JP2019024155A - 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置 - Google Patents

高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2019024155A
JP2019024155A JP2017142287A JP2017142287A JP2019024155A JP 2019024155 A JP2019024155 A JP 2019024155A JP 2017142287 A JP2017142287 A JP 2017142287A JP 2017142287 A JP2017142287 A JP 2017142287A JP 2019024155 A JP2019024155 A JP 2019024155A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inductor
filter
high frequency
frequency
series
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017142287A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6708177B2 (ja
Inventor
雅則 加藤
Masanori Kato
雅則 加藤
俊介 木戸
Shunsuke Kido
俊介 木戸
穣 岩永
Minoru Iwanaga
穣 岩永
裕 松原
Yutaka Matsubara
裕 松原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2017142287A priority Critical patent/JP6708177B2/ja
Priority to US16/032,098 priority patent/US10243538B2/en
Priority to CN201810795737.5A priority patent/CN109286387B/zh
Publication of JP2019024155A publication Critical patent/JP2019024155A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6708177B2 publication Critical patent/JP6708177B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/542—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material including passive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/205—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having multiple resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/547—Notch filters, e.g. notch BAW or thin film resonator filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/56—Monolithic crystal filters
    • H03H9/566—Electric coupling means therefor
    • H03H9/568—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/58—Multiple crystal filters
    • H03H9/60—Electric coupling means therefor
    • H03H9/605—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6406—Filters characterised by a particular frequency characteristic
    • H03H9/6409—SAW notch filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
    • H03H9/706—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7209—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched from a first band to a second band
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1708—Comprising bridging elements, i.e. elements in a series path without own reference to ground and spanning branching nodes of another series path
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1758—Series LC in shunt or branch path
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1766—Parallel LC in series path

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

