JP2019096736A - シリコン単結晶基板の選別方法及びシリコン単結晶基板 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、キャリアの再結合ライフタイムを制御するシリコン単結晶基板の候補となるシリコン単結晶基板を、FZ法により育成されたシリコン単結晶インゴットから作製して準備する準備工程を行う(図1のS11)。ここで準備するシリコン単結晶基板の仕様(直径、抵抗率など)は、特に限定されないが、デバイス側からの要求に見合うようにするのが好ましい。
電子線の照射量を3×1014/cm2以上にすることにより、低濃度の過剰キャリアの減衰において、シリコン単結晶インゴットに起因した差を大きくすることができ、低濃度の過剰キャリアの減衰が速くなるシリコン単結晶基板を確実に選別することができる。
また、電子線の照射量を9×1015/cm2以下にすることにより、低濃度の過剰キャリアの減衰において、シリコン単結晶インゴットに起因した差を大きくすることができ、低濃度の過剰キャリアの減衰が速くなるシリコン単結晶基板を確実に選別することができるとともに、照射に時間がかかるために効率的でなくなることを防止できる。電子線の加速電圧は、特に限定されないが、パワーデバイスの製造工程で用いられている加速電圧とすることができ、例えば、0.5〜2MVとすることができる。
過剰キャリア減衰曲線の測定には、例えば、マイクロ波光導電減衰法(μ−PCD法) を用いることができる。μ−PCD法における測定条件は、一般的に用いられている条件で良く、例えば、非特許文献1「JEIDA−53−1997“シリコンウェーハの反射マイクロ波光導電減衰法による再結合ライフタイム測定方法”」に記載された条件等により測定することができる。また、測定装置は市販されているものを用いることができる。
判定値は、デバイスのテール電流特性との関係を予め求めておき、この関係に基づいて目標のテール電流が得られる値に決定することができる。また、現状の製造技術で製造可能なシリコン単結晶インゴットにおいて、製造コストとデバイス特性改善の効果とのバランスを考慮した範囲の中で、テール部の減衰時間ができる限り短くなるように決定することが望ましい。
過剰キャリア減衰曲線において、過剰キャリア濃度が低くなったテール部では、過剰少数キャリア(シリコン単結晶基板の導電型がN型の場合は正孔)の減衰が支配的になる。過剰キャリアの減衰は、外力が働いていない場合、過剰な電子と正孔の再結合により進行するので、キャリア再結合中心となる欠陥の濃度が高くなると、過剰キャリアの減衰が促進される。一方、キャリア再結合中心にはならないが、キャリアトラップとなる欠陥が存在すると、キャリアの捕獲と放出を繰り返すことにより、キャリアの再結合が抑制されて、過剰キャリアの減衰が抑制される場合がある。このことから、FZシリコン単結晶インゴットの何らかの要因により少数キャリアトラップとなる欠陥の濃度が高くなり、過剰少数キャリアの減衰が抑制されることにより、過剰キャリア減衰曲線のテール部において、FZシリコン単結晶インゴットに起因した差が大きくなると考えられる。
高濃度の過剰キャリアの減衰に影響を及ぼす欠陥は、主としてキャリア再結合中心であるが、低濃度の過剰キャリアの減衰に影響を及ぼす欠陥は、キャリア再結合中心と少数キャリアトラップの両方である。従って、少数キャリアトラップが存在しなければ、再結合ライフタイムは低濃度の過剰キャリアの減衰時間を反映するが、少数キャリアトラップが存在する場合は、再結合ライフタイムは低濃度の過剰キャリアの減衰時間を反映しなくなる。
本発明者は、粒子線照射後のシリコン単結晶基板において、低濃度の過剰キャリアの減衰が速くなるシリコン単結晶基板を見出すことに成功した。さらに、低濃度の過剰キャリアの減衰が速くなるシリコン単結晶基板は、再結合ライフタイムの値から識別することが難しいことを見出し、本発明のシリコン単結晶基板を完成させた。
FZ法で製造された複数のシリコン単結晶インゴットの各々から切り出された複数のシリコン単結晶基板を用意した。複数のシリコン単結晶基板のドーパント種、ドーパント濃度、酸素濃度、炭素濃度、窒素濃度、直径、結晶面方位は、以下の通りである。
ドーパント種/濃度:リン/6.2×1013〜7.8×1013atoms/
cm3、
酸素濃度 :0.1ppma未満、0.2〜0.4ppma(JEIDA)、
炭素濃度 :0.01〜0.10ppma(JEIDA)、
窒素濃度 :3.6×1014〜3.1×1015atoms/cm3、
直径 :200mm、150mm、
結晶面方位 :(100)。
サンプルCとサンプルJの減衰時間の差(J−C)と電子線照射線量との関係を図3に示す。図3中の印の違いは、減衰時間を求めた残存過剰キャリア濃度の違いを示しており、○は0.5%、△は1%、□は3%、◇は5%、×は10%の場合を示している。
サンプルCとサンプルJの減衰時間の差(J−C)は、何れの電子線照射線量の場合も、また、何れの残存過剰キャリア濃度の場合も、正の値となっていることから、サンプルCの方がサンプルJよりもテール部の減衰時間が短くなっていることがわかる。特に、電子線照射線量が2×1015〜3×1015/cm2の場合に、サンプルCとサンプルJの減衰時間の差が大きくなっていることから、FZシリコン単結晶インゴットに起因した減衰時間の差を高感度に評価することができることがわかる。
