JP2019104975A - 濃度制御装置、ガス制御システム、成膜装置、濃度制御方法、及び濃度制御装置用プログラム - Google Patents

濃度制御装置、ガス制御システム、成膜装置、濃度制御方法、及び濃度制御装置用プログラム Download PDF

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Abstract

【課題】気化タンクから材料ガスを間欠的に導出する濃度制御装置において、材料ガスの供給期間の開始直後における材料ガスの濃度のオーバーシュートを抑えるように、キャリアガスや希釈ガスの流量を制御する。【解決手段】濃度モニタ50からの出力信号に基づいて材料ガスの濃度を算出する濃度算出部32と、材料ガスが供給される第1供給期間における第1の所定時刻に濃度算出部32が算出する実濃度と、当該第1供給期間における第1の所定時刻に流量制御機器40から出力される実流量又は当該第1供給期間における第1の所定時刻の流量制御機器40の設定流量と、予め設定された目標濃度とに基づいて、第1供給期間よりも後の第2供給期間における開始から第2の所定時刻までの期間である初期区間における流量制御機器40の初期設定流量を算出する設定流量算出部33とを具備するようにした。【選択図】図4

Description

本発明は、例えば半導体製造プロセス等に用いられる濃度制御装置、ガス制御システム、成膜装置、濃度制御方法、及び濃度制御装置用プログラムに関するものである。
従来、半導体製造プロセス等に用いられるガスの濃度を制御するものとして、特許文献1に示すように、液体又は固体の材料を気化する気化装置とともに用いられる濃度制御装置がある。
この気化装置は、液体又は固体の材料を貯留する気化タンクにキャリアガスを間欠的に供給することで、その材料が気化してなる材料ガスを気化タンクから間欠的に導出し、導出された材料ガスに希釈ガスを混合してなる混合ガスを例えば半導体製造プロセスに用いられるチャンバ等に供給している。かかる構成により、混合ガスの供給期間とその供給を停止する停止期間とが繰り返され、濃度制御装置は、供給期間においてはキャリアガスや希釈ガスの流量を制御することによって、混合ガスに含まれる材料ガスの濃度が予め設定された目標濃度に近づくようにフィードバック制御している。
しかしながら、上述した構成では、供給期間と停止期間とが繰り返されるので、停止期間中は気化タンク内の材料ガス濃度が徐々に高くなり、供給期間が開始された直後は、混合ガス中の材料ガスの濃度がオーバーシュートするという問題がある。
特開2014−224307号公報
そこで本発明は、上記問題点を解決すべくなされたものであって、供給期間の開始直後における材料ガス濃度のオーバーシュートを抑えるように、キャリアガスや希釈ガスの流量を制御することをその主たる課題とするものである。
すなわち、本発明に係る濃度制御装置は、液体又は固体の材料を貯留する気化タンクと、前記気化タンクにキャリアガスを供給するキャリアガス供給路と、前記材料が気化して前記気化タンクから導出された材料ガスが流れる材料ガス導出路と、前記材料ガス導出路に合流して、当該材料ガス導出路に希釈ガスを供給する希釈ガス供給路と、前記キャリアガス供給路及び前記希釈ガス供給路の少なくとも一方に設けられた流量制御機器と、前記材料ガス導出路における前記希釈ガス供給路との合流点よりも下流側に設けられた濃度モニタとを具備し、前記材料ガスの供給と停止とを繰り返す気化装置に用いられるものである。
そして、この濃度制御装置は、前記濃度モニタからの出力信号に基づいて前記材料ガスの濃度を算出する濃度算出部と、前記材料ガスが供給される供給期間(以下、第1供給期間という)における第1の所定時刻に前記濃度算出部が算出する実濃度と、当該第1供給期間における第1の所定時刻に前記流量制御機器から出力される実流量又は当該第1供給期間における第1の所定時刻の前記流量制御機器の設定流量と、予め設定された目標濃度とに基づいて、前記第1供給期間よりも後の供給期間(以下、第2供給期間という)における開始から第2の所定時刻までの期間である初期区間における前記流量制御機器の初期設定流量を算出する設定流量算出部とを具備することを特徴とするものである。
このように構成された濃度制御装置であれば、第1供給期間における第1の所定時刻に算出された実濃度と、当該第1供給期間における第1の所定時刻に流量制御機器から出力される実流量又は当該第1供給期間における第1の所定時刻の流量制御機器の設定流量と、予め設定された目標濃度とに基づいて算出した初期設定流量を、第2供給期間の初期区間に流量制御機器に設定することができるので、第2供給期間の開始直後のオーバーシュートを低減させることができる。
第2供給期間の開始直後のオーバーシュートをより確実に低減するためには、前記第2供給期間の初期区間においては、前記流量制御機器を流れる流量が前記初期設定流量となるように制御することが好ましい。
前記第2供給期間の初期区間を過ぎた後は、前記流量制御機器の設定流量を制御することによって前記濃度算出部により算出された実濃度が前記目標濃度に近づくようにフィードバック制御するように構成されていることが好ましい。
このような構成であれば、第2供給期間の初期区間を過ぎた後においても、制御の安定化を図れる。
具体的な実施態様としては、前記設定流量算出部が、前記第1供給期間の初期区間における第1の所定時刻に前記濃度算出部が算出した実濃度に対する前記目標濃度の比率を前記第1供給期間の初期区間における第1の所定時刻に前記流量制御機器から出力される実流量に掛け合わせて、前記第2供給期間の初期区間における前記初期設定流量を算出する態様が挙げられる。