【課題】通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できる高周波フィルタを提供する。【解決手段】入出力端子９１と入出力端子９２との間に接続される高周波フィルタ１は、直列腕共振子Ｓ１１およびＳ１２ならびに並列腕共振子Ｐ１１およびＰ１２と、ＬＣ共振回路１１を構成するインダクタＬ１１と、を備え、直列腕共振子Ｓ１１およびＳ１２ならびに並列腕共振子Ｐ１１およびＰ１２の共振周波数または反共振周波数によって構成される第１減衰極の周波数、および、ＬＣ共振回路１１の共振周波数によって構成される第２減衰極の周波数は、高周波フィルタ１の１つの阻止帯域に含まれ、第１減衰極の周波数は、第２減衰極の周波数よりも高周波フィルタ１の通過帯域の近くに位置する。【選択図】図１

Description

本発明は、弾性波共振子を有する高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置に関する。
従来、弾性波共振子を用いた高周波フィルタが提案されている。例えば、ＬＣ共振回路と弾性波共振子とを備えた高周波フィルタが開示されている（例えば、特許文献１参照）。当該高周波フィルタでは、弾性波共振子およびＬＣ共振回路はそれぞれ、バンドエリミネーションフィルタ（ＢＥＦ）を構成する。これにより、通過帯域近傍に弾性波共振子による阻止帯域と、弾性波共振子による阻止帯域よりも１オクターブ以上高いＬＣ共振回路による阻止帯域との２つの阻止帯域を形成することができる。
特表２００９−５３８００５号公報
しかしながら、上記従来の高周波フィルタは、弾性波共振子による急峻な減衰極によって、通過帯域から阻止帯域にかけて形成される減衰スロープの急峻度を高めることができるが、弾性波共振子による阻止帯域は狭い。例えば、近年、キャリアアグリゲーション（ＣＡ）に対応するため、複数の高周波フィルタの一端の端子が共通端子化されたマルチプレクサが用いられている。このようなマルチプレクサでは、複数の高周波フィルタのうちの一の高周波フィルタの阻止帯域と他の高周波フィルタの通過帯域とが重複するように設計される。しかし、一の高周波フィルタの阻止帯域が狭い場合には、他の高周波フィルタの通過帯域の信号を十分に減衰することが難しい。これに対して、例えば、高周波フィルタが備える弾性波共振子の数を増やせば、当該阻止帯域の広帯域化を実現することは可能であるが、弾性波共振子の数を増やした分、通過帯域内の挿入損失が増加してしまう。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できる高周波フィルタ等を提供する。
本発明の一態様に係る高周波フィルタは、第１入出力端子と第２入出力端子との間に接続される高周波フィルタであって、少なくとも１つの弾性波共振子と、ＬＣ共振回路の一部を構成する第１インダクタと、を備え、前記少なくとも１つの弾性波共振子の共振周波数または反共振周波数によって構成される第１減衰極の周波数、および、前記ＬＣ共振回路の共振周波数によって構成される第２減衰極の周波数は、前記高周波フィルタの１つの阻止帯域に含まれ、前記第１減衰極の周波数は、前記第２減衰極の周波数よりも前記高周波フィルタの通過帯域の近くに位置する。
このように構成された高周波フィルタでは、第１減衰極の周波数が高周波フィルタの通過帯域の近くに位置しているため、弾性波共振子による急峻な第１減衰極によって、高周波フィルタの通過帯域から１つの阻止帯域にかけて形成される減衰スロープの急峻度を高めることができ、通過帯域内の挿入損失を低減できる。また、第１減衰極の周波数と第２減衰極の周波数とが当該１つの阻止帯域に含まれる、言い換えると、第１減衰極と第２減衰極とによって当該１つの阻止帯域が形成されるため、ＬＣ共振回路によるなだらかな第２減衰極によって当該１つの阻止帯域を広くできる。したがって、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できる。
また、前記少なくとも１つの弾性波共振子は、容量成分によりローパスフィルタまたはハイパスフィルタを構成してもよい。
これによれば、弾性波共振子は、容量成分を有しているため、インダクタと弾性波共振子とを接続することでローパスフィルタまたはハイパスフィルタを構成でき、ローパスフィルタまたはハイパスフィルタによって広帯域な通過帯域を形成することができる。また、弾性波共振子およびＬＣ共振回路をノッチフィルタとして動作させて、当該通過帯域の一部を減衰させることで、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現でき、さらに、通過帯域の広帯域化も実現できる。
また、前記少なくとも１つの弾性波共振子は、第１弾性波共振子および第２弾性波共振子から構成され、前記高周波フィルタは、さらに、第１キャパシタと、第２インダクタと、第３インダクタと、を備え、前記第１インダクタと、前記第２インダクタと、前記第２弾性波共振子とは、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とを結ぶ経路上において直列接続され、前記第１キャパシタは、前記第１インダクタに並列接続され、前記第１弾性波共振子は、前記経路上において前記第２インダクタに直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続され、前記第３インダクタは、前記経路上において前記第２弾性波共振子に直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続され、前記第１キャパシタは、前記第１インダクタとともに前記ＬＣ共振回路としてＬＣ並列共振回路を構成し、前記第２インダクタは、前記第１弾性波共振子の容量成分とともに前記ローパスフィルタを構成し、前記第３インダクタは、前記第２弾性波共振子の容量成分とともに前記ハイパスフィルタを構成してもよい。
また、前記少なくとも１つの弾性波共振子は、第１弾性波共振子から構成され、前記高周波フィルタは、さらに、第１キャパシタを備え、前記第１インダクタは、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とを結ぶ経路上に設けられ、前記第１キャパシタは、前記第１インダクタに並列接続され、前記第１弾性波共振子は、前記経路上において前記第１インダクタに直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続され、前記第１キャパシタは、前記第１インダクタとともに前記ＬＣ共振回路としてＬＣ並列共振回路を構成し、前記第１インダクタは、さらに、前記第１弾性波共振子の容量成分とともに前記ローパスフィルタを構成してもよい。
