JP2019089698A - コーティングを備えた基材を得る方法 - Google Patents

Abstract

【課題】面のうち少なくとも一つの上にコーティングを備えた基材の、コーティングを熱処理する方法の提供。【解決手段】面のうち少なくとも一つの上にコーティングを備えた基材（１）を得る方法であり、この方法では、コーティングを前記基材（１）の上に被着し、次いで、コーティングを、移動する基材（１）の向かい側にある少なくとも一つの加熱手段（２ａ）を用いて熱処理し、熱処理の前に、コーティングの少なくとも一つの特性の少なくとも一つの測定を、移動している基材（１）において行い、熱処理の条件を、事前に得た測定値に応じて、適合させるようにする。【選択図】図１

Description

本発明は、コーティングを備えた基材の熱処理に関する。

種々の加熱手段、例えば、バーナー、プラズマトーチ、又はレーザー等を用いた、コーティングの急速熱処理の方法が、国際公開第２００８／０９６０８９号から知られている。

本発明の目的は、このタイプの方法をより順応性あるものにし、かつ産業状況にさらに比較的良好に適応したものとすることによって、このタイプの方法を改善することである。

この目的のために、本発明の一主題は、面のうち少なくとも一つの上にコーティングを備えた基材を得る方法であり、コーティングを基材の上に被着し、次いで、走行する基材の向かい側にある少なくとも一つの加熱手段を用いてコーティングを熱処理する方法であって、この方法では、熱処理の前に、コーティングの少なくとも一つの特性の少なくとも一つの測定を走行している基材において行い、かつ熱処理の条件を前もって得た測定値に応じて適合させるようにする。

本発明の第一の実施形態の概略上面図である。 本発明の第二の実施形態の概略上面図である。

好ましくは、それぞれ独立に制御可能でありかつ走行する基材の向かい側にある少なくとも２つの加熱手段を用いてコーティングを熱処理し、各加熱手段が、コーティングの異なる区域を処理し、さらに、この方法では、熱処理の前に区域それぞれに関して、コーティングの少なくとも一つの特性の少なくとも一つの測定を、走行している基材において行い、かつ対象区域に関して前もって得た測定値に応じて、各領域の熱処理の条件を適合させるようにする。

本発明の別の主題は、基材がそれに向き合って走行し得る少なくとも一つの加熱手段と、加熱手段又は各加熱手段の上流に配置されておりコーティングの少なくとも一つの特性を測定するための少なくとも一つの手段と、前もって得た測定値に応じて熱処理条件を適合させるための手段とを含む、基材の上に被着させたコーティングの熱処理用装置である。

好ましくは、この装置が、互いに独立に制御可能でありかつそれに向き合って基材が走行し得る少なくとも２つの加熱手段であって各加熱手段がコーティングの異なる区域を処理することのできる加熱手段と、加熱手段の上流に配置されており区域のそれぞれにおいてコーティングの少なくとも一つの特性を局所的に測定するための手段と、対象区域に関して前もって得た測定値に応じて各領域の熱処理条件を適合させるための手段とを、含んでいる。

走行する基材において行う測定及び熱処理工程は、本発明の装置の範囲内で、インラインで、すなわち同一の工業ラインで行うことが有利である。

層の特徴に応じた熱処理の制御が可能になることは、方法をより順応性のあるものにすること、及び／又は処理後のコーティングの均一性を高めることを可能にする。

さらに、それぞれがコーティングの部分を処理するいくつかの加熱手段を使用すること、及び処理するコーティングの部分の局所的な特性に応じて個別にそれらの制御が可能になることは、多くの利点を有する。

特に、大型の基材に関して、例えば６×３．３ｍ^２のガラスパネルに関して、ただ一つよりむしろいくつかの加熱手段を使用することは、加熱手段及び関連する装置（下記でより詳細に記載するように、例えば、加熱手段がレーザーやマイクロ波源である場合には、合焦装置）の設計、製造、調節、及び保守を容易にすることを可能にする。互いに独立であるいくつかの手段を使用することは、異なるサイズの基材に対して処理を適合させること、又は異なるサイズの処理する区域に対して処理を適合させることも可能にし、例えば後者の場合では、元の基材のある部分のみを使用する必要があって、かつその後に切断される場合に、処理を適合させることも、可能にする。

層の局所的な特性に応じて熱処理条件を適合させるために、独立の手段の選択及びそれらの制御が可能であることは、とりわけ大型の基材、例えばガラス産業で使用する６×３ｍ^２の基材などの場合に、よくある均一性が完璧でないコーティングに適応することを可能にする。かかる広い表面上に完璧に均一なコーティングを得ることは、実際には困難である。例えばマグネトロンスパッタリング法によってコーティングを被着する場合には、カソードが不均一に摩耗することがある。被着の不均一性は、特にその結果吸収の不均一性を生じる場合には、熱処理によって、特にレーザーによって増幅されることがある。

加熱手段又は各加熱手段は、レーザー、プラズマトーチ、マイクロ波源、バーナー、及びインダクタから選択するのが有利である。

レーザーは一般的に、一又は複数のレーザー源を含むとともに、成形光学素子及び方向を変更させる光学素子も含むモジュールからなる。レーザーは、下記で「レーザーライン」として言及される、ラインの形状であるのが好ましい。

レーザー源は、典型的には半導体レーザー、又はファイバー若しくはディスクレーザーである。半導体レーザーは、小さな空間的要件関して、電力供給に対する高い電力密度を経済的に達成することができる。ファイバーレーザーの空間要件は、さらに比較的小さく、かつ、取得される線状電力密度がさらに比較的高い可能性があるが、コストに関しては、比較的大きい。

レーザー源から生じる放射は、連続又はパルスでよく、好ましくは連続でよい。放射がパルスである場合には、繰り返し周波数は、用いる速い走行速度に適合するために、１０ｋＨｚ以上、特に１５ｋＨｚ以上、さらには２０ｋＨｚ以上であるのが有利である。

レーザーライン又は各レーザーラインの放射の波長は、８００〜１１００ｎｍ、特に８００〜１０００ｎｍの範囲内であるのが好ましい。８０８ｎｍ、８８０ｎｍ、９１５ｎｍ、９４０ｎｍ、又は９８０ｎｍから選択される波長で射出される高出力の半導体レーザーが、特に好適であることが分かっている。

成形光学素子及び方向を変更させる光学素子は、好ましくはレンズ及びミラーを含み、かつ、放射の位置合わせ、均一化、及び焦点合わせの手段として使用される。

位置合わせ手段の目的は、必要に応じて、レーザー源によって射出された放射線をラインに沿って配置することである。それらは、ミラーを含むのが好ましい。均一化手段の目的は、ラインの全体に沿って均等な線形出力密度を得るために、レーザー源の空間プロファイルを重ね合わせることである。均一化手段は、入射ビームを二次ビームに分離すること、及び上記二次光線を均一なラインに再度組み合わせることを可能にするレンズを含むのが好ましい。放射線合焦手段は、処理するコーティングにおいて、所望の長さ及び幅のラインの形状で放射線を集中することを可能にする。合焦手段は、収束レンズを含むのが好ましい。

