JP6992239B2 - 車載用pzt薄膜積層体の製造方法 - Google Patents
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Description
このようなデバイスとして、近年、例えば車載用のセンサやミラーデバイスなどに応用が広がっている。
そこで、近年、例えば100℃を超える温度下においてPZT薄膜の絶縁耐圧及び耐疲労特性を向上させることが要望されている。
本発明では、前記PZTターゲットにおける前記イットリウムのドープ量が、PZT100atm%に対して0.1atm%以上5atm%以下である場合にも効果的である。
図1(a)(b)は、本発明によって製造されるPZT薄膜積層体の例の概略構成を示す断面図である。
なお、Pt電極層5は、デバイスが構成された場合に下部電極層として機能するもので、その場合には、図1(b)に示すように、PZT薄膜層7上に上部電極層8が設けられる。
そして、この基板のPt電極層5の表面に、例えばLaNiO3からなるバッファ層6を形成する。
この場合、スパッタリングターゲットとしてLaNiO3ターゲットを用い、スパッタガスである例えばアルゴンガス中において、高周波電力(例えば13.56MHz)を印加してスパッタリングを行う。
例えば、300℃以上485℃以下に設定することが好ましい。
本発明では、スパッタリングターゲットとして、イットリウム(Y)をドープしたPZTターゲットを用いる。
例えば、430℃以上485℃以下に設定することが好ましい。
〔実施例〕
<バッファ層の形成>
直径8インチのSi基板上に、厚さ100nmのSiO2層と、白金密着層である厚さ35nmのTiOx層と、厚さ100nmのPt電極層がこの順序で形成された評価用基板を用いた。
この場合、スパッタリングターゲットとしてLaNiO3ターゲットを用い、スパッタガスとしてアルゴンガスを用いて圧力0.5Paとした。
また、スパッタリングの際の基板温度は350℃となるように制御した。
RFマグネトロンスパッタリング法により、上記評価用基板のLaNiO3からなるバッファ層の表面に、膜厚1μmのPZT薄膜層を形成した。
成膜条件は、スパッタガスとしてアルゴンガスを用い、圧力0.5Paとした。
また、スパッタリングの際の基板温度は485℃となるように制御した。
スパッタリングターゲットとして、イットリウムをドープしないPZTターゲットを用いた以外は実施例と同一の条件でPZT薄膜層を形成した。
<PZT薄膜層の圧電特性の評価>
実施例及び比較例によって形成したPZT薄膜層上に、上部電極層としてPtを用いたMIM(metal-insulator-metal)構造のサンプルを形成し、圧電特性の評価を行った。その結果を表1に示す。
実施例及び比較例によって形成したPZT薄膜層に対し、上部電極層としてPtを用いた上記MIM構造のサンプル素子を形成し、このサンプル素子をヒータで温めながら、I-V測定を行うことにより、室温及び110℃の環境下における絶縁耐圧をそれぞれ測定した。その結果を図2(a)(b)に示す。
実施例及び比較例によって形成したPZT薄膜層に対し、上部電極層としてPtを用いた上記MIM構造を形成し、耐疲労特性の評価を行った。
表1に示すように、室温の環境下では、実施例及び比較例ともに、スイッチングサイクル数が1×1011サイクルより大きい場合であっても、飽和分極値Pmaxの値に変化は見られなかった。
これに対し、実施例の場合、スイッチングサイクル数が4×1010サイクル以上において、飽和分極値Pmaxの値が急激に低下した。
3…SiO2層
4…TiOX層(白金密着層)
5…白金(Pt)電極層
6…バッファ層
7…PZT薄膜層
8…上部電極層
10…Si基板(半導体基体)
Claims (1)
- 車載用PZT薄膜積層体を製造する方法であって、
半導体基体上に、白金密着層を介して設けられた白金電極層と、当該白金電極層上に設けられたバッファ層とを有する基板を用意し、
イットリウムをPZT100atm%に対して0.2atm%以上5atm%以下の量ドープしたPZTターゲットを用い、前記バッファ層上に430℃以上485℃以下に設定された基板温度でスパッタリングによってPZT薄膜層を形成する工程を有する車載用PZT薄膜積層体の製造方法。
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