JP2019052326A - Pzt薄膜積層体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、前記ニッケルを含有する金属が、ニッケル又はランタン・ニッケル合金であるPZT薄膜積層体の製造方法である。
本発明は、前記PZTターゲットにおける前記ニッケルを含有する金属のドープ量が、PZT100atm%に対して0.1atm%以上5atm%以下であるPZT薄膜積層体の製造方法である。
図1(a)(b)は、本発明によって製造されるPZT薄膜積層体の例の概略構成を示す断面図である。
このバッファ層6は、RFスパッタリング法によって形成することができる。
例えば、435℃以上485℃以下に設定することが好ましい。
LaNiO3からなるバッファ層6の厚さが100nmを超えると、ペロブスカイト単相構造の膜を形成することができない場合がある。
本発明では、スパッタリングターゲットとして、ニッケル(Ni)を含有する金属をドープしたPZTターゲットを用いる。
すなわち、本発明では、ニッケルをドープしたPZTターゲット又はランタン・ニッケル合金をドープしたPZTターゲットを用いることができる。
例えば、430℃以上485℃以下に設定することが好ましい。
〔実施例1〕
<LaNiO3からなるバッファ層の形成>
直径8インチのSi基板上に、厚さ100nmのSiO2層と、白金密着層である厚さ35nmのTiOx層と、白金電極層である厚さ100nmのPt層がこの順序で形成された評価用基板を用いた。
この場合、スパッタリングターゲットとしてLaNiO3ターゲットを用い、スパッタガスとしてアルゴンガスを用いて圧力0.1Paとした。
また、スパッタリングの際の基板温度は485℃となるように制御した。
RFマグネトロンスパッタリング法により、上記評価用基板のLaNiO3からなるバッファ層の表面に、膜厚2μmのPZT薄膜層を形成した。
この場合、スパッタリングターゲットとして、ニッケルのドープ量がPZT100atm%に対して0.5atm%であるPZTターゲットを用いた。
成膜条件は、スパッタガスとしてアルゴンガスを用い、圧力0.1Paとした。
また、スパッタリングの際の基板温度は485℃となるように制御した。
スパッタリングターゲットとして、ランタン・ニッケル合金(LaNi5)のドープ量がPZT100atm%に対して0.5atm%のPZTターゲットを用いた以外は実施例1と同一の条件でPZT薄膜層を形成した。
スパッタリングターゲットとして、金属をドープしないPZTターゲットを用いた以外は実施例1と同一の条件でPZT薄膜層を形成した。
スパッタリングターゲットとして、ランタン(La)のドープ量がPZT100atm%に対して0.5atm%のPZTターゲットを用いた以外は実施例1と同一の条件でPZT薄膜層を形成した。
<PZT薄膜層の結晶配向性>
実施例1、2及び比較例1、2によって形成されたPZT薄膜層に対し、光学顕微鏡及び透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて結晶の配向状態を観察した。その結果を図2及び表1に示す。
これに対し、実施例1、2及び比較例2によって形成されたPZT薄膜層は、このような結晶の配向のずれは観察されなかった。
実施例1、2及び比較例1、2によって形成したPZT薄膜上に、上部電極層としてPtを用いたMIM(metal-insulator-metal)構造を形成し、圧電特性の評価を行った。その結果を表1に示す。
実施例1、2及び比較例1、2によって形成したPZT薄膜上に、上部電極層としてPtを用いたMIM構造を形成し、超高抵抗/超低電流測定用電位計(ケースレー社製 6514型)を用いてI−V測定を行うことにより、絶縁耐圧を測定した。その結果を表1に示す。
3…SiO2層
4…白金密着層
5…白金電極層
6…LaNiO3からなるバッファ層
7…PZT薄膜層
10…Si基板(半導体基体)
Claims (3)
- PZT薄膜積層体を製造する方法であって、
半導体基体上に、金属チタン又はチタン酸化物からなる白金密着層を介して設けられた白金電極層と、当該白金電極層上に設けられたLaNiO3からなるバッファ層とを有する基板を用意し、
ニッケルを含有する金属をドープしたPZTターゲットを用い、500℃未満の温度下において、前記LaNiO3からなるバッファ層上にスパッタリングによってPZT薄膜層を形成する工程を有するPZT薄膜積層体の製造方法。 - 前記ニッケルを含有する金属が、ニッケル又はランタン・ニッケル合金である請求項1記載のPZT薄膜積層体の製造方法。
- 前記PZTターゲットにおける前記ニッケルを含有する金属のドープ量が、PZT100atm%に対して0.1atm%以上5atm%以下である請求項1又は2のいずれか1項記載のPZT薄膜積層体の製造方法。
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Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JPH098239A (ja) * | 1995-06-20 | 1997-01-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電荷蓄積部の誘電体薄膜の製造方法 |
WO2015137198A1 (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-17 | 株式会社アルバック | 多層膜の製造方法および多層膜 |
WO2017085924A1 (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-26 | 富士フイルム株式会社 | 圧電体膜、圧電素子、および液体吐出装置 |
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WO2015137198A1 (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-17 | 株式会社アルバック | 多層膜の製造方法および多層膜 |
WO2017085924A1 (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-26 | 富士フイルム株式会社 | 圧電体膜、圧電素子、および液体吐出装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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