ライン又は各ラインは、長さ及び幅を有する。ラインについての用語「長さ」は、コーティングの表面で測定される、ラインの最も大きな寸法を意味すると理解される。ラインについての用語「幅」は、最も大きな寸法の方向に対して横の方向における寸法を意味すると理解される。レーザーの分野において慣用的であるように、ラインの幅ｗは、ビームの軸（放射の強度が最大であるところ）と放射の強度が最大強度の１／ｅ^２倍に等しくなる場所との間の（この横方向に沿った）距離に対応する。レーザーラインの縦軸をｘとして言及すると、この軸に沿って、ｗ（ｘ）として言及される幅分布を決定することが可能になる。

レーザーライン又は各レーザーラインの平均幅は、３５μｍ以上、特に４０〜１００μｍ又は４０〜７０μｍの範囲内であるのが好ましい。本記載をとおして、用語「平均」は、算術平均を意味すると理解される。ラインの全長にわたって、幅分布は、処理のあらゆる不均一さを避けるために、狭い。したがって、最も大きい幅と最も小さい幅の間の差は、平均幅の値の１０％以下であるのが好ましい。この値は、５％以下、さらには３％以下であるのが好ましい。

レーザーライン又は各レーザーラインの長さは、１０ｃｍ以上又は２０ｃｍ以上、特に３０〜１００ｃｍ、格別に３０〜７５ｃｍ、あるいは３０〜６０ｃｍの範囲内であるのが好ましい。例えば、幅３．３ｍの基材に対して、３０ｃｍの長さを有する１１のラインを使用することができる。

成形光学素子及び方向を変更させる光学素子、特に位置合わせ手段は、手動で、又はそれらの位置合わせを遠隔で調節することを可能にするアクチュエーターによって、調節することができる。これらのアクチュエーター（典型的には圧電モーター又はブロック）を、手動で制御し、かつ／又は自動で調節することができる。後者の場合には、アクチュエーターを検出器に接続し、かつフィードバックループにも接続するのが好ましいであろう。

レーザーモジュールのうち少なくとも一部又はそれらの全部を、有利には冷却されており、特には換気されている、耐漏洩ボックス内に配置して、それらの熱的安定性を確保することが好ましい。

レーザーモジュールは、金属の構成要素に基づいており、典型的にはアルミニウム製である、「ブリッジ」として言及される剛性構造体に取り付けるのが好ましい。この構造体は、大理石の板を含まないのが好ましい。ブリッジは、レーザーライン又は各レーザーラインの焦点面が、処理する基材の表面に対して平行なままであるように、搬送手段に対して平行に配置されているのが好ましい。ブリッジは、あらゆる環境での平行な配置を確実にするために、高さを個々に調節することができる４つ以上の脚を含むのが好ましい。調節は、距離センサーに接続されており各脚に設置されているモーターによって、手動又は自動のいずれでも、行うことができる。ブリッジの高さは、処理する基材の厚さを考慮に入れるために、かつそのようにして基材の平面がレーザーライン又は各レーザーラインの焦点面と一致することを確実にするために、（手動又は自動で）適合させることができる。

レーザー源のデューティサイクルの平方根によって除した線形出力密度は、３００Ｗ／ｃｍ以上、有利には３５０Ｗ／ｃｍ以上若しくは４００Ｗ／ｃｍ以上、特に４５０Ｗ／ｃｍ以上、５００Ｗ／ｃｍ以上、さらには５５０Ｗ／ｃｍ以上であるのが好ましい。デューティサイクルの平方根によって除した線形出力密度は、６００Ｗ／ｃｍ以上、特に８００Ｗ／ｃｍ以上、さらには１０００Ｗ／ｃｍ以上であるのがさらに有利である。レーザー放射が連続的である場合には、デューティサイクルは１に等しく、したがってこの数値が線形出力密度に相当する。線形出力密度は、レーザーライン又は各レーザーラインをコーティングにおいて焦点合わせした箇所で測定される。それを、出力検出器、例えば熱量パワーメーター、例えば特にＣｏｈｅｒｅｎｔ社製のビームファインダーパワーメーターなどをラインに沿って配置することによって、測定してよい。出力は、ライン又は各ラインの全長にわたって均一に分布しているのが有利である。好ましくは、最大出力と最小出力の間の差が、平均出力の１０％未満に等しい。

デューティサイクルの平方根によって除した、コーティングに対して与えられるエネルギー密度は、２０Ｊ／ｃｍ^２以上、又は３０Ｊ／ｃｍ^２以上であるのが好ましい。ここでも、デューティサイクルは、レーザー放射が連続的である場合には１に等しい。

処理の有効性を向上させるために、基材を透過し、かつ／又はコーティングによって反射された（主）レーザー放射線の少なくとも一部を、上述の基材の方向に向けなおすことが好ましく、それによって、有利には同じ焦点深度及び同じプロファイルを伴って、好ましくは主レーザー放射と同じ位置において基材に衝突する、少なくとも１つの二次レーザー放射を形成する。二次レーザー放射線又は各二次レーザー放射線の形成は、ミラー、プリズム、及びレンズから選択される光学要素のみを含む光学アセンブリ、特に２つのミラー及びレンズ、又はプリズム及びレンズからなる光学アセンブリを用いるのが有利である。主放射線の損失の少なくとも一部分を回復することによって、かつ基材の方向へそれを向けなおすことによって、熱処理が大幅に改善される。基材を透過した主放射線（「透過型」）の一部分若しくはコーティングによって反射した主放射線（「反射型」）の一部分を使用するか、又は随意に両方を使用するかの選択は、コーティングの性質及びレーザー放射の波長によって決まる。

各加熱手段がレーザーである場合には、レーザーの波長におけるコーティングの吸収率が、５％以上、特に１０％以上であるのが好ましい。それは、９０％以下、特に８０％以下、７０％以下、６０％以下、５０％以下、あるいは４０％以下、さらには３０％以下であるのが有利である。

加熱手段が、バーナーであってもよい。バーナーは、燃料及び酸化剤の混合をバーナーの先端又は後者の延長上で行うという意味で、外燃式バーナーであってよい。この場合には、基材は火炎の作用を受ける。また、バーナーは、燃料及び酸化剤をバーナーの内部で混合するという意味で、内燃式バーナーであってよい。この場合、基材は高温ガスの作用を受ける。もちろん、燃焼の一部のみをバーナーの内部で行ってかつ残りの部分を外部で行いうるという意味で、あらゆる中間の状態が可能である。特定のバーナー、特に空気式バーナー、すなわち酸化剤として空気を用いるバーナーは、燃焼の全部又は一部が行われる事前混合チャンバーを有している。この場合には、基材は火炎及び／又は高温ガスの作用を受けうる。酸素燃料燃焼バーナー、すなわち純正の酸素を用いたバーナーは、一般的には事前混合チャンバーを有していない。火炎処理で用いるガスは、酸化剤ガス、特に、空気、酸素、又はそれらの混合物から選択される酸化剤ガスと、燃料ガス、特に、天然ガス、プロパン、ブタン、あるいはアセチレン若しくは水素、又はそれらの混合物から選択される燃料ガスとの混合物でよい。酸化剤ガスとしては、酸素が好ましく、特に、天然ガス（メタン）又はプロパンと組み合わされた酸素が、好ましい。これは、一方では、より高い温度を達成し、これによって処理が短縮され、基材が加熱されることを抑制し得るからであり、他方では、窒素酸化物ＮＯｘの生成を抑制するからである。薄層において、所望の温度を達成するために、コーティングされた基材を、一般的には可視炎内、特に火炎の最も高温の領域に配置する。この場合には、可視炎の一部分が、処理される領域の周りに広がる。

加熱手段が、プラズマトーチであってもよい。プラズマは、「プラズマガス」と呼ばれるものを励起させることによって、例えば高いＤＣ又はＡＣ電界（例えば電気アーク）などによって、一般的に得られるイオン化されたガスである。この励起の作用の下で、電子がガスの原子から引き離され、これによって生成した電荷が、逆の電荷の電極に向かって移動する。そして、これらの電荷が、衝突によってガスの他の原子を励起し、なだれ効果によって均一な若しくは細い筋状の放電、又はアークが作り出される。プラズマは、「高温」プラズマ（この場合には、ガスが全体的にイオン化し、プラズマ温度が１０^６℃程度である）、又は「熱」プラズマ（例えば電気アークの場合には、ガスがほとんど全体的にイオン化し、プラズマ温度が１０^４℃程度である）であってよい。プラズマは、多くの活性種、すなわち、物質と相互作用することができる活性種、イオン、電子、又はフリーラジカルを含む種を、含有している。プラズマトーチの場合には、ガスを電気アークに注入し、形成された熱プラズマを、処理する基材に吹き付ける。プラズマトーチは、粉状の前駆体をプラズマに添加することによって種々の基材の上に薄い膜を被着するために、一般的に採用される。注入するガスは、好ましくは、窒素、空気、又はアルゴンであり、有利には、水素を、体積含有率で５％と５０％の間、特に１５％と３０％の間で含んでいる。

加熱手段が、マイクロ波源であってもよい。マイクロ波は、その波長が１ｍｍと１ｍの間であって誘電体コーティングの熱処理に好適である電磁波である。マイクロ波源（マグネトロン）を、放射導波管又は空洞共振器（単一モード若しくは複数モード）と組み合わせるのが好ましい。例として、基材を、トンネル内に配置された放射導波管の下で走行させてよい。水冷式吸収性フィルターによって形成されたウェーブトラップを、外部への波のあらゆる損失を防止するために、マイクロ波源の上流及び下流に配置するのが好ましい。

コーティングが導電性層を含む場合（例えば銀の場合）には、熱処理を誘導によって行ってよい。この場合には、加熱手段はインダクタである。

金属部品の誘導加熱は、伝導性固体部品内で急速かつ制御式に高温を達成するために周知の方法である（鋼の強化、シリコンのゾーンメルトなど）。主な用途は、農業食品分野（容器の加熱、金属ベルト上での平らな製品の調理、押出加工調理）に関し、かつ金属製造の分野（溶融、成形前の再加熱、バルクの熱処理、表面熱処理、コーティングの処理、溶接、ろう付け）に関する。

コイル（ソレノイド又はターンとも呼ばれる）を流れるＡＣ電流は、その内部に、同じ周波数で振動する磁界を生じる。導電性部品がコイル（又はソレノイド）内に置かれている場合には、磁界によって誘起される電流がその中に生じ、かつジュール効果によって、部品が加熱される。

電流は、加熱される部品の表面上に出現する。一次近似で電流層の厚さを与え、表皮深さとして知られている特有の厚さを定義することができる。電流の表皮深さは、加熱される金属の性質に左右され、かつ電流の周波数が増加すると、減少する。

伝導層で被覆された絶縁性基材を加熱する場合には、材料の表面部分にインダクタの作用を集中させるために、高周波分極を用いることが好ましい。周波数は、５００ｋＨｚと５ＭＨｚの間、特に１ＭＨｚと３ＭＨｚの間であるのが好ましい。平坦な表面の処理に特に適合しているインダクタを使用するのが好ましい。

熱処理の際にコーティングが受ける温度は、３００℃以上、特に３５０℃以上、又は４００℃以上であるのが好ましい。

コーティングした面とは反対の面における基材の温度は、熱処理の際に、１００℃を超えず、特に５０℃を超えず、又は３０℃を超えないのが好ましい。

本発明によれば、いくつかの加熱手段（特にレーザーライン）を使用するのが好ましい。加熱手段（特にレーザーライン）の数は、処理される基材の幅に応じて、３以上、４以上、５以上、６以上、７以上、８以上、９以上、１０以上、又は１１以上であるのが好ましい。加熱手段の数は、３と１１の間（境界値を含む）、特に５と１０の間（境界値を含む）であるのが好ましい。

加熱手段を、多層積層体の表面全体を処理できるように配置するのが、好ましい。いくつかの配置を、加熱手段のサイズ及び形状に応じて、想定することができる。好ましい一実施形態によれば、加熱手段が、線形形状である。それらが、例えば線形バーナー若しくはインダク、又はレーザーラインであってよい。

加熱手段がかかる線形形状である場合、特にそれらがレーザーラインである場合には、各手段を、基材が走行する方向に対して垂直に配置するのが好ましく、又は斜めに配置するのが好ましい。加熱手段は、一般的には互いに平行である。種々の手段で、同時に又は遅延式で、基材を処理してよい。例として、加熱手段（特にレーザーライン）を、Ｖ形状で、互い違いの列で、又は斜めに、配置することができる。

加熱手段を、基材が走行する方向に対して垂直な列で配置してよい。列の数は、例えば２以上あるいは３以上である。列の数は、熱処理区域の床面積を制限するために、３以下であるのが有利である。

基材がその全体において処理の影響を受けることを確実なものとするために、重複部分があるように、すなわち、（小さなサイズの、典型的には１０ｃｍ未満の、又は１ｃｍ未満の）所定の領域が少なくとも２回処理されるように、加熱手段を配置するのが好ましい。

基材が走行する方向において、隣り合う領域を処理する２つの加熱手段の間の距離は、コーティングにダメージを与えることを回避するために、重複領域が、周囲温度に近い温度に戻る時間を有しているような距離であるのが好ましい。典型的には、加熱手段がレーザーラインである場合には、隣り合う領域を処理する２つの加熱手段の間の距離は、層の１つの場所がレーザーラインの下を移動する距離の３倍以上であるのが有利である。

代替的には、加熱手段を全く同一のラインに配置してもよい（換言すれば、列の数が１である）。この場合、及び加熱手段がレーザーラインである場合には、コーティングにおいて連続かつ均一なラインを得ることを可能にするプロファイルを選択するのが好ましい。

熱処理の前に測定されるコーティングの少なくとも一つの特性は、光学的、電気的、又は寸法的特性から選択するのが好ましい。

光学的特性は、吸収率、反射率、透過率、及び色から選択するのが有利である。これらの特性を、例えば、少なくとも一つのコヒーレント又は非コヒーレント光源に連結されており、随意にフィルター、プリズム、又はアレイに連結されている少なくとも一つのＣＣＤカメラ又はフォトダイオードによって、測定してよい。これらの特性を、分光光度計を用いて測定してよい。

電気的特性は、抵抗率、伝導率、及びシート抵抗から選択するのが有利である。例えば、これらの特性を、少なくとも一つの非接触式誘導又は容量センサーの手段、例えばＮａｇｙ Ｍｅｓｓｓｙｓｔｅｍｅ社から販売されているシート抵抗を測定する手段によって、測定してよい。

