JP2019035975A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2019035975A5
JP2019035975A5 JP2018207456A JP2018207456A JP2019035975A5 JP 2019035975 A5 JP2019035975 A5 JP 2019035975A5 JP 2018207456 A JP2018207456 A JP 2018207456A JP 2018207456 A JP2018207456 A JP 2018207456A JP 2019035975 A5 JP2019035975 A5 JP 2019035975A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
monomers
meth
monomer
combination
acrylate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018207456A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2019035975A (ja
JP6730403B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of JP2019035975A publication Critical patent/JP2019035975A/ja
Publication of JP2019035975A5 publication Critical patent/JP2019035975A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6730403B2 publication Critical patent/JP6730403B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2018207456A 2015-12-31 2018-11-02 光レジスト組成物、光レジスト組成物を含むコーティングされた基材、及び電子装置を形成する方法 Active JP6730403B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562273523P 2015-12-31 2015-12-31
US62/273,523 2015-12-31

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016244687A Division JP6553585B2 (ja) 2015-12-31 2016-12-16 光レジスト組成物、光レジスト組成物を含むコーティングされた基材、及び電子装置を形成する方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019035975A JP2019035975A (ja) 2019-03-07
JP2019035975A5 true JP2019035975A5 (enExample) 2020-04-23
JP6730403B2 JP6730403B2 (ja) 2020-07-29

Family

ID=59235528

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016244687A Active JP6553585B2 (ja) 2015-12-31 2016-12-16 光レジスト組成物、光レジスト組成物を含むコーティングされた基材、及び電子装置を形成する方法
JP2018207456A Active JP6730403B2 (ja) 2015-12-31 2018-11-02 光レジスト組成物、光レジスト組成物を含むコーティングされた基材、及び電子装置を形成する方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016244687A Active JP6553585B2 (ja) 2015-12-31 2016-12-16 光レジスト組成物、光レジスト組成物を含むコーティングされた基材、及び電子装置を形成する方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11550217B2 (enExample)
JP (2) JP6553585B2 (enExample)
KR (2) KR101956070B1 (enExample)
CN (2) CN118963059A (enExample)
TW (1) TWI662364B (enExample)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI656111B (zh) 2015-12-31 2019-04-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc 光酸產生劑
TWI662364B (zh) * 2015-12-31 2019-06-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc 光致抗蝕劑組合物、包含光致抗蝕劑組合物的經塗佈基板及形成電子裝置的方法
US10831100B2 (en) * 2017-11-20 2020-11-10 Rohm And Haas Electronic Materials, Llc Iodine-containing photoacid generators and compositions comprising the same
EP4198019A1 (en) * 2018-10-09 2023-06-21 Changzhou Tronly Advanced Electronic Materials Co., Ltd. Triphenylphosphonium salt compound, and uses thereof
KR102877762B1 (ko) 2020-02-06 2025-10-30 삼성전자주식회사 레지스트 조성물
US11714355B2 (en) * 2020-06-18 2023-08-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist composition and method of forming photoresist pattern
CN114690552B (zh) * 2020-12-30 2026-04-07 杜邦电子材料国际有限责任公司 光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
US20230152697A1 (en) * 2021-09-30 2023-05-18 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist compositions and pattern formation methods
JP7791860B2 (ja) * 2022-07-19 2025-12-24 デュポン エレクトロニック マテリアルズ インターナショナル，エルエルシー 光酸発生剤、フォトレジスト組成物及びパターン形成方法

