わない。
また、裏面層1は、電極E(E1〜E7、およびE8−1、E8−2)を有する。電極E1〜E7は、それぞれ導電体303−1〜303−7の領域内に設けられており、導電体303−1〜303−7を介して発熱ブロックHB〜HBそれぞれに電力供給するための電極である。電極E8−1、E8−2は、ヒータ300の長手方向端部に導電体301に接続するよう設けられており、導電体301を介して発熱ブロックHB〜HBに電力供給するための電極である。本実施例ではヒータ300の長手方向両端に電極E8
−1、E8−2を設けているが、例えば、電極E8−1のみを片側に設ける構成(即ち、電極E8−2を設けない構成)でも構わない。また、導電体301a、301bに対し共通の電極で電力供給を行っているが、導電体301aと導電体301bそれぞれに個別の電極を設け、それぞれ電力供給を行っても構わない。
裏面層2は、絶縁性を有する表面保護層307より構成(本実施例ではガラス)されており、導電体301、導電体303、発熱体302a、302bを覆っている。また、表面保護層307は、電極Eの箇所を除いて形成されており、電極Eに対して、ヒータの裏面層2側から電気接点Cを接続可能な構成となっている。
摺動面層1は、基板305において裏面層1が設けられる面とは反対側の面に設けられており、各発熱ブロックHB〜HBの温度を検知する検知素子としてサーミスタTH(TH1−1〜TH1−4、およびTH2−5〜TH2−7)を有している。サーミスタTHは、PTC特性、若しくはNTC特性(本実施例ではNTC特性)を有した材料から成り、その抵抗値を検出することにより、全ての発熱ブロックの温度を検知できる。
また、摺動面層1は、サーミスタTHに通電しその抵抗値を検出するため、導電体ET(ET1−1〜ET1−4、およびET2−5〜ET2−7)と導電体EG(EG1、EG2)とを有している。導電体ET1−1〜ET1−4は、それぞれサーミスタTH1−1〜TH1−4に接続されている。導電体ET2−5〜ET2−7は、それぞれサーミスタTH2−5〜TH2−7に接続されている。導電体EG1は、4つのサーミスタTH1−1〜TH1−4に接続され、共通の導電経路を形成している。導電体EG2は、3つのサーミスタTH2−5〜TH2−7に接続され、共通の導電経路を形成している。導電体ETおよび導電体EGは、それぞれヒータ300の長手に沿って長手端部まで形成され、ヒータ長手端部において不図示の電気接点を介して制御回路400と接続されている。
摺動面層2は、摺動性と絶縁性を有する表面保護層308より構成(本実施例ではガラス)されており、サーミスタTH、導電体ET、導電体EGを覆うとともに、定着フィルム202内面との摺動性を確保している。また、表面保護層308は、導電体ETおよび導電体EGに対して電気接点を設けるために、ヒータ300の長手両端部を除いて形成されている。
続いて、各電極Eへの電気接点Cの接続方法を説明する。図3(C)は、各電極Eへ電気接点Cを接続した様子をヒータ保持部材201側から見た平面図である。ヒータ保持部材201には、電極E(E1〜E7、およびE8−1、E8−2)に対応する位置に貫通孔が設けられている。各貫通孔位置において、電気接点C(C1〜C7、およびC8−1、C8−2)が、電極E(E1〜E7、およびE8−1、E8−2)に対して、バネによる付勢や溶接などの手法によって電気的に接続されている。電気接点Cは、金属ステー204とヒータ保持部材201の間に設けられた不図示の導電材料を介して、後述するヒータ300の制御回路400と接続されている。
4.ヒータ制御回路の構成
図4は、実施例1のヒータ300の制御回路400の回路図である。401は、画像形成装置100に接続される商用の交流電源である。ヒータ300の電力制御は、トライアック411〜トライアック417の通電/遮断により行われる。トライアック411〜417は、それぞれ、CPU420からのFUSER1〜FUSER7信号に従って動作する。トライアック411〜417の駆動回路は省略して示してある。ヒータ300の制御回路400は、7つのトライアック411〜417によって、7つの発熱ブロックHB〜HBを独立制御可能な回路構成となっている。トライアック441〜417を選択的に制御することで、複数の発熱体の通電を選択的に制御することができ、長手方向に分割された複数の加熱領域を個々に選択的に発熱させることができる。ゼロクロス検知部42
1は、交流電源401のゼロクロスを検知する回路であり、CPU420にZEROX信号を出力している。ZEROX信号は、トライアック411〜417の位相制御や波数制御のタイミングの検出等に用いている。
ヒータ300の温度検知方法について説明する。ヒータ300の温度検知は、サーミスタTH(TH1−1〜TH1−4、TH2−5〜TH2−7)によって行われる。サ−ミスタTH1−1〜TH1−4と抵抗451〜454との分圧がTh1−1〜Th1−4信号としてCPU420で検知されており、CPU420にてTh1−1〜Th1−4信号を温度に変換している。同様に、サ−ミスタTH2−5〜TH2−7と抵抗465〜467との分圧が、Th2−5〜Th2−7信号としてCPU420で検知されており、CPU420にてTh2−5〜Th2−7信号を温度に変換している。
CPU420の内部処理では、各発熱ブロックの制御目標温度TGTと、サーミスタの検知温度に基づき、例えばPI制御(比例積分制御)により、供給するべき電力を算出している。更に、供給する電力を、電力に対応した位相角(位相制御)や、波数(波数制御)の制御レベル(デューティー比)に換算し、その制御条件によりトライアック411〜417を制御している。
リレー430、リレー440は、故障などによりヒータ300が過昇温した場合、ヒータ300への電力遮断手段として用いている。リレー430、リレー440の回路動作を説明する。RLON信号がHigh状態になると、トランジスタ433がON状態になり、電源電圧Vccからリレー430の2次側コイルに通電され、リレー430の1次側接点はON状態になる。RLON信号がLow状態になると、トランジスタ433がOFF状態になり、電源電圧Vccからリレー430の2次側コイルに流れる電流は遮断され、リレー430の1次側接点はOFF状態になる。同様に、RLON信号がHigh状態になると、トランジスタ443がON状態になり、電源電圧Vccからリレー440の2次側コイルに通電され、リレー440の1次側接点はON状態になる。RLON信号がLow状態になると、トランジスタ443がOFF状態になり、電源電圧Vccからリレー440の2次側コイルに流れる電流は遮断され、リレー440の1次側接点はOFF状態になる。なお、抵抗434、抵抗444は電流制限抵抗である。