これによれば、１４２７−２２００ＭＨｚという広帯域で、かつ、高周波側の減衰スロープの急峻度が高い通過帯域、および、当該通過帯域よりも高周波側に存在し２３００−２６９０ＭＨｚという広帯域な阻止帯域を有する高周波フィルタを実現できる。
また、前記少なくとも１つの弾性波共振子は、第２弾性波共振子から構成され、前記高周波フィルタは、さらに、第１キャパシタを備え、前記第２弾性波共振子は、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とを結ぶ経路上に設けられ、前記第１キャパシタと前記第１インダクタとは直列接続され、前記第１キャパシタと前記第１インダクタとが直列接続された回路は、前記経路上において前記第２弾性波共振子に直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続され、前記第１キャパシタは、前記第１インダクタとともに前記ＬＣ共振回路としてＬＣ直列共振回路を構成し、前記第１インダクタは、さらに、前記第２弾性波共振子の容量成分とともに前記ハイパスフィルタを構成してもよい。
これによれば、１７１０−２２００ＭＨｚという広帯域で、かつ、高周波側の減衰スロープの急峻度が高い通過帯域、および、当該通過帯域よりも高周波側に存在し２３００−２６９０ＭＨｚという広帯域な阻止帯域を有する高周波フィルタを実現できる。また、１７１０−２６９０ＭＨｚという広帯域で、かつ、低周波側の減衰スロープの急峻度が高い通過帯域、および、当該通過帯域よりも低周波側に存在し１４２７−１６０６ＭＨｚという広帯域な阻止帯域を有する高周波フィルタも実現できる。
また、前記少なくとも１つの弾性波共振子は、第２弾性波共振子から構成され、前記高周波フィルタは、さらに、第１キャパシタと、第３インダクタと、を備え、前記第２弾性波共振子は、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とを結ぶ経路上に設けられ、前記第１キャパシタと前記第１インダクタとは直列接続され、前記第１キャパシタと前記第１インダクタとが直列接続された回路は、前記経路とグランドとの間に接続され、前記第３インダクタは、前記経路上において前記第２弾性波共振子に直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続され、前記第１キャパシタは、前記第１インダクタとともに前記ＬＣ共振回路としてＬＣ直列共振回路を構成し、前記第３インダクタは、前記第２弾性波共振子の容量成分とともに前記ハイパスフィルタを構成してもよい。
これによれば、２３００−２６９０ＭＨｚという広帯域で、かつ、低周波側の減衰スロープの急峻度が高い通過帯域、および、当該通過帯域よりも低周波側に存在し１４２７−２２００ＭＨｚという広帯域な阻止帯域を有する高周波フィルタを実現できる。
また、前記少なくとも１つの弾性波共振子は、第１直列腕共振子、第２直列腕共振子および第１並列腕共振子から構成され、前記第１直列腕共振子と前記第２直列腕共振子とは、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とを結ぶ経路上において直列接続され、前記第１並列腕共振子は、前記第１直列腕共振子と前記第２直列腕共振子との間のノードとグランドとの間に接続され、前記第１インダクタは、前記第１直列腕共振子と前記第２直列腕共振子とが直列接続された回路に並列接続され、前記第１直列腕共振子および前記第２直列腕共振子の容量成分は、前記第１インダクタとともに前記ＬＣ共振回路としてＬＣ並列共振回路を構成し、前記第１直列腕共振子、前記第２直列腕共振子および前記第１並列腕共振子は、バンドパスフィルタを構成してもよい。
これによれば、低周波側の減衰スロープの急峻度が高い２３００−２４００ＭＨｚの通過帯域、および、当該通過帯域よりも低周波側に存在し１４２７−２２００ＭＨｚという広帯域な阻止帯域を有する高周波フィルタを実現できる。
また、前記高周波フィルタは、さらに、第２ＬＣ共振回路の一部を構成する第４インダクタと、第１キャパシタを備え、前記第１キャパシタと前記第４インダクタとは直列接続され、前記第１キャパシタと前記第４インダクタとが直列接続された回路は、前記経路上において前記第１入出力端子または前記第２入出力端子に直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続され、前記第１キャパシタと前記第４インダクタとが直列接続された回路は、前記第１インダクタとともに前記第２ＬＣ共振回路としてＬＣ直列共振回路を構成してもよい。
これによれば、低周波側の減衰スロープの急峻度が高い２４９６−２６９０ＭＨｚの通過帯域、および、当該通過帯域よりも低周波側に存在し１４２７−２４００ＭＨｚという広帯域な阻止帯域を有する高周波フィルタを実現できる。また、低周波側の減衰スロープの急峻度が高い２３００−２６９０ＭＨｚの通過帯域、および、当該通過帯域よりも低周波側に存在し１４２７−２２００ＭＨｚという広帯域な阻止帯域を有する高周波フィルタも実現できる。
また、本発明の一態様に係るマルチプレクサは、上記の高周波フィルタを少なくとも１つ含む複数のフィルタを備え、前記複数のフィルタの入力端子または出力端子は、共通端子に直接的または間接的に接続されている。
これによれば、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できるマルチプレクサを提供できる。
また、前記複数のフィルタは、２つのフィルタであってもよい。
これによれば、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できるダイプレクサを提供できる。
また、前記複数のフィルタは、３つのフィルタであってもよい。
これによれば、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できるトリプレクサを提供できる。
また、前記３つのフィルタは、６００ＭＨｚから９６０ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、１４２７ＭＨｚから２２００ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、２３００ＭＨｚから２６９０ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、を含んでいてもよい。
これによれば、６００ＭＨｚから９６０ＭＨｚの周波数帯域の信号、１４２７ＭＨｚから２２００ＭＨｚの周波数帯域の信号、および、２３００ＭＨｚから２６９０ＭＨｚの周波数帯域の信号を選択的または同時に送受信できる。
また、前記複数のフィルタは、４つのフィルタであってもよい。
これによれば、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できるクアッドプレクサを提供できる。
また、前記４つのフィルタは、６００ＭＨｚから９６０ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、１４２７ＭＨｚから２２００ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、２３００ＭＨｚから２４００ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、２４９６ＭＨｚから２６９０ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、を含んでいてもよい。
これによれば、６００ＭＨｚから９６０ＭＨｚの周波数帯域の信号、１４２７ＭＨｚから２２００ＭＨｚの周波数帯域の信号、２３００ＭＨｚから２４００ＭＨｚの周波数帯域の信号、および、２４９６ＭＨｚから２４６９ＭＨｚの周波数帯域の信号を選択的または同時に送受信できる。
また、前記複数のフィルタには、ローパスフィルタが含まれていてもよい。
これによれば、６００ＭＨｚから９６０ＭＨｚを通過帯域とするフィルタをローパスフィルタによって実現できる。
また、前記複数のフィルタのそれぞれに対応する複数の周波数帯域の信号を同時に送受信してもよい。
これによれば、キャリアアグリゲーション（ＣＡ）に対応できる。
また、本発明の一態様に係る高周波フロントエンド回路は、上記のマルチプレクサと、前記マルチプレクサに直接的または間接的に接続されたスイッチと、を備える。
これによれば、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できる高周波フロントエンド回路を提供できる。
また、本発明の一態様に係る高周波フロントエンド回路は、上記のマルチプレクサと、前記マルチプレクサに直接的または間接的に接続された増幅回路と、を備える。
これによれば、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できる高周波フロントエンド回路を提供できる。
また、本発明の一態様に係る通信装置は、アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、前記アンテナ素子と前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する上記の高周波フロントエンド回路と、を備える。
これによれば、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できる通信装置を提供できる。
本発明に係る高周波フィルタ等によれば、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できる。
図１は、実施例１に係る高周波フィルタの回路構成図である。 図２は、実施例１に係る高周波フィルタのフィルタ特性を示す図である。 図３は、実施例２に係る高周波フィルタの回路構成図である。 図４は、実施例２に係る高周波フィルタのフィルタ特性を示す図である。 図５は、実施例３に係る高周波フィルタの回路構成図である。 図６は、実施例３に係る高周波フィルタのフィルタ特性を示す図である。 図７は、実施例４に係る高周波フィルタの回路構成図である。 図８は、実施例４に係る高周波フィルタのフィルタ特性を示す図である。 図９は、実施例５に係る高周波フィルタの回路構成図である。 図１０は、実施例５に係る高周波フィルタのフィルタ特性を示す図である。 図１１は、実施例６に係る高周波フィルタの回路構成図である。 図１２は、実施例６に係る高周波フィルタのフィルタ特性を示す図である。 図１３は、実施例７に係る高周波フィルタの回路構成図である。 図１４は、実施例７に係る高周波フィルタのフィルタ特性を示す図である。 図１５は、実施例８に係る高周波フィルタの回路構成図である。 図１６は、実施例８に係る高周波フィルタのフィルタ特性を示す図である。 図１７は、実施例９に係るマルチプレクサ（トリプレクサ）の回路構成図である。 図１８は、実施例１０に係るマルチプレクサ（ダイプレクサ）の回路構成図である。 図１９は、実施の形態２に係る通信装置の回路構成図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する場合がある。また、以下の実施の形態において、「接続される」とは、直接接続される場合だけでなく、他の素子等を介して電気的に接続される場合も含まれる。
（実施の形態１）
以下では、実施の形態１に係る高周波フィルタの構成およびフィルタ特性について、実施例１〜８を用いて説明する。実施例１〜８において、各高周波フィルタは、第１入出力端子と第２入出力端子との間に接続され、少なくとも１つの弾性波共振子と、ＬＣ共振回路の一部を構成する第１インダクタとを備える点が共通している。また、実施例１〜８において、少なくとも１つの弾性波共振子の共振周波数または反共振周波数によって構成される第１減衰極の周波数、および、ＬＣ共振回路の共振周波数によって構成される第２減衰極の周波数は、高周波フィルタの１つの阻止帯域に含まれ、第１減衰極の周波数は、第２減衰極の周波数よりも高周波フィルタの通過帯域の近くに位置する点が共通している。以下、図１から図１６を用いて実施例１〜８について説明する。
［１．実施例１］
実施例１に係る高周波フィルタ１の構成について説明する。
図１は、実施例１に係る高周波フィルタ１の回路構成図である。図１に示された高周波フィルタ１は、インダクタＬ１１、Ｌ１２およびＬ１３と、キャパシタＣ１１と、直列腕共振子Ｓ１１およびＳ１２と、並列腕共振子Ｐ１１およびＰ１２と、入出力端子９１（第１入出力端子）および９２（第２入出力端子）と、を備える。実施例１では、少なくとも１つの弾性波共振子は、直列腕共振子Ｓ１１およびＳ１２、ならびに、並列腕共振子Ｐ１１およびＰ１２から構成される。入出力端子９１を高周波信号が入力される入力端子とした場合、入出力端子９２は出力端子となり、入出力端子９２を高周波信号が入力される入力端子とした場合、入出力端子９１は出力端子となる。