また、別の実施態様としては、前記キャリアガスの流量又は前記希釈ガスの流量と、前記材料ガス導出路における前記希釈ガス供給路との合流点よりも下流側を流れる前記材料ガスの濃度との関係を示す流量−濃度関係データを記憶する流量−濃度関係データ記憶部をさらに具備し、前記設定流量算出部が、前記流量−濃度関係データを用いて前記第2供給期間の初期区間における前記初期設定流量を算出する態様が挙げられる。
前記設定流量算出部が、前記材料ガスの供給が既に行われた複数の前記供給期間それぞれに応じて算出した初期設定流量を平均した平均初期設定流量を算出することが好ましい。
この平均初期設定流量を流量制御機器に設定することで、算出したそれぞれの初期設定流量の誤差を低減させることができ、第2供給期間の開始直後のオーバーシュートをより確実に低減させることができる。
流量と濃度との関係が初期設定流量の算出式と合致しない場合、連続する供給期間における初期濃度の増大と減少とが交互に繰り返されることがある。
そこで、前記平均初期設定流量は、連続する偶数回の供給期間それぞれに応じて前記設定流量算出部が算出した前記初期設定流量を平均したものであることが好ましい。
このような構成であれば、連続する偶数回の推定流量を平均化しているので、初期濃度の増大分と減少分とを相殺することができる。
また、本発明に係るガス制御システムは、液体又は固体の材料を貯留する気化タンクと、前記気化タンクにキャリアガスを供給するキャリアガス供給路と、前記材料が気化して前記気化タンクから導出された材料ガスが流れる材料ガス導出路と、前記材料ガス導出路に合流して、当該材料ガス導出路に希釈ガスを供給する希釈ガス供給路と、前記キャリアガス供給路及び前記希釈ガス供給路の少なくとも一方に設けられた流量制御機器と、前記材料ガス導出路における前記希釈ガス供給路との合流点よりも下流側に設けられた濃度モニタとを具備し、前記材料ガスの供給と停止とを繰り返す気化装置と、前記濃度モニタからの出力信号に基づいて前記材料ガスの濃度を算出する濃度算出部と、前記材料ガスが供給される供給期間(以下、第1供給期間という)における第1の所定時刻に前記濃度算出部が算出する初期濃度と、当該第1供給期間における第1の所定時刻に前記流量制御機器から出力される実流量又は当該第1供給期間における第1の所定時刻の前記流量制御機器の設定流量と、予め設定された目標濃度とに基づいて、前記第1供給期間よりも後の供給期間(以下、第2供給期間という)における開始から第2の所定時刻までの期間である初期区間における前記流量制御機器の初期設定流量を算出する設定流量算出部とを具備することを特徴とするものである。
上述したガス制御システムと、前記材料ガスが供給されるチャンバとを具備する成膜装置も本発明の1つである。
本発明に係る濃度制御方法は、液体又は固体の材料を貯留する気化タンクと、前記気化タンクにキャリアガスを供給するキャリアガス供給路と、前記材料が気化して前記気化タンクから導出された材料ガスが流れる材料ガス導出路と、前記材料ガス導出路に合流して、当該材料ガス導出路に希釈ガスを供給する希釈ガス供給路と、前記キャリアガス供給路及び前記希釈ガス供給路の少なくとも一方に設けられた流量制御機器と、前記材料ガス導出路における前記希釈ガス供給路との合流点よりも下流側に設けられた濃度モニタとを具備し、前記材料ガスの供給と停止とを繰り返す気化装置に用いられる濃度制御方法であって、前記濃度モニタからの出力信号に基づいて前記材料ガスの濃度を算出するステップと、前記材料ガスが供給される供給期間(以下、第1供給期間という)における第1の所定時刻に算出する初期濃度と、当該第1供給期間における第1の所定時刻に前記流量制御機器から出力される実流量又は当該第1供給期間における第1の所定時刻の前記流量制御機器の設定流量と、予め設定された目標濃度とに基づいて、前記第1供給期間よりも後の供給期間(以下、第2供給期間という)における開始から第2の所定時刻までの期間である初期区間における前記流量制御機器の初期設定流量を算出するステップとを備えることを特徴とする方法である。
本発明に係る濃度制御装置用プログラムは、液体又は固体の材料を貯留する気化タンクと、前記気化タンクにキャリアガスを供給するキャリアガス供給路と、前記材料が気化して前記気化タンクから導出された材料ガスが流れる材料ガス導出路と、前記材料ガス導出路に合流して、当該材料ガス導出路に希釈ガスを供給する希釈ガス供給路と、前記キャリアガス供給路及び前記希釈ガス供給路の少なくとも一方に設けられた流量制御機器と、前記材料ガス導出路における前記希釈ガス供給路との合流点よりも下流側に設けられた濃度モニタとを具備し、前記材料ガスの供給と停止とを繰り返す気化装置に用いられる濃度制御装置用プログラムであって、前記濃度モニタからの出力信号に基づいて前記材料ガスの濃度を算出する濃度算出部と、前記材料ガスが供給される供給期間(以下、第1供給期間という)における第1の所定時刻に前記濃度算出部が算出する初期濃度と、当該第1供給期間における第1の所定時刻に前記流量制御機器から出力される実流量又は当該第1供給期間における第1の所定時刻の前記流量制御機器の設定流量と、予め設定された目標濃度とに基づいて、前記第1供給期間よりも後の供給期間(以下、第2供給期間という)における開始から第2の所定時刻までの期間である初期区間における前記流量制御機器の初期設定流量を算出する設定流量算出部としての機能をコンピュータに発揮させることを特徴とするプログラムである。
このようなガス制御システム、成膜装置、濃度制御方法、及び濃度制御装置用プログラムであれば、上述した濃度制御装置と同様の作用効果を発揮させることができる。
このように構成した本発明によれば、材料ガスを間欠的に供給する構成において、供給期間の開始直後における材料ガス濃度のオーバーシュートを抑えるように、キャリアガスや希釈ガスの流量を制御することができる。
本実施形態のガス制御システムの全体構成を模式的に示す図。 同実施形態のガス制御システムにおける材料ガスの間欠的な流れを示すグラフ。 同実施形態の濃度制御装置の機能を示す機能ブロック図。 同実施形態の初期設定流量の算出方法を説明するためのグラフ。 同実施形態の濃度制御装置の動作を示すフローチャート。
以下に、本発明に係る濃度制御装置の一実施形態について、図面を参照して説明する。
本実施形態のガス制御システム100は、例えば半導体製造ライン等に組み込まれて半導体製造プロセスに用いられるチャンバCHに所定濃度のガスを供給するためのものである。なお、このガス制御システム100は、チャンバCHとともに半導体製造等に用いられる成膜装置を構成している。
具体的にこのガス制御システム100は、図1に示すように、液体又は固体の材料を貯留する気化タンク10と、気化タンク10にキャリアガスを供給するキャリアガス供給路L1と、材料が気化した材料ガスを気化タンク10から導出する材料ガス導出路L2と、材料ガスを希釈する希釈ガスを材料ガス導出路L2に供給する希釈ガス供給路L3と、チャンバCHへの材料ガスの供給とその停止とを切り替えるための切替機構20と、チャンバCHに供給される材料ガスの濃度を制御する濃度制御装置30とを具備している。
キャリアガス供給路L1には、キャリアガスの流量を制御する第1流量制御機器40が設けられている。この第1流量制御機器40は、例えば熱式の流量センサと、ピエゾバルブ等の流量調整弁と、CPUやメモリ等を備えた制御回路とを具備したマスフローコントローラである。
材料ガス導出路L2には、混合ガスに含まれる材料ガスの濃度を測定するための濃度モニタ50が設けられている。本実施形態の濃度モニタ50は、混合ガスに含まれる材料ガスの濃度(vol%)が、混合ガスの圧力(全圧)に対する混合ガスに含まれる材料ガスの圧力(分圧)の比率で表されることを利用したものであり、具体的には全圧を測定する圧力計51と、分圧を測定する例えば非分散型赤外吸収法を用いた分圧計52とを備えている。
希釈ガス供給路L3は、材料ガス導出路L2における濃度モニタ50の上流側に接続されており、希釈ガスの流量を制御する第2流量制御機器60が設けられている。この第2流量制御機器60は、第1流量制御機器40と同様、例えば熱式の流量センサと、ピエゾバルブ等の流量調整弁と、CPUやメモリ等を備えた制御回路とを具備したマスフローコントローラである。
切替機構20は、バルブ切替信号を受け付けて開閉する複数のバルブV1〜V3を有しており、これらのバルブV1〜V3を例えばユーザが予め設定したタイミングで開閉することで、気化タンク10へのキャリアガスの供給と停止とが繰り返される。これにより、図2に示すように、材料ガスが気化タンク10から間欠的に導出されてチャンバCHに間欠的に供給される。すなわち、本実施形態のガス制御システム100では、材料ガス(具体的には材料ガスと希釈ガスが混合されてなる混合ガス)をチャンバCHへ供給する供給期間と、その供給を停止する停止期間とが繰り返されるように構成されている。
ここでの切替機構20は、キャリアガス供給路L1及び材料ガス導出路L2を接続する迂回流路L4と、キャリアガス供給路L1における迂回流路L4との接続箇所よりも下流側に設けられた第1バルブV1と、材料ガス導出路L2における迂回流路L4との接続箇所よりも上流側に設けられた第2バルブV2と、迂回流路L4に設けられた第3バルブV3とを有している。
そして、第1バルブV1及び第2バルブV2が開かれるとともに第3バルブV3が閉じられることで供給期間となり、第1バルブV1及び第2バルブV2が閉じられるとともに第3バルブV3が開かれることで停止期間となる。
濃度制御装置30は、キャリアガスや希釈ガスの流量を制御することにより、チャンバCHに供給される材料ガスの濃度を制御するものである。
具体的にこの濃度制御装置30は、CPU、メモリ、AC/DCコンバータ、入力手段等を有したコンピュータであり、前記メモリに格納されたプログラムをCPUによって実行することによって、図3に示すように、目標濃度受付部31、濃度算出部32、設定流量算出部33としての機能を有するものである。
目標濃度受付部31は、例えばキーボード等の入力手段によるユーザの入力操作や他機器から送信された目標濃度を示す目標濃度信号を受け付けるものである。
濃度算出部32は、濃度モニタ50から出力された出力信号に基づいて混合ガスに含まれる材料ガスの濃度(以下、実濃度ともいう)を算出するものである。具体的には、圧力計51及び分圧計52それぞれから出力信号を取得して、圧力計51により検出された全圧に対する分圧計52により検出された分圧の比率を、混合ガスに含まれる材料ガスの実濃度(vol%)として算出する。
設定流量算出部33は、濃度算出部32から出力される実濃度信号と、目標濃度受付部31が受け付けた目標濃度信号を取得して、実濃度が目標濃度に近づくように、第1流量制御機器40のフィードバック制御時用の設定流量(以下、FB設定流量という)を算出するものである。
そして本実施形態では、設定流量算出部33が、図4に示すように、目標濃度受付部31が受け付けた目標濃度Cgと、材料ガスが供給される供給期間(以下、第1供給期間という)の初期区間における所定時刻に濃度算出部32が算出する実濃度C1と、当該第1供給期間の初期区間における所定時刻に第1流量制御機器40から出力されるキャリアガスの実流量Q1とに基づいて、第1供給期間よりも後の供給期間(以下、第2供給期間という)の初期区間における第1流量制御機器40の初期設定流量Q2を算出するように構成されている。