寸法的特性は、位置及び厚さから選択するのが有利である。

これらの特性を、好ましくは基材及び／又はコーティングに接触することなく、走行の間に、基材において測定する。したがって、基材は、最初に、特性を局所的に（必要に応じてコーティングの種々の領域で）測定する測定手段に向かい合って、次に、加熱手段に向かい合って、全く同一のラインに沿って、連続的に走行する。

測定手段は、それらの空間的要件に応じて、一又は複数のライン（好ましくは一つのライン）にわたって分布させるのが有利である。ライン又は各ラインは、典型的には、基材が走行する方向に対して、垂直に、又は随意に斜めに、配置される。

各領域に対して、一又は複数の測定、例えば、２つ、３つ、あるいは４つの測定を行うことができる。

（必要に応じて各領域の）熱処理の条件の調節は、自動的に行うのが好ましい。例えば、測定した値を、適用される補正値を算出するアルゴリズムによって処理することができる。走行速度及び測定手段を対応する加熱手段から隔てている距離に応じて算出される適切な時間差を、測定と補正との間に、適用する。例として、このアルゴリズムを、電子回路、コンピュータープログラム、又はエキスパートシステムによって実行してもよい。

また、調節を手動で行ってもよい。自動及び手動の両方で処理の条件を調節できることが有益であり得る。例えば、操作者が、処理を比較的狭い基材に調節するために、加熱手段を手動で停止させてよく、しかしながら、なおも作動している加熱源のために、自動調節を保持しておいてよい。

熱処理の条件の調節は、種々の方法で行うことができる。

熱処理の条件は、加熱手段により供給される出力を変更することによって調節するのが有利である。各領域の熱処理の条件を、前記領域を処理する加熱手段により供給される出力を変更することによって適合させるのが好ましい。例えば、一又は複数のレーザー源のうち一つの出力（強度）を、上流で測定される特性について得られた測定値に応じて、変更してもよい。バーナーの場合には、バーナーの出力を、ガスの流量を増加させることによって増大してもよい。

熱処理の条件の他の調節が、可能である。例えば、合焦手段と組み合わせた加熱手段（レーザーライン、マイクロ波源など）の場合には、調節は、合焦手段の変位からなっていてよく、焦点面の変位が可能になる。また、調節は、コーティングにおけるレーザーラインの強度を変更するためにレーザーラインの少なくとも一つの寸法を変更すること、又は（調節可能なレーザーである場合には）レーザーの波長を変更することを含んでよい。また、熱処理の調節は、基材の走行速度を変更すること、又はパルス状のレーザー源である場合にはデューティサイクルを変更することを含んでよい。

熱処理の条件の調節は、加熱手段のうちの一つ、又は全ての加熱手段の停止を含んでよい。例えば、測定手段が所定の領域におけるコーティングの不在（特に基材のサイズの差異に起因するもの）を検出した場合には、コーティングが不在である領域の向かい側の加熱手段（例えばレーザーライン）を停止してよい。コーティングを被着する間に問題が生じた場合（例えばカソードの逆転が、少なくとも局所的に被着された非常に高い反射率のコーティングを生じる場合）には、それのダメージを回避するために、関与する一又は複数のレーザー源を（自動又は手動で）停止してよい。

もちろん、測定される特性（又は測定手段）と加熱手段との間のすべてのあり得る可能な組み合わせが、簡潔さを理由にそれらの全てが本明細書で詳細に全て開示されているわけではないが、可能である。

特に好ましい一実施形態によれば、コーティングの光学的特性（特に吸収率）を、光学センサーを用いて局所的に測定し、かつレーザーラインの出力を、得られた測定値（吸収率）に応じて調節する。この実施形態は、レーザーラインによって処理される吸収層の場合に特に好適であり、本発明の処理は、レーザー源の出力に作用することによって、層の組成、厚さ、又は化学量論の不均一性を補償することを可能にする。吸収率が所定の領域で局所的に比較的高い場合には、この領域を処理するレーザー源の出力を減じ、この逆もまた然りである。他方で、単一のレーザーラインの使用、又は基材の全幅を同様にして処理するいくつかのラインの使用は、コーティングの不均一性を増大させる可能性がある。この実施形態では、吸収率をセンサーで直接的に測定することが必ずしも必要なのではなく、例えば透過率又は反射率の測定を用いて算出してもよい、ということが明確に理解される。

基材を、任意の機械式搬送手段を用いて、例えば並進的に移動するベルト、ローラー、又はトレイを用いて移動させてよい。当該搬送装置は、走行速度を管理しかつ制御することを可能にする。搬送手段は、剛性のシャーシ及び複数のローラーを含むのが好ましい。ローラーのピッチは、５０〜３００ｍｍの範囲内であるのが有利である。ローラーは、プラスチック包装で被着された、金属リング、典型的には鋼製の金属リングを含むのが好ましい。ローラーは、典型的にはベアリング１つあたりローラー３つの割合で、低減されたクリアランスを有しているベアリングに取り付けるのが好ましい。搬送する面の完璧な平坦性を確保するために、それぞれのローラーの位置を調節できるのが有利である。ローラーを、少なくとも一つのモーターで駆動するピニオン又はチェーン、好ましくはタンジェンシャルチェーンによって動かすのが好ましい。

基材が柔軟な高分子有機材料から作られている場合には、それを、ひと続きのローラーの形態のフィルム巻き上げ機構によって移動させてもよい。この場合には、基材の厚さ（ひいてはその柔軟性）、及びあり得るたるみの発生に熱処理が与えうる影響を考慮して、ローラー間の距離を適切に選択することによって、平坦性を確保してもよい。

基材の走行速度は、４ｍ／ｍｉｎ以上、特に５ｍ／ｍｉｎ以上、６ｍ／ｍｉｎ以上、７ｍ／ｍｉｎ以上、あるいは８ｍ／ｍｉｎ以上、９ｍ／ｍｉｎ以上、又は１０ｍ／ｍｉｎ以上であるのが有利である。一部の実施形態によれば、基材の走行速度は、１２ｍ／ｍｉｎ以上、１５ｍ／ｍｉｎ以上、特に２０ｍ／ｍｉｎ以上、さらには２５ｍ／ｍｉｎ以上、又は３０ｍ／ｍｉｎ以上である。可能な限り均一な処理を確保するために、基材の走行速度は、処理の間に、その公称値に対して、相対的にみて、１０％以下、特に２％以下、あるいは１％以下で変化する。

無論、基材の表面に好適に放射線を当てることができるという条件で、基材及び加熱手段のあらゆる相対的な配置が可能である。より一般的には、基材を、水平に又は実質的に水平に配置するが、基材を、垂直に、又はあらゆる可能な傾斜で配置してもよい。基材を水平に配置する場合には、加熱手段を、一般的には、基材の上面を処理するように配置する。また、加熱手段が、基材の底面を処理してもよい。この場合には、基材搬送装置によって、処理される区域に熱が届くことが可能となっていることが、必要である。これは、例えば搬送ローラーを用いる場合である。ローラーは、隔てられた物体であるため、連続する２つのローラーの間に位置する区域に、加熱手段を配置することが可能である。