リレー430、リレー440を用いた安全回路の動作について説明する。サーミスタTH1−1〜TH1−4による検知温度の何れか1つが、それぞれ設定された所定値を超えた場合、比較部431はラッチ部432を動作させ、ラッチ部432はRLOFF1信号をLow状態でラッチする。RLOFF1信号がLow状態になると、CPU420がRLON信号をHigh状態にしても、トランジスタ433がOFF状態で保たれるため、リレー430はOFF状態(安全な状態)で保つことができる。尚、ラッチ部432は非ラッチ状態において、RLOFF1信号をオープン状態の出力にしている。同様に、サーミスタTH2−5〜TH2−7による検知温度の何れか1つが、それぞれ設定された所定値を超えた場合、比較部441はラッチ部442を動作させ、ラッチ部442はRLOFF2信号をLow状態でラッチする。RLOFF2信号がLow状態になると、CPU420がRLON信号をHigh状態にしても、トランジスタ443がOFF状態で保たれるため、リレー440はOFF状態(安全な状態)で保つことができる。同様に、ラッチ部442は非ラッチ状態において、RLOFF2信号をオープン状態の出力にしている。
5.加熱領域および画像情報に応じたヒータ制御
図5は、本実施例における加熱領域A〜Aを示す図であり、LETTERサイズ紙の紙幅と対比して表示している。加熱領域A〜Aは、定着ニップ部N内の、発熱ブロックHB〜HBに対応した位置に設けられており、発熱ブロックHB(i=1〜7)の発熱により、加熱領域A(i=1〜7)がそれぞれ加熱される。加熱領域A〜A
の全長は220mmであり、各領域はこれを均等に7分割したものである(L=31.4mm)。
本実施例の画像形成装置は、ホストコンピュータ等の外部装置(不図示)から送信される画像データ(画像情報)に応じて、発熱ブロックHB毎に発熱量を変えている。例えば、ハーフトーン画像のようにトナー粒子が疎らに分散した低印字率画像は、トナーを定着させるためにより多くの熱量が必要であることが知られている。そのような場合には、低印字率画像に対応する加熱領域Aを加熱する発熱ブロックHBは、その目標温度を高く設定される。反対に、ベタ画像のようにトナー粒子が密に存在する高印字率画像は、低印字率画像に比べると少ない熱量で定着できるため、高印字率画像に対応する加熱領域Aを加熱する発熱ブロックHBは、その目標温度を低く設定される。このように、画像情報に応じて発熱ブロックHB毎に発熱量を制御することで、必要以上に発熱させることを避け、省電力化を図っている。
6.立ち上げ制御方法
続いて、図6を用いて、定着装置200の立ち上げシーケンスにおけるヒータ発熱制御方法を説明する。立ち上げシーケンスとは、すなわち、記録材Pおよび記録材P上のトナー画像を加熱するために適切な温度(以下、立ち上げ完了目標温度と称する)まで定着装置200を温めるための動作である。
図6(A)は、サーミスタTHによって検知した発熱ブロックの温度推移の例を示している。実線は、発熱ブロックHB(i=1〜7)のうち後述する方法で最も立ち上げに時間を要すると判断した発熱ブロック(以下、HBminと称する)の温度Tminである。点線は、発熱ブロックHB(i=1〜7)のうちHBmin以外の発熱ブロック(以下、HBotherと称する)の温度Totherである。また、図6(B)は、発熱ブロックHB(i=1〜7)に通電する際のデューテュー比の推移の例を示している。実線は発熱ブロックHBminの通電デューテュー比であり、点線は発熱ブロックHBotherの通電デューテュー比である。発熱ブロックHBotherは複数存在するが、ここではそのうち一つを代表として取り上げ、その温度と通電デューティー比を示している。
本実施例の立ち上げシーケンスは、図6に示すように、固定デューティー比で発熱ブロックHB(i=1〜7)に通電する区間(S1000)と、PI制御により立ち上げる区間(S1001)に分けられる。
固定デューティー比区間S1000(第1区間)では、下記のように、発熱ブロックHB(i=1〜7)の立ち上げ所要時間の大小を判断している。画像形成装置100が外部装置からプリント指示を受けると、CPU420は各発熱ブロックHB(i=1〜7)に対し同一の固定デューティー比で通電を開始する。本実施例では、ディーティー比を100%(いわゆるフル通電)としている。このとき、発熱ブロックHB内の発熱抵抗体の抵抗値ばらつきにより、各発熱ブロックHBの電力(すなわち発熱量)には、ばらつきが生じる。抵抗値が小さいと電力が大きくなるため発熱量は多くなり、抵抗値が大きいと電力が小さくなるため発熱量は少なくなる。発熱量が少ないほど温度が上昇しにくくなり立ち上げに時間がかかる。そこで、本実施例では、固定デューティー比による通電を開始してから所定の時間が経過したタイミングにおいて、サーミスタTHにより各発熱ブロックHBの温度検知を行う。そして、最も温度の低い発熱ブロックHBが最も立ち上げに時間を要する発熱ブロックHBminであると判断している。最も立ち上げに時間を要する発熱ブロックHBminの判断がつくと、立ち上げシーケンスはPI制御区間S1001に移行する。
PI制御区間S1001(第2区間)において、最も立ち上げに時間を要する発熱ブロックHBminへの通電制御は、発熱ブロックHBminの温度Tminを立ち上げ完了目標温度に近づけるように、PI制御によって行われる。温度Tminが立ち上げ完了目標温度より充分低い時は100%のデューティー比で通電が行われ、温度Tminが立ち上げ完了目標温度に近づくとPI制御により通電デューティー比が絞られる。温度Tminが立ち上げ完了目標温度に到達するタイミングに合わせてトナー画像を載せた記録材Pが搬送されてきて、立ち上げシーケンスは通紙シーケンスに移行する。
一方、PI制御区間S1001において、発熱ブロックHBmin以外の発熱ブロックHBotherへの通電制御は、発熱ブロックHBotherの温度Totherを発熱ブロックHBminの温度Tminに近づけるように、PI制御によって行われる。すなわち、本実施例の立ち上げ制御パラメータは、発熱ブロックHBotherの立ち上げ途中における目標温度であり、発熱ブロックHBminの立ち上げ性能を示す温度Tminを基準として立ち上げ制御中に逐次変更させている。固定デューティー比区間S1000からPI制御区間S1001に切り替わった直後は、温度Totherは温度Tminよりも高温である。しかし、その後はPI制御によって発熱ブロックHBotherへの通電ディーティー比が絞られるため、発熱ブロックHBotherは発熱ブロックHBminと同様の温度推移で立ち上げることができる。
