JP2019121764A - 配線板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】短絡や接触不良などの実装不良の少ない配線板の提供。【解決手段】実施形態の配線板１は、少なくとも２層の導体層および導体層の間に介在する樹脂絶縁層を有する基板１０と、基板１０の一方の表面である第１面１０Ｆの上に積層される補強層５とを有している。そして、基板１０は、第１面１０Ｆを構成する第１樹脂絶縁層２１、および、第１面１０Ｆにおける第１樹脂絶縁層２１の凹部２１ａに埋まっている第１導体層１１を少なくとも含み、第１導体層１１は、複数の内周導体パッド１１１および複数の外周導体パッド１１２を含み、補強層５は、複数の内周導体パッド１１１を底面に露出させるキャビティ７を構成する貫通孔５ａを有し、複数の内周導体パッド１１１の一部または全部に金属バンプ３が形成されており、金属バンプ３は、第１樹脂絶縁層２１において第１面１０Ｆを構成する表面２１ｂから突出している。【選択図】図１

Description

本発明は配線板およびその製造方法に関する。

特許文献１には、積層された第１回路基板および第２回路基板を含み、第２回路基板の電子部品実装エリアを露出させる開口（キャビティ）を有するプリント配線板が開示されている。電子部品実装エリアには、ビア導体の底面によって構成される電子部品への接続用パッドが設けられている。

特開２０１６−８６０２４号公報

特許文献１のプリント配線板では、電子部品への接続用パッドを構成するビア導体の底面は、ビア導体の周囲の樹脂絶縁層の表面よりも極僅かに凹んでいる。電子部品を接続するために用いられるはんだなどが、個々の接続用パッドから隣接する接続用パッドに向って広がり易く、短絡などの実装不良が発生し易いと考えられる。

本発明の配線板は、少なくとも２層の導体層および前記少なくとも２層の導体層の間に介在する樹脂絶縁層を有する基板と、前記基板の一方の表面である第１面の上に積層される補強層とを有している。そして、前記基板は、前記第１面を構成する第１樹脂絶縁層、および、前記第１面における前記第１樹脂絶縁層の凹部に埋まっている第１導体層を少なくとも含み、前記第１導体層は、複数の内周導体パッド、および前記複数の内周導体パッドの外側に形成されている複数の外周導体パッドを含み、前記補強層は、前記複数の内周導体パッドを底面に露出させるキャビティを構成する貫通孔を有し、前記複数の内周導体パッドの一部または全部に金属バンプが形成されており、前記金属バンプは、前記第１樹脂絶縁層において前記第１面を構成する表面から突出している。

本発明の配線板の製造方法は、第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層の表面に一面を露出させて前記第１樹脂絶縁層に埋まっていて複数の導体パッドを有する第１導体層とを少なくとも含む基板を用意することと、前記複数の導体パッドの一部に前記第１樹脂絶縁層の前記表面から突出する金属バンプを形成することと、シート状の絶縁性部材を用意することと、前記絶縁性部材の一部と前記基板との剥離を容易化する剥離膜を、前記金属バンプを覆うように設けることと、前記第１樹脂絶縁層の前記表面および前記第１導体層の前記一面によって構成される前記基板の第１面の上ならびに前記剥離膜の上に前記絶縁性部材を積層することによって補強層を形成することと、前記補強層の一部を前記剥離膜と共に除去することによってキャビティを形成すると共に前記金属バンプを露出させることと、を含んでいる。

本発明の実施形態によれば、短絡や接触不良などの実装不良の少ない配線板を提供することができる。

本発明の一実施形態の配線板の一例を示す断面図。 図１の配線板の平面図。 一実施形態の配線板の他の例を示す断面図。 一実施形態の配線板の他の例を示す断面図。 一実施形態の配線板の他の例を示す断面図。 一実施形態の配線板における金属バンプの他の例を示す拡大図。 一実施形態の配線板における金属バンプの他の例を示す拡大図。 一実施形態の配線板における金属バンプの他の例を示す拡大図。 一実施形態の配線板における金属バンプの他の例を示す拡大図。 本発明の一実施形態の配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線板の製造方法の他の例を示す図。 本発明の一実施形態の配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線板の製造方法の一例を示す図。 一実施形態の配線板の製造方法における被覆層の形成方法の一例を示す図。 一実施形態の配線板の製造方法における被覆層の形成方法の一例を示す図。 一実施形態の配線板の製造方法における被覆層の形成方法の一例を示す図。 一実施形態の配線板の製造方法における被覆層の形成方法の一例を示す図。 一実施形態の配線板の製造方法における金属バンプの形成方法の他の例を示す図。 一実施形態の配線板の製造方法における金属バンプの形成方法の他の例を示す図。 本発明の他の実施形態の配線板の一例を示す断面図。 本発明の他の実施形態の配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の他の実施形態の配線板の製造方法の一例を示す図。

つぎに、本発明の一実施形態の配線板が図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の配線板の一例である配線板１の断面図が示され、図２には配線板１の平面図が示されている（図１は図２のＩ−Ｉ線での断面図である）。図１および図２に示されるように、配線板１は、基板１０と、基板１０の一方の表面である第１面１０Ｆの上に積層される補強層５とを有している。基板１０は、第１面１０Ｆを構成する第１樹脂絶縁層２１、および、第１面１０Ｆにおける第１樹脂絶縁層２１の凹部２１ａに埋まっている第１導体層１１を少なくとも含み、少なくとも２層の導体層、および、その少なくとも２層の導体層それぞれの間にそれぞれ介在している１または複数の樹脂絶縁層を有している。図１の例では、基板１０は、第１導体層１１に加えて第２導体層１２および第３導体層１３を有し、これら各導体層それぞれの間にそれぞれ介在している第１樹脂絶縁層２１および第２樹脂絶縁層２２を有している。第１導体層１１は、複数の内周導体パッド１１１、および、複数の内周導体パッド１１１の外側に形成されている複数の外周導体パッド１１２を含んでいる。補強層５は貫通孔５ａを有している。貫通孔５ａは、基板１０の第１面１０Ｆと共に、キャビティ７を構成している。キャビティ７は、複数の内周導体パッド１１１を底面に露出させている。複数の内周導体パッド１１１には金属バンプ３が形成されている。そして、金属バンプ３は、第１樹脂絶縁層２１において基板１０の第１面１０Ｆを構成する表面２１ｂから突出している。

キャビティ７の底面は、基板１０の第１面１０Ｆの一部によって構成されている。従って、キャビティ７の底面は、第１樹脂絶縁層２１の表面２１ｂの一部、および、第１導体層１１におけるキャビティ７に露出する一面１１ａの一部を含んでいる。キャビティ７には、配線板１に実装される、半導体装置などの外部の電子部品（図示せず）が収容される。内周導体パッド１１１には、このような外部の電子部品の端子が直接、または、はんだなどの接合材を介して接続され得る。キャビティ７の深さＤ７は、キャビティ７の内部に実装される外部の電子部品の厚さ（高さ）に応じて任意に選択され得る。キャビティ７の深さＤ７は、たとえば、３０μｍ以上、５００μｍ以下である。

本実施形態では、内周導体パッド１１１に金属バンプ３が形成されている。外部の電子部品の端子（図示せず）は金属バンプ３に接続され得る。金属バンプ３は、図１および図２の例では、キャビティ７の底面に露出する全ての内周導体パッド１１１に形成されている。しかし金属バンプ３は、複数個設けられる内周導体パッド１１１の一部だけに形成されてもよい。金属バンプ３は、好ましくは、電子部品の端子が接続される全ての内周導体パッド１１１に形成される。

