JP2019047114A - 圧電素子 - Google Patents
圧電素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019047114A JP2019047114A JP2018152009A JP2018152009A JP2019047114A JP 2019047114 A JP2019047114 A JP 2019047114A JP 2018152009 A JP2018152009 A JP 2018152009A JP 2018152009 A JP2018152009 A JP 2018152009A JP 2019047114 A JP2019047114 A JP 2019047114A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- plt
- peak intensity
- piezoelectric element
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
Description
この発明による第2の圧電素子は、基板上に配置された下部電極と、前記下部電極上に形成され、PLTを主成分とするスパッタ膜からなるシード層と、前記シード層上に形成され、PZTまたはPLZTを主成分とする圧電体膜とを含み、前記下部電極は、前記基板側のTi膜と、前記Ti膜上に積層されたPt膜との積層膜からなる。そして、前記Pt膜を構成するPtの(111)配向のピーク強度が17×10000 counts〜35×10000 countsであり、かつ前記シード層を構成するPLTの(100))配向率が85%以上である。
この発明の一実施形態では、前記シード層の膜厚が20nm〜100nmであり、前記Pt膜の膜厚が50nm〜200mmであり、前記Ti膜の膜厚が10nm以下である。
この発明の一実施形態では、前記シード層は、前記下部電極側寄りに、Pb濃度の高いPbリッチ層を有する。
この発明の一実施形態では、圧電体膜上に形成された上部電極をさらに含む。
この発明の一実施形態では、前記絶縁膜と前記下部電極との間に、Al2O3からなる鉛バリア膜が介在している。
この発明の一実施形態では、前記絶縁膜の膜厚は、300nm〜2000nmである。
図1は、この発明の一実施形態に係る圧電素子の模式的な断面図である。
圧電素子10は、この実施形態では、基板1上に形成された鉛バリア膜3の表面に接して形成されている。より具体的には、基板1の表面には、絶縁膜2が形成されており、この絶縁膜2の表面に鉛バリア膜3が形成されている。
圧電素子10は、鉛バリア膜3上に形成された下部電極11と、下部電極11上に形成されたシード層12と、シード層12上に形成された圧電体膜13と、圧電体膜13上に形成された上部電極14とを含んでいる。
圧電体膜13は、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)における鉛の一部をランタンで置換したチタン酸ジルコン酸ランタン鉛(PLZT)から構成されていてもよい。また、圧電体膜13は、PZTまたはPLZTに、Mn(マンガン),Mg(マグネシウム),Nb(ニオブ),Co(コバルト),Fe(鉄),Ni(ニッケル),Zr(ジルコニウム),Zn(亜鉛),Al(アルミニウム),Ta(タンタル),W(タングステン),Ti(チタン)等が添加されたものであってもよい。つまり、圧電体膜13は、PZTを主成分とする材料またはPLZTを主成分とする材料から構成されていればよい。
表面に、絶縁膜2を介して鉛バリア膜3が形成されたシリコン基板1が準備される(ステップS1)。このようなシリコン基板1は、次のようにして得られる。すなわち、まず、熱酸化法によって、シリコン基板1上に、熱酸化膜(SiO2)からなる絶縁膜2が形成される。続いて、絶縁膜2上に、スパッタ法によって、鉛バリア膜3が形成される。
最後に、圧電体膜13上に、上部電極14が形成される(ステップS5)。具体的には、まず、圧電体膜13上に、スパッタ法によって、IrO2膜31が形成される。続いて、IrO2膜31上に、スパッタ法によって、Ir膜32が形成される。これにより、下部電極11、シード層12、圧電体膜13および上部電極14からなる圧電素子10が得られる。
図3のグラフは、次のようにして作成されている。下部電極形成時の基板設定温度を変えて、下部電極11およびシード層12からなる複数のサンプルを作成した。各サンプルは、シリコン基板1に絶縁膜2を介して形成された鉛バリア膜3上に形成される。そして、各サンプルについて、XRD( X-ray diffraction ;X線回析)の2θ/θ測定を行い、Pt(111)ピーク強度[counts]、PLT(100)ピーク強度[counts]、PLT(111)ピーク強度[counts]およびPLT(100)配向率[%]を測定した。
PLT(100)ピーク強度は、シード層12を構成するPLTの(100)配向を示すピーク強度である。
PLT(111)ピーク強度は、シード層12を構成するPLTの(111)配向を示すピーク強度である。
D={ PLT(100)ピーク強度/(PLT(100)ピーク強度+PLT(111)ピーク強度)}×100
…(1)
図3から、PLT(100)の結晶性および配向率の良好な範囲は、PLT(100)配向率Dが85%以上でありかつPLT(100)ピーク強度がその最大ピークから例えば5%低下するまでの範囲内にある範囲であると考えることができる。図3のPLT(100)ピーク強度曲線の例では、PLT(100)ピーク強度の最大ピークからPLT(100)ピーク強度が5%低下したところのピーク強度は、70×1000countsであるとする。
図4のグラフは、図3で説明したようなPt/Ti積層膜形成時の基板設定温度が異なる複数のサンプルから得られたデータに基づいて作成されている。各サンプルから得られるデータは、Pt(111)ピーク、PLT(100)ピーク強度、PLT(111)ピーク強度およびPLT(100)配向率である。
