JP2019040960A - 窒化物半導体装置 - Google Patents
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Description
12:窒化物半導体基板
12a:表面
12b:裏面
20:ソース電極
26:ゲート電極
28:ゲート絶縁膜
30:ドレイン電極
40:ソース層
42:ボディ層
42a:チャネル領域
42b:側面
42c:底面
42d:コーナー部
44:ドリフト層
46:ドレイン層
48、48a:内部絶縁膜
Claims (1)
- 窒化物半導体基板と、
ゲート絶縁膜と、
ゲート電極と、
内部絶縁膜と、
ソース電極と、
ドレイン電極、
を備えており、
前記窒化物半導体基板が、
前記窒化物半導体基板の表面に露出しているn型のソース層と、
前記ソース層に接しており、前記窒化物半導体基板の前記表面に露出しているp型のボディ層と、
前記ボディ層の側面に接する位置から前記ボディ層の底面に接する位置まで伸びており、前記側面に接する位置で前記窒化物半導体基板の前記表面に露出しており、前記ボディ層によって前記ソース層から分離されているn型のドリフト層と、
前記窒化物半導体基板の裏面に露出しており、前記ドリフト層に接しており、前記ドリフト層よりもn型不純物濃度が高いn型のドレイン層、
を有しており、
前記ソース電極が、前記ソース層に接しており、
前記ドレイン電極が、前記ドレイン層に接しており、
前記ゲート絶縁膜が、前記ソース層が露出している範囲と、前記ソース層と前記ドリフト層の間で前記ボディ層が露出している範囲と、前記ドリフト層が露出している範囲に跨って前記窒化物半導体基板の前記表面を覆っており、
前記ゲート電極が、前記ゲート絶縁膜を介して、前記ソース層と前記ドリフト層の間の範囲の前記ボディ層と対向しており、
前記内部絶縁膜は、前記ボディ層の前記側面と前記ボディ層の前記底面とを繋ぐコーナー部に接する位置に配置されている、
窒化物半導体装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2020025054A (ja) * | 2018-08-08 | 2020-02-13 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JP2017026148A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | キッデ・グラヴィナー・リミテッド | 加圧容器からのガスの放出を制御する器具 |
JP2018133444A (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | トヨタ自動車株式会社 | 窒化物半導体装置 |
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