JP2019123059A - キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 - Google Patents
キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019123059A JP2019123059A JP2018006654A JP2018006654A JP2019123059A JP 2019123059 A JP2019123059 A JP 2019123059A JP 2018006654 A JP2018006654 A JP 2018006654A JP 2018006654 A JP2018006654 A JP 2018006654A JP 2019123059 A JP2019123059 A JP 2019123059A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- wafer
- polishing
- manufacturing
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 90
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 41
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 77
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- 239000012050 conventional carrier Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000013441 quality evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001200 Ferrotitanium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23P—METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
- B23P9/00—Treating or finishing surfaces mechanically, with or without calibrating, primarily to resist wear or impact, e.g. smoothing or roughening turbine blades or bearings; Features of such surfaces not otherwise provided for, their treatment being unspecified
- B23P9/02—Treating or finishing by applying pressure, e.g. knurling
- B23P9/025—Treating or finishing by applying pressure, e.g. knurling to inner walls of holes by using axially moving tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/28—Work carriers for double side lapping of plane surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Abstract
Description
上記のように、工程aにおいて、まず、キャリアを製造するための材料となる原料板材を準備する。このような原料板材は、金属製の板材であることが好ましい。金属として合金も用いることができる。具体的には、チタン製やステンレス鋼(SUS)製の板材を用いることができる。原料板材は、通常、圧延等により板形状に加工されている。このとき、図1(a)に示したように、加工歪が原料板材11に残留している。図中では、加工歪を縦線により模式的に示した。
上記のように、工程bにおいては、原料板材に保持孔(ウェーハ仕込みホールとも言う)を形成する。このとき、保持孔の形成をレーザー加工により行うことが好ましい。簡便に精度良く保持孔を形成することができるからである。ただし、必要に応じてレーザー加工以外の方法も、レーザー加工に代えて、又は、レーザー加工に加えて採用することができる。
上記のように、工程cにおいては、保持孔及び必要に応じて保持孔以外の孔及び外周のギア形状を形成した原料板材を、250μm以上のラップ代でラッピング加工する。ラッピング加工を経て図1(c)に示したキャリア13を得ることができる。本発明においては、このラッピング加工において、250μm以上のラップ代で加工することが特徴である。本発明においては、ラップ代を250μm以上と従来よりも大きく確保しているため、図1(c)に示したように、キャリア13において加工歪の残留量が低減されている。
本発明のキャリアの製造方法においては、熱処理、保持孔へのインサート挿入、ポリッシング等のその他の工程も有することができる。その他の工程も含む本発明のキャリアの製造方法の流れを図2に示した。
上記のように本発明の製造方法により製造したキャリアを用いてウェーハを両面研磨することができる。具体的には、研磨布が貼付された上下定盤の間に本発明のキャリアの製造方法によって製造されたキャリアを配設する。次に、キャリアに形成された保持孔にウェーハを保持し、上下定盤の間に挟んで両面研磨する。
同一ロットの原料板材を用いてラップ代を変えてキャリアの反りを調べた。その結果、以下に示すように、250μm以上のラップ代でラッピング加工することにより、キャリアの反り量が飽和状態になることを確認できた。このように、ラップ代を250μm以上にしたキャリアにすることで問題を解決できることがわかった。
研磨加工条件
装置 : 不二越機械製両面研磨機 DSP−C70
加工ウェーハ : 直径300mm P−品<110>
加工部材 : 研磨布 硬質発泡ウレタンパッド
研磨スラリー NaOHベースコロイダルシリカ
加工加重 150g/cm2
加工回転 上定盤 −13.4rpm 下定盤 35rpm
インターナルギア回転 7rpm サンギア回転 25rpm
品質評価条件
装置: WaferSight2 KLA製平坦度テスター
12、52…キャリア形状に加工後の板材、
13、53…キャリア、
101…キャリア、 103…インサート、 104…保持孔、
108…上定盤、 109…下定盤、 110…研磨布、 111…サンギア、
112…インターナルギア、 113…保持孔以外の孔、
120…両面研磨装置。
Claims (7)
- ウェーハの両面を研磨する両面研磨装置における、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれる前記ウェーハを保持するための保持孔が形成されたキャリアを製造する方法であって、
前記キャリアを製造するための材料となる原料板材を準備する工程と、
前記原料板材に前記保持孔を形成する工程と、
前記保持孔を形成した原料板材を、250μm以上のラップ代でラッピング加工する工程と、
を有することを特徴とするキャリアの製造方法。 - 前記原料板材として、金属製の板材を用いることを特徴とする請求項1に記載のキャリアの製造方法。
- 前記保持孔の形成をレーザー加工により行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のキャリアの製造方法。
- 少なくとも前記保持孔を形成した後に、前記原料板材を熱処理する工程と、前記ラッピング加工した後に、前記原料板材をポリッシングする工程と、をさらに有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のキャリアの製造方法。
- 少なくとも前記保持孔を形成した後に、前記保持されるウェーハの周縁部に接する内周面を有するリング状のインサートを前記原料板材に形成された前記保持孔の内周に沿って配置させる工程を、さらに有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のキャリアの製造方法。
- 少なくとも前記ラッピング加工の前に、前記原料板材に対し、前記保持孔以外の孔を形成するとともに前記原料板材の外周をギア形状に加工することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のキャリアの製造方法。
- 前記ウェーハの両面を研磨する方法であって、研磨布が貼付された上下定盤の間に請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のキャリアの製造方法によって製造されたキャリアを配設し、該キャリアに形成された前記保持孔に前記ウェーハを保持し、前記上下定盤の間に挟んで両面研磨することを特徴とするウェーハの両面研磨方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018006654A JP6870623B2 (ja) | 2018-01-18 | 2018-01-18 | キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 |
TW107147300A TWI804554B (zh) | 2018-01-18 | 2018-12-27 | 載體的製造方法及晶圓的雙面研磨方法 |
KR1020190004571A KR102657849B1 (ko) | 2018-01-18 | 2019-01-14 | 캐리어의 제조방법 및 웨이퍼의 양면 연마방법 |
CN201910035973.1A CN110052955B (zh) | 2018-01-18 | 2019-01-15 | 载体的制造方法及晶圆的双面研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018006654A JP6870623B2 (ja) | 2018-01-18 | 2018-01-18 | キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019123059A true JP2019123059A (ja) | 2019-07-25 |
JP6870623B2 JP6870623B2 (ja) | 2021-05-12 |
Family
ID=67315969
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018006654A Active JP6870623B2 (ja) | 2018-01-18 | 2018-01-18 | キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6870623B2 (ja) |
KR (1) | KR102657849B1 (ja) |
CN (1) | CN110052955B (ja) |
TW (1) | TWI804554B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7506394B2 (ja) | 2020-04-13 | 2024-06-26 | 相模ピーシーアイ株式会社 | 積層体仮キャリアの製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111745535B (zh) * | 2020-07-07 | 2022-09-02 | 郑州宇光复合材料有限公司 | 一种手机玻璃研磨用耐磨护圈 |
CN116175397A (zh) * | 2022-12-13 | 2023-05-30 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于研磨硅片的设备和方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000271858A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-03 | Sanko Spring Kk | ラッピング用キャリヤ |
JP2001358095A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-12-26 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | 半導体ウェーハの両面ポリッシング方法及び該方法を実施するためのキャリア |
JP2010052087A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 軸受研削用治具 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19905737C2 (de) * | 1999-02-11 | 2000-12-14 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit verbesserter Ebenheit |
CN1446142A (zh) * | 2000-08-07 | 2003-10-01 | Memc电子材料有限公司 | 用双面抛光加工半导体晶片的方法 |
KR100550491B1 (ko) * | 2003-05-06 | 2006-02-09 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 질화물 반도체 기판 및 질화물 반도체 기판의 가공 방법 |
JP5233888B2 (ja) * | 2009-07-21 | 2013-07-10 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法 |
JP5630414B2 (ja) * | 2011-10-04 | 2014-11-26 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの加工方法 |
JP2013235898A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-21 | Shirasaki Seisakusho:Kk | 両面研磨装置用キャリアの製造方法及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 |
JP5847789B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2016-01-27 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法およびウエーハの両面研磨方法 |
JP6470976B2 (ja) * | 2015-01-19 | 2019-02-13 | Kbセーレン株式会社 | 被研磨物保持材 |
JP6443370B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2018-12-26 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用のキャリアの製造方法およびウェーハの両面研磨方法 |
-
2018
- 2018-01-18 JP JP2018006654A patent/JP6870623B2/ja active Active
- 2018-12-27 TW TW107147300A patent/TWI804554B/zh active
-
2019
- 2019-01-14 KR KR1020190004571A patent/KR102657849B1/ko active IP Right Grant
- 2019-01-15 CN CN201910035973.1A patent/CN110052955B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000271858A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-03 | Sanko Spring Kk | ラッピング用キャリヤ |
JP2001358095A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-12-26 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | 半導体ウェーハの両面ポリッシング方法及び該方法を実施するためのキャリア |
JP2010052087A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 軸受研削用治具 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7506394B2 (ja) | 2020-04-13 | 2024-06-26 | 相模ピーシーアイ株式会社 | 積層体仮キャリアの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190088414A (ko) | 2019-07-26 |
JP6870623B2 (ja) | 2021-05-12 |
CN110052955A (zh) | 2019-07-26 |
KR102657849B1 (ko) | 2024-04-17 |
CN110052955B (zh) | 2022-08-12 |
TW201933463A (zh) | 2019-08-16 |
TWI804554B (zh) | 2023-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3925580B2 (ja) | ウェーハ加工装置および加工方法 | |
WO2011102078A1 (ja) | 研磨ヘッド及び研磨装置 | |
US11969856B2 (en) | Wafer manufacturing method and wafer | |
KR20090029270A (ko) | 양면 연마 장치용 캐리어 및 이를 이용한 양면 연마 장치 및 양면 연마 방법 | |
JP2007096015A (ja) | 半導体ウェーハの両頭研削装置、静圧パッドおよびこれを用いた両頭研削方法 | |
KR102004705B1 (ko) | 양면 연마 방법 | |
JP2009302409A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
TWI608897B (zh) | Monolithic lapping method for semiconductor wafer and monolithic lapping device for semiconductor wafer | |
JP6870623B2 (ja) | キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 | |
JP2013116508A (ja) | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 | |
JP5870960B2 (ja) | ワークの研磨装置 | |
KR20160071366A (ko) | 연마용 발포 우레탄 패드의 드레싱 장치 | |
JP5381304B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP6471686B2 (ja) | シリコンウェーハの面取り方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ | |
JP5282440B2 (ja) | 評価用ウェーハ及び両面研磨の研磨代の評価方法 | |
JP2016159384A (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
JP7099614B1 (ja) | テンプレートアセンブリ、研磨ヘッド及びウェーハの研磨方法 | |
JP7363978B1 (ja) | ウェーハ研磨条件の決定方法、ウェーハの製造方法およびウェーハ片面研磨システム | |
JP7388324B2 (ja) | ウェーハの片面研磨方法、ウェーハの製造方法、およびウェーハの片面研磨装置 | |
JP2023159656A (ja) | ウェーハの両面研磨方法 | |
JP2023158771A (ja) | 両面研磨用キャリア及びこれを用いたシリコンウェーハの両面研磨方法及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210316 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210329 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6870623 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |