JP2019074724A5 - - Google Patents

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上記目的を達成するために、本発明の一側面としての評価方法は、基板に形成されたマークの位置の計測条件を評価する評価方法であって、前記計測条件で前記マークからの反射光を検出し、前記反射光の強度分布を示すマーク信号を取得する第1工程と、前記第1工程で取得された前記マーク信号から第1周波成分を除去することにより作成される信号に複数の第1擬似成分をそれぞれ合成させることにより複数の信号を生成する第2工程と、前記第2工程で生成された前記複数の信号から前記マークの位置をそれぞれ推定し、前記マークの推定位置のばらつきを前記計測条件の評価指標として求める第3工程と、を含み、前記複数の第1擬似成分は、前記第1周波成分のパラメータに異なる値を設定することにより生成される、ことを特徴とする。
S13−1では、制御部8は、対象候補条件に設定されたサンプルショット領域11aのマーク12が計測部7のスコープの視野内に入るように、基板ステージ6を位置決めする。S13−2では、制御部8は、対象候補条件に設定された照明条件でマーク12を照明し、マーク12からの反射光を検出するように、計測部7(スコープ)を制御する。S13−3では、制御部8は、計測部7(スコープ)によって検出されたマーク12からの反射光の強度分布を示すマーク信号14を取得する。S13で得られたマーク信号14では、図6を用いて上述したように、基板5の製造プロセスに起因して各変化部分14a〜14dのピーク値に差が生じうる。ピーク値の差は、各ライン要素12a〜12dの間隔を周期の1/4とする低周波のノイズ成分(低周波成分15、第1周波成分)として検出され、該低周波成分15は、信号レベル、周期および位相をパラメータとする関数(例えば三角関数)によって近似することができる。また、基板5における複数のマーク12の各々で取得されたマーク信号14の低周波成分15では、波形は変わらずに、位相が変化することが知られている。
S14−1では、制御部8は、S13で取得したマーク信号14の低周波成分15を変化させて、対象候補条件を評価するための複数の評価用信号を生成する。例えば、制御部8は、図10に示すように、S13で取得したマーク信号14をローパスフィルタに通すことにより該マーク信号14の低周波成分15を抽出し、抽出した低周波成分15の位相を変化させた(−X方向にシフトさせた)擬似成分15a(第1擬似成分)を作成する。この擬似成分15aは、他のマークで取得されたマーク信号に含まれると推定される低周波成分を擬似的に作り出したものである。そして、作成した擬似成分15aを、低周波成分15の抽出後(除去後)のマーク信号14と合成させる(即ち、マーク信号14の低周波成分15を擬似成分15aに変更する)ことにより、図10に示すような評価用信号16を生成することができる。このような処理を、抽出した低周波成分15の位相の変化量を互いに異ならせて繰り返し行うことで複数の評価用信号が生成されうる。本実施形態では、抽出した低周波成分15の位相を変化させて複数の評価用信号を生成する例について説明したが、それに限られるものではなく、該低周波成分15の他のパラメータを変化させて複数の評価用信号を生成してもよい。また、S14−1で生成する評価用信号の数は、後述するS14−3において候補条件の評価指標として求められるマーク12の推定位置のばらつきを算出するために十分な数に設定されうる。
ここで、マーク信号14は、基板5のマーク12の検出タイミングに応じて、高周波のノイズ成分(高周波成分17、第2周波成分)が変化することがある。マーク信号14の高周波成分17とは、例えば、図11の領域Aで示される電気ノイズなどの環境ノイズ(例えばホワイトノイズ成分)を含みうる。そして、このようなマーク信号14の高周波成分17の変化によっても、マーク12の位置の計測誤差が生じてしまうことがある。そのため、制御部8は、マーク信号14の高周波成分17を変化させて複数の評価用信号を生成してもよい。
例えば、制御部8は、S13で取得したマーク信号14をハイパスフィルタに通すことにより該マーク信号14の高周波成分17を抽出し、抽出した高周波成分17を変化させた擬似成分(第2擬似成分)を作成する。当該擬似成分は、抽出した高周波成分の振幅(例えば、極小値17aおよび極大値17b)を変えない一様乱数として作成されうる。そして、作成した擬似成分を、高周波成分17の抽出後のマーク信号14と合成させる(即ち、マーク信号14の高周波成分17を擬似成分に変更する)ことにより評価用信号を生成することができる。このような処理を繰り返し行うことで複数の評価用信号が生成される。本実施形態では、マーク信号14の高周波成分に関する擬似成分を一様乱数として作成したが、それに限られるものではない。例えば、S13で取得されたマーク信号から、極小値17aと極大値17bとの間における検出点のヒストグラムを示す分布を求め、求めた分布に基づいて擬似成分を作成してもよい。

Claims (12)

  1. 基板に形成されたマークの位置の計測条件を評価する評価方法であって、
    前記計測条件で前記マークからの反射光を検出し、前記反射光の強度分布を示すマーク信号を取得する第1工程と、
    前記第1工程で取得された前記マーク信号から第1周波成分を除去することにより作成される信号に複数の第1擬似成分をそれぞれ合成させることにより複数の信号を生成する第2工程と、
    前記第2工程で生成された前記複数の信号から前記マークの位置をそれぞれ推定し、前記マークの推定位置のばらつきを前記計測条件の評価指標として求める第3工程と、
    を含み、
    前記複数の第1擬似成分は、前記第1周波成分のパラメータに異なる値を設定することにより生成される、ことを特徴とする評価方法。
  2. 前記第1周波成分は、ローパスフィルタによって前記マーク信号から抽出された低周波成分である、ことを特徴とする請求項1に記載の評価方法。
  3. 前記マークは、複数のライン要素で構成されたラインアンドスペースパターンを含み、
    前記第1周波成分は、前記複数のライン要素の各々からの反射光の強度差に起因して生じるノイズ成分を含む、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の評価方法。
  4. 前記複数の第1擬似成分は、前記第1周波成分の位相を変化させて生成される、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の評価方法。
  5. 前記第2工程では、さらに前記マーク信号から第2周波成分を除去することにより作成される信号に複数の第2擬似成分それぞれを合成させることにより前記複数の信号を生成し、
    前記複数の第2擬似成分は、前記第2周波成分のパラメータに異なる値を設定することにより生成され、
    前記第2周波成分は前記第1周波成分より高周波である、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の評価方法。
  6. 前記第2周波成分は、ハイパスフィルタによって前記マーク信号から抽出された高周波成分である、ことを特徴とする請求項5に記載の評価方法。
  7. 前記第2周波成分は、前記マーク信号から抽出されたホワイトノイズ成分である、ことを特徴とする請求項5又は6に記載の評価方法。
  8. 前記複数の第2擬似成分は前記複数の第2擬似成分の振幅が前記第2周波成分の振幅から変わらないように前記第2周波成分のパラメータを変化させて生成される、ことを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の評価方法。
  9. 基板に形成されたマークの位置の計測条件を決定する決定方法であって、
    前記計測条件についての複数の候補条件を設定する工程と
    前記複数の候補条件の各々について、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の評価方法により前記評価指標を求める工程と、
    前記複数の候補条件の各々について求められた前記評価指標に基づいて、前記計測条件を決定する工程と、
    を含むことを特徴とする決定方法。
  10. 基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
    前記基板に形成されたマークの位置を計測する計測部と、
    請求項9に記載の決定方法により、前記計測部による前記マークの位置の計測条件を決定する処理部と、
    を含むことを特徴とするリソグラフィ装置。
  11. 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の評価方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
  12. 請求項9に記載の決定方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
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