基材の両面を処理する場合には、基材が水平配置か、垂直配置か、又は任意の傾斜配置かのいずれであっても、基材の両面に位置する多数の加熱手段を採用することが可能である。これらの加熱手段は、同一であってよく又は異なっていてもよく、特に複数のレーザーの場合にはそれらの波長が異なっていてよく、特には、処理されるそれぞれのコーティングに適合していてよい。例として、基材の第一の面に位置する第一のコーティング（例えば低放射率コーティング）を、例えば可視又は近赤外で放射される第一のレーザー放射によって処理してよく、一方で、前記基材の第二の面に位置する第二のコーティング（例えば光触媒コーティング）を、例えば赤外で放射される第二のレーザー放射によって処理してよい。

本発明の熱処理装置は、層被着ライン、例えばマグネトロンスパッタリング被着ライン（マグネトロン工程）又は化学気相成長（ＣＶＤ）ライン、特に、真空下でのプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）ライン又は大気圧下でのプラズマ化学気相成長ライン（ＡＰ−ＰＥＣＶＤ）に組み込んでよい。一般的に、ラインは、基材処理装置、被着ユニット、光学制御装置、及び積層装置を含む。例えば、複数の基材が、コンベヤーローラー上を走行し、各装置又は各ユニットを相次いで通過する。

本発明の熱処理装置は、コーティング被着ユニットの直後に、例えば被着ユニットの出口に位置するのが好ましい。したがって、コーティングされた基材を、コーティングを被着した後でラインにおいて、被着ユニットの出口においてかつ光学制御装置の前で、又は光学制御装置の後でかつ基材積層装置の前で、処理してよい。

また、熱処理装置を、所定の場合において、被着ユニットに組み込んでもよい。例えば、レーザー源を、スパッタリング被着ユニットのチャンバーのうち一つに、特には大気が希薄化されているチャンバーに、とりわけ１０^−６ｍｂａｒと１０^−２ｍｂａｒの間の圧力のチャンバーに、導入してよい。また、熱処理装置を、被着ユニットの外部に配置してもよいが、このユニットの内部に位置する基材を処理するようにする。例えば、レーザーを使用する場合に、この目的のために、使用される放射線の波長に対して透過性である窓を設けることができ、この窓をレーザー放射線が通過して、層を処理する。このようにして、同一ユニット内における別の層の後の堆積の前に、層（例えば銀層）を処理することが可能である。

熱処理装置が、被着ユニットの外部にあろうと、又はその内部に組み込まれていようと、これらの「インライン」プロセスは、被着工程と熱処理の間にガラス基材を積層することが必要と考えられる、オフライン作業を伴うプロセスにとって、好ましい。

しかしながら、オフライン作業を伴う方法は、本発明の熱処理を、被着を行う場所とは異なる場所、例えばガラスの転化を行う場所で実行する場合に、有利であろう。したがって、熱処理装置を、層被着ライン以外のラインに組み込んでよい。例えば、これを、多重グレージング（特に二重又は三重グレージング）の製造ラインに、又は積層グレージングの製造ラインに、又は湾曲及び／若しくは強化グレージングの製造ラインに、組み込んでよい。積層、湾曲、又は強化グレージングは、建造物のグレージングとしても用いることができ、又は自動車のグレージングとして用いることもできる。これらの種々の場合において、本発明の熱処理は、多重グレージング又は積層グレージングを製造する前に行うのが好ましい。しかしながら、熱処理を、二重グレージング又は積層グレージングを製造した後に行ってよい。

加熱手段がレーザー源である場合には、熱処理装置は、密閉チャンバーに配置するのが好ましく、この密閉チャンバーは、レーザー放射線とのあらゆる接触を防止することによって人を保護すること、及びあらゆる汚染、特に基材、光学素子、又は処理領域の汚染を防止することを可能にする。

コーティングは、任意のタイプの方法、特に大部分が非晶質又はナノ結晶質である層を生成する方法、例えばスパッタリング法、とりわけマグネトロンスパッタリング法、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法、真空蒸着法、又はゾル―ゲル法によって、基材に被着してよい。

コーティングは、スパッタリング、とりわけマグネトロンスパッタリング（マグネトロン法）によって被着するのが好ましい。

より簡素化するためには、コーティングの熱処理を、空気中でかつ／又は大気圧下で行うのが好ましい。しかしながら、多層積層体の熱処理を、実際の真空被着チャンバー内で、例えばその後の被着の前に、行うことが可能である。

基材は、ガラス製、ガラスセラミック製、又は高分子有機材料製であるのが好ましい。これは、透明、無着色（この場合にはクリア、又は超クリアガラスである）、又は着色、例えば青色、灰色、緑色、若しくは青銅色の着色であるのが好ましい。ガラスはソーダ−石灰−シリカタイプが好ましいが、ホウケイ酸塩又はアルミノホウケイ酸塩タイプのガラスでもよい。好ましい高分子有機材料は、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、あるいはフルオロポリマー類、例えばエチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）である。基材は、１ｍ以上、２ｍ以上、又は３ｍ以上の少なくとも一つの寸法を有するのが有利である。基材の厚さは、一般的には０．５ｍｍと１９ｍｍの間、好ましくは０．７ｍｍと９ｍｍの間、特に２ｍｍと８ｍｍの間、又は４ｍｍと６ｍｍの間で種々の値を有する。基材は、平坦であるか、若しくは湾曲していてよく、又は柔軟であってよい。

ガラス基材は、フロートガラスタイプ、すなわち溶融ガラスを溶融スズの浴（「フロート」浴）に注ぐことからなる方法によって得ることができるフロートガラスタイプであるのが好ましい。この場合には、処理されるコーティングは、基材の「大気」側と同様に「スズ」側に被着することができる。「大気」側及び「スズ」側という用語は、それぞれ、フロート浴に広がっている大気と接触する基材の側、及び溶融スズと接触する基材の側を意味すると理解される。スズ側は、ガラスの構造中に拡散したスズを少量表面的に含有している。また、ガラス基材を、二つのロールの間での圧延によって得てもよい。これは特にはガラスの表面にパターンを刻み込むことを可能にする技術である。

熱処理は、好ましくは、特に結晶のサイズ及び／又は結晶相の量の増大によって、コーティングの結晶化を向上することを意図している。また、熱処理は、随意に特定の結晶相の成長を促進することによって、金属の層又は酸素が不足当量である金属酸化物の層を酸化することを意図するものであってもよい。

熱処理工程は、コーティングの溶融、さらには部分的な溶融を行うものでないのが好ましい。処理がコーティングの結晶化を向上することを意図するものである場合には、熱処理は、固相を維持したまま、コーティング中に既に存在している核の周囲での結晶成長の物理化学的な機構によるコーティングの結晶化を促進するのに十分なエネルギーを提供することを可能にする。この処理は、溶融材料から出発する冷却による結晶化の機構を用いない。なぜならば、一方では、これは、極端に高い温度が要求されるためであり、かつ他方では、例えばコーティングの光学的外観を変更することによって、その厚さ又は屈折率を変更し、ひいてはその特性を変更しかねないためである。

コーティングは、金属、酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物、又はそれらのいずれかの混合物の、少なくとも一つの薄層を含むのが好ましい。それは、金属層（特に銀若しくはモリブデン金属層をベースとする、又は銀若しくはモリブデンからなる金属層）、酸化チタン層、及び透明導電性層から選択される薄層を含むのが好ましい。