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2766243A (en) * 1955-04-15 1956-10-09 Du Pont Acyclic, polynitrile-containing, unsaturated compound and its salts, and preparation thereof
US5273840A (en) 1990-08-01 1993-12-28 Covalent Associates Incorporated Methide salts, formulations, electrolytes and batteries formed therefrom
US5554664A (en) 1995-03-06 1996-09-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Energy-activatable salts with fluorocarbon anions
US5874616A (en) 1995-03-06 1999-02-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Preparation of bis (fluoroalkylenesulfonyl) imides and (fluoroalkysulfony) (fluorosulfonyl) imides
JP4823401B2 (ja) 1996-12-30 2011-11-24 イドロ―ケベック 過フッ化アミド塩及びイオン伝導物質としてのその使用方法
WO1999028292A1 (fr) 1997-12-01 1999-06-10 Acep Inc. Sels de sulfones perfluores, et leurs utilisations comme materiaux a conduction ionique
EP1516230B1 (en) 2002-06-26 2015-12-30 FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. Photosensitive compositions
US7304175B2 (en) 2005-02-16 2007-12-04 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same
JP2006251466A (ja) 2005-03-11 2006-09-21 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
US7960087B2 (en) 2005-03-11 2011-06-14 Fujifilm Corporation Positive photosensitive composition and pattern-forming method using the same
TWI394004B (zh) 2005-03-30 2013-04-21 Sumitomo Chemical Co 適合作為酸產生劑之鹽及含有該鹽之化學放大型光阻組成物
US7678528B2 (en) 2005-11-16 2010-03-16 Az Electronic Materials Usa Corp. Photoactive compounds
JP2008026725A (ja) * 2006-07-24 2008-02-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
WO2008012999A1 (en) 2006-07-24 2008-01-31 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and method of forming resist pattern
CN101896537B (zh) * 2007-12-10 2012-10-24 株式会社钟化 具有碱显影性的固化性组合物、使用该组合物的绝缘性薄膜以及薄膜晶体管
US7655379B2 (en) 2008-01-08 2010-02-02 International Business Machines Corporation Ionic, organic photoacid generators for DUV, MUV and optical lithography based on peraceptor-substituted aromatic anions
US8039194B2 (en) 2008-01-08 2011-10-18 Internatinal Business Machines Corporation Photoacid generators for extreme ultraviolet lithography
US8034533B2 (en) 2008-01-16 2011-10-11 International Business Machines Corporation Fluorine-free heteroaromatic photoacid generators and photoresist compositions containing the same
US20090181319A1 (en) 2008-01-16 2009-07-16 International Business Machines Corporation Aromatic fluorine-free photoacid generators and photoresist compositions containing the same
KR100973033B1 (ko) * 2008-05-21 2010-07-30 금호석유화학 주식회사 화학증폭형 레지스트 조성물용 산발생제
JP5481944B2 (ja) 2008-06-12 2014-04-23 セントラル硝子株式会社 含フッ素重合体およびそれを用いた帯電防止剤
EP2349993B1 (en) 2008-10-20 2012-12-12 Basf Se Sulfonium derivatives and the use therof as latent acids
KR101660041B1 (ko) 2008-11-28 2016-09-26 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 신규 화합물 및 산발생제
US8338077B2 (en) 2009-06-22 2012-12-25 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid generators and photoresists comprising same
JP5645459B2 (ja) 2009-07-10 2014-12-24 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JP2011046696A (ja) 2009-07-30 2011-03-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
WO2011016425A1 (ja) 2009-08-03 2011-02-10 サンアプロ株式会社 光酸発生剤，光硬化性組成物，及びその硬化体
JP5244740B2 (ja) * 2009-08-26 2013-07-24 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法
JP5448651B2 (ja) * 2009-08-31 2014-03-19 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法
CN102180822B (zh) 2009-12-14 2014-08-13 罗门哈斯电子材料有限公司 磺酰光酸产生剂和包含该磺酰光酸产生剂的光刻胶
US8927190B2 (en) 2010-01-25 2015-01-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist comprising nitrogen-containing compound
JP5782283B2 (ja) 2010-03-31 2015-09-24 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 新規のポリマーおよびフォトレジスト組成物
EP2383611A3 (en) 2010-04-27 2012-01-25 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Photoacid generators and photoresists comprising same
JP5470189B2 (ja) * 2010-07-30 2014-04-16 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法
EP2452932A2 (en) * 2010-11-15 2012-05-16 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Base reactive photoacid generators and photoresists comprising same
EP2458440A1 (en) * 2010-11-30 2012-05-30 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Photoacid generators
KR101332316B1 (ko) 2011-02-07 2013-11-22 금호석유화학 주식회사 광산발생제, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
JP5651636B2 (ja) * 2011-07-28 2015-01-14 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
JP2013129649A (ja) * 2011-11-22 2013-07-04 Central Glass Co Ltd 珪素化合物、縮合物およびそれを用いたレジスト組成物、ならびにそれを用いるパターン形成方法
JP6007100B2 (ja) * 2012-12-27 2016-10-12 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、感活性光線性または感放射線性膜及びパターン形成方法
JP2014156585A (ja) 2013-01-16 2014-08-28 Cemedine Co Ltd 光硬化性組成物
US9067909B2 (en) 2013-08-28 2015-06-30 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid generator, photoresist, coated substrate, and method of forming an electronic device
JP6183199B2 (ja) 2013-12-13 2017-08-23 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法及び化合物
TWI662364B (zh) * 2015-12-31 2019-06-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc 光致抗蝕劑組合物、包含光致抗蝕劑組合物的經塗佈基板及形成電子裝置的方法
TWI656111B (zh) * 2015-12-31 2019-04-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc 光酸產生劑
JP6916161B2 (ja) * 2018-02-20 2021-08-11 インディアン オイル コーポレーション リミテッド ポリオレフィンポリマー用添加剤および熱可塑性組成物

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019035975A5 (enExample)
JP2002302640A5 (enExample)
KR102364329B1 (ko) 유도 자가-조립용 하이-카이 블록 공중합체
JP2016523999A5 (enExample)
JP2013187408A (ja) ブロックコポリマー含有組成物及びパターンの縮小方法
JP2009530444A5 (enExample)
JP5438060B2 (ja) 水溶性樹脂組成物およびこれを用いて微細パターンを形成する方法
TW200936560A (en) (Meth) acrylate compound and photosensitive polymer having aromatic acid labile group, and resist composition
JP2019505631A5 (enExample)
TWI619746B (zh) 含有相分離結構之結構體的製造方法、圖型形成方法及微細圖型形成方法
JPWO2020105672A5 (enExample)
JP2013080203A (ja) ポジ型感光性アクリル樹脂およびポジ型感光性樹脂組成物
JP3805988B2 (ja) アルキルビニールエーテルの共重合体を含む感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物
JP2005053975A5 (enExample)
TW201514212A (zh) 底劑、含相分離結構的結構體的製造方法
JP2006509028A5 (enExample)
CN108132584A (zh) 一种包含聚对羟基苯乙烯类聚合物和丙烯酸酯共聚物的光刻胶组合物
TW525041B (en) Photoresist composition for resist flow process, and process for forming contact hole using the same
JP6263378B2 (ja) 下地剤及びパターン形成方法
TW201546544A (zh) 包含相分離構造之構造體的製造方法及面塗膜的成膜方法
TW200526753A (en) Cross-linking polymer for organic anti-reflective coating, organic anti-reflective coating composition comprising the same and method for forming photoresist pattern using the same
JP2014185311A (ja) 下地剤及びパターン形成方法
JP2005060570A5 (enExample)
JPWO2019225362A1 (ja) 感光性転写材料、樹脂パターンの製造方法、回路配線の製造方法、及び、タッチパネルの製造方法
JP2005300998A (ja) ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法