以上で説明したように、複数の発熱ブロックHB(i=1〜7)の最大発熱量が異っていたとしても、本実施例の制御を行うことで各発熱ブロックの温度を揃えて立ち上げることが可能となる。
7.効果
次に、比較例1を用いて本実施例の効果を説明する。
比較例1の立ち上げシーケンスでは、各発熱ブロックHB(i=1〜7)の温度を立ち上げ完了目標温度に近づけるように、それぞれの発熱ブロック毎にPI制御で通電を行っている。そのため、抵抗値が小さく発熱量が大きい発熱ブロック(以下、比較例1のHBotherと称す)は、図6(A)にて一点鎖線で示したように早く立ち上がり、立ち上げ完了目標温度を維持しつつ通紙シーケンスへの移行を待つことになる。すなわち、比較例1は実施例1と比べて、発熱ブロック毎の温度推移のばらつきが大きい。
ところで、立ち上げシーケンス中においては、発熱ブロックHB(i=1〜7)が加熱領域A〜Aを加熱することで、定着フィルム202、および加圧ローラ208の温度が上昇する。比較例1のHBotherのように立ち上がりが早い発熱ブロックは、立ち上がりが遅い発熱ブロックに比べると高温状態の時間が長いため、発熱ブロックに対応する加圧ローラ208部位の温度も上昇しやすい。従って、比較例1のように発熱ブロック毎の温度推移のばらつきが大きいと、立ち上げ後における加圧ローラ208の温度分布にムラが発生しやすくなり、その結果、画像の光沢度ムラやホットオフセットなどといった画像不良が発生する可能性がある。
効果を明確にするために以下のような比較実験を行った。
実施例1と比較例1の定着装置200を室温まで冷やした後、ハーフトーン画像を1枚プリントする。立ち上げ直後の加圧ローラ208の表面温度をサーモグラフィーで計測するとともに、ハーフトーン画像のホットオフセットの発生有無を観察する。なお、同一個体の定着装置200に対し制御ソフトウェアのみを変更することで、実施例1の定着装置200、および、比較例1の定着装置200として実験を行った。
図7に比較実験の結果を示す。各発熱ブロックHB(i=1〜7)に対応する位置の加圧ローラ208の表面温度と、画像上のホットオフセットの発生有無を表にまとめた。
比較例1においては、加圧ローラ208の表面温度のばらつきは6℃あり、最も温度の高かった発熱ブロックHBに対応する位置においては、軽微なホットオフセットが発生した。一方、実施例1においては、加圧ローラ208の表面温度のばらつきは1℃以内に収まっており、ホットオフセットの発生も無かった。
以上説明したように、複数の発熱ブロックを選択的に発熱制御することで省電力化を図った定着装置において、実施例1の立ち上げ制御を行うことで、立ち上げ時の加熱ムラを抑制し、立ち上げ直後の画像不良の発生を抑制することができた。
8.実施例1の変形例
本実施例では発熱ブロックHBminを判断する際に、固定デューティー比で所定時間通電した際の発熱ブロックHBの温度を用いて判断を行ったが、他の方法で発熱ブロックHBminを判断してもよい。例えば、固定デューティー比区間S1000において所定の温度に達するまでの時間を測定し、その時間が最も長い発熱ブロックを発熱ブロックHBminであると判断してもよい。
また、固定デューティー比区間S1000において時間経過に対する温度上昇の傾きを算出し、その傾きが最も小さい発熱ブロックを発熱ブロックHBminであると判断してもよい。所定時間での温度上昇量、もしくは所定量温度上昇するのに要する時間を測定することで温度上昇の傾きを算出することができる。
また、複数の発熱ブロックそれぞれの電力(それぞれで消費される電力)を検知する電力検知手段を設けておき、固定デューティー比区間S1000における電力が最も小さい発熱ブロックを発熱ブロックHBminであると判断してもよい。
また、一度求めた発熱ブロックHB毎の立ち上げ性能情報(通電時の温度上昇の割合を示す温度上昇の傾き、電力など)を記憶しておき、次回のプリント動作時には、記憶している立ち上げ性能情報を基に発熱ブロックHBminがどれであるかを判断してもよい。発熱ブロックHBminがどれであったか自体を記憶しておき、その情報を次回のプリント動作時に利用することも可能である。
また、その他の方法として、定着装置200の製造過程において、立ち上げ所要時間、ないし立ち上げ所要時間に関連する情報を測定しておき、その情報を利用して発熱ブロックHBminを判断してもよい。例えば、定着装置200の製造時に各発熱ブロックの抵抗値を測定し、定着装置200あるいは画像形成装置100に設けた記憶手段に抵抗値を記憶させる。そして、定着装置200の立ち上げ動作時に、前記記憶手段に記憶させた情報を読み出して、最も抵抗値の低い発熱ブロックを発熱ブロックHBminであると判断する。ここで記憶手段とは、NVRAM等のメモリ、あるいはICタグ等のRFID、あるいはバーコード等の情報としてデータを格納できるものである。
いずれの方法を用いても、最も立ち上げに時間を要する発熱ブロックがどれかを判断することが可能であるため、実施例1と同様に、立ち上げ時の加熱ムラを抑制し立ち上げ直後の画像不良の発生を抑制することができる。
[実施例2]
本発明の実施例2について説明する。実施例2の画像形成装置および像加熱装置の基本的な構成および動作は、実施例1のものと同じである。従って、実施例1と同一、又はそれに相当する機能、構成を有する要素には同一符号を付して詳しい説明は省略する。実施例2において特に説明しない事項は、実施例1と同様である。実施例2は、実施例1に対して、立ち上げ制御パラメータ(ここでは立ち上げ途中における発熱ブロックの目標温度
)を変更する際の基準が異なる。実施例1では、温度Tminを基準としていたが、実施例2では、発熱ブロックHBminの立ち上げ速度を基準としている。
図8を用いて、実施例2の立ち上げシーケンスにおけるヒータ発熱制御方法を説明する。図8は、サーミスタTHによって検知した発熱ブロックの温度推移、および目標温度の推移の例を示している。本実施例の立ち上げシーケンスは、固定デューティー比で通電する区間(S1000)と、PI制御により立ち上げる区間(S1002)に分けられる。
固定デューティー比区間S1000では、実施例1と同様に各発熱ブロックHB(i=1〜7)の立ち上げ所要時間の大小を調べ、最も立ち上げに時間を要する発熱ブロックHBminがどれであるかを判断する。
