JP2019091875A - プリント回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】大きな体積を有する放熱構造が内蔵されたプリント回路基板を提供する。【解決手段】プリント回路基板は、絶縁層１００と、絶縁層の一面に開放された第１キャビティ２００と、第１キャビティ内に、側面が絶縁層と離隔して形成された絶縁柱３００と、第１キャビティ内の絶縁柱を除いた領域に形成されるめっき層４００と、を含む。【選択図】図１

Description

本発明は、プリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）に関する。

プリント回路基板に実装される電子部品の集積化及薄型化により、微細パターンが含まれているプリント回路基板においての放熱特性が重要イッシューとなっている。電子部品が含まれているプリント回路基板の場合は、一定温度以上になると誤動作及び不良が起こり、これを制御できる放熱構造を形成する必要がある。現在は、ビア形態の放熱構造をフィル（ｆｉｌｌ）めっき方式により製造しており、フィルめっき方式により製造できる放熱構造の面積には限界があった。

韓国公開特許第１０−２０１１−００２９４２２号公報

本発明は、放熱構造が形成されたプリント回路基板を提供することを目的とする。

本発明の一側面によれば、絶縁層と、上記絶縁層の一面に開放された第１キャビティと、上記第１キャビティ内に、側面が上記絶縁層と離隔するように形成された絶縁柱と、上記第１キャビティ内の上記絶縁柱を除いた領域に形成されるめっき層と、を含むプリント回路基板が提供される。

本発明の他の側面によれば、上下に積層される複数の絶縁層で構成されるプリント回路基板において、上記それぞれの絶縁層は、上記絶縁層を貫通するキャビティと、上記キャビティ内に、側面が上記絶縁層と離隔するように形成された絶縁柱と、上記キャビティ内の上記絶縁柱を除いた領域に形成されるめっき層と、を含むプリント回路基板が提供される。

本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。 図１のＡ−Ａ'線に沿った断面を示す図である。 図１のＢ−Ｂ'線に沿った断面を示す図である。 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。 本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。 図１１のＤ−Ｄ'線に沿った断面を示す図である。 図１１のＦ−Ｆ'線に沿った断面を示す図である。 本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。 本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。

本発明に係るプリント回路基板の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。

また、以下で使用する「第１」、「第２」等の用語は、同一または対応する構成要素を区別するための識別記号に過ぎず、同一または対応する構成要素が第１、第２等の用語により限定されることはない。

また、「結合」とは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素が物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、該他の構成に、構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。

図１は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図であり、図２は、図１のＡ−Ａ'線に沿った断面を示す図であり、図３は、図１のＢ−Ｂ'線に沿った断面を示す図であり、図４から図１０は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。

図１から図３を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、絶縁層１００と、第１キャビティ２００と、絶縁柱３００と、めっき層４００と、を含む。

絶縁層１００は、樹脂等の絶縁物質で組成される資材であって、板状である。絶縁層１００の樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の様々な素材を用いることができ、具体的にエポキシ樹脂またはポリイミド等を用いることができる。ここで、エポキシ樹脂には、例えば、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック系エポキシ樹脂、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、環型脂肪族系エポキシ樹脂、シリコン系エポキシ樹脂、窒素系エポキシ樹脂、リン系エポキシ樹脂等があり、これに限定されない。

絶縁層１００は、補強材を含むことができ、補強材としては、ガラス繊維（ｇｌａｓｓ ｃｌｏｔｈ）、シリカ等の無機フィラー（ｆｉｌｌｅｒ）等を用いることができる。

絶縁層１００は、ガラス繊維が含有されたプリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ；ＰＰＧ）または無機フィラーが含有されたビルドアップフィルム（ｂｕｉｌｄ ｕｐ ｆｉｌｍ）であることができる。このビルドアップフィルムとしては、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ Ｆｉｌｍ）等を用いることができる。

その他にも、絶縁層１００は、誘電定数（Ｄｋ）及び誘電正接（Ｄｆ）の低い材料、例えば、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｅｔｈｅｒ）、ＣＯＰ（Ｃｙｃｌｏ Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＦＡ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏａｌｋｏｘｙ）等で形成することができる。

第１キャビティ２００は、絶縁層１００の一面に開放され、第１キャビティ２００は、絶縁層１００を厚さ方向に完全に貫通しなくてもよい。以下では、第１キャビティ２００が絶縁層１００を厚さ方向に一部貫通する場合について説明するが、本発明がこの構造に制限されることはない。