ここで、「第1供給期間の初期区間」とは、第1供給期間の開始から予め設定された第1所定時間T1が経過した第1の所定時刻までの期間である。第1の所定時刻は、第1供給期間において実濃度のピークが最初に現れる時刻又はその前後に設定されており、ここでは実濃度の最初のピークが落ち切るまでの時刻に設定されている。
また、「第2供給期間の初期区間」とは、第2供給期間の開始から予め設定された第2所定時間T2が経過した第2の所定時刻までの期間であり、ここでは第2所定時間T2を第1所定時間T1と同じ時間に設定してある。つまり、第2の所定時刻は、第1の所定時刻と同様、第2供給期間において実濃度のピークが最初に現れる時刻又はその前後に設定されており、ここでは実濃度の最初のピークが落ち切るまでの時刻に設定されている。
具体的に設定流量算出部33は、第1供給期間の初期区間における第1の所定時刻に濃度算出部32が算出する実濃度C1と、第1供給期間の初期区間における第1の所定時刻に第1流量制御機器のCPUが算出するキャリアガスの実流量Q1とを取得し、所定の算出式を用いて第2供給期間の初期設定流量Q2を算出する。
本実施形態では、混合ガスに含まれる材料ガスの濃度とキャアリアガスの流量とが比例関係にあると仮定して、設定流量算出部33は、下記の算出式を用いて第1供給期間の直後の第2供給期間の初期設定流量Q2を算出する。
初期設定流量Q2=実流量Q1×(目標濃度Cg/実濃度C1)
本実施形態の設定流量算出部33は、第2供給期間における初期区間においては上述した算出式により算出した初期設定流量を第1流量制御機器40に出力する。一方、第2供給期間における初期区間を過ぎた後は、上述したFB設定流量を第1流量制御機器40に出力する。
本実施形態では、上述したようにキャリアガス流量と希釈ガス流量との合計流量が一定となるように制御しており、設定流量算出部33は、所定の合計流量から第1流量制御機器40に出力する設定流量を差し引いて、第2流量制御機器60の設定流量を算出して出力する。
続いて、本実施形態の濃度制御装置30の動作について図5のフローチャートを参照しながら説明する。なお、以下の動作説明では便宜上、第1供給期間及び第2供給期間は単に供給期間といい、第1の所定時刻及び第2の所定時刻は同じ時刻に設定されているので単に所定時刻という。
まずガス制御システム100の動作が開始されると、濃度制御装置30は、供給期間であるか否かを判断する。ここでは、設定流量算出部33が、バルブ切替信号を取得して、この信号に基づいて供給期間か否かを判断する(S1)。
S1において供給期間ではないと判断した場合、すなわち停止期間である場合、設定流量算出部33は、第1流量制御機器40及び第2流量制御機器60の流量を後述するS5において算出された初期設定流量に設定し、その初期設定流量を維持する(S2)。なお、ガス制御システム100の動作が開始してから最初の供給期間が始まるまでの停止期間においては、例えばユーザが第1流量制御機器40及び第2流量制御機器60それぞれに対して予め設定した設定流量の出力を維持する。
一方、S1において供給期間であると判断した場合、設定流量算出部33は、所定時刻以降であるか否かを判断する(S3)。
S3において所定時刻以降ではないと判断した場合、すなわち供給期間の初期区間である場合、設定流量算出部33は、実濃度にかかわらず、第1流量制御機器40に設定されている設定流量、つまり初期設定流量の出力を維持する(S2)。
S3において所定時刻以降であると判断した場合、設定流量算出部33が所定時刻であるか否かを判断する(S4)。
S4において所定時刻であると判断した場合、設定流量算出部33は次の供給期間の初期設定流量を算出する(S5)。なお、詳細な算出方法は上述した通りである。
一方、S4において所定時刻ではないと判断した場合、上述した初期設定流量の算出は行われず、設定流量算出部33は、第1流量制御機器40にFB設定流量を出力して材料ガスの濃度をフィードバック制御する(S6)。
なお、S2やS6において、設定流量算出部33は、所定の合計流量から第1流量制御機器40に出力する設定流量を差し引いて、第2流量制御機器60の設定流量を算出して出力する。
その後は、濃度制御装置30による制御終了信号を受け付けたか否かを判断し(S7)、制御終了信号を受け付けるまではS1〜S7を繰り返し、制御終了信号を受け付けた場合は動作を終了する。
このように構成された本実施形態に係るガス制御システム100によれば、図4に示すように、設定流量算出部33が、目標濃度Cg、第1供給期間の初期区間における第1の所定時刻の実流量Q1、及び第1供給期間の初期区間における第1の所定時刻の実濃度C1に基づいて、第2供給期間の初期設定流量Q2を算出し、この初期設定流量Q2を第2供給期間の初期区間に第1流量制御機器に出力しているので、第2供給期間の初期濃度C2を目標濃度Cgに近づけることができ、第2供給期間の開始直後のオーバーシュートを抑えることができる。
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
例えば、前記実施形態の設定流量算出部33は、第2供給期間における第1流量制御機器40の初期設定流量を算出していたが、第2供給期間における第2流量制御機器60の初期設定流量を算出しても良い。具体的には、目標濃度と、第1供給期間の初期区間における所定時刻に濃度算出部32が算出する実濃度と、当該第1供給期間の初期区間における所定時刻に第2流量制御機器60から出力される希釈ガスの実流量とに基づいて、第2供給期間の初期区間における第2流量制御機器60の初期設定流量を算出する構成が挙げられる。
この場合、第1流量制御機器の初期設定流量は、所定の合計流量から第2流量制御機器の初期設定流量を差し引いた流量とすれば良い。