このように、過剰キャリア減衰曲線におけるテール部の減衰時間が速くなるシリコン単結晶基板は、シリコン単結晶インゴットの原料や直径の違いでは選別できないことがわかる。また、シリコン単結晶インゴットの原料では必ずしも選別できないことから、シリコン単結晶基板の酸素濃度では選別できないことがわかる。
この結果から、過剰キャリア減衰曲線におけるテール部の減衰時間が速いシリコン単結晶基板は、シリコン単結晶基板に含まれる炭素やリンの濃度では選別できないことがわかる。
この結果から、過剰キャリア減衰曲線におけるテール部の減衰時間が速いシリコン単結晶基板は、一般的に定義される再結合ライフタイムでは選別できないことがわかる。
実施例では2種類のFZシリコン単結晶インゴット(インゴット1及び2)から作製したシリコン単結晶基板について、本発明の選別方法に従って、各シリコン単結晶インゴットから作製されたシリコン単結晶基板の合否を判定し、選別を行った。
まず、FZ法により、リン濃度が7×1013atoms/cm3のシリコン単結晶インゴット(インゴット1)を育成した。直径は200mm、結晶軸方位は<100>であった。酸素濃度は0.1ppma未満 、炭素濃度は0.01ppmaであった。そして、そのシリコン単結晶インゴットから、標準的なウェーハ加工プロセスにより、鏡面研磨仕上げのシリコン単結晶基板を作製した。
次に、選別したシリコン単結晶基板を用いてデバイスを作製し、ターンオフ時のテール電流を評価した結果、テール電流は低く抑制されていることを確認した。
まず、FZ法により、リン濃度が8×1013atoms/cm3のシリコン単結晶インゴット(インゴット2)を育成した。直径は200mm 、結晶軸方位は<100>であった。酸素濃度は0.2ppma、炭素濃度は0.03ppmaであった。そして、そのシリコン単結晶インゴットから、標準的なウェーハ加工プロセスにより、鏡面研磨仕上げのシリコン単結晶基板を作製した。
Claims (6)
- キャリアの再結合ライフタイムを制御するシリコン単結晶基板の選別方法であって、
前記シリコン単結晶基板の候補となるシリコン単結晶基板を、浮遊帯溶融法(FZ法)により育成されたシリコン単結晶インゴットから作製して準備する準備工程と、
前記準備したシリコン単結晶基板に粒子線を照射する粒子線照射工程と、
前記粒子線照射工程後の前記シリコン単結晶基板において、過剰キャリアを注入し、過剰キャリアを注入した後の経過時間に対する過剰キャリア濃度の減衰曲線(過剰キャリア減衰曲線)を測定する測定工程と、
前記測定した過剰キャリア減衰曲線において、該減衰曲線における減衰速度が速い前半部分を除いたテール部における残存過剰キャリア濃度が、注入時の過剰キャリア濃度の所定の割合まで減衰する減衰時間を求めて、該減衰時間の値が予め定められた判定値以下である場合に、前記シリコン単結晶基板が合格であると判定する判定工程と、
前記判定により合格と判定されたシリコン単結晶基板を作製した前記シリコン単結晶インゴットと同一のシリコン単結晶インゴットから作製したシリコン単結晶基板を、キャリアの再結合ライフタイムを制御するシリコン単結晶基板として選別する選別工程と
を有することを特徴とするシリコン単結晶基板の選別方法。 - 前記粒子線照射工程において、電子線を3×1014/cm2以上9×1015/cm2以下の照射線量で照射することを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶基板の選別方法。
- 前記測定工程において、前記減衰曲線を測定する方法としてマイクロ波光導電減衰法を用いることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコン単結晶基板の選別方法。
- 前記過剰キャリア減衰曲線のテール部が、残存過剰キャリア濃度が、注入時の過剰キャリア濃度の10%以下となる領域であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のシリコン単結晶基板の選別方法。
- 前記粒子線照射工程において、電子線を1×1015/cm2の照射線量で照射し、
前記判定工程において、前記過剰キャリア減衰曲線から残存過剰キャリア濃度が注入時の過剰キャリア濃度の3%になる減衰時間を求め、該求められた減衰時間が2.0μsec以下である場合に、前記シリコン単結晶基板が合格であると判定することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のシリコン単結晶基板の選別方法。 - キャリアの再結合ライフタイムを制御するシリコン単結晶基板であって、
電子線を1×1015/cm2の照射線量で照射した後、過剰キャリアを注入し、過剰キャリアを注入した後の経過時間に対する過剰キャリア濃度の減衰曲線(過剰キャリア減衰曲線)を測定した場合に、前記過剰キャリア減衰曲線において、残存過剰キャリア濃度が注入時の過剰キャリア濃度の3%になる減衰時間が2.0μsec以下となるものであることを特徴とするシリコン単結晶基板。
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