第１キャビティ２００は、ＣＮＣ加工、レーザ加工、フォトリソグラフィ工程等により形成できるが、これに制限されることはない。この第１キャビティ２００は、後述するめっき層４００が収容される部分となる。

絶縁柱３００は、第１キャビティ２００内に形成され、絶縁柱３００の側面は、絶縁層１００と離隔する。すなわち、図２に示すように、絶縁柱３００は、第１キャビティ２００の内側に島（ｉｓｌａｎｄ）状に形成される。絶縁柱３００は、複数形成可能であり、複数の絶縁柱３００は、互いに離隔して配置される。

この絶縁柱３００は、第１キャビティ２００の形成時に、絶縁層１００において絶縁柱３００を除いた領域を除去することにより形成することができる。この場合、絶縁柱３００は、絶縁層１００と同じ材料で形成可能である。また、絶縁柱３００の高さは、絶縁層１００の厚さと実質的に同一であってもよい。ここで、実質的に同一であるとは、許容誤差を含む概念である。

しかし、絶縁柱３００が必ずしも絶縁層１００と同じ材料で形成される必要はなく、絶縁柱３００を別途に製造した後に、第１キャビティ２００内に付着することが可能であり、この場合は、絶縁層１００と絶縁柱３００とを互いに異なる材料で形成することができる。

絶縁柱３００は、上面及び下面を有する柱状であって、その下面は、第１キャビティ２００の底部に接触する。また、絶縁柱３００の上面及び下面の形状は制限されず、四角形、円形、多角形等の様々な形状を有することができ、図１に示すように、絶縁柱３００の横断面の形状は、頂点または尖った部分を含むことができ、辺は曲線であることができる。絶縁柱３００の横断面においての辺が曲線である場合、絶縁柱３００の側面が内側に陥没した曲面であってもよい。

絶縁柱３００は、めっき液に含有されているめっき抑制剤Ａを吸着することによりめっきが抑制され、これにより、第１キャビティ２００内での側面方向へのめっきが抑制され、第１キャビティ２００の底面から上方向へのめっきが施されることができる。

第１キャビティ２００内での絶縁柱３００の占める面積（体積）は最小であることが好ましく、これは、めっき層４００の面積（体積）を最大化するためである。上述したように、絶縁柱３００の横断面の辺が曲線であり、絶縁柱３００の側面が内側に陥没した曲面である場合、絶縁柱３００は、尖った部分を有しながら絶縁柱３００の面積（体積）を最小化することができる。また、この尖った部分においてのめっき抑制剤Ａの吸着率が高くなることができる。

めっき層４００は、第１キャビティ２００内に形成され、第１キャビティ２００を充填するが、絶縁柱３００を除いた領域を充填する。めっき層４００は、金属からなることができ、放熱特性の向上のために熱伝導率の高い金属で形成されることができる。さらに、めっき層４００は、プリント回路基板の回路と同じ金属により形成することができる。

めっき層４００は、シード層を含むことができ、シード層は、無電解めっきにより形成される無電解めっき層４１０であって、２μｍ以下の厚さを有することができる。また、めっき層４００は、電解めっき層４２０を含むことができ、電解めっき層４２０は、無電解めっき層４１０上に形成される。

シード層（無電解めっき層４１０）は、第１キャビティ２００の側面と底部、そして絶縁柱３００の側面に全面的に形成され、電解めっき層４２０は、無電解めっき層４１０を引込線として電解めっき方式により形成される。

第１キャビティ２００内でのめっき層４００の占める体積は、絶縁柱３００が占める体積よりもずっと大きい。横断面積を考慮しても、めっき層４００の占める面積は、絶縁柱３００が占める面積よりもずっと大きい。これは、めっき層４００が放熱機能を担い、絶縁柱３００はめっき層４００の形成を補助する構造物であって、最小限の面積のみ必要であるからである。

一方、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、第２キャビティ５００、電子素子６００等をさらに含むことができる。

第２キャビティ５００は、絶縁層１００の他面に開放され、第１キャビティ２００と反対側に位置する。第１キャビティ２００が絶縁層１００の厚さの一部を占め、第２キャビティ５００が絶縁層１００の厚さの残りを占めており、第１キャビティ２００と第２キャビティ５００とは互いに重なるように（連通するように）形成される。第１キャビティ２００の横断面積と第２キャビティ５００の横断面積とは、互いに同一であるか、第１キャビティ２００の横断面積が第２キャビティ５００の横断面積より大きくてもよい。第１キャビティ２００と第２キャビティ５００とが互いに接すると、第２キャビティ５００がめっき層４００と接することになる。これにより、第１キャビティ２００に形成されるめっき層４００と、第２キャビティ５００に実装される電子素子６００とが接触することにより、電子素子６００から発生する熱がめっき層４００を介して放出され得る。