また、固定デューティー比区間S1000では、発熱ブロックHBminに関して、立ち上げ速度TRRmin(単位時間当たりの温度上昇量)を求める。立ち上げ速度TRRminは、本実施例における発熱ブロックHBminの立ち上げ性能を示す値である。ここで、立ち上げ速度TRRmin測定開始時間をtime1、測定終了時間をtime2、time1時点でのHBminの温度をTmin1、time2時点でのHBminの温度をTmin2、とする。この場合、発熱ブロックHBminの立ち上げ速度はTRRmin=(Tmin2−Tmin1)/(time2−time1)として求められる。通電開始直後は温度上昇量が安定しないため、立ち上げ速度TRRminの測定は、通電を開始してから所定時間経過した後に行うことが望ましい。発熱ブロックHBminの立ち上げ速度TRRminが求まると、立ち上げシーケンスはPI制御区間S1002に移行する。
PI制御区間S1002において、発熱ブロックHBminへの通電制御は、実施例1と同様、発熱ブロックHBminの温度Tminを立ち上げ完了目標温度に近づけるように、PI制御によって行われる。一方、発熱ブロックHBotherへの通電制御は、立ち上げ速度TRRminを基準に下記のように求めた立ち上げ目標温度曲線に対して温度Totherを近づけるように、PI制御によって行われる。
立ち上げ目標温度曲線は、以下のように開始点P、中間点P、終了点Pを求め、開始点Pと中間点P、中間点Pと終了点Pをそれぞれ直線で結ぶことより求められる。
開始点Pの時間timeは、time=time2とする。開始点Pにおける目標温度Ttgtsは、Ttgts=Tmin2+dT2として求める。ここでdT2は、PI制御の遅れ時間を考慮したオフセット温度であり、本実施例ではdT2=5℃としている。
終了点Pにおける目標温度Ttgteは、立ち上げ完了目標温度と同じ温度とする。終了点Pの時間timeは、time=time+W2として求める。W2は、一定の温度上昇速度TRRminで温度Tmin2から温度Ttgteまで温度上昇させるのに要する時間に対しオフセット時間dTimeを足したものであり、W2=(Ttgte−Tmin2)/TRRmin+dTimeとして求められる。オフセット時間dTimeは、オーバーシュートを抑え安定して立ち上げ完了目標温度に到達させる目的で設定されており、本実施例ではdTime=0.2secである。
中間点Pの時間timeは、W1=W2×0.8とした時、time=time+W1として求められる。中間点Pにおける目標温度Ttgtmは、温度Ttgtsから一定の温度上昇速度TRRminで時間W1だけ温度上昇させた時の温度として求め
られ、Ttgtm=TRRmin×W1+Ttgtsである。
以上のように、発熱ブロックHBminの立ち上げ速度TRRminを基準に求めた立ち上げ目標温度曲線は、発熱ブロックHBminの温度Tminとほぼ同じ推移を示す。従って、発熱ブロックHBotherの温度Totherを温度立ち上げ目標温度曲線に近づけるようにPI制御を実施することによって、各発熱ブロックの温度を揃えて立ち上げることが可能となり、実施例1と同様の効果を得ることができる。
[実施例3]
本発明の実施例3について説明する。実施例3の画像形成装置および像加熱装置の基本的な構成および動作は、実施例1のものと同じである。従って、実施例1と同一、又はそれに相当する機能、構成を有する要素には同一符号を付して詳しい説明は省略する。実施例3において特に説明しない事項は、実施例1と同様である。実施例3は、立ち上げ制御パラメータを発熱ブロックHBotherへの通電デューティー比とし、通電デューティー比を変更することで各発熱ブロックHBへの投入電力を揃えている点が、実施例1に対して異なる。
本実施例の立ち上げシーケンスは、すべての発熱ブロックHB(i=1〜7)に対し同一の固定デューティー比で通電する区間(S1000)と、PI制御により立ち上げる区間(S1003、実施例1のS1001に相当する)と、に分けられる。
固定デューティー比区間S1000では、各発熱ブロックHBにデューティー比100%で通電を行い、その時の発熱ブロックHB毎の電力W100i(i=1〜7)を算出する。電力W100iは、すなわち発熱ブロックHB毎の投入可能電力である。本実施例では、発熱ブロックそれぞれの電力を検知する電力検知手段を設けておき、通電開始から所定時間経過後の電力W100iを直接測定している。発熱ブロックHB毎の通電デューティー比100%時の電力W100iが求まると、立ち上げシーケンスはPI制御区間S1003に移行する。
PI制御区間S1003において、各発熱ブロックHBへの通電制御は、発熱ブロックHBの温度Tを立ち上げ完了目標温度に近づけるように、PI制御によって行われる。ただし、実際に発熱ブロックHBに通電するデューティー比Pdhは、発熱ブロックHB毎にPI制御により算出した通電デューテュー比をPd(i=1〜7、0≦Pd≦100)とした時、Pdh=Pd×Kより求められる。ここで、Kは補正係数であり、K=W100min/W100iとして求められる。W100minは、本実施例における発熱ブロックHBminの立ち上げ性能を示す値であり、電力W100i(i=1〜7)の中で最小のもの、すなわち最も立ち上げに時間を要する発熱ブロックHBminにおける通電デューティー比100%時の電力である。
以上のように、発熱ブロックHBminにおける通電デューティー比100%時の電力W100minを基準にして、通電デューティー比Pdhを変化させることで、各発熱ブロックHBの抵抗値にばらつきがあったとしても投入電力を揃えることができる。その結果、各発熱ブロックHBの温度を揃えて立ち上げることが可能となり、実施例1と同様の効果を得ることができる。
[実施例4]
本発明の実施例4について説明する。実施例4の画像形成装置および像加熱装置の基本的な構成および動作は、実施例1のものと同じである。従って、実施例1と同一、又はそれに相当する機能、構成を有する要素には同一符号を付して詳しい説明は省略する。実施例4において特に説明しない事項は、実施例1と同様である。実施例4は、立ち上げ制御
パラメータを発熱ブロックHBotherへ投入する電力とし、各発熱ブロックHBへの投入電力を揃えるよう調整している点が、実施例1に対して異なる。
本実施例の立ち上げシーケンスは、すべての発熱ブロックHB(i=1〜7)に対し同一の固定デューティー比で通電する区間(S1000)と、PI制御により立ち上げる区間(S1004、実施例1のS1001に相当する)と、に分けられる。
固定デューティー比区間S1000の動作は実施例1と同様のため説明は省略する。最も立ち上げに時間を要する発熱ブロックHBminの判断がつくと、立ち上げシーケンスはPI制御区間S1004に移行する。