本実施形態では、金属バンプ３が第１樹脂絶縁層２１の表面２１ｂから突出しているため、金属バンプ３を介して外部の電子部品の端子を内周接続パッド１１１に確実に接続することができる。たとえば、端子の表面とその周囲のパッケージ本体の表面とがほぼ面一であるＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）などのパッケージ形態を有する電子部品の実装においても接触不良などが発生し難いと推定される。従って、外部の電子部品と第１導体層１１との接続不良を抑制することができると考えられる。また、はんだなどの接合材を用いて外部の電子部品を内周導体パッド１１１に接続する場合には、個々の金属パンプ３上に供給されるはんだは、溶融時に、隣接する金属バンプ３に向って濡れ広がらずに金属バンプ３の側面を流れ落ちる。そのため、はんだなどが互いに接触し難いと推定され、隣接する個々の内周導体パッド１１１同士の短絡不良が抑制されると考えられる。すなわち、本実施形態によれば、短絡不良および接触不良の両方の実装不良が抑制されると考えられる。

金属バンプ３は、内周導体パッド１１１の露出面上に形成されている凸状物である。金属バンプ３の材料には、任意の金属が用いられ得る。たとえば、銅、ニッケル、パラジウム、金、アルミニウム、錫、または、はんだなどが例示される。これらの金属材料が単独で用いられてもよく、後述するように、組み合わせて用いられてもよい。好ましくは、金属バンプ３は、内周導体パッド１１１の材料と同じ材料を用いて形成される。

金属バンプ３の高さは、５μｍ以上、３０μｍ以下が好ましく、より好ましくは、金属バンプ３の高さは、５μｍ以上、１５μｍ以下である。金属バンプ３が、このような高さを有していると、前述した実装不良を抑制できると共に、キャビティ７の実質的な深さに顕著に影響することもないと考えられる。

金属バンプ３の形状は、「バンプ」という名称によって限定されない。金属バンプ３は、第１樹脂絶縁層２１の表面２１ｂから突出しさえすれば、任意の形状を有し得る。図１に示されるように柱状であってもよく、錐台状であってもよく、錐台の上下を反転させた逆錐台状でもよい。さらに、金属バンプ３の表面は全体的に球冠状の整った曲面であってもよく、任意の曲面であってもよい。また、金属バンプ３の平面形状（配線板１の厚さ方向と平行方向の視線で配線板１を見た時に映る金属バンプ３の輪郭の形状）は、円形、楕円形、四角形または四角形以外の多角形であってもよく、これら以外の任意の形状であってもよい。

補強層５は、少なくとも１つの樹脂絶縁層を含み、好ましくは基板１０側と反対側の最外層に導体層をさらに含む。図１の例では、補強層５は、第３樹脂絶縁層２３、第４導体層１４、第４樹脂絶縁層２４および第５導体層１５を含んでいる。補強層５における基板１０側の最も外側の層として第３樹脂絶縁層２３が形成され、基板１０の第１面１０Ｆと第４導体層１４との間に介在している。第４導体層１４と第５導体層１５との間には第４樹脂絶縁層２４が介在している。補強層５は、１つ、または２つ以上の任意の数の樹脂絶縁層を含んでいてもよく、図１の例よりも多くの、または少ない数の導体層を含んでいてもよい。

補強層５には、補強層５を貫通する貫通導体６が複数個設けられている。貫通導体６は、第１導体層１１と第５導体層１５とを接続している。貫通導体６は、さらに、第１導体層１１および第５導体層１５それぞれと、第４導体層１４とを接続している。複数の貫通導体６それぞれは、第１導体層１１の複数の外周導体パッド１１２のいずれか１つに接続されている。

図１の配線板１は、さらに、補強層５の第４樹脂絶縁層２４および第５導体層１５上に形成されている第５樹脂絶縁層２５、および、第５樹脂絶縁層２５の上に形成されている第６導体層１６を含んでいる。より複雑な電気回路が配線板１の中に形成され得る。第５樹脂絶縁層２５は、補強層５の貫通孔５ａに連通する貫通孔２５ａを有している。貫通孔２５ａは、補強層５の貫通孔５ａの開口サイズと略同じ開口サイズを有し、貫通孔５とほぼ重なる位置に形成されている。貫通孔２５ａの内壁は、第５樹脂絶縁層２５におけるキャビティ７の内壁を構成している。

基板１０の第３導体層１３は下側接続パッド１３ａを含んでいる。下側接続パッド１３ａは、たとえば、配線板１が用いられる電子機器のマザーボードや、積層構造を有する半導体装置のパッケージ基板などとの接続に用いられ得る。また、第６導体層１６は、上側接続パッド１６ａを含んでいる。上側接続パッド１６ａは、配線板１における補強層５側の表面に実装される電子部品や外部の配線板（図示せず）との接続に用いられ得る。上側接続パッド１６ａに接続される配線板や電子部品は、たとえば、キャビティ７を跨ぐように、第６導体層１６上に配置され得る。

図１の例では、基板１０は第１面１０Ｆと反対の表面にソルダーレジスト層４１を有している。ソルダーレジスト層４１は、第３導体層１３および第２樹脂絶縁層２２の表面上に形成されている。また、配線板１は、第６導体層１６および第５樹脂絶縁層２５の表面上に形成されたソルダーレジスト層４２を備えている。ソルダーレジスト層４１、４２は、たとえば、感光性のポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を用いて形成されている。ソルダーレジスト層４１、４２は、下側接続パッド１３ａまたは上側接続パッド１６ａを露出させる開口を有している。

図１および図２の例では、キャビティ７は、配線板１の中央部に設けられ、四角形の開口形状を有している。３行３列のマトリクス状に配列された内周導体パッド１１１がキャビティ７に露出している。図２には示されていないが、外周導体パッド１１２は、基板１０の第１面１０Ｆ上においてキャビティ７の周囲の補強層５に覆われている領域に形成されている。

第１導体層１１には、複数の内周導体パッド１１１のうちの隣接する２つの間に配線１１３が設けられている。このように、外部の電子部品との接続パッドとして用いられ得る内周導体パッド１１１同士の間に配線１１３を設けることによって、複数の内周導体パッド１１１が形成されている領域を横切る導電路が短い配線長で設けられ得る。また、複数の内周導体パッド１１１それぞれと配線板１内に設けられる任意の導体パターンとを短い配線長で接続できることがある。本実施形態では、内周導体パッド１１１に金属バンプ３が形成されているので、はんだなどが供給され得る金属バンプ３の接続面３ａ（内周導体パッド１１１側と反対側の端面）と配線１１３の露出面との間には段差が存在する。従って、このように配線１１３が設けられても、はんだなどによる短絡不良は生じ難いと考えられる。

図示されていないが、金属バンプ３ならびに上側および下側の接続パッド１６ａ、１３ａの露出面には保護膜が形成されていてもよい。このような保護膜は、たとえば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、またはＳｎなどの複数または単一の金属めっき膜であってよく、また、ＯＳＰ膜であってもよい。なお、キャビティ７の開口形状および配線板１内での形成位置、ならびに、内周導体パッド１１１、配線１１３、上側接続パッド１６ａおよび下側接続パッド１３ａの数および配列パターンは、図１および図２に示される例に限定されない。

第１〜第６の導体層１１〜１６は、銅やニッケルなどの、適切な導電性を備えている任意の材料を用いて形成され得る。第１〜第６の導体層１１〜１６は、好ましくは、銅箔、電解銅めっき膜、もしくは無電解銅めっき膜、またはこれらの組み合わせによって形成され得る。図１の例では、第１導体層１１および第４導体層１４は、一層だけで構成されている。第１導体層１１は電解めっき膜によって形成されており、第４導体層１４は、金属箔によって形成されている。第５および第６の導体層１５、１６は三層構造を有しており、それぞれ、第４樹脂絶縁層２４に近い側から順に、金属箔層１５１、金属膜層１５２、電解めっき膜層１５３を有している（図１において、符号１５１〜１５３は、第５導体層１５だけに付され、第６導体層１６に対するこれらの符号は省略されている）。また、第２および第３の導体層１２、１３は、二層構造を有し、それぞれ、第１樹脂絶縁層２１に近い側から順に、金属膜層および電解めっき膜層を有している。しかし、各導体層の構成は、図１に例示される単層構造または多層構造に限定されない。

貫通導体６は、第４樹脂絶縁層２４を貫通し、さらに、第４導体層１４および第３樹脂絶縁層２３を貫通している。すなわち、貫通導体６は、補強層５内の複数の樹脂絶縁層（第３および第４の樹脂絶縁層２３、２４）および、これら複数の樹脂絶縁層の間に介在する導体層（第４導体層１４）を貫通している。そして、前述のように貫通導体６は、これら複数の樹脂絶縁層を挟む２つの導体層（図１の例における第１導体層１１と第５導体層１５）同士を接続している。図１の例では、貫通導体６は、第１、第４および第５の導体層１１、１４、１５全てを相互に電気的に接続している。しかし、第４導体層１４と接していない貫通導体６が設けられていてもよい。第４導体層１４において貫通導体６と交差する位置に導体パターンが設けられない場合、第１導体層１１と第５導体層１５だけを電気的に接続する貫通導体６が形成される。本実施形態では、図１の例のように、第４樹脂絶縁層２４、第３樹脂絶縁層２３、第１および第５の導体層１１、１５、ならびに、好ましくは第４導体層１４が、互いに直接接しているだけでなく、さらに貫通導体６を介して接続されている。そのため、各層間での剥離が抑制されると考えられる。

貫通導体６は、第１導体層１１に向って縮径するテーパー形状を有している。そのため、第１導体層１１に設けられるべき外周導体パッド１１２を小さすることができる。なお、便宜上、「縮径」という文言が用いられているが、貫通導体６および後述の各ビア導体の開口形状は、必ずしも円形に限定されない。「縮径」は、単に、水平断面における貫通導体６および各ビア導体の外周上の最長の２点間の距離が小さくなることを意味している。

基板１０は、基板１０を構成する導体層同士を接続するビア導体６１、６２を有している。図１の例では、基板１０の第１樹脂絶縁層２１および第２樹脂絶縁層２２には、それぞれ、第１導体層１１と第２導体層１２とを接続するビア導体６１、第２導体層１２と第３導体層１３とを接続するビア導体６２が形成されている。また、第５樹脂絶縁層２５には、第５導体層１５と第６導体層１６とを接続するビア導体６３が形成されている。各ビア導体は、第１導体層１１に向って縮径するテーパー形状を有している。すなわち、ビア導体６１および貫通導体６は、配線板１の厚さ方向と平行な断面において互いに向って縮径するテーパー形状をそれぞれ有しており、ビア導体６２もビア導体６１と同様に配線板１の厚さ方向と平行な断面において貫通導体６に向って縮径するテーパー形状を有している。一方、ビア導体６３は、貫通導体６と同様に基板１０に向って縮径するテーパー形状を有している。図１の例では、一部の上側接続パッド１６ａと一部の下側接続パッド１３ａとが、配線板１の厚さ方向に積み重ねられた貫通導体６およびビア導体６１〜６３によって電気的に接続されている。配線板１の表裏の接続パッドがほぼ最短の経路で電気的に接続されている。

貫通導体６およびビア導体６１〜６３は、好ましくは、無電解銅めっき膜と電解銅めっき膜とで形成される。図１に示されるように、貫通導体６は、第５導体層１５を構成している金属膜層１５２および電解めっき膜層１５３と一体的に形成され得る。同様に、ビア導体６１、６２、６３も、それぞれ、第２、第３および第６の導体層１２、１３、１６を構成している無電解めっき膜層および電解めっき膜層と一体的に形成され得る。

第１〜第５の樹脂絶縁層２１〜２５は、任意の絶縁性樹脂を用いて形成されている。図１の例では、第１樹脂絶縁層２１および第２樹脂絶縁層２２は、芯材を含まない樹脂を用いて形成されている。第１樹脂絶縁層２１および第２樹脂絶縁層２２は、好ましくは、シリカなどの無機フィラーを含むエポキシ樹脂を用いて形成される。一方、第３〜第５の樹脂絶縁層２３〜２５は、図１に示されるように、絶縁性樹脂を含浸された芯材２１３を含んでいる。（第４および第５の樹脂絶縁層２４、２５中の芯材の符号は省略されている）。各樹脂絶縁層が芯材を含むことによって、配線板１の機械的強度が向上する。しかし、各樹脂絶縁層は、必ずしも芯材２１３を含んでいなくてもよい。芯材２１３としては、ガラス繊維やアラミド繊維が例示される。第３〜第５の樹脂絶縁層２３〜２５に用いられる樹脂としては、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、フェノール樹脂などが例示される。なお、第３〜第５の樹脂絶縁層２３〜２５も、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。

第３樹脂絶縁層２３は、キャビティ７に露出する第４樹脂絶縁板２４の端面よりもキャビティ７の内方にはみ出ている突出部２３ａを有している。そして、突出部２３ａによる段差が、キャビティ７の底面の周縁部に形成されている。また、キャビティ７に露出する第３樹脂絶縁層２３の端面に、キャビティ７に露出する第４樹脂絶縁板２４の端面よりもキャビティ７の外方に凹んでいる凹部２３ｂが形成されている。図１の例では、このように、第３樹脂絶縁層２３の突出部２３ａによる段差や凹部２３ｂが形成されているため、キャビティ７における底面と壁面とのコーナー部に集中しがちな応力が分散されると考えられる。従って、キャビティ７のコーナー部でのクラックや剥離の発生が抑制されると考えられる。なお、第３樹脂絶縁層２３において、必ずしも、突出部２３ａおよび凹部２３ｂが形成されていなくてもよい。突出部２３ａおよび凹部２３ｂは、後述するキャビティ７の形成に用いられるレーザー光の照射位置に応じて形成され得る。

図３〜図５には、本実施形態の配線板１の他の例が示されている。図３の例では、基板１０は、第１樹脂絶縁層２１を少なくとも部分的に覆うと共に金属バンプ３を露出させる被覆層９をさらに有している。被覆層９は、キャビティ７の内部において、第１樹脂絶縁層２１を覆うと共に、第１導体層１１の一面１１ａのうちの金属バンプ３によって覆われていない部分を覆っている。従って、内周導体パッド１１１における金属バンプ３に覆われていない部分、および、配線１１３は、被覆層９に覆われている。被覆層９の厚さは、金属バンプ３の接続面３ａが被覆層９から露出し得る厚さであればよく、特に限定されない。図３の例のように、金属バンプ３は、被覆層９における基板１０側と反対側の表面であるキャビティ７への露出面９ｂよりも突出していることが好ましい。被覆層９の厚さ（第１導体層１１の一面１１ａから被覆層９の露出面９ｂまでの高さ）は、たとえば、５μｍ以上、２５μｍ以下であり、好ましくは、１０μｍ以上、１５μｍ以下である。

被覆層９は、任意の絶縁性樹脂を用いて形成され得る。たとえば、被覆層９は、ソルダーレジスト層４１、４２を形成する材料と同じ材料を用いて形成されてもよい。すなわち、被覆層９は、感光性のポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を用いて形成されてもよい。また、被覆層９は、第１〜第５の樹脂絶縁層２１〜２５に用いられる材料と同じ材料を用いて形成されてもよい。従って、エポキシ樹脂の他に、ＢＴ樹脂またはフェノール樹脂などが用いられてもよい。被覆層９を形成することによって、金属バンプ３に供給されるはんだなどが配線１１３に接触することをほぼ確実に防ぐことができる。また、被覆層９の材料としてソルダーレジスト層４１などと同様の材料が用いられることによって、キャビティ７の底面において個々の金属バンプ３から隣接する金属バンプ３に向うはんだなどの濡れ広がりがいっそう抑制され得る。

図３に示される配線板１は、被覆層９を有している点を除いて図１に示される配線板１と同様の構造を有しているため、図１に示される主要な構成要素と同様の構成要素には、図１に付されている符号と同じ符号が付され、重複する説明は省略される。以下に説明がなされる図４および図５においても同様に、図１に示される主要な構成要素と同様の構成要素には図１と同じ符号が付され、重複する説明は省略される。

