JP2019040961A - 窒化物半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
10:窒化物半導体層
12:ドリフト層
14:ボディ層
14a:高濃度エピタキシャル層
14b:低濃度エピタキシャル層
15:コンタクト部
16:ソース層
17:n型表面層
18:JFET領域
22:ドレイン電極
24:ソース電極
30:プレーナゲート
32:ゲート電極
34:ゲート絶縁膜
Claims (1)
- 窒化物半導体装置であって、
窒化物半導体層の表層部に形成されている溝内に設けられたp型窒化物半導体のボディ層と、
前記ボディ層上に設けられているn型窒化物半導体のソース層と、を備えており、
前記ボディ層は、高濃度エピタキシャル層と低濃度エピタキシャル層を有しており、
前記高濃度エピタキシャル層と前記低濃度エピタキシャル層は、前記溝内においてこの順で積層された部分を有しており、
前記高濃度エピタキシャル層は、前記窒化物半導体層の表面に露出するコンタクト部を有しており、
前記高濃度エピタキシャル層のp型不純物濃度は、前記低濃度エピタキシャル層のp型不純物濃度よりも濃く、
前記ソース層は、前記低濃度エピタキシャル層上に設けられている、窒化物半導体装置。
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JP2017160576A JP6988262B2 (ja) | 2017-08-23 | 2017-08-23 | 窒化物半導体装置とその製造方法 |
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JP2021002624A (ja) * | 2019-06-24 | 2021-01-07 | 株式会社デンソー | 窒化物半導体装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002016262A (ja) * | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 縦型電界効果トランジスタ |
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JP2021002624A (ja) * | 2019-06-24 | 2021-01-07 | 株式会社デンソー | 窒化物半導体装置 |
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