PI制御区間S1004においては、発熱ブロックHB毎の電力Wti(i=1〜7)を逐次算出している。本実施例では、発熱ブロックそれぞれの電力を検知する電力検知手段を設けておき、電力Wtiを直接測定している。
PI制御区間S1004において、発熱ブロックHBminへの通電制御は、発熱ブロックHBminの温度Tminを立ち上げ完了目標温度に近づけるように、PI制御によって行われる。一方、発熱ブロックHBotherへの通電は、発熱ブロックHBotherにおける立ち上げ中の電力WtotherがWtminに近づくように通電制御している。ここで、Wtminは発熱ブロックHBminにおける立ち上げ中の電力であり、本実施例における発熱ブロックHBminの立ち上げ性能を示す値である。
以上のように、発熱ブロックHBminにおける立ち上げ中の電力Wtminを基準にして、発熱ブロックHBotherへ投入する電力Wtotherを変化させる。こうすることで、各発熱ブロックHBの抵抗値にばらつきがあったとしても立ち上げ中の投入電力を揃えることができる。その結果、各発熱ブロックHBの温度を揃えて立ち上げることが可能となり、実施例1と同様の効果を得ることができる。
[実施例5]
本発明の実施例5について説明する。実施例5の画像形成装置および像加熱装置の基本的な構成および動作は、実施例1のものと同じである。従って、実施例1と同一、又はそれに相当する機能、構成を有する要素には同一符号を付して詳しい説明は省略する。実施例5においてここで特に説明しない事項は、実施例1と同様である。実施例5は、立ち上げを開始するタイミングを立ち上げ制御パラメータとしている点が、実施例1に対して異なる。
図9を用いて、実施例5の立ち上げシーケンスにおけるヒータ発熱制御方法を説明する。図9は、サーミスタTHによって検知した発熱ブロックの温度推移の例を示している。
本実施例の立ち上げシーケンスは、発熱ブロックHB(i=1〜7)を第1次立ち上げ目標温度まで立ち上げる第1次立ち上げ区間S1005と、第1次立ち上げ目標温度から立ち上げ完了目標温度まで立ち上げる第2次立ち上げ区間S1006とに分けられる。
第1次立ち上げ区間S1005においては、まず、各発熱ブロックHBに対し100%のデューティー比で通電を開始する。本実施例では、立ち上げ完了目標温度TtgtBよりも低い温度で所定の第1次立ち上げ目標温度TtgtAが定められている。サーミスタTHによる検知温度が第1次立ち上げ目標温度TtgtAに到達した発熱ブロックHBは、順次、TtgtAを目標温度としたPI制御に通電方法を切り替えていく。また、100%のデューティー比で通電をしている間に、各発熱ブロックHBの立ち上げ速度TRR(単位時間当たりの温度上昇量)を求めておく。通電開始直後は温度上昇量が安
定しないため、立ち上げ速度TRRの測定は、通電を開始してから所定時間経過した後に行うことが望ましい。全ての発熱ブロックHBが第1次立ち上げ目標温度TtgtAに到達すると、立ち上げシーケンスは第2次立ち上げ区間S1006に移行する。
第2次立ち上げ区間S1006において、各発熱ブロックHBの通電制御は、発熱ブロックHBの温度Tを立ち上げ完了目標温度TtgtBに近づけるように、PI制御によって行われる。ただし、発熱ブロックHB毎に後述の方法で第2次立ち上げ遅延時間Twait_i(i=1〜7)を算出しておく。そして、第2次立ち上げ区間S1006に切り替わってから第2次立ち上げ遅延時間Twait_iの間は、目標温度を第1次立ち上げ目標温度TtgtAとする。
第2次立ち上げ遅延時間Twait_iは以下のように算出する。まず、立ち上げ速度TRRと第1次立ち上げ目標温度TtgtAと立ち上げ完了目標温度TtgtBとから、発熱ブロックHB毎の第2次立ち上げ所要時間W(i=1〜7)を、W=(TtgtB−TtgtA)/TRRとして算出する。第2次立ち上げ所要時間Wの内、最も時間が長いものをWminとする。Wminは、最も立ち上げに時間を要する発熱ブロックHBminにおける第2次立ち上げ所要時間であり、本実施例における発熱ブロックHBminの立ち上げ性能を示す値である。発熱ブロックHB毎の第2次立ち上げ遅延時間Twait_iは、Twait_i=Wmin−Wとして算出する。なお、最も立ち上げに時間を要する発熱ブロックHBminにおける第2次立ち上げ遅延時間Twait_minは、Twait_min=0となる。
以上のように、本実施例では、発熱ブロックHBminの第2次立ち上げ所要時間Wminを基準に発熱ブロックHBotherの第2次立ち上げ所要時間との差異(すなわち第2次立ち上げ遅延時間Twait_i)を求める。そして、第2次立ち上げ区間S1006にて温度を立ち上げ始めるタイミングを変化させている。すべての発熱ブロックHBがほぼ同時に立ち上げ完了目標温度TtgtBまで立ち上がるため、加圧ローラ208の温度分布のムラが比較例1に比べ抑制できる。その結果、画像の光沢度ムラやホットオフセットなどといった画像不良の発生を抑えることができる。
なお、本実施例では各発熱ブロックHBの立ち上げ速度TRRから発熱ブロックHB毎の第2次立ち上げ所要時間Wを求めたが、他の方法で第2次立ち上げ所要時間Wを求めてもよい。例えば、予め電力と立ち上げ速度の関係性を調べておけば、電力から立ち上げ速度を推定することができる。そこで、立ち上げシーケンス開始時に電源電圧を測定し、予め測定しておいた各発熱ブロックの抵抗値と合わせて電力を計算すれば、第2次立ち上げ所要時間Wを計算することができる。この場合、立ち上げシーケンスの初期時点で第2次立ち上げ所要時間Wが判るため、第1次立ち上げ区間S1005を省略することもできる。
[実施例6]
本発明の実施例6について説明する。実施例6の画像形成装置および像加熱装置の基本的な構成および動作は、実施例5のものと同じである。従って、実施例5と同一、又はそれに相当する機能、構成を有する要素には同一符号を付して詳しい説明は省略する。実施例6においてここで特に説明しない事項は、実施例5と同様である。実施例6は、第1次立ち上げ目標温度を発熱ブロック毎に変化させる点が、実施例5に対して異なる。
図10を用いて、実施例6の立ち上げシーケンスにおけるヒータ発熱制御方法を説明する。図10は、サーミスタTHによって検知した発熱ブロックの温度推移の例を示している。
本実施例の立ち上げシーケンスは、発熱ブロックHB(i=1〜7)を第1次立ち上げ目標温度まで立ち上げる第1次立ち上げ区間S1007と、第1次立ち上げ目標温度から立ち上げ完了目標温度まで立ち上げる第2次立ち上げ区間S1008とに分けられる。