インダクタＬ１１は、ＬＣ共振回路１１の一部を構成する第１インダクタであり、入出力端子９１と入出力端子９２とを結ぶ経路上に設けられる。インダクタＬ１１は、入出力端子９１に接続されている。インダクタＬ１２は、当該経路上に設けられた第２インダクタであり、インダクタＬ１１に接続されている。直列腕共振子Ｓ１１およびＳ１２は、当該経路上に設けられた第２弾性波共振子であり、直列腕共振子Ｓ１１はインダクタＬ１２に接続され、直列腕共振子Ｓ１２は直列腕共振子Ｓ１１および入出力端子９２に接続されている。インダクタＬ１１と、インダクタＬ１２と、直列腕共振子Ｓ１１と、直列腕共振子Ｓ１２とは、当該経路上において直列接続されている。
キャパシタＣ１１は、インダクタＬ１１に並列接続された第１キャパシタである。キャパシタＣ１１は、インダクタＬ１１とともにＬＣ共振回路１１としてＬＣ並列共振回路を構成する。
並列腕共振子Ｐ１１およびＰ１２は、入出力端子９１と入出力端子９２とを結ぶ経路上においてインダクタＬ１２に直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続された第１弾性波共振子である。具体的には、並列腕共振子Ｐ１１は、インダクタＬ１１とインダクタＬ１２との間のノードと、グランドとに接続され、並列腕共振子Ｐ１２は、インダクタＬ１２と直列腕共振子Ｓ１１との間のノードと、グランドとに接続されている。インダクタＬ１２は、並列腕共振子Ｐ１１およびＰ１２の容量成分とともにローパスフィルタ（ＬＰＦ）１２を構成する。なお、直接的に接続とは、間に他の部品を介さずに接続されることを意味する。
インダクタＬ１３は、入出力端子９１と入出力端子９２とを結ぶ経路上において直列腕共振子Ｓ１１およびＳ１２に直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続された第３インダクタである。具体的には、インダクタＬ１３は、直列腕共振子Ｓ１１と直列腕共振子Ｓ１２との間のノードと、グランドとに接続されている。インダクタＬ１３は、直列腕共振子Ｓ１１およびＳ１２の容量成分とともにハイパスフィルタ（ＨＰＦ）１３を構成する。
なお、ＬＣ共振回路１１を構成する第１インダクタの個数および第１キャパシタの個数は、それぞれ１つに限らず、２つ以上あってもよい。また、ＬＰＦ１２を構成する第２インダクタの個数（直列接続数）は１つに限らず２つ以上あってもよく、第１弾性波共振子の個数（並列接続数）は２つに限らず１つまたは３つ以上あってもよい。また、ＨＰＦ１３を構成する第３インダクタの個数（並列接続数）は１つに限らず２つ以上あってもよく、第２弾性波共振子の個数（直列接続数）は１つまたは３つ以上あってもよい。また、高周波フィルタ１は、１つのＬＣ共振回路１１を備えるが、２つ以上のＬＣ共振回路を備えていてもよい。例えば、高周波フィルタ１は、少なくとも、インダクタＬ１１〜Ｌ１３とキャパシタＣ１１と並列腕共振子Ｐ１１と直列腕共振子Ｓ１１とから構成されていればよい。
少なくとも１つの弾性波共振子（実施例１では、直列腕共振子Ｓ１１およびＳ１２、ならびに、並列腕共振子Ｐ１１およびＰ１２）は、弾性波を用いた共振子であり、例えば、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を利用した共振子、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を利用した共振子、もしくは、ＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）等である。なお、ＳＡＷには、表面波だけでなく境界波も含まれる。ここでは、少なくとも１つの弾性波共振子をＳＡＷ共振子とする。これにより、高周波フィルタ１を、圧電性を有する基板上に形成されたＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極により構成できるので、急峻度の高い通過特性を有する小型かつ低背のフィルタ回路を実現できる。なお、圧電性を有する基板は、少なくとも表面に圧電性を有する基板である。当該基板は、例えば、表面に圧電薄膜を備え、当該圧電薄膜と音速の異なる膜、および、支持基板などの積層体で構成されていてもよい。また、当該基板は、例えば、高音速支持基板と、高音速支持基板上に形成された圧電薄膜とを含む積層体、高音速支持基板と、高音速支持基板上に形成された低音速膜と、低音速膜上に形成された圧電薄膜とを含む積層体、または、支持基板と、支持基板上に形成された高音速膜と、高音速膜上に形成された低音速膜と、低音速膜上に形成された圧電薄膜とを含む積層体であってもよい。なお、当該基板は、基板全体に圧電性を有していてもよい。実施例２〜８で説明する弾性波共振子についても同様であるため、実施例２〜８では説明を省略する。
次に、実施例１に係る高周波フィルタ１のフィルタ特性について説明する。
図２は、実施例１に係る高周波フィルタ１のフィルタ特性を示す図である。
直列腕共振子Ｓ１１およびＳ１２、ならびに、並列腕共振子Ｐ１１およびＰ１２は、容量成分を有しているため、インダクタＬ１２と並列腕共振子Ｐ１１およびＰ１２とが接続されることでＬＰＦ１２が構成され、インダクタＬ１３と直列腕共振子Ｓ１１およびＳ１２とが接続されることでＨＰＦ１３が構成される。
高周波フィルタ１では、ＬＰＦ１２およびＨＰＦ１３によって広帯域な通過帯域を形成することができる。例えば、ＬＰＦ１２の通過帯域とＨＰＦ１３の通過帯域とが連続するようにＬＰＦ１２およびＨＰＦ１３を設計することで、１つの広帯域な通過帯域を形成することができる。また、直列腕共振子Ｓ１１およびＳ１２、並列腕共振子Ｐ１１およびＰ１２、ならびに、ＬＣ共振回路１１は、それぞれ設計パラメータが適宜調整されることで、それぞれの共振周波数または反共振周波数において通過特性を減衰させるノッチフィルタとして動作する。これにより、直列腕共振子Ｓ１１およびＳ１２、並列腕共振子Ｐ１１およびＰ１２、ならびに、ＬＣ共振回路１１は、ＬＰＦ１２およびＨＰＦ１３によって形成される広帯域な通過帯域の一部を減衰させる。広帯域な通過帯域の一部が減衰させられることで、例えば、減衰させられた周波数帯域よりも低周波側と高周波側とに２つの通過帯域を形成することができる。なお、共振周波数とは、共振子または共振回路のインピーダンスが極小（理想的には０）となる周波数であり、反共振周波数とは共振子または共振回路のインピーダンスが極大（理想的には無限大）となる周波数である。