図４に示される例では、キャビティ７の内部において第１樹脂絶縁層２１を覆う被覆層９は、さらに、基板１０と補強層５との間においても第１樹脂絶縁層２１を覆っている。すなわち、被覆層９は、補強層５に覆われている領域上を含む、基板１０の第１面１０Ｆのほぼ全面にわたって形成されている。そして被覆層９は、複数の外周導体パッド１１２それぞれの上に、開口９ａを有している。開口９ａは貫通導体６の形成を通じて形成され得る。貫通導体６は、開口９ａにおいて被覆層９を貫通しており、図１および図３の例と同様に第５導体層１５と第１導体層１１とを少なくとも接続している。被覆層９を基板１０の第１面１０Ｆのほぼ全面に形成することによって、図３に示される配線板１よりも平坦性の良好な配線板１を得ることができると考えられる。

図５の例では、第１導体層１１における基板１０の第１面１０Ｆ側の表面である一面１１ａが、第１樹脂絶縁層２１の表面２１ｂよりも凹んでいる。従って、キャビティ７の内部では、内周導体パッド１１１におけるキャビティ７への露出面が、第１樹脂絶縁層２１の表面２１ｂよりもキャビティ７側と反対側に凹んでいる。このように、内周導体パッド１１１の露出面が、その周囲の第１絶縁層２１の表面２１ｂよりも凹んでいると、金属バンプ３の接続面３ａから溶融時に流下し得るはんだなどの濡れ広がりが抑制される。従って、近接する内周導体パッド１１１同士や、内周導体パッド１１１と配線１１３などとの間で短絡不良が発生し難いと考えられる。内周導体パッド１１１の露出面は、好ましくは、第１樹脂絶縁層２１の表面２１ｂから、１μｍ以上、６μｍ以下の深さで凹んでいる。なお、金属バンプ３の接続面３ａが少なくとも第１樹脂絶縁層２１の表面２１ｂから突出し得るように、内周導体パッド１１１の凹みの深さが決定される。

図６Ａ〜図６Ｄには、金属バンプ３の変形例がそれぞれ示されている。図６Ａ〜図６Ｄの変形例では、図３および図４に示される例と同様に、被覆層９が、第１樹脂絶縁層２１を覆うと共に、内周導体パッド１１１における金属バンプ３に覆われていない部分を覆っている。金属バンプ３は、内周導体パッド１１１上に形成された、被覆層９の開口９ｃ内に形成されている第１部分３１を有している。金属バンプ３は、さらに、第１部分と一体的に形成された、被覆層９の露出面９ｂ上の第２部分３２を有している。また、図６Ａ〜図６Ｃの例では、開口９ｃは、配線板１の厚さ方向と平行な断面において、被覆層９の露出面９ｂから内周導体パッド１１１に向って縮径するテーパー形状を有している。そのため、金属バンプ３の第１部分３１も、内周導体パッド１１１に向って縮径している。なお、便宜上「縮径」という文言が用いられているが、前述した貫通導体９などと同様に、開口９ｃの開口形状、および、金属バンプ３の第１部分３１の平面形状は、円形に限定されない。

図６Ａの例では、第２部分３２は、任意の厚さを有する平板状の形状を有しており、第１部分３１に対するフランジ状のように被覆層９の露出面９ｂに沿って開口９ｃの外側に張り出している。従って、配線板１の厚さ方向と平行な断面における第２部分３２の幅、すなわち、金属バンプ３における被覆層９の露出面９ｂ上での幅は、金属バンプ３における被覆層９を貫通している部分の幅よりも大きい。そして、第２部分３２は平坦な接続面３ａを備えている。従って、内周導体パッド１１１が小さい場合でも、キャビティ７（図３参照）内に実装される電子部品（図示せず）の端子との間に広い接触面積を確保することができる。

図６Ｂの例では、金属バンプ３の接続面３ａは、内周導体パッド１１１と反対方向に凸となるように湾曲する曲面である。このように金属バンプ３の第２部分３２は、球欠状の形状、または、楕円体もしくは任意の曲面体を平面で切り取ることによって得られる立体の形状を有していてもよい。図６Ｂに示されるような曲面状の接続面３ａを有する金属バンプ３の方が、図６Ａに例示される金属バンプ３よりも容易に形成され得ることがある。

金属バンプ３は、互いに異なる材料で形成された複数の金属層を含んでいてもよい。図６Ｃには、２つの金属層（下層３ｂおよび上層３ｃ）を有する金属バンプ３の例が示されている。下層３ｂの材料としては、たとえば、銅、ニッケル、パラジウム、金またはアルミニウムなどが例示される。上層３ｃの材料としては、たとえば、錫、または、はんだなどが例示される。上層３ｃに接する、下層３ｂの表面の中央部は内周導体パッド１１１側に凹んでいる。無電解めっきまたは電解めっきなどで下層３ｂが形成されると、図６Ｃの例のように、開口９ｃの上方の部分である下層３ｂの中央部に凹みが生じ易い。そして下層３ｂの上に錫やはんだなどの比較的融点の低い材料を用いて上層３ｃが電解めっきなどで形成される。さらに上層３ｃが融点以上の温度まで加熱されると、溶融した上層３ｃの材料の張力作用によって曲面状の接続面３ａを有する金属バンプ３が得られる。錫またははんだなどを含む金属バンプ３を備えることによって、電子部品の実装時におけるはんだなどの供給を省略できたり、その使用料を削減できたりすることがある。

図６Ｄには、先に参照された図５の例のように内周導体パッド１１１の露出面（第１導体層１１の一面１１ａ）が第１樹脂絶縁層２１の表面２１ｂよりも凹んでおり、さらに、図３などの例のように被覆層９が形成されている場合の金属バンプ３の例が示されている。被覆層９は、内周導体パッド１１１の凹みによって露出する第１樹脂絶縁層２１の壁面２１ｃ、および、内周導体パッド１１１の周縁部分を覆っている。内周導体パッド１１１の中央部に設けられた被覆層９の開口９ｃの中に金属バンプ３の第１部分３１が形成されている。なお、内周導体パッド１１１の露出面が第１樹脂絶縁層２１の表面２１ｂよりも凹んでいる場合でも、金属バンプ３が図６Ｂの例のように曲面状の接続面３ａを備えていてもよく、金属バンプ３の第１部分３１が内周導体パッド１１１に向って縮径していてもよい。

つぎに、図１に示される配線板１を例に一実施形態の配線板の製造方法が、図７Ａ〜図７Ｑを参照して以下に説明される。

本実施形態の配線板の製造方法は、樹脂絶縁層と導体層との基板１０を用意することと（図７Ｄ参照）、複数の導体パッドの一部（内周導体パッド１１１）に第１樹脂絶縁層２１の表面２１ｂから突出する金属バンプ３を形成することと（図７Ｆ参照）を含んでいる。また、本実施形態の配線板の製造方法は、基板１０の第１面１０Ｆの上に絶縁性部材２４１を積層することによって補強層５を形成することと（図７Ｉおよび図７Ｋ参照）、補強層５の一部を除去することによってキャビティ７を形成すると共に、金属バンプ３を露出させること（図７Ｑ参照）とを含んでいる。まず、基板１０の形成方法が説明される。

図７Ａに示されるように、ガラスエポキシ基板などからなるコア材Ｂ３およびその表面に金属箔Ｂ１を有するベース板Ｂが用意される。金属箔Ｂ１は一面に接着されたキャリア金属箔Ｂ２を備えており、キャリア金属箔Ｂ２とコア材Ｂ３とが熱圧着などにより接合されている。金属箔Ｂ１とキャリア金属箔Ｂ２とは、たとえば、熱可塑性接着剤などの分離可能な接着剤で接着されるか、縁部だけで固着されている。金属箔Ｂ１およびキャリア金属箔Ｂ２は好ましくは銅箔である。なお、図７Ａ〜図７Ｑにおいて各構成要素の厚さの正確な比率を示すことは意図されていない。