電子素子６００は、第２キャビティ５００に実装される素子であって、受動素子、能動素子、集積回路等を含むことができる。電子素子６００が接着剤により第２キャビティ５００に実装される場合は、電子素子６００とめっき層４００との間の接着剤により接することができる。この場合、接着剤は熱伝導率の大きい導電性接着剤であってもよい。

以下では、図４から図１０を参照して、本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明する。

図４を参照すると、絶縁層１００に第１キャビティ２００及び絶縁柱３００が形成される。第１キャビティ２００及び絶縁柱３００は、ＣＮＣ加工、レーザ加工等により形成可能であり、絶縁柱３００の領域を除いた部分を加工することにより、第１キャビティ２００を形成できる。また、絶縁層１００が感光性である場合は、露光及び現像を含むフォトリソグラフィ工程により第１キャビティ２００を形成できる。

図５は、図４のＣ−Ｃ'線に沿った断面を示す図である。図６から図１０においてもＣ−Ｃ'の断面の状態を示す。

図５を参照すると、第１キャビティ２００は、絶縁層１００の厚さ方向の全体を貫通せず、一部のみを貫通しており、絶縁柱３００の側面は、絶縁層１００と離隔して、複数の絶縁柱３００が互いに離隔して配置される。

図６を参照すると、シード層として無電解めっき層４１０が形成される。無電解めっき層４１０は、第１キャビティ２００の側面、底部、そして絶縁柱３００の側面に形成され、絶縁層１００の一面にも形成される。すなわち、無電解めっき層４１０は、第１キャビティ２００及び絶縁柱３００が形成されている絶縁層１００全面に形成される。無電解めっき層４１０は、銅、チタン等の金属により形成可能である。

図７を参照すると、第１キャビティ２００内の無電解めっき層４１０上に電解めっき層４２０が形成される。電解めっき層４２０は、電解めっき方式により形成可能であり、銅等の金属により形成できる。無電解めっき層４１０を形成するためのめっき液には、めっき抑制剤Ａが含有されており、このめっき抑制剤Ａは、特定領域での無電解めっき層４１０の形成を抑制する。めっき抑制剤Ａの大部分は、絶縁層１００の一面に位置する絶縁層１００の表面と、絶縁柱３００の表面（図７では、絶縁層１００の上面及び絶縁柱３００の上面）に吸着され、第１キャビティ２００内部にはほとんど吸着されない。これは、絶縁層１００においてめっき液と先に接する表面でのめっき抑制剤Ａの吸着率が高く、めっき液の流入の深さが深いほど、めっき抑制剤Ａの吸着率が低下するからである。その結果、図７に示すように、絶縁層１００の一面と、絶縁柱３００の（大部分の）側面を除いた表面にめっき抑制剤Ａが吸着され、この過程で、めっき抑制剤Ａの一部は絶縁層１００の上面及び絶縁柱３００の上面に近い第１キャビティ２００及び絶縁柱３００の側面に吸着され得る。このようなめっき抑制剤Ａの影響により、無電解めっき層４１０の側方向への成長は抑制されるものの、めっき抑制剤Ａの影響がほとんどない上方向への成長は維持される。このため、無電解めっき層４１０は、第１キャビティ２００の底面から上方向に成長され、めっき層４００の側方向への成長は抑制されるので、めっき層４００にディンプル（ｄｉｍｐｌｅ）が発生せず、成長するめっき層４００の厚さは比較的均一になる。この方式によりめっき層４００を形成する場合、非常に大きな面積上にめっき層４００の成長を均一に実施することができ、大きい規模（体積）のめっき層４００を形成することができる。

図８を参照すると、無電解めっき層４１０の成長が完了する。無電解めっき層４１０は、上方向への成長により絶縁層１００の一面まで成長することができる。

図９を参照すると、無電解めっき層４１０が除去される。無電解めっき層４１０は、フラッシュエッチング等により除去されるが、この過程で、めっき抑制剤Ａも除去され、電解めっき層４２０の最上部の一部が除去されることにより、めっき層４００の厚さの偏差が低減する。