例えば、図２中のＡ部分に示される減衰極（減衰極Ａと呼ぶ）は、直列腕共振子Ｓ１２の反共振周波数に対応し、図２中のＢ部分に示される減衰極（減衰極Ｂと呼ぶ）は、直列腕共振子Ｓ１１の反共振周波数に対応し、図２中のＣ部分に示される減衰極（減衰極Ｃと呼ぶ）は、並列腕共振子Ｐ１１の共振周波数に対応し、図２中のＤ部分に示される減衰極（減衰極Ｄと呼ぶ）は、並列腕共振子Ｐ１２の共振周波数に対応する。また、例えば、図２中のＥ部分に示される減衰極（減衰極Ｅと呼ぶ）は、ＬＣ共振回路１１の共振周波数に対応する。
図２に示されるように、直列腕共振子Ｓ１１およびＳ１２の反共振周波数、ならびに、並列腕共振子Ｐ１１およびＰ１２の共振周波数によって構成される減衰極Ａ〜Ｄ（第１減衰極）の周波数、および、ＬＣ共振回路１１の共振周波数によって構成される減衰極Ｅ（第２減衰極）の周波数は、高周波フィルタ１の１つの阻止帯域に含まれている。これにより、減衰極Ａ〜Ｄと減衰極Ｅとによって当該１つの阻止帯域が形成されるため、ＬＣ共振回路１１によるなだらかな減衰極Ｅによって当該１つの阻止帯域を広くできる。なお、１つの阻止帯域とは、例えば、挿入損失が１０ｄＢ以上となっている帯域である。具体的には、１つの阻止帯域とは、周波数が高くなるにつれて、挿入損失が大きくなって１０ｄＢ以上となってから、挿入損失が１０ｄＢ以下となるまでの周波数の帯域のことである。例えば、周波数が高くなるにつれて、挿入損失が１０ｄＢ以上となった後１０ｄＢ以下となり、再度、１０ｄＢ以上となった後１０ｄＢ以下となった場合、２つの阻止帯域が存在することになる。
また、減衰極Ａ〜Ｄの周波数は、減衰極Ｅの周波数よりも高周波フィルタ１の通過帯域の近くに位置する。弾性波共振子による減衰極は急峻度が高く、減衰極Ａ〜Ｄ（特に減衰極Ａ）の周波数が高周波フィルタ１の通過帯域の近くに位置しているため、急峻な減衰極Ａ〜Ｄによって、高周波フィルタ１の通過帯域から当該１つの阻止帯域にかけて形成される減衰スロープの急峻度を高めることができる。
実施例１では、直列腕共振子Ｓ１１およびＳ１２、並列腕共振子Ｐ１１およびＰ１２、インダクタＬ１１〜Ｌ１３、ならびに、キャパシタＣ１１の設計パラメータを適宜調整することで、高周波フィルタ１の通過帯域は、ＭＬＢ（Ｍｉｄｄｌｅ Ｌｏｗ Ｂａｎｄ）からＭＢ（Ｍｉｄｄｌｅ Ｂａｎｄ）にわたる帯域である１４２７−２２００ＭＨｚとなっている。また、高周波フィルタ１の阻止帯域は、ＨＢ（Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄ）である２３００−２６９０ＭＨｚとなっている。
これにより、１４２７−２２００ＭＨｚという広帯域で、かつ、高周波側の減衰スロープの急峻度が高い通過帯域、および、当該通過帯域よりも高周波側に存在し２３００−２６９０ＭＨｚという広帯域な阻止帯域を有する高周波フィルタを実現できる。このように、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できる。
［２．実施例２］
実施例２に係る高周波フィルタ２の構成について説明する。
図３は、実施例２に係る高周波フィルタ２の回路構成図である。図２に示された高周波フィルタ２は、インダクタＬ２１およびＬ２２と、キャパシタＣ２１およびＣ２２と、並列腕共振子Ｐ２１およびＰ２２と、入出力端子９１（第１入出力端子）および９２（第２入出力端子）と、を備える。実施例２では、少なくとも１つの弾性波共振子は、並列腕共振子Ｐ２１およびＰ２２から構成される。
インダクタＬ２１およびＬ２２は、ＬＣ共振回路２１および２２の一部を構成する第１インダクタであり、入出力端子９１と入出力端子９２とを結ぶ経路上に設けられる。インダクタＬ２１は入出力端子９１に接続され、インダクタＬ２２は入出力端子９２に接続されている。インダクタＬ２１と、インダクタＬ２２とは、当該経路上において直列接続されている。
キャパシタＣ２１およびＣ２２は、インダクタＬ２１およびＬ２２に並列接続された第１キャパシタである。具体的には、キャパシタＣ２１はインダクタＬ２１に並列接続され、キャパシタＣ２２はインダクタＬ２２に並列接続されている。キャパシタＣ２１は、インダクタＬ２１とともにＬＣ共振回路２１としてＬＣ並列共振回路を構成し、キャパシタＣ２２は、インダクタＬ２２とともにＬＣ共振回路２２としてＬＣ並列共振回路を構成する。
並列腕共振子Ｐ２１およびＰ２２は、入出力端子９１と入出力端子９２とを結ぶ経路上においてインダクタＬ２１およびＬ２２に直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続された第１弾性波共振子である。具体的には、並列腕共振子Ｐ２１は、インダクタＬ２１とインダクタＬ２２との間のノードと、グランドとに接続され、並列腕共振子Ｐ２２は、インダクタＬ２２と入出力端子９２との間のノードと、グランドとに接続されている。インダクタＬ２１およびＬ２２は、さらに、並列腕共振子Ｐ２１およびＰ２２の容量成分とともにＬＰＦ２３を構成する。インダクタＬ２１およびＬ２２は、ＬＣ並列共振回路を構成しつつ、ＬＰＦ２３も構成している。
なお、ＬＣ共振回路２１および２２を構成する第１インダクタの個数および第１キャパシタの個数は、それぞれ１つに限らず、２つ以上あってもよい。また、高周波フィルタ２はＬＣ共振回路を２つ備えるが、１つまたは３つ以上備えていてもよい。また、ＬＰＦ２３を構成する第１インダクタの個数（直列接続数）は２つに限らず１つまたは３つ以上あってもよく、第１弾性波共振子の個数（並列接続数）は２つに限らず１つまたは３つ以上あってもよい。例えば、高周波フィルタ２は、少なくとも、インダクタＬ２１とキャパシタＣ２１と並列腕共振子Ｐ２１とから構成されていればよい。
次に、実施例２に係る高周波フィルタ２のフィルタ特性について説明する。
図４は、実施例２に係る高周波フィルタ２のフィルタ特性を示す図である。