また、第2供給期間における初期設定流量Q2の算出は、前記実施形態の算出式に限らず、例えば実流量Q1の代わりに第1供給期間の初期区間における所定時刻における第1流量制御機器40の初期設定流量Q1’を用いて下記の算出式を用いても良い。
初期設定流量Q2=初期設定流量Q1’×(目標濃度Cg/実濃度C1)
さらに、初期設定流量Q2の算出式は、前記実施形態のものに限る必要はない。
例えば、濃度制御装置30は、キャリアガス又は希釈ガスの流量と、材料ガス導出路における希釈ガス供給路との合流点よりも下流側を流れる材料ガスの濃度との関係を示す流量−濃度関係データを記憶する流量−濃度関係データ記憶部をさらに具備し、設定流量算出部33が、その流量−濃度関係データを用いて第2供給期間における初期設定流量を算出する態様が挙げられる。
流量−濃度関係データとしては、例えば混合ガスに含まれる材料ガスの濃度とキャアリアガスの流量や希釈ガスの流量とが比例関係にはない場合に適用可能な算出式であり、前記実施形態とは別の例えば非線形な算出式などである。
このような流量−濃度関係データを用いれば、混合ガスに含まれる材料ガスの濃度とキャアリアガスの流量や希釈ガスの流量とが比例関係にはない場合であっても、第2供給期間における初期設定流量を精度良く算出することができる。
設定流量算出部33による初期設定流量の算出タイミングは、前記実施形態の所定時刻に限らず、例えば所定時刻における実濃度C1や実流量Q1を一時的にメモリに格納しておけば、所定時刻を過ぎた後に算出しても構わない。
前記実施形態では、第1供給期間の終了時に次の第2供給期間における初期設定流量を出力するように構成されていたが、出力タイミングはこれに限らず、例えば第1供給期間から次の第2供給期間までの停止期間の任意のタイミングであっても良いし、オーバーシュートを低減できれば、例えば第2供給期間の開始直後であっても良い。
設定流量算出部33としては、材料ガスの供給が既に行われた複数の供給期間それぞれに対して算出した初期設定流量を平均した平均初期設定流量を算出するように構成されていても良い。
このような構成であれば、この平均初期設定流量を供給期間の初期区間における流量制御機器に設定することで、算出したそれぞれの初期設定流量の誤差を低減させることができ、供給期間の初期区間のオーバーシュートをより確実に低減させることができる。
また、流量と濃度との関係が初期設定流量の算出式と合致しない場合、連続する供給期間における初期濃度の増大と減少とが交互に繰り返されることがある。
そこで、設定流量算出部33としては、上述した平均初期設定流量を、例えば初期設定流量を設定しようとする供給期間の直前の供給期間を含む連続する偶数回の供給期間それぞれに対して算出した初期設定流量を平均して算出することが好ましい。
このような構成であれば、連続する供給期間における初期濃度の増大分と減少分とが平均化されて相殺されるので、実濃度が目標濃度に近づくための初期設定流量をより精度良く設定することができる。
前記実施形態の濃度制御装置30は、設定流量算出部33が、FB設定流量と初期設定流量との両方を算出して出力するように構成されていたが、濃度制御装置としては、FB設定流量を算出する機能と初期設定流量を算出する機能とを別に備えていても良い。
また、設定流量算出部33としては、例えば第1供給期間の初期区間における実濃度が予め設定された閾値を超えた場合に、その時の実濃度(閾値)と、その時の実流量とに基づいて、第2供給期間の初期設定流量を算出しても良い。この場合、実濃度が閾値を超えた時刻が所定時刻である。
第1流量制御機器40や第2流量制御機器60は、差圧式の流量センサを備えたマスフローコントローラであっても良い。
また、第1流量制御機器40や第2流量制御機器60としてマスフローコントローラを用いることなく、ピエゾバルブ等の流体制御弁を用いても良い。
濃度モニタ50は、例えば超音波等によって材料ガスの濃度を直接測定するものであっても良い。また、濃度モニタ50に濃度算出部32としての機能を備えさせ、濃度モニタ50から濃度制御装置30に濃度を出力するようにしても良い。
バブラー方式(バブリング方式)のガス制御システムについて説明しているが、制御方法については、基本的にどのようなものであってもよく、キャリアガスを使用するものであればよい。例えば、ガス制御システム100としては、第2流量制御機器60を備えていないものであっても良い。この場合のガス制御システム100は、例えば材料ガス導出路L2における濃度モニタ50の下流にピエゾバルブ等のバルブが設けられており、このバルブの開度を制御することで材料ガスの供給量を圧力制御するように構成されたものが挙げられる。さらに、材料を液体状態で搬送し、ユースポイント(例えば、成膜室)近くで気化させて流量制御する方式であるDLI方式(直接気化方式)のものにも適用することもできる。
前記実施形態の濃度制御装置は、供給期間の開始直後における材料ガス濃度のオーバーシュートを抑えるものであったが、本発明の濃度制御装置は、供給期間の開始直後における材料ガス濃度のオーバーシュートを抑えるものであっても良い。
その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。
100・・・ガス制御システム
10 ・・・気化タンク
L1 ・・・キャリアガス供給路
L2 ・・・材料ガス導出路
L3 ・・・希釈ガス供給路
30 ・・・濃度制御装置
31 ・・・目標濃度受付部
32 ・・・濃度算出部
33 ・・・設定流量算出部
50 ・・・濃度モニタ

Claims (11)