図１０を参照すると、第２キャビティ５００が形成され、電子素子６００が実装される。第２キャビティ５００は、めっき層４００が第２キャビティ５００を介して露出するように形成され、電子素子６００はめっき層４００に接して実装される。その結果、電子素子６００から発生した熱がめっき層４００に伝達される。ただし、電子素子６００が接着剤により第２キャビティ５００内に実装されることも可能であり、この場合は、電子素子６００がめっき層４００と直接接しなく、接着剤を介して接することができる。しかし、この場合にも接着剤が熱伝導に寄与できるように、導電性接着剤を用いることができる。つまり、いずれの場合にも電子素子６００から発生する熱は、めっき層４００に伝達される。

一方、第２キャビティ５００が必ずしもめっき層４００の形成後に形成される必要はない。第１キャビティ２００及び第２キャビティ５００が先に形成された後に、めっき層４００が形成されてもよく、必要によって、第１キャビティ２００と第２キャビティ５００との間に絶縁層１００の一部が残留してもよい。ただし、この場合にも、絶縁層１００の残留する上記一部が熱伝達を邪魔しないように最小限の厚さを有する必要がある。

図１１は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図であり、図１２は、図１１のＤ−Ｄ'線に沿った断面を示す図であり、図１３は、図１１のＦ−Ｆ'線に沿った断面を示す図である。

図１１から図１３に示すプリント回路基板には、図１から図１０を参照して説明した内容をそのまま適用することができる。よって、以下では、図１から図１０を参照して説明した内容と重複する内容については簡略に説明するが、説明しない部分が本実施例から除外されることはない。

図１１を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、絶縁層１００と、第１キャビティ２００と、絶縁柱３００と、めっき層４００と、を含み、金属構造物７００をさらに含むことができる。

絶縁層１００は、樹脂等の絶縁物質で組成される資材であって、板状である。絶縁層１００の樹脂は、図１から図１０を参照して説明したものと同様である。

第１キャビティ２００は、絶縁層１００の一面に開放され、第１キャビティ２００は、絶縁層１００を厚さ方向に完全に貫通しなくてもよい。必要によって、第１キャビティ２００は、絶縁層１００を完全に貫通することができる。以下では、第１キャビティ２００が絶縁層１００を厚さ方向に一部貫通する場合について説明するが、本発明がこの構造に制限されることではない。第１キャビティ２００は、ＣＮＣ加工、レーザ加工、フォトリソグラフィ工程等により形成できるが、これに制限されない。

絶縁柱３００は、第１キャビティ２００内に形成され、絶縁柱３００の側面は、絶縁層１００と離隔している。すなわち、図１２に示すように、絶縁柱３００は、第１キャビティ２００の内側に島（ｉｓｌａｎｄ）状に形成されている。絶縁柱３００は、複数形成可能であり、複数の絶縁柱３００は、互いに離隔して配置される。

絶縁柱３００は、絶縁層１００と同じ材料で形成することができる。また、絶縁柱３００の高さは、絶縁層１００の厚さと実質的に同一であってもよい。絶縁柱３００は、必ずしも絶縁層１００と同じ材料で形成する必要はなく、絶縁層１００と絶縁柱３００は、互いに異なる材料で形成されることもできる。

絶縁柱３００は、上面及び下面を有する柱状であり、その下面は、第１キャビティ２００の底部と接触する。また、絶縁柱３００の上面及び下面の形状は、制限されず、四角形、円形、多角形等の様々な形状を有することができ、絶縁柱３００の横断面の形状は、頂点または尖った部分を有することができ、辺は曲線であることができる。絶縁柱３００の横断面の辺が曲線である場合は、絶縁柱３００の側面が内側に陥没した曲面を有することができる。

めっき層４００は、第１キャビティ２００内に形成され、第１キャビティ２００を充填するが、絶縁柱３００を除いた領域を充填する。めっき層４００は、金属により形成可能であり、放熱特性の向上のために熱伝導率の高い金属で形成することができる。または、めっき層４００は、プリント回路基板の回路と同じ金属により形成可能である。

めっき層４００は、シード層を含むことができ、シード層は、無電解めっきにより形成される無電解めっき層４１０であって、２μｍ以下の厚さを有することができる。また、めっき層４００は、電解めっき層４２０を含むことができ、電解めっき層４２０は、無電解めっき層４１０上に形成される。シード層（無電解めっき層４１０）は、第１キャビティ２００の側面と底部、そして絶縁柱３００の側面に全面的に形成され、電解めっき層４２０は、無電解めっき層４１０を引込線として電解めっき方式により形成される。