図７Ｂに示されるように、ベース板Ｂ上に第１導体層１１が形成される。たとえば、図示されないめっきレジストが金属箔Ｂ１上に形成される。めっきレジストには、第１導体層１１が有するべき導体パッド（内周導体パッド１１１、外周導体パッド１１２）および配線１１３などの導体パターンに応じた開口が設けられる。そして、めっきレジストの開口部に、金属箔Ｂ１をシード層とする電解めっきにより電解銅めっき膜が形成され、その後、めっきレジストが除去される。その結果、内周導体パッド１１１、外周導体パッド１１２、および配線１１３などの所望の導体パターンを含む第１導体層１１が形成される。エッチングを用いないので、ファインピッチで内周導体パッド１１１などを形成することができる。第１導体層１１は、無電解めっきなどの他の方法で形成されてもよい。なお、図７Ｂ〜図７Ｄと異なり、ベース板Ｂの片方の面だけが、第１導体層１１などの形成に用いられてもよい。図７Ｃおよび図７Ｄでは、ベース板Ｂの上側の構成要素についての符号は適宜省略される。

図７Ｃ〜図７Ｅに示されるように、基板１０が形成される。一般的なビルドアップ配線板の製造方法が用いられ得る。図７Ｃに示されるように、第１樹脂絶縁層２１が、たとえば、第１導体層１１および金属箔Ｂ１の露出部分上へのフィルム状のエポキシ樹脂などの熱圧着によって形成される。第１樹脂絶縁層２１は、第１導体層１１を覆うように形成される。その後、ビア導体６１の形成場所に対応する位置の第１樹脂絶縁層２１に、たとえばＣＯ₂レーザー光の照射によって導通用孔６１ａが形成される。そして、導通用孔６１ａ内および第１樹脂絶縁層２１の表面上に、無電解銅めっきなどによって金属膜が形成される。さらに、この金属膜をシード層として用いて、パターンめっき法を用いて銅などからなる電解めっき膜が形成される。その後、パターンめっきに用いられたレジストが除去され、その除去により露出する金属膜が除去される。その結果、所望の導体パターンを含む第２導体層１２が形成される。また、導通用孔６１ａ内にビア導体６１が形成される。

図７Ｄに示されるように、第１樹脂絶縁層２１、第２導体層１２およびビア導体６１の形成方法と同様の方法で、第２樹脂絶縁層２２、第３導体層１３およびビア導体６２が形成される。その結果、第１樹脂絶縁層２１と、複数の導体パッド１１１、１１２を有する第１導体層１１とを少なくとも含む基板１０が、ベース板Ｂ上に形成される。第１導体層１１は、第１樹脂絶縁層２１の表面２１ｂに一面１１ａを露出させて第１樹脂絶縁層２１に埋まっている。

その後、キャリア金属箔Ｂ２と金属箔Ｂ１とが分離され、キャリア金属箔Ｂ２とコア材Ｂ３が除去される。金属箔Ｂ１とキャリア金属箔Ｂ２との分離は、たとえば、両者を接着している熱可塑性接着剤を加熱により軟化させることや、両者を縁部において固着している接合部の切除によって行われ得る。図７Ｅに示されるように、キャリア金属箔Ｂ２の除去によって、金属箔Ｂ１が露出する。

図７Ｆに示されるように、内周導体パッド１１１に第１樹脂絶縁層２１の表面２１ｂから突出する金属バンプ３が形成される。たとえば、金属バンプ３の形成位置に開口を有するめっきレジスト（図示せず）が形成され、金属箔Ｂ１（図７Ｅ参照）をシード層とする電解めっきによって、めっきレジストの開口内に金属バンプ３が形成される。その後、めっきレジストが除去され、金属バンプ３に覆われていない部分の金属箔Ｂ１がエッチングなどによって除去される。たとえば、このようにして金属バンプ３が形成され得る。従って、金属バンプ３は、金属箔Ｂ１の残存部分からなる層と、電解めっき膜からなる層とを有し得る。或いは、金属バンプ３は、金属箔Ｂ１を全て除去した後に図示されないめっきレジストを基板１０の第１面１０Ｆ上に形成し、無電解めっきによって形成されてもよい。なお、金属バンプ３の形成方法は、これらの方法に限定されない。なお、図７Ｆ以降の工程は、前述のベース板Ｂとは別のベース板（図示せず）上で行われてもよい。

金属箔Ｂ１を除去するエッチングは、第１導体層１１内の個々の導体パターン同士が確実に分離されるように、金属箔Ｂ１の消失後も継続され得る。その場合、金属箔Ｂ１の消失後に露出する第１導体層１１の一面１１ａは、エッチングされることによって第１樹脂絶縁層２１の表面２１ｂよりも凹み得る。その場合、前述の図５に例示される第１導体層１１が形成され得る。

図７Ｇに示されるように基板１０の第１面１０Ｆ上に、金属バンプ３を覆うように剥離膜８が設けられる。剥離膜８は、基板１０と強固に接着せず、しかし、基板１０と密着し得る材料を少なくとも用いて設けられる。すなわち、剥離膜８と基板１０との界面へのプリプレグ２３０（図７Ｉ参照）の構成材料などの浸透が、剥離膜８の密着性によって防がれる。しかし、剥離膜８と基板１０とは、比較的弱い力で容易に分離され得る。後述のように、後工程において、剥離膜８を介して基板１０の上に補強層５（図７Ｋ参照）が形成される。そして、補強層５におけるキャビティ７（図７Ｑ参照）の形成領域の部分が基板１０から剥離されることによってキャビティ７が形成される。剥離膜８は、補強層５を構成する絶縁性部材２４１（図７Ｉ参照）の一部と基板１０との剥離を容易にする。

図７Ｇの例では、剥離膜８は、基板１０側の粘着層８１と、粘着層８１に積層された接合層８２とを有している。粘着層８１は、前述のように、基板１０と強固に接着せず、しかし、これらと密着し得る材料で形成される。粘着層８１には、たとえばアクリル樹脂が用いられる。一方、接合層８２は、銅などの金属およびエポキシ樹脂などに対して十分な接着性を発現し得る材料で形成される。接合層８２には、たとえばポリイミド樹脂が用いられる。

剥離膜８の形成では、たとえば、基板１０の第１面１０Ｆの全面に粘着層８１および接合層８２が設けられる。その後、粘着層８１および接合層８２におけるキャビティ７の形成領域Ａ以外の部分を除去することによって、キャビティ７の開口形状に基づく平面形状を有している剥離膜８が形成され得る。キャビティ７の開口形状に基づく形状に事前に成形された剥離膜８が、基板１０に載置されてもよい。剥離膜８の厚さは、後工程で基板１０に積層されるプリプレグ２３０（図７Ｉ参照）の厚さに基づいて選択される。剥離膜８は、粘着層８１だけで構成されてもよく、粘着層８１と接合層８２との間に中間層を含む三層構造を有していてもよい。

剥離膜８は、好ましくは、図７Ｇに示されるように、金属バンプ３が剥離膜８にめり込み得る程度の柔軟性を有していることが好ましい。そのような柔軟性を剥離膜８が有していると、剥離膜８が、金属バンプ３を覆いながら基板１０と十分に密着し得る。また、前述の図５の例のように、基板１０の第１面１０Ｆにおいて第１導体層１１の一面１１ａが第１樹脂絶縁層２１の表面２１ｂよりも凹んでいる場合は、図７Ｈに示されるように、粘着層８１の一部が第１導体層１１の凹みによる凹部に入り込んでもよい。剥離膜８と第１導体層１１がより確実に密着し得る。しかし、剥離膜８は、そのように柔軟でなくてもよく、たとえば、剥離膜８における基板１０と反対の表面に、金属バンプ３に対応した起伏が生じてもよい。剥離膜８がその周縁部において基板１０と密着してさえいれば、大きな問題は生じない。