  1. 液体又は固体の材料を貯留する気化タンクと、前記気化タンクにキャリアガスを供給するキャリアガス供給路と、前記材料が気化して前記気化タンクから導出された材料ガスが流れる材料ガス導出路と、前記材料ガス導出路に合流して、当該材料ガス導出路に希釈ガスを供給する希釈ガス供給路と、前記キャリアガス供給路及び前記希釈ガス供給路の少なくとも一方に設けられた流量制御機器と、前記材料ガス導出路における前記希釈ガス供給路との合流点よりも下流側に設けられた濃度モニタとを具備し、前記材料ガスの供給と停止とを繰り返す気化装置に用いられるものであって、
    前記濃度モニタからの出力信号に基づいて前記材料ガスの濃度を算出する濃度算出部と、
    前記材料ガスが供給される供給期間(以下、第1供給期間という)における第1の所定時刻に前記濃度算出部が算出する実濃度と、当該第1供給期間における第1の所定時刻に前記流量制御機器から出力される実流量又は当該第1供給期間における第1の所定時刻の前記流量制御機器の設定流量と、予め設定された目標濃度とに基づいて、前記第1供給期間よりも後の供給期間(以下、第2供給期間という)における第2の所定時刻までの期間である初期区間における前記流量制御機器の初期設定流量を算出する設定流量算出部とを具備する濃度制御装置。
  2. 前記第2供給期間の初期区間においては、前記流量制御機器を流れる流量が前記初期設定流量となるように制御する請求項1記載の濃度制御装置。
  3. 前記第2供給期間の初期区間を過ぎた後は、前記流量制御機器の設定流量を制御することによって前記濃度算出部により算出された実濃度が前記目標濃度に近づくようにフィードバック制御する請求項1又は2記載の濃度制御装置。
  4. 前記設定流量算出部が、前記第1供給期間の初期区間における第1の所定時刻に前記濃度算出部が算出した実濃度に対する前記目標濃度の比率を前記第1供給期間の初期区間における第1の所定時刻に前記流量制御機器から出力される実流量に掛け合わせて、前記第2供給期間の初期区間における前記初期設定流量を算出する請求項1乃至3のうち何れか一項に記載の濃度制御装置。
  5. 前記キャリアガスの流量又は前記希釈ガスの流量と、前記材料ガス導出路における前記希釈ガス供給路との合流点よりも下流側を流れる前記材料ガスの濃度との関係を示す流量−濃度関係データを記憶する流量−濃度関係データ記憶部をさらに具備し、
    前記設定流量算出部が、前記流量−濃度関係データを用いて前記第2供給期間の初期区間における前記初期設定流量を算出する請求項1乃至3のうち何れか一項に記載の濃度制御装置。
  6. 前記設定流量算出部が、前記材料ガスの供給が既に行われた複数の供給期間それぞれに応じて算出した初期設定流量を平均した平均初期設定流量を算出する請求項1乃至5のうち何れか一項に記載の濃度制御装置。
  7. 前記平均初期設定流量が、連続する偶数回の供給期間それぞれに応じて前記設定流量算出部が算出した前記初期設定流量を平均したものである請求項6記載の濃度制御装置。
  8. 液体又は固体の材料を貯留する気化タンクと、前記気化タンクにキャリアガスを供給するキャリアガス供給路と、前記材料が気化して前記気化タンクから導出された材料ガスが流れる材料ガス導出路と、前記材料ガス導出路に合流して、当該材料ガス導出路に希釈ガスを供給する希釈ガス供給路と、前記キャリアガス供給路及び前記希釈ガス供給路の少なくとも一方に設けられた流量制御機器と、前記材料ガス導出路における前記希釈ガス供給路との合流点よりも下流側に設けられた濃度モニタとを具備し、前記材料ガスの供給と停止とを繰り返す気化装置と、
    前記濃度モニタからの出力信号に基づいて前記材料ガスの濃度を算出する濃度算出部と、
    前記材料ガスが供給される供給期間(以下、第1供給期間という)における第1の所定時刻に前記濃度算出部が算出する実濃度と、当該第1供給期間における第1の所定時刻に前記流量制御機器から出力される実流量又は当該第1供給期間における第1の所定時刻の前記流量制御機器の設定流量と、予め設定された目標濃度とに基づいて、前記第1供給期間よりも後の供給期間(以下、第2供給期間という)における開始から第2の所定時刻までの期間である初期区間における前記流量制御機器の初期設定流量を算出する設定流量算出部とを具備するガス制御システム。
  9. 請求項8記載のガス制御システムと、
    前記材料ガスが供給されるチャンバとを具備する成膜装置。
  10. 液体又は固体の材料を貯留する気化タンクと、前記気化タンクにキャリアガスを供給するキャリアガス供給路と、前記材料が気化して前記気化タンクから導出された材料ガスが流れる材料ガス導出路と、前記材料ガス導出路に合流して、当該材料ガス導出路に希釈ガスを供給する希釈ガス供給路と、前記キャリアガス供給路及び前記希釈ガス供給路の少なくとも一方に設けられた流量制御機器と、前記材料ガス導出路における前記希釈ガス供給路との合流点よりも下流側に設けられた濃度モニタとを具備し、前記材料ガスの供給と停止とを繰り返す気化装置に用いられる濃度制御方法であって、
    前記濃度モニタからの出力信号に基づいて前記材料ガスの濃度を算出するステップと、
    前記材料ガスが供給される供給期間(以下、第1供給期間という)における第1の所定時刻に算出する実濃度と、当該第1供給期間における第1の所定時刻に前記流量制御機器から出力される実流量又は当該第1供給期間における第1の所定時刻の前記流量制御機器の設定流量と、予め設定された目標濃度とに基づいて、前記第1供給期間よりも後の供給期間(以下、第2供給期間という)における開始から第2の所定時刻までの期間である初期区間における前記流量制御機器の初期設定流量を算出するステップとを備える濃度制御方法。