図4において、曲線Q2は、Pt/Ti積層膜形成時の基板設定温度毎(サンプル毎)のPt(111)ピーク強度に対するPLT(100)配向率を表す点をプロットし、これらの複数の点を通るように描かれた曲線である。
PLT(100)ピーク強度の急激低下の影響の小さい範囲は、図4から、Pt(111)ピーク強度に対するPLT(100)ピーク強度の関係が、曲線Q1のピーク点PからPLT(100)ピーク強度が5%低下するまでの範囲内(図4の例では、70×1000 counts以上の範囲内)の範囲である。そして、この範囲のうち、PLT(100)配向率が85%以上の範囲を、PLT(100)の結晶性および配向率の良好な範囲であると考えることができる。したがって、図4において、Pt(111)ピーク強度がα〜βの範囲(図4の例では、17×10000 counts〜35×10000 countsの範囲)が、PLT(100)の結晶性および配向率の良好な範囲となる。言い換えれば、Pt(111)ピーク強度が図4のα〜βの範囲内になるように、Pt/Ti積層膜形成時の基板設定温度を設定することが好ましい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
次に、図5A、図5B、図6〜図11を参照して、図1の圧電素子10の応用例について説明する。
インクジェットプリントヘッド101は、アクチュエータ基板102と、ノズル基板103と、保護基板104とを備えている。アクチュエータ基板102の表面には、可動膜形成層110が積層されている。アクチュエータ基板102は、図1の基板1に相当し、可動膜形成層110は図1の絶縁膜2に相当する。
可動膜110Aの厚さは、たとえば、0.4μm〜2μmである。可動膜110Aが酸化シリコン膜から構成される場合は、酸化シリコン膜の厚さは1.2μm程度であってもよい。可動膜110Aが、シリコン膜と酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層膜から構成される場合には、シリコン膜、酸化シリコン膜および窒化シリコン膜の厚さは、それぞれ0.4μm程度であってもよい。
可動膜110Aの表面には、圧電素子10が配置されている。圧電素子10は、可動膜形成層110上に形成された下部電極11と、下部電極11上に形成されたシード層(図示略)と、シード層上に形成された圧電体膜13と、圧電体膜13上に形成された上部電極14とを備えている。
上部電極14は、圧電体膜13上に形成されたIrO2(酸化イリジウム)膜と、IrO2膜31上に形成されたIr(イリジウム)膜との積層膜(Ir/IrO2積層膜)からなる。上部電極14の厚さは、たとえば、0.2μm程度であってもよい。
下部電極11上に形成されたシード層(図示略)は、シード層上に形成される圧電体膜13の結晶配向性を向上させるために設けられた層である。シード層は、圧電体膜13と平面視で同形状に形成されている。シード層は、この実施形態では、ベロブスカイト型のチタン酸ランタン鉛(PLT:PbLaO3)から構成されている。
水素バリア膜114上に、絶縁膜115が積層されている。絶縁膜115は、たとえば、SiO2、低水素のSiN等からなる。絶縁膜115の厚さは、500nm程度である。絶縁膜115上には、上部配線117、下部配線118およびダミー配線119が形成されている。これらの配線117,118,119は、Al(アルミニウム)を含む金属材料からなっていてもよい。これらの配線117,118,119の厚さは、たとえば、1000nm(1μm)程度である。
絶縁膜115上には、配線117,118,119および絶縁膜115を覆うパッシベーション膜121が形成されている。パッシベーション膜121は、たとえば、SiN(窒化シリコン)からなる。パッシベーション膜121の厚さは、たとえば、800nm程度であってもよい。
アクチュエータ基板102には、複数のインク流路105(圧力室107)が互いに平行に延びてストライプ状に形成されている。複数のインク流路105毎に、圧電素子10が配置されている。インク供給用貫通孔122は、複数のインク流路105毎に設けられている。保護基板104の収容凹所152およびインク供給路153は、複数のインク流路105毎に設けられている。
圧力室107は、平面視において、インク流通方向141に沿って細長く延びた長方形形状を有している。つまり、圧力室107の天面部は、インク流通方向141に沿う2つの側縁と、インク流通方向141に直交する方向に沿う2つの端縁とを有している。
圧電素子10は、平面視において、圧力室107(可動膜110A)の長手方向に長い矩形形状を有している。圧電素子10の長手方向の長さは、圧力室107(可動膜110A)の長手方向の長さよりも短い。図5Bに示すように、圧電素子10の短手方向に沿う両端縁は、可動膜110Aの対応する両端縁に対して、それぞれ所定間隔を開けて内側に配置されている。また、圧電素子10の短手方向の幅は、可動膜110Aの短手方向の幅よりも狭い。圧電素子10の長手方向に沿う両側縁は、可動膜110Aの対応する両側縁に対して、所定間隔を開けて内側に配置されている。
下部電極11上に形成されたシード層は、平面視において、圧電体膜13と同じパターンに形成されている。
このため、圧電素子10が駆動されると、可動膜110Aの周縁部の内周縁側が圧力室107の厚さ方向(この応用例では下方)に変位するように可動膜110Aの周縁部が屈曲し、これにより可動膜110Aの周縁部に囲まれた中央部全体が圧力室107の厚さ方向(この応用例では下方)に変位する。このように、可動膜110Aの周縁部は、大きな変形が生じる領域であるため、クラックが生じやすい。