図７Ｉに示されるように、シート状の絶縁性部材２４１が用意される。たとえば、プリプレグを硬化させることによって形成され、エポキシ樹脂またはＢＴ樹脂などの任意の絶縁性樹脂で構成される絶縁板が、絶縁性部材２４１として用意される。絶縁板などのように既に硬化されている絶縁性部材２４１を用いることによって、深いキャビティ７（図７Ｑ参照）を容易に形成することができる。絶縁性部材２４１は、一方の表面に第４導体層１４を構成すべき金属箔を備え、他方の表面に第５導体層１５を構成すべき金属箔を備えている。これらの金属箔は、好ましくは銅箔であり、たとえばエッチングによって所望の導体パターンを有するようにパターニングされている。なお、図７Ｉおよび図７Ｊに示される第５導体層１５は、前述の図１に示される金属箔層１５１だけで構成されている。

第４導体層１４には、キャビティ７（図７Ｑ参照）の形成領域Ａよりも少し大きなベタパターンからなるダミーパターン１４１が設けられている。ダミーパターン１４１は、後述の溝７１（図７Ｎおよび図７Ｏ参照）の形成の際に、たとえばレーザー光のストッパとして機能し得る。ダミーパターン１４１は、キャビティ７の形成領域Ａの外縁に沿って枠状に設けられてもよい。

また、絶縁性部材２４１が用意される際には、第４導体層１４に、後工程で形成される貫通導体６（図７Ｋ参照）の断面に基づく大きさの開口１４ａが貫通導体６の形成位置に対応する位置に形成される。図７Ｉの例のように、第５導体層１５にも、貫通導体６の断面に基づく大きさの開口１５ａが形成されてもよい。開口１４ａ、１５ａによって、貫通導体６の形成が容易化される。開口１４ａの大きさは、好ましくは、開口１５ａの大きさよりも小さくされる。第１導体層１１に向ってテーパーする形状の貫通導体６が形成される場合、第４および第５の導体層１４、１５の両方を適切に貫通導体６に接触させることができる。

さらに、本実施形態では、図７Ｉに示されるように、剥離膜８の平面形状に基づく開口２３１を有するプリプレグ２３０が用意される。プリプレグ２３０は、ガラス繊維やアラミド繊維などの芯材、および、芯材に含浸されたエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂によって主に構成される。開口２３１は、金型加工などによって形成され得る。プリプレグ２３０の厚さは、プリプレグ２３０によって構成される第３樹脂絶縁層２３（図７Ｊ参照）の厚さに基づいて選択される。

第１樹脂絶縁層２１の表面２１ｂおよび第１導体層１１の一面１１ａによって構成される基板１０の第１面１０Ｆの上ならびに剥離膜８の上に絶縁性部材２４１を積層することによって補強層５（図７Ｋ参照）が形成される。まず、図７Ｉに示されるように、開口２３１と剥離膜８とを対向させて、基板１０の第１面１０Ｆ上にプリプレグ２３０が積層される。さらに、絶縁性部材２４１が、第４導体層１４側をプリプレグ２３０に向けて、プリプレグ２３０上に積層される。そして、プリプレグ２３０が、加熱および加圧されることによって硬化し、その硬化物として第３樹脂絶縁層２３（図７Ｊ参照）が形成される。また、基板１０と絶縁性部材２４１とが第３樹脂絶縁層２３を介して接合される。絶縁性部材２４１は、第４樹脂絶縁層２４（図７Ｊ参照）を構成する。絶縁性部材２４１と基板１０との接合後、基板１０の露出面（第１面１０Ｆと反対側の表面）は、たとえばＰＥＴフィルムなどを用いて適宜保護される。

図７Ｊに示されるように、貫通導体６の形成位置に導通用孔６ａが、第５導体層１５側からの、ＣＯ₂レーザー光などの照射によって形成される。レーザー光は、好ましくは、第５導体層１５に形成された開口１５ａに向けて照射される。第４導体層１４においても、開口１５ａの真下の位置に開口１４ａが設けられているため第１導体層１１を露出する導通用孔６ａが容易に形成され得る。導通用孔６ａは、第４および第５の導体層１４、１５ならびに第３および第４の樹脂絶縁層２３、２４を貫通し、第１導体層１１に向って縮径している。

その後、導通用孔６ａの内壁および第５導体層１５上の全面に金属膜が無電解めっきなどで形成される。その金属膜を電解めっきにおけるシード層として用いるパターンめっき法によって、図７Ｋに示されるように、導通用孔６ａ内に貫通導体６が形成される。同時に、図７Ｉおよび図７Ｊに単層の第５導体層１５として示されていた金属箔層１５１と、その上に形成された二層の膜（金属膜層１５２および電解めっき膜層１５３）とによって最終的な形態の第５導体層１５が形成される。その結果、第３樹脂絶縁層２３、第４導体層１４、第４樹脂絶縁層２４、および、第５導体層１５を含む補強層５が形成される。

図１に示される配線板１が製造される場合は、図７Ｌに示されるように、第４樹脂絶縁層２４および第５導体層１５上に第５樹脂絶縁層２５が形成され、第５樹脂絶縁層２５上に第６導体層１６が形成されると共に、ビア導体６３が形成される。第５樹脂絶縁層２５、第６導体層１６およびビア導体６３は、前述の第１樹脂絶縁層２１、第５導体層１５およびビア導体６１の形成方法と同様の方法で形成され得る。また、図１に示される配線板１が製造される場合は、図７Ｍに示されるように、ソルダーレジスト層４１、４２が形成される。たとえば、感光性のエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂を用いて、ソルダーレジスト層４１、４２が、それぞれ形成され、フォトリソグラフィ技術を用いて、ソルダーレジスト層４１、４２それぞれに開口が形成される。

つぎに、図７Ｎおよび図７Ｏに示されるように、剥離膜８の周縁に沿って、第４樹脂絶縁層２４を貫通する溝７１が、補強層５における基板１０と反対側から形成される。溝７１は、キャビティ７（図７Ｑ参照）の形成領域Ａの周囲全周に渡って第４導体層１４の一部を露出させるべく、剥離膜８を囲むように形成される。たとえば、炭酸ガスレーザーまたはＹＡＧレーザーなどのレーザー光Ｌを、キャビティ７の形成領域Ａを囲む軌跡で照射することによって溝７１が形成される。ドリル加工などで溝７１が形成されてもよい。図７Ｎの例では、溝７１は、第５樹脂絶縁層２５およびソルダーレジスト層４２も貫通している。第４導体層１４のダミーパターン１４１は、溝７１の形成時に、レーザー光やドリル刃のストッパとして機能し得る。従って、たとえばレーザー光Ｌは、ダミーパターン１４１の外縁よりも内側に照射されることが好ましい。

図７Ｐに示されるように、第４導体層１４における溝７１に露出している部分がエッチングなどによって除去される。その結果、補強層５において溝７１に囲まれている部分（以下、溝７１に囲まれている部分は除去部分Ｒとも称される）は、剥離膜８の介在領域を除いて除去部分Ｒの周囲の部分から独立する。なお、エッチングの進行に伴って、第４導体層１４では、溝７１への露出部分だけでなく、その近傍の部分も除去される。

図７Ｑに示されるように、補強層５の一部である除去部分Ｒが剥離膜８と共に除去される。図７Ｑの例では、第５樹脂絶縁層２５およびソルダーレジスト層４２における溝７１（図７Ｐ参照）に囲まれる部分も剥離膜８と共に除去される。その結果、キャビティ７が形成される。キャビティ７の形成に伴って、金属バンプ３がキャビティ７の底面に露出する。前述のように、剥離膜８の粘着層８１は、その粘着性によって基板１０に付着しているだけである。従って、除去部分Ｒは、たとえば、治工具などに吸着され、基板１０と反対側に引き上げられるなどの任意の方法で容易に除去され得る。

キャビティ７の形成後、金属バンプ３ならびに上側および下側の接続パッド１６ａ、１３ａに保護膜（図示せず）が形成されてもよい。たとえば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、またはＳｎなどからなる保護膜がめっきにより形成され得る。液状の有機材への浸漬や有機材の吹付けなどによりＯＳＰが形成されてもよい。以上の工程を経ることによって、図１に示される配線板１が完成する。