透明導電性層は、典型的には混合インジウムスズ酸化物（「ＩＴＯ」と称される）に基づいており、混合インジウム亜鉛酸化物（「ＩＺＯ」と称される）に基づいており、ガリウムドープ型若しくはアルミニウムドープ型酸化亜鉛に基づいており、ニオブドープ型酸化チタンに基づいており、スズ酸カドミウム若しくはスズ酸亜鉛に基づいており、又はフッ素及び／若しくはアンチモンがドープされた酸化スズに基づいている。これらの種々の層は、透明にもかかわらず導電性又は半導電性であり、かつこれらの二つの特性が必要な多くのシステムで用いられる層であるという顕著な特徴を有している。これら２つの特性が必要な多くのシステムは、液晶ディスプレー（ＬＣＤ）、ソーラー若しくは光起電性コレクター、エレクトロクロミック若しくはエレクトロルミネセント装置（特にＬＥＤ、ＯＬＥＤ）などである。一般的には所望のシート抵抗によって決定されるこれらの層の厚さは、典型的には境界値を含めて５０ｎｍと１０００ｎｍの間である。

薄い金属層、例えば金属銀に基づくのみならず金属モリブデン又は金属ニオブにも基づく薄い金属層は、電気伝導の特性及び赤外放射線反射の特性を有しており、そのため、（入ってくる太陽エネルギーの量を減じる目的で）太陽光制御グレージング、特にはソーラープロテクショングレージングにおいて使用され、又は（建造物又は乗り物の外部に消散されるエネルギーの量を減じる目的で）低放射率グレージングにおいて使用される。それらの物理的厚さは、典型的には４ｎｍと２０ｎｍの間である（境界値を含む）。低放射性多層積層体は、多くの場合、いくつかの銀層、典型的には、二つ又は三つの銀層を含むことがある。銀層又は各銀層は、一般的には誘電体層によって囲まれている。誘電体層は、腐食から銀層を保護し、かつ反射におけるコーティングの外観を調節することを可能にする。モリブデンは、ＣｕＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＳｅ_２（式中のｘは０〜１である）をベースとする光電池用の電極材料として用いられることがよくある。本発明に係る処理は、その抵抗率を低減することを可能にする。他の金属、例えばチタンを、特にはそれを酸化しかつ光触媒酸化チタン層を得る目的で、本発明に従って処理してよい。

処理されるコーティングが低放射率多層積層体である場合には、それは、基材から始めて、少なくとも第一誘電体層を有している第一コーティング、少なくとも銀層、随意にオーバーブロッカー層、及び少なくとも第二誘電体層を有している第二のコーティングを含むのが好ましい。

銀層又は各銀層の物理的厚さは、６ｎｍと２０ｎｍの間であるのが好ましい。

オーバーブロッカー層は、（例えば後続の層を酸化雰囲気又は窒化雰囲気で被着する場合に）後続の層を被着している間、及び強化型又は湾曲型の随意の熱処理の際に、銀層を保護することを意図している。

また、銀層を、アンダーブロッカー層の上に、これと接触させて被着してもよい。したがって、多層積層体は、銀層若しくは各銀層に隣接しているオーバーブロッカー層及び／又はアンダーブロッカー層を含んでいてよい。

ブロッカー（アンダーブロッカー及び／又はオーバーブロッカー）層は、一般的にはニッケル、クロム、チタン、ニオブ、又はそれら種々の金属の合金から選択される金属をベースとする。特にニッケル−チタン合金（とりわけ各金属を重量で約５０％含有しているもの）で製造されたもの、及びニッケル−クロム合金（とりわけニッケルを重量で８０％、及びクロムを重量で２０％含有しているもの）で製造されたものを挙げることができる。また、オーバーロッカー層は、いくつか重ね合わされた層、例えば基材から遠ざかるにつれて、チタン層、そしてニッケル合金（とりわけニッケル−クロム合金）層から構成されていてもよく、又はこの逆もまた然りである。また、前述の種々の金属又は合金は、部分的に酸化されていてよく、かつとりわけ酸素について不足当量（例えばＴｉＯ_ｘ又はＮｉＣｒＯ_ｘ）であってよい。

これらのブロッカー（アンダーブロッカー及び／又はオーバーブロッカー）層は、非常に薄く、通常は１ｎｍ未満の厚さを有しており、それによって、多層積層体の光の透過率に影響を及ぼさないようにしており、かつ本発明の熱処理の際に部分的に酸化されてよい。一般的には、ブロッカー層は、大気又は基材から来る酸素を捕捉することができ、そのようにして銀層が酸化されることを防止することができる、犠牲層である。

第一及び／又は第二の誘電体層（特に第二誘電体層の場合には、基材から一番遠いもの）は、典型的には酸化物（とりわけスズ酸化物）、あるいは好ましくは窒化物、とりわけ窒化ケイ素である。一般的に窒化ケイ素は、スパッタリング技術によってそれを被着することを比較的容易にするために、例えばアルミニウム又はホウ素によってドープされていてよい。ドープの程度（ケイ素の量に対する原子％相当）は、一般的には２％以下である。これらの誘電体層の機能は、化学的又は機械的攻撃から銀層を保護することであり、また、これらは、干渉現象を介して、多層積層体の光学的特性、とりわけ反射における光学的特性に影響を及ぼす。

第一のコーティングは、１つの誘電体層、又は複数の、典型的には２〜４つの誘電体層を含んでいてよい。第二のコーティングは、１つの誘電体層、又は複数の、典型的には２つ〜３つの誘電体層を含んでいてよい。これらの誘電体層は、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化スズ、及び酸化亜鉛、又はそれらのいずれかの混合物若しくは固溶体、例えば酸化スズ亜鉛、又は酸化チタン亜鉛から選択される材料で製造されているのが好ましい。第一のコーティングにおいてであれ第二のコーティングにおいてであれ、誘電体層の物理的厚さ、又は全ての誘電体層の合計物理的厚さは、１５ｎｍと６０ｎｍの間、とりわけ２０ｎｍと５０ｎｍの間であるのが好ましい。

第一のコーティングは、銀層の直下又は随意のアンダーブロッカー層の直下に、湿潤層を含むのが好ましい。この湿潤層の機能は、銀層の湿潤性及び結合性を増大することである。酸化亜鉛は、とりわけアルミニウムをドープした場合には、この点について特に有利になることが判明している。

また、第一のコーティングは、湿潤層の直下に平滑層を含んでいてよい。この平滑層は、部分的又は完璧に非晶質混合酸化物であり（したがって非常に小さい粗さを有するものであり）、この平滑層の機能は、湿潤層の、優先結晶方位における成長を促進し、それによりエピタキシャル現象による銀の結晶化を促進することである。平滑層は、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｇａ，及びＳｂから選択される少なくとも２種の金属の混合酸化物で構成されているのが好ましい。好ましい酸化物は、アンチモンドープ型のインジウムスズ酸化物である。

第一のコーティングにおいて、湿潤層又は任意選択的な平滑層は、第一の誘電体層上に直接被着するのが好ましい。第一の誘電体層は、基材上に直接被着するのが好ましい。多層積層体の光学的特性（とりわけ反射における見た目）を最適に適合させるために、第一の誘電体層を、代案として、別の酸化物層又は窒化物層、例えば酸化チタン層の上に被着してよい。

第二のコーティング内において、第二の誘電体層を、銀層上に、好ましくはオーバーブロッカー上に、あるいは他の酸化物層若しくは窒化物層上に直接被着してよく、そのようにして、多層積層体の光学的特性を適合させることが意図される。例えば、酸化亜鉛層、とりわけアルミニウムがドープされたもの、又は酸化スズ層を、オーバーブロッカーと第二の誘電体層の間に配置してよく、第二誘電体層は、好ましくは窒化ケイ素製である。酸化亜鉛、とりわけアルミニウムドープ型酸化亜鉛は、銀層とその上方層の間の接着性を向上させることができる。

したがって、本発明に従って処理される多層積層体は、少なくとも一つの、ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯが連なったものを含むのが好ましい。酸化亜鉛は、アルミニウムでドープされていてよい。アンダーブロッカー層が、銀層とその下方層との間に配置されていてよい。代替案として又は累積的に、オーバーブロッカー層を、銀層とその上方層との間に配置してよい。

最後に、第二のコーティングの上には、当該技術分野においてオーバーコートと称されることもある上層が配置されていてよい。多層積層体のこの最終層、したがって周囲空気と接触するこの最終層は、あらゆる機械的な攻撃（引っかき傷など）又は化学的な攻撃から多層積層体を保護することを意図している。このオーバーコートは、多層積層体の反射における見た目を乱すことのないように、一般的には非常に薄い（その厚さは典型的には１ｎｍと５ｎｍの間である）。それは、不足当量の形で被着されている、酸化チタン又は混合スズ亜鉛酸化物、とりわけアンチモンがドープされているものに基づくのが好ましい。

多層積層体は、一又は複数の銀層、とりわけ２つ又は３つの銀層を含んでいてよい。いくつかの銀層が存在する場合には、上述の一般的な構造を繰り返してもよい。この場合には、所定の銀層に対する第二のコーティング（したがってこの銀層の上に位置する第二コーティング）は、一般的には次の銀層に対する第一のコーティングに一致する。

酸化チタンをベースとする薄層は、紫外放射線の作用の下で、有機化合物の分解を促進することによって、かつ水の流れの作用の下で、無機質の汚染（ほこり）の除去を促進することによって、自浄性であるという顕著な特徴を有している。これらの物理的厚さは、境界値を含めて２ｎｍと５０ｎｍの間、特に５ｎｍと２０ｎｍの間であるのが好ましい。

上述した種々の層は、それらが少なくとも部分的に結晶化された状態にある場合に、それらの特性のうちのいくつかが向上していることが観察されるという、共通した顕著な特徴を有している。一般的に、これらの層の結晶化の度合（重量による、又は体積による結晶化した材料の割合）、及び結晶粒のサイズ（又はＸ線回折法によって測定されるコヒーレント回折ドメインのサイズ）を最大化すること、又は、一定の場合には、特定の結晶学的形態に有利に働くようにすることが、求められる。

酸化チタンの場合には、アナターゼ型で結晶化した酸化チタンは、非晶質酸化チタン又はルチル型若しくはブルカイト型で結晶化した酸化チタンより、有機化合物の分解の観点で、はるかに効果的であることが知られている。

また、結晶化の度合が高く、結果として非晶質銀の残留含有量が低い銀層は、大部分が非晶質である銀層より、比較的低い放射率及び比較的低い抵抗率を有することも知られている。したがって、これらの層の電気伝導性及び低放射率の特性が、向上する。

同様に、上記の透明導電性層、とりわけドープ型酸化亜鉛、フッ素ドープ型酸化スズ、又はスズドープ型酸化インジウムに基づくものは、その結晶化の度合が高い場合には、よりいっそう高い電気伝導性を有する。

コーティングが伝導性である場合には、そのシート抵抗を、熱処理によって、１０％以上、１５％以上、あるいは２０％以上低減するのが好ましい。ここで、これは、処理前のシート抵抗の値に対する相対的減少についての問題である。

他のコーティングを、本発明に従って処理してよい。とりわけ、制限されることなく、ＣｄＴｅ又は黄銅鉱、例えばＣｕＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＳｅ_２（式中、ｘは０〜１）タイプの黄銅鉱に基づいている（又はそれで構成されている）コーティングを挙げることができる。また、（例えばスクリーン印刷により被着される）エナメルタイプ、又は（典型的には有機樹脂及び顔料を含む）塗料若しくはラッカータイプのコーティングを挙げることもできる。

本発明に従って得られるコーティングされた基材は、単層、多層、又は積層グレージング、ミラー、及びガラス壁装材において、用いることができる。コーティングが低放射率多層積層体であり、かつ多重グレージングが、ガスが充填されたキャビティによって分離されている少なくとも２つのガラスシートを含む場合には、多層積層体を、前記ガスが充填されたキャビティに接する面の上、とりわけ外部に対して第２面上（すなわち、建築物の外側に接する基材の、外部方向に向けられている面に対して反対側にある面の上）、又は第３面上（すなわち、建築物の外側から出発して二番目の基材の、外部方向に向けられている面の上）に配置するのが好ましい。コーティングが光触媒層である場合には、第１面上、したがって、建築物の外側に接する面の上に、配置するのが好ましい。

また、本発明に従って得られるコーティングされた基材を、光電池、グレージング、又はソーラーパネルにおいて用いてもよく、本発明にしたがって処理されるコーティングが、例えば、多層積層体における、ＺｎＯ：Ａｌ又はＺｎＯ：Ｇａに基づく、黄銅鉱（特にＣＩＧＳ−ＣｕＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＳｅ_２タイプ、式中ｘは０〜１）に基づく、非晶質及び／若しくは多結晶シリコンに基づく、又は、ＣｄＴｅに基づく、電極であってよい。

また、本発明に従って得られるコーティングされた基材を、ＬＣＤ（液晶ディスプレー）タイプ、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）若しくはＦＥＤ（電界放出ディスプレー）タイプのディスプレースクリーンにおいて用いてもよく、本発明に従って処理されるコーティングが、例えば、ＩＴＯの電気伝導性層であってよい。また、それらを、エレクトロクロミックグレージングにおいて用いてもよく、本発明に従って処理される薄層が、例えば、仏国特許出願公開第２８３３１０７号明細書で教示されているように、透明導電性層であってよい。

以下の非限定的な図及び代表的な実施形態を用いて、本発明を説明する。

図１及び図２は、概略的にかつ上面図で、本発明の２つの実施態様を説明している。

コーティング（図示しない）を備えた基材１が、熱処理装置の中を矢印で示す方向に走行している。この装置は、特性を局所的に測定するための手段３ａ〜３ｇと、加熱手段２ａ〜２ｇとを有しており、手段３ａ〜３ｇが、基材１が走行する方向に対して垂直なラインに沿って配置されており、加熱手段２ａ〜２ｇが、線形形状を有しており、典型的には複数のレーザーラインであり、ここでは、数が７である。図１の場合、加熱手段２ａ〜２ｇが、基材１が走行する方向に対して垂直な２つの列に沿って互い違いの列で配置されている。図２の場合には、加熱手段２ａ〜２ｇが、単一のラインを形成するように、１列で配置されている。

また、装置は、熱処理を調節する手段、例えばレーザーライン２ａ〜２ｇの出力を調節することを可能にする手段を含む。測定手段３ａ〜３ｇは、例えば、コーティングの局所的な吸収率を測定することを可能にする光学センサーである。

基材の各点が、最初に、１つの領域あたり一つの測定、ここでは７つの測定、を可能にする局所的な測定手段３ａ〜３ｇに向かい合って、走行する。これらの領域のそれぞれが対応する加熱手段２ａ〜２ｇに向かい合うときに、加熱処理を、当該領域で行った測定に応じて、調節する。例えばセンサー３ｃが所定の領域における吸収率の低下の観測を可能にする場合、当該領域がレーザー２ｃの向かい側に到着したときに、このレーザーの出力を増加させる。

本発明の一例において、６×３．２ｍ^２の寸法及び４ｍｍの厚さを有しており、かつ多層積層体スパッタリング法によってコーティングされた、製品名ＳＧＧ Ｐｌａｎｉｌｕｘとしてサン−ゴバン・グラス・フランス社から販売されているソーダ石灰シリカフロートガラスの基材を、処理した。この多層積層体は、銀の薄層を含む低放射率タイプのものであり、熱処理の目的は、層をより良く結晶化して、多層積層体の放射率を低減することであった。コーティングの平均吸収率（熱処理前）は、用いたレーザーの波長において、８％であった。

この吸収率は、特にカソードにおける摩耗の差に起因して、基材の全幅にわたって同一ではなかった。したがって、この例示的な実施形態で処理した基材の事例では、吸収率は、一端においては、９％であり、反対の端から出発して幅の三分の一のところでは、７．５％であった。

熱処理装置は、各３０ｃｍの長さを有する１１のレーザーラインを使用したことを除き、図１の熱処理装置のタイプであった。（基材が走行する方向で測定された）レーザーラインの二つの列の間の距離は、１ｍｍであった。これらのレーザーラインは、非常にわずかに重複しており、それにより、コーティングの特定の箇所が、２つの隣接するラインによって相次いで処理されるようになっていた。しかしながら、レーザーラインの列の間の距離を考慮して、重複する領域は、第二の列のレーザーによって処理を受ける前に、周囲温度へと冷却される時間を有していた。

レーザーラインの幅は４０μｍであり、その線形出力密度は、４５０Ｗ／ｃｍであった。レーザー源は、９８０ｎｍの波長で、連続放射で使用された、ＩｎＧａＡｓ半導体レーザーであった。これらの条件の下で、１０ｍ／分の走行速度に対して、コーティングにおける温度の上昇が、４５０℃であった。

コーティングの局所的な吸収率を測定することを可能にする１１のセンサーを、レーザーラインの上流で、レーザーラインから約５０ｃｍのところで、ラインに沿って配置した。Ｏｐｔｏｐｌｅｘ社から販売されているこれらのセンサーは、ランプ及びフォトダイオードを含んでいた。図１の場合のように、それぞれのセンサーが、レーザーラインによって後に処理される領域における吸収率を決定することを、可能にした。

ここでは、処理の調節は、上流で測定した吸収率に応じてレーザーの出力を補正することからなっていた。補正は比例式であり、半導体レーザーに送られる電流によって、レーザーの出力を、吸収率の増加に比例して減少させ、この逆もまた然りであった。測定と補正の間に遅延が設けられた。この遅延の時間は、センサーとレーザーラインの間の距離を移動するのに必要な時間に相当した。

吸収率の１％の低下をレーザーの出力の１％の増加によって補償したという意味で、補正は線形であった。したがって、複数のセンサーのうちの一つによって局所的に測定された吸収率がほんの７％である場合には、対応するレーザーラインの線形出力密度を約５００Ｗ／ｃｍに増加させる。逆に、吸収率が９％である端部では、線形出力密度を、４００Ｗ／ｃｍに低減させる。

Claims (15)

1. 面のうち少なくとも一つの上にコーティングを備えた基材（１）を得る方法であり、前記コーティングを、前記基材（１）の上に被着し、次いで、前記コーティングを、走行する前記基材（１）の向かい側にある少なくとも一つの加熱手段（２ａ）によって熱処理する方法であって、前記熱処理の前に、前記コーティングの少なくとも一つの特性の少なくとも一つの測定を、走行している前記基材（１）において行い、かつ前記熱処理の条件を、前もって得た測定値に応じて適合させるようにする、方法。
2. 前記コーティングを、互いに独立に制御可能でありかつ走行する前記基材（１）の向かい側にある少なくとも二つの加熱手段（２ａ，２ｂ）によって熱処理し、各加熱手段（２ａ，２ｂ）が、前記コーティングの異なる区域を処理し、さらに、前記熱処理の前に、かつ前記区域それぞれに関して、前記コーティングの少なくとも一つの特性の少なくとも一つの測定を、走行している前記基材（１）において行い、かつ各区域の前記熱処理の条件を、当該区域に関して前もって得た測定値に応じて適合させるようにする、請求項１に記載の方法。
3. 前記加熱手段又は各前記加熱手段（２ａ、２ｂ）を、レーザー、プラズマトーチ、マイクロ波源、バーナー、及びインダクターから選択する、請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記レーザー（２ａ，２ｂ）が、ラインの形状である、請求項３に記載の方法。
5. 前記熱処理の前に測定する前記コーティングの少なくとも一つの特性を、光学的、電気的、又は寸法的な特性から選択する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記光学的な特性を、吸収率、反射率、透過率、及び色から選択する、請求項５に記載の方法。
7. 前記電気的な特性を、抵抗率、伝導率、及びシート抵抗から選択する、請求項５に記載の方法。
8. 前記熱処理の条件の適合を、自動的に行う、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
9. 前記熱処理の条件を、前記加熱手段又は各前記加熱手段（２ａ）によって供給される出力を変更することによって、適合させる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
10. 前記基材（１）が、ガラス製、ガラスセラミック製、又はポリマー有機材料製である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
11. 前記コーティングが、金属、酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物、又はそれらの任意の混合物の少なくとも一つの薄層を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
12. 前記コーティングが、少なくとも１つの、銀に基づいている層を含んでいる、請求項１１に記載の方法。
13. 前記熱処理工程が、前記コーティングの溶融を伴わず、さらには、部分的溶融さえも伴わない、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
14. 基材（１）の上に被着したコーティングの熱処理用装置であって、前記基材（１）がそれに向き合って走行し得る少なくとも一つの加熱手段（２ａ）と、前記加熱手段又は各前記加熱手段（２ａ）の上流に配置されており前記コーティングの少なくとも一つの特性を測定するための少なくとも一つの測定手段（３ａ）と、前もって得た測定値に応じて熱処理条件を適合させるための手段とを含む、装置。
15. 互いに独立に制御することが可能であり、前記基材（１）がそれに向き合って走行可能であり、かつそれぞれが前記コーティングの異なる区域を処理しうる、少なくとも２つの加熱手段（２ａ，２ｂ）と、前記加熱手段（２ａ，２ｂ）の上流に配置されており、前記区域のそれぞれにおける前記コーティングの少なくとも一つの特性を局所的に測定するための手段（３ａ，３ｂ）と、各区域の熱処理条件を、当該区域に関して前もって得た測定値に応じて適合させるための手段とを含む、請求項１４に記載の装置。

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