上部配線117は、圧電素子10の一端部の上面からそれに連なる圧電素子10の端面に沿って延び、さらに圧電体膜13の非能動部13Bの表面に沿って、インク流通方向141に沿う方向に延びている。上部配線117の先端部は、保護基板104のインク流通方向141の下流側端よりも下流側に配置されている。
下部配線118は、平面視において、インク流通方向141と直交する方向に長い矩形状の主配線部118Aと、主配線部118Aの一端部からインク流通方向141に沿って延びたリード部118Bとを有している。リード部118Bの先端部は、保護基板104のインク流通方向141の下流側端よりも下流側に配置されている。
図5A、図7および図11に示すように、保護基板104の対向面151には、複数の収容凹所152が、インク流通方向141と直交する方向に間隔をおいて平行に形成されている。複数の収容凹所152は、平面視において、複数の圧力室107に対向する位置に配置されている。各収容凹所152に対してインク流通方向141の上流側にインク供給路153が配置されている。各収容凹所152は、平面視において、対応する圧電素子10の上部電極14のパターンよりも少し大きな矩形状に形成されている。そして、各収容凹所152に、対応する圧電素子10が収容されている。
ダミー配線119は、平面視において、インク供給路153(インク供給用貫通孔122)を取り囲む円形環状の第1ダミー配線119Aを含んでいる。第1ダミー配線119Aは、アクチュエータ基板102上において、保護基板104の対向面151のインク供給路153の周囲領域に対向する領域に配置されている。第1ダミー配線119Aの幅(第1ダミー配線119Aの内径と外径との差)は、インク供給路153の直径の1/3以上であることが好ましい。第1ダミー配線119Aの上面は平坦である。第1ダミー配線119Aは、保護基板104を支持するとともに保護基板104の対向面との接着性を高める台座120を構成している。
この応用例では、アクチュエータ基板102側にインク供給路153(インク供給用貫通孔122)を取り囲む円形環状の第1ダミー配線119A(台座120)が設けられているので、保護基板104における収容凹所152とインク供給路153との間の壁部下面とアクチュエータ基板102との間に接合不良が生じるのを抑制できる。これにより、インク供給路153から収容凹所152内へのインク漏れを抑制できる。
この応用例では、絶縁膜115およびパッシベーション膜121は、アクチュエータ基板102上において、平面視で保護基板104の収容凹所152の外側領域のほぼ全域に形成されている。ただし、この領域において、絶縁膜115には、インク供給用貫通孔122およびコンタクト孔134が形成されている。この領域において、パッシベーション膜121には、インク供給用貫通孔122およびパッド開口135,136が形成されている。
2 絶縁膜
3 鉛バリア膜
10 圧電素子
11 下部電極
12 シード層
13 圧電体膜
14 上部電極
21 Ti膜
22 Pt膜
31 IrO2膜
32 Ir膜
Claims (10)
- 基板上に配置された下部電極と、前記下部電極上に形成され、PLTを主成分とするスパッタ膜からなるシード層と、前記シード層上に形成され、PZTまたはPLZTを主成分とする圧電体膜とを含み、前記下部電極は、前記基板側のTi膜と、前記Ti膜上に積層されたPt膜との積層膜からなる圧電素子であって、
前記Pt膜を構成するPtの(111)配向のピーク強度をPt(111)ピーク強度として横軸にとり、前記シード層を構成するPLTの(100)配向のピーク強度をPLT(100)ピーク強度として縦軸にとり、前記下部電極形成時の基板設定温度別のPt(111)ピーク強度に対するPLT(100)ピーク強度の点を結んだ曲線をピーク特性曲線とすると、前記Pt(111)ピーク強度と前記PLT(100)ピーク強度との関係が、前記ピーク特性曲線における前記PLT(100)ピーク強度が最大となるピーク点から前記PLT(100)ピーク強度が5%低下するまでの範囲内にあり、かつ前記シード層を構成するPLTの(100)配向率が85%以上である、圧電素子。 - 基板上に配置された下部電極と、前記下部電極上に形成され、PLTを主成分とするスパッタ膜からなるシード層と、前記シード層上に形成され、PZTまたはPLZTを主成分とする圧電体膜とを含み、前記下部電極は、前記基板側のTi膜と、前記Ti膜上に積層されたPt膜との積層膜からなる圧電素子であって、
前記Pt膜を構成するPtの(111)配向のピーク強度が17×10000 counts〜35×10000 countsであり、かつ前記シード層を構成するPLTの(100)配向のピーク強度が70×1000 counts以上である、圧電素子。 - 前記シード層の膜厚が20nm〜100nmであり、
前記Pt膜の膜厚が50nm〜200mmであり、
前記Ti膜の膜厚が10nm以下である、請求項1または2に記載の圧電素子。 - 前記圧電体膜が、ゾルゲル法によって形成された圧電体膜である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の圧電素子。
- 前記シード層は、前記下部電極側寄りに、Pb濃度の高いPbリッチ層を有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の圧電素子。
- 圧電体膜上に形成された上部電極をさらに含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の圧電素子。
- 前記基板と前記下部電極との間に、SiO2からなる絶縁膜が介在している、請求項1〜6のいずれか一項に記載の圧電素子。
- 前記絶縁膜と前記下部電極との間に、Al2O3からなる鉛バリア膜が介在している、請求項7に記載の圧電素子。
- 前記絶縁膜の膜厚は、300nm〜2000nmである、請求項7に記載の圧電素子。