第1次立ち上げ区間S1007においては、まず、各発熱ブロックHBに対し100%のデューティー比で通電を開始し、実施例2と同様に各発熱ブロックHBの立ち上げ速度TRRを求める。続いて、立ち上げ速度TRRを基に、立ち上げ完了目標温度TtgtBと後述する第2次立ち上げ時間Wとから、所定の第1次立ち上げ目標温度TtgtA_iを、TtgtA_i=TtgtB−TRR×Wとして算出する。サーミスタTHによる検知温度が第1次立ち上げ目標温度TtgtA_iに到達した発熱ブロックHBは、順次、TtgtA_iを目標温度としたPI制御に通電方法を切り替えていく。
全ての発熱ブロックHBが第1次立ち上げ目標温度TtgtA_iに到達した後、立ち上げシーケンスは第2次立ち上げ区間S1008に移行する。すなわち、最も立ち上げに時間を要する発熱ブロックHBminにおける立ち上げ速度をTRRmin、第1次立ち上げ目標温度をTtgtA_minとする。この場合、TRRminを基に算出されたTtgtA_minに応じて第2次立ち上げ区間への移行タイミングが変化する。
第2次立ち上げ区間S1008においては、各発熱ブロックHBの通電制御は、発熱ブロックHBの温度Tを立ち上げ完了目標温度TtgtBに近づけるように、PI制御によって行われる。第2次立ち上げ時間Wは、第2次立ち上げ区間S1008の時間長さであり、本実施例では、感光ドラム19上に形成された静電潜像が定着装置200の加熱領域A(i=1〜7)に到達するまでの時間と同一に設定している。すなわち、立ち上げシーケンスを第1次立ち上げ区間S1007から第2次立ち上げ区間S1008に切り替えると同時に、感光ドラム19上に静電潜像を形成し始める。
以上のように本実施例では、各発熱ブロックHBの立ち上げ速度TRRを基準として、第1次立ち上げ目標温度TtgtA_iを変化させている。と同時に、最も立ち上げに時間を要する発熱ブロックHBminにおける立ち上げ速度TRRminを基準として、第2次立ち上げ区間S1006への切り替えタイミングを変化させている。このような制御を実施することで、すべての発熱ブロックHBがほぼ同時に立ち上げ完了目標温度TtgtBまで立ち上がるため、加圧ローラ208の温度分布のムラが比較例1に比べ抑制できる。その結果、画像の光沢度ムラやホットオフセットなどといった画像不良の発生を抑えることができる。
[実施例7]
実施例7として、記録材P上のトナー画像の先端位置が加熱領域A毎に異なる場合について、図11を用いて説明する。実施例7の画像形成装置および像加熱装置の基本的な構成および動作は、実施例5のものと同じである。従って、実施例5と同一、又はそれに相当する機能、構成を有する要素には同一符号を付して詳しい説明は省略する。実施例7においてここで特に説明しない事項は、実施例5と同様である。
図11(A)は、本実施例においてプリントする画像の加熱領域Aに対する位置関係を示した図である。加熱領域A1、2、に対する画像の先端位置はp1、加熱領域A4、5、6、に対する画像の先端位置はp1より後ろ側のp2となっている。本実施例では、各発熱ブロックHBの立ち上げを、画像の先端位置が定着ニップNに到達するのに合わせて立ち上げ完了目標温度TtgtBに到達するようにしている。すなわち、画像先端位置がp2である発熱ブロックHB、HB、HB、HBの立ち上げ完了タイミングは、画像先端位置がp1である発熱ブロックHB、HB、HBの立ち上げ完了タイミングより遅い。
以降、各発熱ブロックHBの中で対応する画像の先端位置が最も先頭にある発熱ブロック(本実施例ではHB、HB、HB)をグループAとする。またグループA以外の発熱ブロック(本実施例ではクHB、HB、HB、HB)をグループBとする。
図11(B)は、グループAに属する発熱ブロックの立ち上げ時の温度推移を示した図である。グループA内で最も立ち上げに時間を要する発熱ブロックHBminの温度Tminを実線で、HBmin以外の発熱ブロックを代表してHBother1の温度Tother1を点線で示している。
図11(C)は、グループBに属する発熱ブロックの立ち上げ時の温度推移を示した図である。複数ある発熱ブロックの内、代表してHBother2の温度Tother2を点線で示している。
本実施例の立ち上げシーケンスは、発熱ブロックHB(i=1〜7)を第1次立ち上げ目標温度まで立ち上げる第1次立ち上げ区間S1005と、第1次立ち上げ目標温度から立ち上げ完了目標温度まで立ち上げる第2次立ち上げ区間S1009とに分けられる。
第1次立ち上げ区間S1005は、実施例5と同様のため説明を省略する。全ての発熱ブロックHBが所定の第1次立ち上げ目標温度TtgtAに到達すると、立ち上げシーケンスは第2次立ち上げ区間S1009に移行する。
第2次立ち上げ区間S1009において、各発熱ブロックHBの通電制御は、発熱ブロックHBの温度Tを立ち上げ完了目標温度TtgtBに近づけるように、PI制御によって行われる。ただし、発熱ブロックHB毎に後述の方法で第2次立ち上げ遅延時間Twait_i(i=1〜7)を算出しておく。そして、第2次立ち上げ区間S1009に切り替わってから第2次立ち上げ遅延時間Twait_iの間は、目標温度を第1次立ち上げ目標温度TtgtAとする。
第2次立ち上げ遅延時間Twait_iは、以下のように算出する。
まず、立ち上げ速度TRRと第1次立ち上げ目標温度TtgtAと立ち上げ完了目標温度TtgtBとから、発熱ブロックHB毎の第2次立ち上げ所要時間W(i=1〜7)を、W=(TtgtB−TtgtA)/TRRとして算出する。グループAの中の第2次立ち上げ所要時間Wの内、最も時間が長いものをWminとする。Wminは、最も立ち上げに時間を要する発熱ブロックHBminにおける第2次立ち上げ所要時間であり、本実施例における発熱ブロックHBminの立ち上げ性能を示す値である。また、図中では、発熱ブロックHBother1における第2次立ち上げ所要時間WをWother1で示している。また、発熱ブロックHBother2における第2次立ち上げ所要時間WをWother2で示している。
発熱ブロックHB毎の第2次立ち上げ遅延時間Twait_iは、Twait_i=(Wmin+pos_i)−Wとして算出する。ここで、Tpos_iは画像先端位置に係わる遅延時間であり、グループAの画像先端位置が定着ニップNに到達してから、各発熱ブロックHBに対応する画像の先端位置が定着ニップNに到達するまでの時間に相当する。また、図中では、発熱ブロックHBother1における第2次立ち上げ遅延時間Twait_iをTwait_other1で示している。また、発熱ブロックHBother2における第2次立ち上げ遅延時間Twait_iをTwait_other2で示している。