並列腕共振子Ｐ２１およびＰ２２は、容量成分を有しているため、インダクタＬ２１およびＬ２２と並列腕共振子Ｐ２１およびＰ２２とが接続されることでＬＰＦ２３が構成される。
高周波フィルタ２では、ＬＰＦ２３によって広帯域な通過帯域を形成することができる。また、並列腕共振子Ｐ２１およびＰ２２、ならびに、ＬＣ共振回路２１および２２は、それぞれ設計パラメータが適宜調整されることで、それぞれの共振周波数において通過特性を減衰させるノッチフィルタとして動作する。これにより、並列腕共振子Ｐ２１およびＰ２２、ならびに、ＬＣ共振回路２１および２２は、ＬＰＦ２３によって形成される広帯域な通過帯域の一部を減衰させる。
例えば、図４中のＡ部分に示される減衰極（減衰極Ａと呼ぶ）は、並列腕共振子Ｐ２１の共振周波数に対応し、図４中のＢ部分に示される減衰極（減衰極Ｂと呼ぶ）は、並列腕共振子Ｐ２２の共振周波数に対応する。また、例えば、図４中のＣ部分に示される減衰極（減衰極Ｃと呼ぶ）は、ＬＣ共振回路２１の共振周波数に対応し、図４中のＤ部分に示される減衰極（減衰極Ｄと呼ぶ）は、ＬＣ共振回路２２の共振周波数に対応する。
図４に示されるように、並列腕共振子Ｐ２１およびＰ２２の共振周波数によって構成される減衰極ＡおよびＢ（第１減衰極）の周波数、および、ＬＣ共振回路２１および２２の共振周波数によって構成される減衰極ＣおよびＤ（第２減衰極）の周波数は、高周波フィルタ２の１つの阻止帯域に含まれている。これにより、減衰極ＡおよびＢと減衰極ＣおよびＤとによって当該１つの阻止帯域が形成されるため、ＬＣ共振回路２１および２２によるなだらかな減衰極ＣおよびＤによって当該１つの阻止帯域を広くできる。
また、減衰極ＡおよびＢの周波数は、減衰極ＣおよびＤの周波数よりも高周波フィルタ２の通過帯域の近くに位置する。弾性波共振子による減衰極は急峻度が高く、減衰極ＡおよびＢ（特に減衰極Ａ）の周波数が高周波フィルタ２の通過帯域の近くに位置しているため、急峻な減衰極ＡおよびＢによって、高周波フィルタ２の通過帯域から当該１つの阻止帯域にかけて形成される減衰スロープの急峻度を高めることができる。
実施例２では、並列腕共振子Ｐ２１およびＰ２２、インダクタＬ２１およびＬ２２、ならびに、キャパシタＣ２１およびＣ２２の設計パラメータを適宜調整することで、高周波フィルタ２の通過帯域は、ＭＬＢからＭＢにわたる帯域である１４２７−２２００ＭＨｚとなっている。また、高周波フィルタ２の阻止帯域は、ＨＢである２３００−２６９０ＭＨｚとなっている。
これにより、１４２７−２２００ＭＨｚという広帯域で、かつ、高周波側の減衰スロープの急峻度が高い通過帯域、および、当該通過帯域よりも高周波側に存在し２３００−２６９０ＭＨｚという広帯域な阻止帯域を有する高周波フィルタを実現できる。このように、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できる。
［３．実施例３］
実施例３に係る高周波フィルタ３の構成について説明する。
図５は、実施例３に係る高周波フィルタ３の回路構成図である。図５に示された高周波フィルタ３は、インダクタＬ３１〜Ｌ３３と、キャパシタＣ３１と、直列腕共振子Ｓ３１〜Ｓ３４と、入出力端子９１（第１入出力端子）および９２（第２入出力端子）と、を備える。実施例３では、少なくとも１つの弾性波共振子は、直列腕共振子Ｓ３１〜Ｓ３４から構成される。
直列腕共振子Ｓ３１〜Ｓ３４は、入出力端子９１と入出力端子９２とを結ぶ経路上に設けられた第２弾性波共振子であり、直列腕共振子Ｓ３１は入出力端子９１に接続され、直列腕共振子Ｓ３２は直列腕共振子Ｓ３１に接続され、直列腕共振子Ｓ３３は直列腕共振子Ｓ３２に接続され、直列腕共振子Ｓ３４は直列腕共振子Ｓ３３および入出力端子９２に接続されている。直列腕共振子Ｓ３１〜Ｓ３４は、当該経路上において直列接続されている。
インダクタＬ３２は、ＬＣ共振回路３１の一部を構成する第１インダクタである。キャパシタＣ３１は、インダクタＬ３２に直列接続された第１キャパシタである。キャパシタＣ３１とインダクタＬ３２とが直列接続された回路は、入出力端子９１と入出力端子９２とを結ぶ経路上において第２弾性波共振子（例えば直列腕共振子Ｓ３２）に直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続される。具体的には、当該回路は、直列腕共振子Ｓ３２と直列腕共振子Ｓ３３との間のノードと、グランドとに接続されている。キャパシタＣ３１は、インダクタＬ３２とともにＬＣ共振回路３１としてＬＣ直列共振回路を構成する。
インダクタＬ３１およびＬ３３は、入出力端子９１と入出力端子９２とを結ぶ経路上において直列腕共振子Ｓ３１〜Ｓ３４に直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続された第３インダクタである。具体的には、インダクタＬ３１は直列腕共振子Ｓ３１と直列腕共振子Ｓ３２との間のノードと、グランドとに接続され、インダクタＬ３３は直列腕共振子Ｓ３３と直列腕共振子Ｓ３４との間のノードと、グランドとに接続されている。インダクタＬ３１〜Ｌ３３は、直列腕共振子Ｓ３１〜Ｓ３４の容量成分とともにＨＰＦ３２を構成する。インダクタＬ３２は、ＬＣ直列共振回路を構成しつつ、ＨＰＦ３２も構成している。
なお、ＬＣ共振回路３１を構成する第１インダクタの個数および第１キャパシタの個数は、それぞれ１つに限らず、２つ以上あってもよい。また、高周波フィルタ３は、１つのＬＣ共振回路３１を備えるが、２つ以上のＬＣ共振回路を備えていてもよい。また、ＨＰＦ３２を構成する第１インダクタまたは第３インダクタの個数（並列接続数）は３つに限らず１つ、２つまたは４つ以上あってもよく、第２弾性波共振子の個数（直列接続数）は４つに限らず１つから３つまたは５つ以上あってもよい。例えば、高周波フィルタ３は、少なくとも、インダクタＬ３２とキャパシタＣ３１と直列腕共振子Ｓ３２とから構成されていればよい。
次に、実施例３に係る高周波フィルタ３のフィルタ特性について説明する。
図６は、実施例３に係る高周波フィルタ３のフィルタ特性を示す図である。
直列腕共振子Ｓ３１〜Ｓ３４は、容量成分を有しているため、インダクタＬ３１〜Ｌ３３と直列腕共振子Ｓ３１〜Ｓ３４とが接続されることでＨＰＦ３２が構成される。