  11. 液体又は固体の材料を貯留する気化タンクと、前記気化タンクにキャリアガスを供給するキャリアガス供給路と、前記材料が気化して前記気化タンクから導出された材料ガスが流れる材料ガス導出路と、前記材料ガス導出路に合流して、当該材料ガス導出路に希釈ガスを供給する希釈ガス供給路と、前記キャリアガス供給路及び前記希釈ガス供給路の少なくとも一方に設けられた流量制御機器と、前記材料ガス導出路における前記希釈ガス供給路との合流点よりも下流側に設けられた濃度モニタとを具備し、前記材料ガスの供給と停止とを繰り返す気化装置に用いられる濃度制御装置用プログラムであって、
    前記濃度モニタからの出力信号に基づいて前記材料ガスの濃度を算出する濃度算出部と、
    前記材料ガスが供給される供給期間(以下、第1供給期間という)における第1の所定時刻に前記濃度算出部が算出する実濃度と、当該第1供給期間における第1の所定時刻に前記流量制御機器から出力される実流量又は当該第1供給期間における第1の所定時刻の前記流量制御機器の設定流量と、予め設定された目標濃度とに基づいて、前記第1供給期間よりも後の供給期間(以下、第2供給期間という)における開始から第2の所定時刻までの期間である初期区間における前記流量制御機器の初期設定流量を算出する設定流量算出部としての機能をコンピュータに発揮させる濃度制御装置用プログラム。
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CN201811503488.4A CN109979852A (zh) 2017-12-13 2018-12-10 浓度控制装置、气体控制系统、成膜装置及浓度控制方法
KR1020180157949A KR102638066B1 (ko) 2017-12-13 2018-12-10 농도 제어 장치, 가스 제어 시스템, 성막 장치, 농도 제어 방법, 및 농도 제어 장치용 프로그램 기록 매체
US16/217,778 US11225719B2 (en) 2017-12-13 2018-12-12 Concentration controller, gas control system, deposition apparatus, concentration control method, and program recording medium for concentration controller
TW107145090A TWI791709B (zh) 2017-12-13 2018-12-13 濃度控制裝置、氣體控制系統、成膜裝置、濃度控制方法及濃度控制裝置用程式記錄媒體

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112487732A (zh) * 2020-11-18 2021-03-12 黄河勘测规划设计研究院有限公司 一种冲积性河道冲淤模拟新方法及系统
JPWO2021124723A1 (ja) * 2019-12-16 2021-06-24

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7129798B2 (ja) * 2018-03-16 2022-09-02 東京エレクトロン株式会社 流量制御方法及び成膜装置
JP7281285B2 (ja) * 2019-01-28 2023-05-25 株式会社堀場エステック 濃度制御装置、及び、ゼロ点調整方法、濃度制御装置用プログラム
KR20210063564A (ko) * 2019-11-25 2021-06-02 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
US11513108B2 (en) * 2020-01-14 2022-11-29 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for pulse gas delivery with concentration measurement
JP7543030B2 (ja) * 2020-08-26 2024-09-02 株式会社堀場エステック 原料気化システム、及び、これに用いられる濃度制御モジュール
KR102670546B1 (ko) * 2022-03-21 2024-05-29 주식회사 테스 기판 처리 시스템에서 액체 유량계의 에러를 판단하는 장치 및 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006052424A (ja) * 2004-08-10 2006-02-23 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JP2015153832A (ja) * 2014-02-12 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 ガス供給方法及び半導体製造装置
JP2016040402A (ja) * 2014-08-12 2016-03-24 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2831856B2 (de) 1978-07-20 1981-07-02 Drägerwerk AG, 2400 Lübeck Anordnung zum elektrisch gesteuerten Dosieren und Mischen von Gasen
JPH05251375A (ja) 1992-01-07 1993-09-28 Nec Corp ガス流量制御装置
JPH06318116A (ja) * 1993-05-10 1994-11-15 Nec Corp ガス流量制御装置