金属構造物７００は、めっき層４００上に形成され、プリント回路基板の放熱に関与する個体の表面積を増加させるものである。金属構造物７００は、めっき層４００と接触し、絶縁柱３００をカバーしない。絶縁柱３００が複数形成される場合、金属構造物７００は、複数の絶縁柱３００の間に形成されることができる。

図１１及び図１２では、金属構造物７００が長い直方体状に示されているが、この形状に限定されない。金属構造物７００もめっき層４００と同様に、めっき方式により形成可能であり、無電解めっき層４１０と電解めっき層４２０とを含むことができる。また、金属構造物７００は、めっき層４００と同じ金属で形成可能であり、例えば、めっき層４００と金属構造物７００は両方とも銅で形成されることができる。

本発明の実施例に係るプリント回路基板は、第２キャビティ５００及び電子素子６００等をさらに含むことができる。

第２キャビティ５００は、絶縁層１００の他面に開放され、第１キャビティ２００と反対側に位置する。第１キャビティ２００が絶縁層１００の厚さの一部を占め、第２キャビティ５００が絶縁層１００の厚さの残りを占めて、第１キャビティ２００と第２キャビティ５００とは、互いに重なるように（連通するように）形成される。第１キャビティ２００の横断面積と第２キャビティ５００の横断面積とは、互いに同一であるか、第１キャビティ２００の横断面積が第２キャビティ５００の横断面積より大きくてもよい。

第１キャビティ２００と第２キャビティ５００とが互いに接すると、第２キャビティ５００がめっき層４００と接することになる。これにより、第１キャビティ２００に形成されるめっき層４００と、第２キャビティ５００に実装される電子素子６００とが接触することになり、電子素子６００から発生する熱がめっき層４００及び金属構造物７００を介して放出されることができる。

電子素子６００は、第２キャビティ５００に実装される素子であって、受動素子、能動素子、集積回路等を含むことができる。電子素子６００が接着剤により第２キャビティ５００に実装される場合は、電子素子６００とめっき層４００との間に接着剤を介して接することができる。この場合、接着剤としては、熱伝導率の大きい導電性接着剤を用いることができる。

図１４及び図１５は、本発明の他の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。図１４及び図１５に示すプリント回路基板では、第１キャビティが絶縁層１００を厚さ方向に完全に貫通しており、第２キャビティが存在しない。以下では、第１キャビティを「キャビティ」と称し、上述した説明と重複する説明を省略し、上述した実施例との差異点を中心にして説明する。

図１４を参照すると、キャビティ２００が絶縁層１００を厚さ方向に完全に貫通し、めっき層４００の厚さが絶縁層１００の厚さと実質的に同一である。

絶縁柱３００は、めっき層４００の内側に埋め込まれている。絶縁柱３００の上面・下面は、キャビティ２００を介して露出することができる。

絶縁層１００上には、電子素子６００が実装されることも可能であり、電子素子６１０は、（ｉ）絶縁層１００上の絶縁材１１０の内部に内蔵されるか、または（ｉｉ）絶縁材１１０上に実装することができる。

図１４には、電子素子６１０が絶縁材１１０上に実装される（ｉｉ）の例が示されている。いずれの場合でも、電子素子６１０とめっき層４００とは、放熱ビア８００を介して接続することができる。

放熱ビア８００は、電子素子６１０とめっき層４００とを接続するために絶縁材１１０を貫通するビアであって、電子素子６１０及びめっき層４００のすべてと接触する。放熱ビア８００は、電気信号を伝達する役割よりも、電子素子６１０から発生した熱をめっき層４００に伝達する役割がより大きい。よって、放熱ビア８００は、回路領域に形成されている一般のビアよりも大きい体積を有することができる。

放熱ビア８００は、複数形成され、複数のビアが１つのパッドにより接続可能であり、絶縁材１１０が複数である場合は、各絶縁材１１０毎に放熱ビア８００が形成され、互いに異なる絶縁材１１０に形成されている放熱ビア８００は、互いに重なるように配列されるスタック（ｓｔａｃｋ）構造を有することができる。

図１５を参照すると、キャビティ２００が絶縁層１００を厚さ方向に完全に貫通し、めっき層４００の厚さが絶縁層１００の厚さと実質的に同一である。

絶縁柱３００は、めっき層４００の内側に埋め込まれている。絶縁柱３００の上面・下面はキャビティ２００を介して露出することができる。

また、電子素子６２０は、絶縁層１００内に実装されず、絶縁層１００上に実装されており、ただし、めっき層４００と接触するように配置される。

具体的に、プリント回路基板は、上下に積層される複数の絶縁層１００で構成され、それぞれの絶縁層１００は、絶縁層１００を貫通するキャビティ２００と、キャビティ２００内に、側面が上記絶縁層１００と離隔して形成された絶縁柱３００と、キャビティ２００内の上記絶縁柱３００を除いた領域に形成されるめっき層４００と、を含む。

この場合、電子素子６２０は、複数の絶縁層１００のうち、最外層（最上層または最下層）に位置する絶縁層１００'のめっき層４００上に接触するように実装され、互いに異なる絶縁層１００に形成されためっき層４００は、互いにスタックされて熱伝達が容易になるように設計できる。図１５には、互いに異なる絶縁層１００に形成された絶縁柱３００がスタック（ｓｔａｃｋ）構造に示されているが、これに制限されない。

以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加等により本発明を様々にに修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。

１００、１００' 絶縁層
１１０ 絶縁材
２００ 第１キャビティ
３００ 絶縁柱
４００ めっき層
４１０ 無電解めっき層
４２０ 電解めっき層
５００ 第２キャビティ
６００、６１０、６２０ 電子素子
７００ 金属構造物
８００ 放熱ビア
Ａ めっき抑制剤

Claims (16)

1. 絶縁層と、
   前記絶縁層の一面に開放された第１キャビティと、
   前記第１キャビティ内に、側面が前記絶縁層と離隔して形成された絶縁柱と、
   前記第１キャビティ内の前記絶縁柱を除いた領域に形成されるめっき層と、
   を含むプリント回路基板。
2. 前記絶縁柱は、前記絶縁層と同じ絶縁物質で形成される請求項１に記載のプリント回路基板。
3. 前記絶縁柱は、複数形成されており、前記複数の絶縁柱は、互いに離隔して配置される請求項１または２に記載のプリント回路基板。
4. 前記めっき層は、
   無電解めっき層と、
   前記無電解めっき層上に形成される電解めっき層と、を含み、
   前記無電解めっき層は、前記第１キャビティの側面、底面及び前記絶縁柱の側面に形成される請求項１から３のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
5. 前記絶縁層の他面に開放される第２キャビティと、
   前記第２キャビティ内に実装される電子素子と、をさらに含む請求項１から４のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
6. 前記第２キャビティは、前記めっき層と接する請求項５に記載のプリント回路基板。
7. 前記絶縁柱の体積は、前記めっき層の体積よりも小さい請求項１から６のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
8. 前記絶縁柱の横断面積は、複数の頂点を有する図形であり、
   前記絶縁柱の側面は、内側に陥没した曲面である請求項１から７のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
9. 前記めっき層上に形成される金属構造物をさらに含む請求項１から８のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
10. 前記絶縁柱は、複数形成され、
    前記金属構造物は、前記複数の絶縁柱の間に形成される請求項９に記載のプリント回路基板。
11. 前記金属構造物は、前記めっき層を形成する金属と同じ金属により形成される請求項９または１０に記載のプリント回路基板。
12. 前記絶縁層の一面に積層される絶縁材と、
    前記絶縁材の内部または前記絶縁材上に実装される電子素子と、
    前記絶縁材を貫通し、前記電子素子と前記めっき層とを接続する放熱ビアと、をさらに含む請求項１から１１のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
13. 前記第１キャビティは、前記絶縁層の一面及び他面に開放され、
    前記めっき層の厚さは、前記絶縁層の厚さと同一である請求項１２に記載のプリント回路基板。
14. 上下に積層される複数の絶縁層で構成されるプリント回路基板において、
    それぞれの前記絶縁層は、
    前記絶縁層を貫通するキャビティと、
    前記キャビティ内に、側面が前記絶縁層と離隔して形成された絶縁柱と、
    前記キャビティ内の前記絶縁柱を除いた領域に形成されるめっき層と、
    を含むプリント回路基板。
15. 前記複数の絶縁層のうち、最外層に位置する絶縁層のめっき層上に接触するように実装される電子素子をさらに含む請求項１４に記載のプリント回路基板。
16. 互いに異なる絶縁層に形成されためっき層は、互いに接触する請求項１４または１５に記載のプリント回路基板。

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