以上のように、本実施例では、画像の先端位置を加味して立ち上げ制御をおこなうことで、画像が到達する以前に不必要に加熱することを抑制している。その結果、画像の光沢
度ムラやホットオフセットなどといった画像不良の発生を抑えることができる。
[その他の実施例]
1.立ち上げ完了目標温度、立上げ前温度が均一でない場合
実施例1〜6では、立ち上げ完了目標温度は複数の発熱ブロックHB(i=1〜7)で同一であるとして説明したが、実際の画像印刷に際しては発熱ブロックHB毎に立ち上げ完了目標温度が異なっている場合がある。例えば、ハーフトーン画像のような低印字率画像は、ベタ画像のような高印字率画像と比べると、定着するために多くの熱量を必要とする。そのため、低印字率画像に対応する加熱領域Aを加熱する発熱ブロックHBは、その目標温度を高く設定されている。このように、発熱ブロックHB毎に立ち上げ完了目標温度が異なっている場合は、立ち上げ完了目標温度に応じた補正制御を行うことで本発明を適用し効果を得ることができる。例えば、立ち上げ完了目標温度が低ければ立ち上げに必要な熱量は少なくて済み早く目標温度に達することができる。従って、立ち上げ所要時間の大小を判断する際に、立ち上げ完了目標温度が低い発熱ブロックHBほど立ち上げ所要時間を小さく見積もるような補正を行えばよい。
また、印刷の履歴によって立ち上げ前の温度が発熱ブロックHB毎に異なる場合がある。もともと温かい発熱ブロックHBは少ない熱量で目標温度まで立ち上がるため早く目標温度に達することができる。従って、立ち上げ所要時間の大小を判断する際に、立ち上げ前の温度が高い発熱ブロックHBほど立ち上げ所要時間を小さく見積もるような補正を行えばよい。
以下に、発熱ブロックHB毎の立ち上げ前温度がTtgtA_i(i=1〜7)、発熱ブロックHB毎の立ち上げ完了目標温度がTtgtB_i(i=1〜7)であった場合における、補正制御の例を説明する。まず、実施例2と同様に、100%のデューティー比で通電をしている間に、各発熱ブロックHBの立ち上げ速度TRR(単位時間当たりの温度上昇量)を求めておく。次に、立ち上げ速度TRRと立ち上げ前温度TtgtA_iと立ち上げ完了目標温度TtgtB_iとから、発熱ブロックHB毎の立ち上げ所要時間W(i=1〜7)を、W=(TtgtB_i−TtgtA_i)/TRRとして算出する。以上の方法で立ち上げ所要時間Wを算出することで、立ち上げ前温度TtgtA_iが高いほど立ち上げ所要時間Wを小さく、また、立ち上げ完了目標温度TtgtB_iが低いほど立ち上げ所要時間Wを小さく見積もることができる。
2.発熱ブロック長さが均等ではない場合
ここまでの実施例中では、加熱領域Aおよび発熱ブロックHBの分割数と分割位置は、均等に7分割した例で説明したが、本発明の効果はこれに限定されるものではない。例えば、JIS B5紙(182mm×257mm)、A5紙(148mm×210mm)等の定型サイズの紙幅端に合わせた位置で分割しても構わない。このとき、分割位置によっては発熱ブロックHB毎の長さが異なる場合が生じる。長さの異なる発熱ブロックを同じ電力で発熱させた場合、発熱ブロックHB長さが短いほど単位長さ当たりの発熱量は大きくなり、立ち上がりが早くなる。従って、実施例中で、立ち上げ所要時間の判断、立ち上げ性能、立上げ制御パラメータ、として電力を使用している部分は、「電力」を「単位長さ当たりの電力」に置き換えることで、発熱量を揃えることができる。
3.発熱ブロックHBのうち一部が独立でない場合
ここまでの実施例中では、すべての発熱ブロックHBが独立に発熱制御可能な例で説明したが、発熱ブロックHBのうち一部が共通制御、または従属制御となっていても構わない。この場合、共通制御、または従属制御となっている発熱ブロック群を一つのグループ(以降、非独立グループと称す)とする。そして、非独立グループ内の発熱ブロックにおける立ち上げ性能を示すパラメータの平均値または最悪値を求め、非独立グループの
代表値とする。ここで、立ち上げ性能を示すパラメータとは、通電デューティー比100%時の電力W100i、立ち上げ所要時間W、立ち上げ速度TRR、など立ち上げ所要時間の大小を判断できる数値である。非独立グループの代表値を、独立制御可能な発熱ブロックの立ち上げ性能を示すパラメータと比較することで、立ち上げ所要時間の大小を判断する。その結果、非独立グループが最も立ち上げに時間を要する発熱ブロックであると判断された場合は、非独立グループの立ち上げ性能の代表値を基準として、各発熱ブロックHBの立ち上げ制御パラメータを調整すればよい。非独立グループが複数存在する場合も同様である。
上記各実施例は、それぞれの構成を可能な限り互いに組み合わせることができる。
100…画像形成装置、200…定着装置(像加熱装置)、300…ヒータ、302a−1〜302a−7、302b−1〜302b−7…発熱体

Claims (22)

  1. 基板と、前記基板上に設けられた前記基板の長手方向に並ぶ複数の発熱体と、を有するヒータを有し、前記ヒータの熱を利用して記録材に形成された画像を加熱する像加熱部であって、前記長手方向に分割された複数の加熱領域を有する像加熱部と、
    前記複数の加熱領域を選択的に加熱すべく、前記複数の発熱体の通電を選択的に制御する通電制御部と、
    を備える像加熱装置において、
    前記複数の発熱体のそれぞれの発熱体について、通電時の温度の上昇の割合を示す立ち上げ性能を取得する取得部を備え、
    前記通電制御部は、前記複数の発熱体をそれぞれ所定の目標温度まで昇温させる立ち上げシーケンスにおいて、前記取得部が取得した前記立ち上げ性能に基づいて、前記立ち上げ性能が互いに異なる発熱体が同じタイミングで前記所定の目標温度に到達するように、前記複数の発熱体の通電を選択的に制御することを特徴とする像加熱装置。
  2. 前記取得部は、前記複数の発熱体をそれぞれ所定の電力で通電したときに通電を開始してから所定の温度に到達するまでに要する所要時間に基づいて、前記立ち上げ性能を取得することを特徴とする請求項1に記載の像加熱装置。
  3. 前記取得部は、前記通電制御部が前記複数の発熱体に対してそれぞれ一定のデューティー比により通電している間に、前記立ち上げ性能を取得することを特徴とする請求項1または2に記載の像加熱装置。
  4. 前記通電制御部は、前記立ち上げ性能が互いに異なる発熱体が、同じ単位時間当たりの温度上昇量で、同じタイミングで前記所定の目標温度に到達するように、前記複数の発熱体の通電を選択的に制御することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の像加熱装置。
  5. 前記通電制御部は、前記所定の目標温度に到達する前に設定される途中の目標温度を、前記立ち上げ性能が互いに異なる発熱体のそれぞれにおいて同じ温度に設定して、前記複数の発熱体の通電を選択的に制御することを特徴とする請求項4に記載の像加熱装置。
  6. 前記取得部は、
    前記複数の発熱体でそれぞれ消費される電力を検知する電力検知手段を含み、
    前記通電制御部が前記複数の発熱体に対してそれぞれ一定のデューティー比により通電している間に、前記電力検知手段に検知される電力に基づいて、前記立ち上げ性能を取得することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の像加熱装置。
  7. 前記通電制御部は、前記複数の発熱体のうち前記立ち上げ性能が最も高い第1の発熱体が前記所定の目標温度に到達するタイミングと同じタイミングで、前記第1の発熱体よりも前記立ち上げ性能が低い第2の発熱体が前記所定の目標温度に到達するように、前記複数の発熱体の通電を選択的に制御することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の像加熱装置。
  8. 前記取得部は、前記第1の発熱体の単位時間当たりの温度上昇量を取得し、
    前記通電制御部は、前記第2の発熱体が、前記第1の発熱体の単位時間当たりの温度上昇量と同じ単位時間当たりの温度上昇量で、昇温するように、前記複数の発熱体の通電を選択的に制御することを特徴とする請求項7に記載の像加熱装置。
  9. 前記複数の加熱領域のそれぞれの温度を検知する温度検知手段をさらに備え、
    前記通電制御部は、前記温度検知手段が検知する温度に基づいて取得される前記第2の発熱体の前記所定の目標温度に到達する前の温度を、前記第1の発熱体の通電の制御における前記所定の目標温度に到達する前の途中の目標温度に設定することを特徴とする請求項7または8に記載の像加熱装置。
  10. 前記通電制御部は、前記第1の発熱体の通電の制御における前記所定の目標温度に到達する前の途中の目標温度を、前記第2の発熱体の通電の制御における前記所定の目標温度に到達する前の途中の目標温度と同じ温度に設定することを特徴とする請求項7または8に記載の像加熱装置。
  11. 前記通電制御部は、前記第2の発熱体に対する通電デューティー比を調整することで、前記第1の発熱体が前記所定の目標温度に到達するタイミングと同じタイミングで、前記第2の発熱体を前記所定の目標温度に到達させることを特徴とする請求項7〜10のいずれか1項に記載の像加熱装置。
  12. 前記取得部は、
    前記第1の発熱体と前記第2の発熱体でそれぞれ消費される電力を検知する電力検知手段を含み、
    前記通電制御部は、前記電力検知手段が検知する電力に基づいて、前記第2の発熱体で消費される電力の量が、前記第1の発熱体で消費される電力の量と同じになるように、通電を制御することを特徴とする請求項7〜11のいずれか1項に記載の像加熱装置。
  13. 前記通電制御部は、前記第1の発熱体を昇温させるタイミングを、前記第2の発熱体を昇温させるタイミングより遅らせることで、前記第2の発熱体が前記所定の目標温度に到達するタイミングと同じタイミングで、前記第1の発熱体を前記所定の目標温度に到達させることを特徴とする請求項7に記載の像加熱装置。
  14. 前記通電制御部は、
    前記複数の発熱体の通電の制御において、前記所定の目標温度よりも低い温度である第1の目標温度まで発熱体を昇温させる第1次立ち上げ区間と、前記第1の目標温度から前記所定の目標温度まで発熱体を昇温させる第2次立ち上げ区間と、を有し、
    前記第1の発熱体の通電の制御における前記第2次立ち上げ区間を開始するタイミングを、前記第2の発熱体の通電の制御における前記第2次立ち上げ区間を開始するタイミングより遅らせることを特徴とする請求項13に記載の像加熱装置。
  15. 前記通電制御部は、
    前記複数の発熱体の通電の制御において、前記所定の目標温度よりも低い温度である第1の目標温度まで発熱体を昇温させる第1次立ち上げ区間と、前記第1の目標温度から前記所定の目標温度まで発熱体を昇温させる第2次立ち上げ区間と、を有し、
    前記第1の目標温度を前記複数の発熱体のそれぞれにおいて個別に設定することを特徴とする請求項13に記載の像加熱装置。
  16. 前記通電制御部は、前記第1の発熱体の通電の制御において設定される前記所定の目標温度に到達する前の途中の目標温度と、前記第2の発熱体の通電の制御において設定される前記所定の目標温度に到達する前の途中の目標温度と、をそれぞれ個別に設定することを特徴とする請求項13に記載の像加熱装置。
  17. 前記通電制御部は、前記複数の発熱体について、それぞれ個別に前記所定の目標温度を設定し、
    前記取得部が取得する前記立ち上げ性能は、前記複数の発熱体のうち前記所定の目標温
    度が低い発熱体ほど低いことを特徴とする請求項1〜16のいずれか1項に記載の像加熱装置。
  18. 前記通電制御部は、前記複数の発熱体について、それぞれ個別に前記所定の目標温度を設定し、
    前記取得部が取得する前記立ち上げ性能は、前記複数の発熱体のうち通電を開始する前の温度が高い発熱体ほど低いことを特徴とする請求項1〜16のいずれか1項に記載の像加熱装置。
  19. 前記通電制御部は、前記複数の発熱体について、それぞれ個別に前記所定の目標温度を設定し、
    前記取得部が取得する前記立ち上げ性能は、前記複数の発熱体のうち前記所定の目標温度と通電を開始する前の温度との差が小さい発熱体ほど低いことを特徴とする請求項1〜16のいずれか1項に記載の像加熱装置。
  20. 前記所定の目標温度は、前記画像の加熱のための目標温度であることを特徴とする請求項1〜19のいずれか1項に記載の像加熱装置。
  21. 内面が前記ヒータに接触しつつ回転する筒状のフィルムを有し、記録材上の画像は前記フィルムを介して加熱されることを特徴とする請求項1〜20のいずれか1項に記載の像加熱装置。
  22. 記録材に画像を形成する画像形成部と、
    記録材に形成された画像を記録材に定着する定着部として、請求項1〜21のいずれか1項に記載の像加熱装置と、
    を備えることを特徴とする画像形成装置。
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