先に参照した図３および図４に例示される配線板１が製造される場合、一実施形態の配線板の製造方法は、基板１０の第１面１０Ｆを少なくとも部分的に覆うと共に金属バンプ３を露出させる被覆層９を形成することを、さらに含み得る。図８Ａ〜図８Ｄには、被覆層９の形成方法の一例が示されている。図８Ａに示されるように、先に参照した図７Ａ〜図７Ｆの工程を経ることによって、金属バンプ３が導体パッド（内周導体パッド）１１１上に形成される。本例では、金属バンプ３の形成後に被覆層９が形成される。まず、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂またはフェノール樹脂などの任意の樹脂材料が塗布もしくは吹き付けられるか、または、シート状に成形された後に積層されることによって基板１０の第１面１０Ｆを全面的に覆う樹脂層９１が形成される。図８Ａの例では、金属バンプ３の接続面３ａまでも覆う樹脂層９１が形成されている。樹脂層９１は、必ずしも図８Ａの例のように金属バンプ３の接続面３ａをも覆うように形成されなくてもよい。たとえば、樹脂層９１は、金属バンプ３の接続面３ａを露出させる任意の厚さに形成されてもよい。また、樹脂層９１が、被覆層９について意図される厚さに形成されてもよい。その場合、樹脂層９１の形成後、そのまま加熱や紫外線照射などで樹脂層９１を硬化させることによって、図４に例示される被覆層９を得ることができる。なお、図４に例示される配線板１が製造される場合は、先に参照した図７Ｊに示される工程において、レーザー光の照射などによって、被覆層９を貫通する導通用孔６ａが形成される。

樹脂層９１が、金属バンプ３を覆う厚さ、または、少なくとも被覆層９について意図される厚さ以上の厚さに形成される場合は、図８Ｂに示されるように、樹脂層９１は、露光および現像またはエッチングなどによって所望の厚さまで全面的に薄くされる。この時点で樹脂層９１を硬化させることによって、図４に例示される被覆層９が形成されてもよい。

図３に例示される被覆層９が形成される場合は、図８Ｃに示されるように、樹脂層９１において、主にキャビティ７の形成領域Ａ以外の部分である不要部分が除去される。たとえば、感光性樹脂が樹脂層９１の材料に用いられている場合、露光マスクを用いた露光、およびその後の現像によって樹脂層９１の不要部分が除去され得る。その後、必要に応じて、残存している樹脂層９１を加熱または紫外線照射などで硬化することによって図３に示される被覆層９を得ることができる。樹脂層９１の不要部分は、樹脂層９１の硬化の前または後に、ドライエッチングやウエットエッチングなどの各種のエッチングによって除去されてもよい。被覆層９の形成後、図８Ｄに示されるように、金属バンプ３を覆うように、被覆層９の上に剥離膜８が設けられる。その後、先に参照した図７Ｉ〜図７Ｑに示される工程と同様の工程を経ることによって、図３に例示される配線板１が完成する。

金属バンプ３は、被覆層９および被覆層９の開口９ｃ（図６Ａ〜図６Ｄ参照）の形成後に形成されてもよい。すなわち、図９Ａおよび図９Ｂに示されるように、金属バンプ３の形成よりも先に、基板１０の第１面１０Ｆ上に被覆層９が形成され、さらに、複数の導体パッド（内周導体パッド）１１１の一部を露出させる開口９ｃが露光および現像などによって形成される。そして、金属バンプ３が開口９ｃの内部および開口９ｃの上方に形成される。なお、図９Ａおよび図９Ｂには、金属バンプ３が形成される導体パッド１１１の周囲の部分が拡大して示されている。

図９Ａの例では、開口９ｃの内壁を含む被覆層９の表面上に無電解めっきまたはスパッタリングなどによって金属膜９２が形成されている。そして金属膜９２上に、被覆層９の開口９ｃの真上に開口９ｃよりも大きな開口Ｍ１を備えるめっきレジストＭが形成されている。そして、金属膜９２をシード層とする電解めっきによって金属バンプ３が開口９ｃ内および開口９ｃの上方の開口Ｍ１内に形成される。その後、めっきレジストＭが除去され、さらに金属膜９２の不要部分が除去される。このようにして、たとえば先に参照した図６Ａ〜図６Ｃに例示される金属バンプ３が形成される。なお、図６Ｃに例示される金属バンプ３は、互いに異なる材料を用いて二層のめっき膜を形成することによって形成され得る。

図９Ｂは、先に参照された図６Ｄに示される金属バンプ３の形成方法を示している。第１樹脂絶縁層２１の表面２１ｂよりも凹んでいる導体パッド１１１の周縁部を覆う被覆層９が形成され、導体パッド１１１の中央部を露出する開口９ｃが形成されている。そして、前述した図９Ａの例と同様に、シード層となる金属膜９２が形成され、金属バンプ３が開口９ｃ内およびレジスト膜Ｍの開口Ｍ１内に形成される。なお、図９Ａおよび図９Ｂの例において、金属膜９２は必ずしも設けられなくてもよい。たとえば、導体パッド１１１への通電が可能な場合は、金属バンプ３は、導体パッド１１１をシード層として用いる電解めっきによって形成され得る。また、金属バンプ３は、無電解めっきによって形成されてもよい。

つぎに、本発明の他の実施形態の配線板が図面を参照しながら説明される。図１０には、他の実施形態の配線板の一例である配線板１ａの断面図が示されている。前述した一実施形態の配線板１と同様に、配線板１ａは基板１０と補強層５とを有し、基板１０に含まれる第１導体層１１は内周導体パッド１１１を含み、内周導体パッド１１１を露出させるキャビティ７が形成されている。そして、内周導体パッド１１１上に形成されている金属バンプ３は、基板１０の第１面１０Ｆを構成する第１樹脂絶縁層２１の表面２１ｂから突出している。

本実施形態では、補強層５は、第３樹脂絶縁層２３、第４樹脂絶縁層２４、および補強層５における基板１０と反対側の最表層の導体層である第５導体層１５を含んでいる。本実施形態では、補強層５は、前述した一実施形態の配線板１における第４導体層４（図１参照）のような内層の導体層を有していない。そのため、第３樹脂絶縁層２３および第４樹脂絶縁層２４の互いの対向面同士が全面で接触している。補強層５を構成する樹脂絶縁層同士が強固に接合されていると考えられる。内層に導体層が含まれる場合と違って貫通導体６の形成が容易であり、第５導体層１５と第１導体層１１との接続信頼性も高いと推定される。また、樹脂絶縁層の積層数を増減することによって容易に、かつ、小さな変化ステップで、キャビティ７の深さの選択が可能である。しかも、前述のように樹脂絶縁層同士が全面にわたって接合されるため、深いキャビティの形成時においても補強層５内での層間剥離のリスクが少ないと考えられる。なお、図１０の例では、補強層５における基板１０の反対側には、図１の例における第５樹脂絶縁層２５および第６導体層１６は形成されていない。しかし、本実施形態においても、補強層５における基板１０の反対側に任意の数の樹脂絶縁層および導体層が形成されてもよい。また、図１０の例は、第１および第２の樹脂絶縁層２１、２２が芯材を含み、第２および第３の導体層１２、１３が第５導体層１５と同様の３層構造を有している例である。図１０に例示される本実施形態の配線板１ａは、これらの点を除いて、前述した一実施形態の配線板１と同様であるため、図１０において配線板１と同様の主要な構成要素には、図１に付された符号と同じ符号が付され、重複となる説明は省略される。

つぎに、図１０に示される配線板１ａを例に、他の実施形態の配線板の製造方法が図１１Ａおよび図１１Ｂを参照して説明される。図１１Ａに示されるように、先に参照した図７Ａ〜図７Ｇの工程を経ることによって基板１０が形成され、基板１０の第１面１０Ｆ上に、金属バンプ３を覆うように剥離膜８が設けられる。そして、シート状の絶縁性部材２４２が用意され、プリプレグ２３０を介して基板１０の第１面１０Ｆ上に積層される。また、シート状の絶縁性部材２４２の基板１０と反対側の表面上には、第５導体層１５の金属箔層１５１を構成すべき銅箔などの金属箔が積層される。シート状の絶縁性部材２４２は、エポキシ樹脂またはＢＴ樹脂などの任意の絶縁性樹脂で構成されているＢステージ状態のシートであり、好ましくは、プリプレグ２３０と同じ材料で形成されたプリプレグである。前述したように、必要に応じてシート状の絶縁性部材２４２の積層数を多くすることによって、より深いキャビティ７（図１０参照）が形成され得る。

プリプレグ２３０は、先に参照した図７Ｉと同様に、剥離膜８の平面形状に基づく開口２３１を有しており、開口２３１と剥離膜８とを対向させて、基板１０の第１面１０Ｆ上に積層される。プリプレグ２３０およびシート状の絶縁性部材２４２が、加熱および加圧されることによって硬化し、その硬化物として第３樹脂絶縁層２３および第４樹脂絶縁層２４（図１０参照）が形成される。また、第５導体層１５を構成すべき金属箔と第４樹脂絶縁層２４とが接合される。

その後、先に参照した図７Ｊ、図７Ｋおよび図７Ｍに示される工程と同様の工程を経ることによって、図１１Ｂに示されるように、貫通導体６および第５導体層１５、ならびにソルダーレジスト層４１、４２が形成される。そして、レーザー光Ｌの照射などによって、剥離膜８の周縁に沿って、第４樹脂絶縁層２４を貫通する溝７１が形成される。溝７１の形成によって剥離膜８の周縁部において接合層８２が除去される。その結果、補強層５において溝７１に囲まれている除去部分Ｒは、剥離膜８の介在部分を除いて除去部分Ｒの周囲の部分から独立する。そして、先に参照した図７Ｑに示される工程と同様の工程を経ることによって除去領域Ｒが剥離膜８と共に除去され、その結果、キャビティ７が形成されると共に、キャビティ７の底面に、金属バンプ３が露出する。以上の工程を経ることによって図１０に示される他の実施形態の配線板１ａが完成する。

実施形態の配線板は、各図面に例示される構造や、本明細書において例示された構造および材料を備えるものに限定されない。たとえば、基板１０は任意の数の導体層および樹脂絶縁層を有していてもよい。補強層５における基板１０と反対側に、任意の数の導体層および樹脂絶縁層が積層されていてもよい。貫通導体６および各ビア導体は、必ずしもテーパー形状を有していなくてもよい。また、実施形態の配線板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されず、その条件や順序などは適宜変更されてよい。現に製造される配線板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。

１、１ａ 配線板
１０ 基板
１０Ｆ 第１面
１１ 第１導体層
１１ａ 一面（露出面）
１１１ 内周導体パッド（導体パッド）
１１２ 外周導体パッド
１１３ 配線
１２ 第２導体層
１３ 第３導体層
１４ 第４導体層
１５ 第５導体層
１６ 第６導体層
２１ 第１樹脂絶縁層
２１ｂ 表面
２２ 第２樹脂絶縁層
２３ 第３樹脂絶縁層
２４ 第４樹脂絶縁層
２４１、２４２ シート状の絶縁性部材
２５ 第５樹脂絶縁層
３ 金属バンプ
３ａ 接続面
５ 補強層
５ａ 貫通孔
６ 貫通導体
６１〜６３ ビア導体
７ キャビティ
７１ 溝
８ 剥離膜
９ 被覆層
９ａ 開口
９ｂ 露出面
９ｃ 開口

Claims (15)

1. 少なくとも２層の導体層および前記少なくとも２層の導体層の間に介在する樹脂絶縁層を有する基板と、前記基板の一方の表面である第１面の上に積層される補強層とを有する配線板であって、
   前記基板は、前記第１面を構成する第１樹脂絶縁層、および、前記第１面における前記第１樹脂絶縁層の凹部に埋まっている第１導体層を少なくとも含み、
   前記第１導体層は、複数の内周導体パッド、および前記複数の内周導体パッドの外側に形成されている複数の外周導体パッドを含み、
   前記補強層は、前記複数の内周導体パッドを底面に露出させるキャビティを構成する貫通孔を有し、
   前記複数の内周導体パッドの一部または全部に金属バンプが形成されており、
   前記金属バンプは、前記第１樹脂絶縁層において前記第１面を構成する表面から突出している。
2. 請求項１記載の配線板であって、前記補強層を貫通する貫通導体が前記補強層に設けられており、前記貫通導体は前記複数の外周導体パッドのいずれか１つに接続されている。
3. 請求項２記載の配線板であって、前記基板は、前記基板を構成する導体層同士を接続するビア導体を有しており、前記ビア導体および前記貫通導体は、前記配線板の厚さ方向と平行な断面において、互いに向って縮径するテーパー形状を有している。
4. 請求項２記載の配線板であって、前記補強層は２つ以上の樹脂絶縁層を含んでおり、前記貫通導体は、前記補強層内の複数の樹脂絶縁層および前記複数の樹脂絶縁層の間に介在する導体層を貫通し、前記複数の樹脂絶縁層を挟む２つの導体層同士を接続している。
5. 請求項１記載の配線板であって、前記第１導体層において、前記複数の内周導体パッドのうちの隣接する２つの間に配線が設けられている。
6. 請求項１記載の配線板であって、前記金属バンプは、互いに異なる材料で形成された複数の金属層を含んでいる。
7. 請求項１記載の配線板であって、前記基板は、前記第１樹脂絶縁層を少なくとも部分的に覆うと共に前記金属バンプを露出させる被覆層をさらに有しており、前記被覆層は、前記キャビティの内部において前記第１樹脂絶縁層を覆っている。
8. 請求項７記載の配線板であって、前記金属バンプは、前記被覆層における前記キャビティへの露出面よりも突出している。
9. 請求項８記載の配線板であって、前記金属バンプにおける前記被覆層の前記露出面上での幅は、前記金属バンプにおける前記被覆層を貫通している部分の幅よりも大きい。
10. 請求項７記載の配線板であって、前記被覆層は、さらに、前記基板と前記補強層との間において前記第１樹脂絶縁層を覆うと共に、前記複数の外周導体パッドそれぞれの上に開口を有している。
11. 請求項７記載の配線板であって、前記基板は前記第１面と反対の表面にソルダーレジスト層をさらに有しており、前記被覆層は前記ソルダーレジスト層を形成する材料と同じ材料を用いて形成されている。
12. 第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層の表面に一面を露出させて前記第１樹脂絶縁層に埋まっていて複数の導体パッドを有する第１導体層とを少なくとも含む基板を用意することと、
    前記複数の導体パッドの一部に前記第１樹脂絶縁層の前記表面から突出する金属バンプを形成することと、
    シート状の絶縁性部材を用意することと、
    前記絶縁性部材の一部と前記基板との剥離を容易化する剥離膜を、前記金属バンプを覆うように設けることと、
    前記第１樹脂絶縁層の前記表面および前記第１導体層の前記一面によって構成される前記基板の第１面の上ならびに前記剥離膜の上に前記絶縁性部材を積層することによって補強層を形成することと、
    前記補強層の一部を前記剥離膜と共に除去することによってキャビティを形成すると共に前記金属バンプを露出させることと、を含んでいる、配線板の製造方法。
13. 請求項１２記載の配線板の製造方法であって、前記基板の第１面を少なくとも部分的に覆うと共に前記金属バンプを露出させる被覆層を形成することを、さらに含んでいる。
14. 請求項１３記載の配線板の製造方法であって、前記被覆層は、前記金属バンプの形成後に形成される。
15. 請求項１３記載の配線板の製造方法であって、前記被覆層を形成することは、前記複数の導体パッドの一部を露出させる開口を前記被覆層に形成することを含み、
    前記金属バンプは、前記被覆層に形成される前記開口の内部および前記開口の上方に形成される。

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