- 前記絶縁膜の膜厚は、300nm〜2000nmあり、前記鉛バリア膜の膜厚は、50nm〜100nmである、請求項8に記載の圧電素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/122,392 US11289642B2 (en) | 2017-09-06 | 2018-09-05 | Piezoelectric element |
US17/672,283 US11744155B2 (en) | 2017-09-06 | 2022-02-15 | Piezoelectric element |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017171445 | 2017-09-06 | ||
JP2017171445 | 2017-09-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019047114A true JP2019047114A (ja) | 2019-03-22 |
JP7107782B2 JP7107782B2 (ja) | 2022-07-27 |
Family
ID=65815704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018152009A Active JP7107782B2 (ja) | 2017-09-06 | 2018-08-10 | 圧電素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7107782B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021024142A (ja) * | 2019-08-01 | 2021-02-22 | ブラザー工業株式会社 | 液体吐出ヘッド |
JP2021024141A (ja) * | 2019-08-01 | 2021-02-22 | ブラザー工業株式会社 | 液体吐出ヘッド |
WO2022024529A1 (ja) * | 2020-07-28 | 2022-02-03 | 富士フイルム株式会社 | 圧電膜付き基板及び圧電素子 |
WO2022255121A1 (ja) * | 2021-06-03 | 2022-12-08 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電素子、液滴吐出ヘッド、強誘電体メモリ及び圧電アクチュエータ |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004079991A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電素子、インクジェットヘッド、角速度センサ及びこれらの製造方法、並びにインクジェット式記録装置 |
JP2005353746A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Canon Inc | アクチュエータ及びインクジェットヘッド |
JP2007173604A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Seiko Epson Corp | 圧電素子の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 |
JP2008227345A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Toyohashi Univ Of Technology | 半導体基板上の積層構造 |
WO2013164955A1 (ja) * | 2012-05-01 | 2013-11-07 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電素子 |
WO2014024696A1 (ja) * | 2012-08-10 | 2014-02-13 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電素子、圧電デバイス、インクジェットヘッドおよびインクジェットプリンタ |
WO2015064341A1 (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電素子、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタおよび圧電素子の製造方法 |
-
2018
- 2018-08-10 JP JP2018152009A patent/JP7107782B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004079991A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電素子、インクジェットヘッド、角速度センサ及びこれらの製造方法、並びにインクジェット式記録装置 |
JP2005353746A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Canon Inc | アクチュエータ及びインクジェットヘッド |
JP2007173604A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Seiko Epson Corp | 圧電素子の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 |
JP2008227345A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Toyohashi Univ Of Technology | 半導体基板上の積層構造 |
WO2013164955A1 (ja) * | 2012-05-01 | 2013-11-07 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電素子 |
WO2014024696A1 (ja) * | 2012-08-10 | 2014-02-13 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電素子、圧電デバイス、インクジェットヘッドおよびインクジェットプリンタ |
WO2015064341A1 (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電素子、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタおよび圧電素子の製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021024142A (ja) * | 2019-08-01 | 2021-02-22 | ブラザー工業株式会社 | 液体吐出ヘッド |
JP2021024141A (ja) * | 2019-08-01 | 2021-02-22 | ブラザー工業株式会社 | 液体吐出ヘッド |
JP7352148B2 (ja) | 2019-08-01 | 2023-09-28 | ブラザー工業株式会社 | 液体吐出ヘッド |
JP7352149B2 (ja) | 2019-08-01 | 2023-09-28 | ブラザー工業株式会社 | 液体吐出ヘッド |
WO2022024529A1 (ja) * | 2020-07-28 | 2022-02-03 | 富士フイルム株式会社 | 圧電膜付き基板及び圧電素子 |
WO2022255121A1 (ja) * | 2021-06-03 | 2022-12-08 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電素子、液滴吐出ヘッド、強誘電体メモリ及び圧電アクチュエータ |
TWI825732B (zh) * | 2021-06-03 | 2023-12-11 | 日商柯尼卡美能達股份有限公司 | 壓電元件、液滴吐出頭、強介電體記憶體及壓電致動器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7107782B2 (ja) | 2022-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2019047114A (ja) | 圧電素子 | |
US11565525B2 (en) | Device using a piezoelectric film | |
US11744155B2 (en) | Piezoelectric element | |
JP6660629B2 (ja) | 圧電素子利用装置およびその製造方法 | |
JP2010003971A (ja) | 圧電素子およびその製造方法、圧電アクチュエータ、並びに、液体噴射ヘッド | |
JP6575901B2 (ja) | 圧電素子利用装置 | |
JP4506975B2 (ja) | キャパシタおよびその製造方法、強誘電体メモリ装置、アクチュエータ、並びに、液体噴射ヘッド | |
JP6701553B2 (ja) | 孔を有する基板およびその製造方法ならびに赤外線センサおよびその製造方法 | |
EP1758150B1 (en) | Capacitor, method of manufacturing the same and its use | |
JP2009054785A (ja) | 圧電素子およびその製造方法、アクチュエータ、液体噴射ヘッド、並びに、強誘電体メモリ | |
JP2018020509A (ja) | 圧電素子利用装置およびその製造方法 | |
JP2021006410A (ja) | インクジェット装置およびインクジェット装置の製造方法 | |
JP6460514B2 (ja) | 圧電素子利用装置の製造方法 | |
JP6410027B2 (ja) | 圧電素子利用装置の製造方法 | |
JP2011088311A (ja) | アクチュエーターの製造方法および液体噴射ヘッドの製造方法 | |
JP2009239016A (ja) | アクチュエータの製造方法およびアクチュエータ、並びに、液体噴射ヘッド | |
JP6764557B2 (ja) | 圧電素子利用装置 | |
US20220212469A1 (en) | Piezoelectric film utilization device | |
JP6489299B2 (ja) | 水素バリア膜 | |
JP6414434B2 (ja) | インクジェット装置 | |
JP5126252B2 (ja) | キャパシタ、強誘電体メモリ装置、アクチュエータおよび液体噴射ヘッド | |
JP2020178134A (ja) | 圧電体膜ならびにそれを用いた圧電素子およびインクジェットプリントヘッド | |
JP2007245365A (ja) | 金属積層体の形成方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210716 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220623 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220630 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220714 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7107782 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |