JP2019075532A - 半導体装置、表示装置、および半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置の構成例、およびその作製方法例について説明する。以下で例示する半導体装置は、特に表示装置の画素部または駆動回路部に好適に用いることができる。
図1(A)は、トランジスタ100の上面図であり、図1(B)は、図1(A)に示す一点鎖線A1−A2における切断面の断面図に相当し、図1(C)は、図1(A)に示す一点鎖線B1−B2における切断面の断面図に相当する。なお、図1(A)において、トランジスタ100の構成要素の一部(ゲート絶縁層等)を省略して図示している。また、一点鎖線A1−A2方向をチャネル長方向、一点鎖線B1−B2方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。また、トランジスタの上面図においては、以降の図面においても図1(A)と同様に、構成要素の一部を省略して図示する場合がある。
図2(A)は、トランジスタ100Aの上面図であり、図2(B)はトランジスタ100Aのチャネル長方向の断面図であり、図2(C)はトランジスタ100Aのチャネル幅方向の断面図である。
図3(A)は、以下で例示するトランジスタ100Bの上面図であり、図3(B)はトランジスタ100Bのチャネル長方向の断面図であり、図3(C)はトランジスタ100Bのチャネル幅方向の断面図である。
図4(A)は、以下で例示するトランジスタ100Cの上面図であり、図4(B)はトランジスタ100Cのチャネル長方向の断面図であり、図4(C)はトランジスタ100Cのチャネル幅方向の断面図である。
図5(A)は、以下で例示するトランジスタ100Dの上面図であり、図5(B)はトランジスタ100Dのチャネル長方向の断面図であり、図5(C)はトランジスタ100Dのチャネル幅方向の断面図である。
図6(A)は、以下で例示するトランジスタ100Eの上面図であり、図6(B)はトランジスタ100Eのチャネル長方向の断面図であり、図6(C)はトランジスタ100Eのチャネル幅方向の断面図である。
図7(A)(B)に、以下で例示するトランジスタ100Fの断面図を示す。図7(A)はトランジスタ100Fのチャネル長方向の断面図であり、図7(B)はトランジスタ100Fのチャネル幅方向の断面図である。なお上面図については、図1(A)を援用できる。
図8(A)(B)に、以下で例示するトランジスタ100Gの断面図を示す。図8(A)はトランジスタ100Gのチャネル長方向の断面図であり、図8(B)はトランジスタ100Gのチャネル幅方向の断面図である。なお上面図については、図2(A)を援用できる。
図9(A)には、構成例1で例示したトランジスタ100と、これと同一の工程で形成しうる容量素子130Aの断面図を示す。
図9(B)には、構成例2で例示したトランジスタ100Aと、これと同一の工程で形成しうる容量素子130Bの断面図を示す。
図9(C)には、構成例2で例示したトランジスタ100Aと、これと同一の工程で形成しうる容量素子130Cの断面図を示す。
次に、本実施の形態の半導体装置に含まれる構成要素について、詳細に説明する。
基板102の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板等を、基板102として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、SOI基板等を適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板102として用いてもよい。なお、基板102として、ガラス基板を用いる場合、第6世代(1500mm×1850mm)、第7世代(1870mm×2200mm)、第8世代(2200mm×2400mm)、第9世代(2400mm×2800mm)、第10世代(2950mm×3400mm)、または第10.5世代、第11世代、または第12世代など、サイズの大きな基板を用いることで、大型の表示装置を作製することができる。
絶縁層104としては、スパッタリング法、CVD法、蒸着法、パルスレーザー堆積(PLD)法、印刷法、塗布法等を適宜用いて形成することができる。また、絶縁層104としては、例えば、酸化物絶縁膜または窒化物絶縁膜を単層または積層して形成することができる。なお、半導体層108との界面特性を向上させるため、絶縁層104において少なくとも半導体層108と接する領域は酸化物絶縁膜で形成することが好ましい。また、絶縁層104として加熱により酸素を放出する酸化物絶縁膜を用いることで、加熱処理により絶縁層104に含まれる酸素を、半導体層108に移動させることが可能である。
ゲート電極として機能する導電層112及び導電層106、並びにソース電極またはドレイン電極の一方として機能する導電層120a、及び他方として機能する導電層120bとしては、クロム(Cr)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、亜鉛(Zn)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、コバルト(Co)から選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いてそれぞれ形成することができる。
トランジスタ100等のゲート絶縁膜として機能する絶縁層110としては、プラズマ化学気相堆積(PECVD:(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition))法、スパッタリング法等により、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜および酸化ネオジム膜を一種以上含む絶縁層を用いることができる。なお、絶縁層110を、2層の積層構造または3層以上の積層構造としてもよい。
半導体層108がIn−M−Zn酸化物の場合、In−M−Zn酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、In>Mを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、In:M:Zn=1:1:1、In:M:Zn=1:1:1.2、In:M:Zn=2:1:3、In:M:Zn=3:1:2、In:M:Zn=4:2:4.1、In:M:Zn=5:1:6、In:M:Zn=5:1:7、In:M:Zn=5:1:8、In:M:Zn=6:1:6、In:M:Zn=5:2:5等が挙げられる。
以下では、本発明の一態様のトランジスタ及び容量素子の作製方法について説明する。ここでは、図9(B)で例示したトランジスタ100Aと容量素子130Bを例に挙げて説明する。
基板102上に導電膜を形成し、これをエッチングにより加工して、ゲート電極として機能する導電層106と、容量素子の一方の電極として機能する導電層106Cを同時に形成する(図11(A))。
続いて、基板102、導電層106、及び導電層106Cを覆って絶縁層104を形成する(図11(B))。絶縁層104は、プラズマCVD法、ALD法、スパッタリング法などを用いて形成することができる。
続いて、絶縁層104上に金属酸化物膜108fを成膜する(図11(C))。
続いて、半導体層108、金属酸化物層108C、及び絶縁層104上に、絶縁層110となる絶縁膜110fを成膜する。
続いて、絶縁膜110f上に、金属酸化物層114となる金属酸化物膜114fを成膜する。
続いて、金属酸化物膜114f上に、導電層112となる導電膜112fを成膜する(図11(E))。
続いて、導電膜112f、金属酸化物膜114f、及び絶縁膜110fの一部をエッチングし、半導体層108の一部、及び金属酸化物層108Cを露出させる(図11(F))。
続いて、第1の層116を形成する(図12(A))。
続いて、加熱処理を行う(図12(B))。加熱処理により、半導体層108の第1の層116と接する領域が低抵抗化し、半導体層108中に低抵抗な領域108nが形成される。また同時に、金属酸化物層108Cを低抵抗化させることができる。
続いて、第1の層116上に金属酸化物層117を形成する(図12(C))。金属酸化物層117は、上記金属酸化物膜114fと同様の方法により形成することができる。
続いて、金属酸化物層117を覆って絶縁層118を形成する(図12(D))。
続いて、絶縁層118の所望の位置に、リソグラフィによりマスクを形成した後、絶縁層118、金属酸化物層117、および第1の層116の一部をエッチングすることで、領域108nに達する開口部141a、開口部141b、及び金属酸化物層108Cに達する開口部141cを形成する。
続いて、開口部141a、開口部141b、開口部141cを覆うように、絶縁層118上に導電膜を成膜し、当該導電膜を所望の形状に加工することで、導電層120a、導電層120bを形成する(図12(E))。
続いて、導電層120a、導電層120b、及び絶縁層118を覆って絶縁層119を形成する(図13(A))。
続いて、導電層109を形成する(図13(B))。導電層109は、導電層112等と同様の方法により形成することができる。
以下では、図10(B)で示したトランジスタ100Gと、容量素子130B’の作製方法の例について説明する。なお、上記作製方法例と共通する部分については説明を省略し、主に相違点について説明する。
本実施の形態においては、先の実施の形態で例示したトランジスタを有する表示装置の一例について説明を行う。
図15(A)は、表示装置の一例を示す上面図である。図15(A)に示す表示装置700は、第1の基板701上に設けられた画素部702と、第1の基板701に設けられたソースドライバ回路部704及びゲートドライバ回路部706と、画素部702、ソースドライバ回路部704、及びゲートドライバ回路部706を囲むように配置されるシール材712と、第1の基板701に対向するように設けられる第2の基板705と、を有する。なお、第1の基板701と第2の基板705は、シール材712によって貼り合わされている。すなわち、画素部702、ソースドライバ回路部704、及びゲートドライバ回路部706は、第1の基板701とシール材712と第2の基板705によって封止されている。なお、図15(A)には図示しないが、第1の基板701と第2の基板705の間には表示素子が設けられる。
以下では、表示素子として液晶素子及びEL素子を用いる構成について、図16乃至図18を用いて説明する。なお、図16及び図17は、図15(A)に示す一点鎖線Q−Rにおける断面図であり、表示素子として液晶素子を用いた構成である。また、図18は、図15(A)に示す一点鎖線Q−Rにおける断面図であり、表示素子としてEL素子を用いた構成である。
図16乃至図18に示す表示装置700は、引き回し配線部711と、画素部702と、ソースドライバ回路部704と、FPC端子部708と、を有する。また、引き回し配線部711は、信号線710を有する。また、画素部702は、トランジスタ750及び容量素子790を有する。また、ソースドライバ回路部704は、トランジスタ752を有する。
図16に示す表示装置700は、液晶素子775を有する。液晶素子775は、導電膜772、導電膜774、及び液晶層776を有する。導電膜774は、第2の基板705側に設けられ、対向電極としての機能を有する。図16に示す表示装置700は、導電膜772と導電膜774に印加される電圧によって、液晶層776の配向状態が変わることによって光の透過、非透過が制御され画像を表示することができる。
図18に示す表示装置700は、発光素子782を有する。発光素子782は、導電膜772、EL層786、及び導電膜788を有する。図18に示す表示装置700は、画素毎に設けられる発光素子782が有するEL層786が発光することによって、画像を表示することができる。なお、EL層786は、有機化合物、または量子ドットなどの無機化合物を有する。
また、図16乃至図18に示す表示装置700に入出力装置を設けてもよい。当該入出力装置としては、例えば、タッチパネル等が挙げられる。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を有する表示装置について、図21を用いて説明を行う。
以下では、本発明の一態様の表示装置を適用可能な電子機器について説明する。ここでは、発電装置及び受電装置を備える電子機器を例に挙げて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製することができる表示モジュールについて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製された表示装置を備える電子機器について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図面を参照して説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を有する表示装置を適用することのできるテレビジョン装置の例について、図面を参照して説明する。
本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン(ドレイン端子、ドレイン領域またはドレイン電極)とソース(ソース端子、ソース領域またはソース電極)の間にチャネル形成領域を有しており、チャネル形成領域を介してソースとドレインとの間に電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル形成領域とは、電流が主として流れる領域をいう。
評価1では、第1の層の材料がそれぞれ異なる4つの試料と1つの比較試料とを作製し、金属酸化物膜のシート抵抗を測定した。
評価2では、試料の作製にかかる工程毎に金属酸化物膜のシート抵抗を測定し、金属酸化物膜のシート抵抗の推移を評価した。具体的には、金属酸化物膜のシート抵抗の測定のタイミングがそれぞれ異なる5種類の試料を作製した。
評価3では、金属酸化物膜の材料がそれぞれ異なる3つの試料を作製し、金属酸化物膜のシート抵抗を測定した。
作製したトランジスタの構成は、実施の形態1及び図8で例示したトランジスタ100Gを援用できる。
以下では、第2のゲート絶縁層の厚さが最も薄い条件のトランジスタを作製した。
以下では、第2のゲート絶縁層の厚さが上記よりも厚い複数の条件でトランジスタを作製した。
図32に、上記試料の作製1で説明した方法により作製した、第2のゲート絶縁層の厚さが約20nm、チャネル長Lが約0.7μm、チャネル幅Wが約20μmの上記トランジスタについてId−Vg特性を測定した結果を示す。
次に、上記作製した試料について、トランジスタのオン電流を測定した。トランジスタのオン電流の測定条件としては、第1のゲート電極及び第2のゲート電極に印加する電圧(ゲート電圧(Vg))を5Vとし、ソース電極に印加する電圧(ソース電圧(Vs))を0Vとし、ドレイン電極に印加する電圧(ドレイン電圧(Vd))を5Vとした。
作製したトランジスタの構成は、実施の形態1及び図8(A)、(B)で例示したトランジスタ100Gを援用できる。ここでは金属酸化物層114として酸素が拡散しにくいIn−Ga−Zn酸化物を用い、第1の層を異ならせた2種類のトランジスタを作製した。
図36に、試料D1及び試料D2について、トランジスタのId−Vg特性を測定した結果を示す。図36では、それぞれチャネル長を約2μm、約3μm、及び約6μmとした3つのトランジスタについて示している。またそれぞれのチャネル幅は約50μmである。
また、試料D1及び試料D2について、ゲートバイアスストレス試験(GBT試験)を行った。ここでは、GBT試験として、トランジスタが形成されている基板を60℃に保持し、トランジスタのソースとドレインに0V、ゲートには20Vまたは−20Vの電圧を印加し、この状態を一時間保持した。ここで、試験環境を暗状態とし、ゲートに正の電圧を印加する試験をPBTS、負の電圧を印加する試験をNBTSと表記する。また、試料に光を照射した状態におけるPBTSをPBITS、NBTSをNBITSと表記する。光の照射は、約10000lxの白色LED光を用いた。
Claims (15)
- 第1の金属酸化物層と、第2の金属酸化物層とを同一面上に形成する工程と、
前記第1の金属酸化物層の第1の領域上に、第1の絶縁層と第1の導電層とを積層して形成する工程と、
前記第1の金属酸化物層の前記第1の絶縁層と重畳しない第2の領域と、前記第2の金属酸化物層に接して、第1の層を形成する工程と、
前記第1の金属酸化物層の前記第2の領域と、前記第2の金属酸化物層とが低抵抗化するように、加熱処理を行う工程と、
前記第1の金属酸化物層、前記第2の金属酸化物層、前記第1の絶縁層、及び前記第1の導電層を覆って第2の絶縁層を形成する工程と、
前記第2の絶縁層上に、前記第2の領域と電気的に接続する第2の導電層を形成する工程と、を有し、
前記第1の層は、アルミニウム、チタン、タンタル、及びタングステンの少なくとも一を含むように形成する、
半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記加熱処理を行う工程よりも後であって、前記第2の絶縁層を形成する工程よりも前に、前記第1の層を除去する工程を有する、
半導体装置の作製方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記第2の導電層は、前記第2の金属酸化物層と重畳するように形成する、
半導体装置の作製方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記第1の金属酸化物層及び前記第2の金属酸化物層を形成する工程よりも前に、
第3の導電層と第4の導電層とを、同一面上に形成する工程と、
前記第3の導電層及び前記第4の導電層を覆う第3の絶縁層を形成する工程と、を有し、
前記第1の金属酸化物層は、前記第1の領域が前記第3の導電層と重畳するように形成し、
前記第2の金属酸化物層は、少なくとも一部が前記第4の導電層と重畳するように形成する、
半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第1の層は、窒素を含むようにスパッタリング法により形成する、
半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記加熱処理は、窒素を含む雰囲気下において、300℃以上450℃以下の温度で行う、
半導体装置の作製方法。 - 同一面上に形成された第1の金属酸化物層及び第2の金属酸化物層と、
前記第1の金属酸化物層の第1の領域上に積層された、第1の絶縁層及び第1の導電層と、
前記第1の金属酸化物層の前記第1の絶縁層と重畳しない第2の領域、及び前記第2の金属酸化物層に接する第1の層と、
前記第1の金属酸化物層、前記第2の金属酸化物層、前記第1の絶縁層、及び前記第1の導電層を覆う第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上に、前記第2の領域と電気的に接続する第2の導電層と、を有し、
前記第1の層は、アルミニウム、チタン、タンタル、及びタングステンの少なくとも一を含み、
前記第2の領域は、前記第1の領域よりも低抵抗である、
半導体装置。 - 請求項7において、
前記第2の導電層は、前記第1の絶縁層、前記第1の層、及び前記第2の金属酸化物層と重畳する部分を有する、
半導体装置。 - 請求項7において、
前記第1の金属酸化物層及び前記第2の金属酸化物層よりも下に第3の導電層及び第4の導電層と、
前記第3の導電層及び前記第4の導電層を覆い、前記第1の金属酸化物層及び前記第2の金属酸化物層よりも下に位置する第3の絶縁層と、を有し、
前記第3の導電層は、前記第1の領域と重畳する部分を有し、
前記第4の導電層は、前記第2の金属酸化物層と重畳する部分を有する、
半導体装置。 - 請求項9において、
前記第2の領域と、前記第2の金属酸化物層とは、前記第2の導電層を介して電気的に接続される、
半導体装置。 - 請求項7乃至請求項10のいずれか一において、
前記第1の領域と、前記第2の金属酸化物層とは継ぎ目なく連続する、
半導体装置。 - 請求項7乃至請求項11のいずれか一において、
前記第1の金属酸化物層と、前記第1の絶縁層との間に、第3の金属酸化物層を有し、
前記第3の金属酸化物層は、In、Ga、及びZnを含み、且つ、前記Inの組成が、前記Gaよりも小さい、
半導体装置。 - 請求項12において、
前記第3の金属酸化物層は、前記Znの組成が、前記Inよりも大きい、
半導体装置。 - 請求項7乃至請求項13のいずれか一に記載の半導体装置と、液晶素子と、を有する表示装置であって、
前記液晶素子は、前記第2の絶縁層よりも上に位置し、且つ、液晶と、第4の導電層と、第5の導電層と、を有し、
前記第4の導電層は、前記第2の導電層と電気的に接続される、
表示装置。 - 請求項7乃至請求項13のいずれか一に記載の半導体装置と、発光素子と、を有する表示装置であって、
前記発光素子は、前記第2の絶縁層よりも上に位置し、且つ、第6の導電層と、第7の導電層と、これらの間に発光層と、を有し、
前記第6の導電層は、前記第2の導電層と電気的に接続される、
表示装置。
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KR20210063922A (ko) * | 2019-11-25 | 2021-06-02 | 삼성전자주식회사 | 지문 센서를 포함하는 전자 장치 |
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CN112735272B (zh) * | 2020-12-30 | 2022-05-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
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US20230029141A1 (en) * | 2021-07-23 | 2023-01-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Embedded double side heating phase change random access memory (pcram) device and method of making same |
CN116113238A (zh) * | 2021-09-16 | 2023-05-12 | 联华电子股份有限公司 | 半导体存储器结构及其制作方法 |
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US11415673B1 (en) | 2021-11-24 | 2022-08-16 | Aurora Operations, Inc. | Silicon photonics device for LIDAR sensor and method for fabrication |
KR20230089590A (ko) * | 2021-12-13 | 2023-06-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013130615A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Sony Corp | 表示装置および電子機器 |
JP2017054899A (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置及び該表示装置を用いた電子機器 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003075870A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-12 | Toshiba Corp | 平面表示装置およびその製造方法 |
JP2004109857A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置、及び電子機器 |
KR101812935B1 (ko) | 2008-09-12 | 2018-01-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 디스플레이 장치 |
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WO2011135987A1 (en) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2012151453A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の駆動方法 |
JP5685989B2 (ja) | 2011-02-28 | 2015-03-18 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
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KR102049443B1 (ko) * | 2013-05-15 | 2019-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
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KR102244553B1 (ko) * | 2013-08-23 | 2021-04-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 용량 소자 및 반도체 장치 |
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