US5972117A (en) * 1997-09-03 1999-10-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring generation of liquid chemical vapor
WO2002095519A1 (en) 2001-05-24 2002-11-28 Unit Instruments, Inc. Method and apparatus for providing a determined ratio of process fluids
JP3973605B2 (ja) 2002-07-10 2007-09-12 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置、成膜方法
US7438079B2 (en) 2005-02-04 2008-10-21 Air Products And Chemicals, Inc. In-line gas purity monitoring and control system
JP2006222133A (ja) 2005-02-08 2006-08-24 Hitachi Cable Ltd 原料ガス供給方法及びその装置
KR101578220B1 (ko) 2008-10-31 2015-12-16 가부시키가이샤 호리바 세이샤쿠쇼 재료가스 농도 제어 시스템
JP5145193B2 (ja) 2008-10-31 2013-02-13 株式会社堀場製作所 材料ガス濃度制御システム
JP5506655B2 (ja) 2010-12-28 2014-05-28 株式会社堀場エステック 材料ガス制御装置、材料ガス制御方法、材料ガス制御プログラム及び材料ガス制御システム
JP5703114B2 (ja) * 2011-04-28 2015-04-15 株式会社フジキン 原料の気化供給装置
WO2013042024A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and apparatus for monitoring and controlling a pressure support device
US9243325B2 (en) 2012-07-18 2016-01-26 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
JP6142629B2 (ja) 2013-03-29 2017-06-07 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置、成膜装置及び原料ガス供給方法
JP2014224307A (ja) 2013-04-25 2014-12-04 株式会社堀場エステック 材料ガス濃度制御システム、材料ガス濃度制御装置、及び、制御プログラム
TW201543191A (zh) 2014-05-01 2015-11-16 Graco Minnesota Inc 高暫態系統的流量控制校準之方法
JP6627474B2 (ja) * 2015-09-30 2020-01-08 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び記憶媒体
US10138555B2 (en) * 2015-10-13 2018-11-27 Horiba Stec, Co., Ltd. Gas control system and program for gas control system
JP6914063B2 (ja) * 2017-03-10 2021-08-04 株式会社堀場エステック ガス制御システム、該ガス制御システムを備えた成膜装置、該ガス制御システムに用いるプログラム及びガス制御方法。

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006052424A (ja) * 2004-08-10 2006-02-23 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JP2015153832A (ja) * 2014-02-12 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 ガス供給方法及び半導体製造装置
JP2016040402A (ja) * 2014-08-12 2016-03-24 東京エレクトロン株式会社 原料ガス供給装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2021124723A1 (ja) * 2019-12-16 2021-06-24
WO2021124723A1 (ja) * 2019-12-16 2021-06-24 株式会社フジキン 気化供給方法及び気化供給装置
KR20220038807A (ko) * 2019-12-16 2022-03-29 가부시키가이샤 후지킨 기화 공급 방법 및 기화 공급 장치
JP7240770B2 (ja) 2019-12-16 2023-03-16 株式会社フジキン 気化供給方法及び気化供給装置
KR102641135B1 (ko) 2019-12-16 2024-02-28 가부시키가이샤 후지킨 기화 공급 방법 및 기화 공급 장치
CN112487732A (zh) * 2020-11-18 2021-03-12 黄河勘测规划设计研究院有限公司 一种冲积性河道冲淤模拟新方法及系统
CN112487732B (zh) * 2020-11-18 2022-10-25 黄河勘测规划设计研究院有限公司 一种冲积性河道冲淤模拟方法及系统

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