高周波フィルタ３では、ＨＰＦ３２によって広帯域な通過帯域を形成することができる。また、直列腕共振子Ｓ３１〜Ｓ３４、ならびに、ＬＣ共振回路３１は、それぞれ設計パラメータが適宜調整されることで、それぞれの共振周波数または反共振周波数において通過特性を減衰させるノッチフィルタとして動作する。これにより、直列腕共振子Ｓ３１〜Ｓ３４およびＬＣ共振回路３１は、ＨＰＦ３２によって形成される広帯域な通過帯域の一部を減衰させる。
例えば、図６中のＡ部分に示される減衰極（減衰極Ａと呼ぶ）は、直列腕共振子Ｓ３４の反共振周波数に対応し、図６中のＢ部分に示される減衰極（減衰極Ｂと呼ぶ）は、直列腕共振子Ｓ３２の反共振周波数に対応し、図６中のＣ部分に示される減衰極（減衰極Ｃと呼ぶ）は、直列腕共振子Ｓ３３の反共振周波数に対応し、図６中のＤ部分に示される減衰極（減衰極Ｄと呼ぶ）は、直列腕共振子Ｓ３１の反共振周波数に対応する。また、例えば、図６中のＥ部分に示される減衰極（減衰極Ｅと呼ぶ）は、ＬＣ共振回路３１の共振周波数に対応する。
図６に示されるように、直列腕共振子Ｓ３１〜Ｓ３４の反共振周波数によって構成される減衰極Ａ〜Ｄ（第１減衰極）の周波数、および、ＬＣ共振回路３１の共振周波数によって構成される減衰極Ｅ（第２減衰極）の周波数は、高周波フィルタ３の１つの阻止帯域に含まれている。これにより、減衰極Ａ〜Ｄと減衰極Ｅとによって当該１つの阻止帯域が形成されるため、ＬＣ共振回路３１によるなだらかな減衰極Ｅによって当該１つの阻止帯域を広くできる。
また、減衰極Ａ〜Ｄの周波数は、減衰極Ｅの周波数よりも高周波フィルタ３の通過帯域の近くに位置する。弾性波共振子による減衰極は急峻度が高く、減衰極Ａ〜Ｄ（特に減衰極Ａ）の周波数が高周波フィルタ３の通過帯域の近くに位置しているため、急峻な減衰極Ａ〜Ｄによって、高周波フィルタ３の通過帯域から当該１つの阻止帯域にかけて形成される減衰スロープの急峻度を高めることができる。
実施例３では、直列腕共振子Ｓ３１〜Ｓ３４、インダクタＬ３１〜Ｌ３３、および、キャパシタＣ３１の設計パラメータを適宜調整することで、高周波フィルタ３の通過帯域は、ＭＢである１７１０−２２００ＭＨｚとなっている。また、高周波フィルタ３の阻止帯域は、ＨＢである２３００−２６９０ＭＨｚとなっている。
これにより、１７１０−２２００ＭＨｚという広帯域で、かつ、高周波側の減衰スロープの急峻度が高い通過帯域、および、当該通過帯域よりも高周波側に存在し２３００−２６９０ＭＨｚという広帯域な阻止帯域を有する高周波フィルタを実現できる。このように、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できる。
［４．実施例４］
実施例４に係る高周波フィルタ４の構成について説明する。
図７は、実施例４に係る高周波フィルタ４の回路構成図である。図７に示された高周波フィルタ４は、インダクタＬ４１と、キャパシタＣ４１およびＣ４２と、直列腕共振子Ｓ４１と、入出力端子９１（第１入出力端子）および９２（第２入出力端子）と、を備える。実施例４では、少なくとも１つの弾性波共振子は、直列腕共振子Ｓ４１から構成される。
キャパシタＣ４１は、入出力端子９１と入出力端子９２とを結ぶ経路上に設けられ、入出力端子９１に接続されている。直列腕共振子Ｓ４１は、当該経路上に設けられた第２弾性波共振子であり、キャパシタＣ４１および入出力端子９２に接続されている。キャパシタＣ４１と直列腕共振子Ｓ４１とは、当該経路上において直列接続されている。
インダクタＬ４１は、ＬＣ共振回路４１の一部を構成する第１インダクタである。キャパシタＣ４２は、インダクタＬ４１に直列接続された第１キャパシタである。キャパシタＣ４２とインダクタＬ４１とが直列接続された回路は、入出力端子９１と入出力端子９２とを結ぶ経路上において直列腕共振子Ｓ４１に直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続される。具体的には、当該回路は、キャパシタＣ４２と直列腕共振子Ｓ４１との間のノードと、グランドとに接続されている。キャパシタＣ４２は、インダクタＬ４１とともにＬＣ共振回路４１としてＬＣ直列共振回路を構成する。
インダクタＬ４１は、キャパシタＣ４１および直列腕共振子Ｓ４１の容量成分とともにＨＰＦ４２を構成する。インダクタＬ４１は、ＬＣ直列共振回路を構成しつつ、ＨＰＦ４２も構成している。実施例３では、ＨＰＦ３２を構成するために、直列腕共振子Ｓ３１〜Ｓ３４の容量成分を用いていたが、実施例４のように、直列腕共振子Ｓ４１の容量成分だけでなく、キャパシタＣ４１を用いてＨＰＦ４２を構成してもよい。
なお、ＬＣ共振回路４１を構成する第１インダクタの個数および第１キャパシタの個数は、それぞれ１つに限らず、２つ以上あってもよい。また、高周波フィルタ４は、１つのＬＣ共振回路４１を備えるが、２つ以上のＬＣ共振回路を備えていてもよい。また、ＨＰＦ４２を構成する第１インダクタの個数（並列接続数）は１つに限らず２つ以上あってもよく、第２弾性波共振子の個数（直列接続数）は１つに限らず２つ以上あってもよく、キャパシタＣ４１の個数（直列接続数）は１つに限らず２つ以上あってもよい。また、第３インダクタが１つ以上並列接続されていてもよい。
次に、実施例４に係る高周波フィルタ４のフィルタ特性について説明する。
図８は、実施例４に係る高周波フィルタ４のフィルタ特性を示す図である。
直列腕共振子Ｓ４１は、容量成分を有しているため、インダクタＬ４１とキャパシタＣ４１と直列腕共振子Ｓ４１とが接続されることでＨＰＦ４２が構成される。
高周波フィルタ４では、ＨＰＦ４２によって広帯域な通過帯域を形成することができる。また、直列腕共振子Ｓ４１およびＬＣ共振回路４１は、それぞれ設計パラメータが適宜調整されることで、それぞれの共振周波数または反共振周波数において通過特性を減衰させるノッチフィルタとして動作する。これにより、直列腕共振子Ｓ４１およびＬＣ共振回路４１は、ＨＰＦ４２によって形成される広帯域な通過帯域の一部を減衰させる。
例えば、図８中のＡ部分に示される減衰極（減衰極Ａと呼ぶ）は、ＬＣ共振回路４１の共振周波数に対応する。また、例えば、図８中のＢ部分に示される減衰極（減衰極Ｂと呼ぶ）は、直列腕共振子Ｓ４１の反共振周波数に対応する。
図８に示されるように、直列腕共振子Ｓ４１の反共振周波数によって構成される減衰極Ｂ（第１減衰極）の周波数、および、ＬＣ共振回路４１の共振周波数によって構成される減衰極Ａ（第２減衰極）の周波数は、高周波フィルタ４の１つの阻止帯域に含まれている。これにより、減衰極Ａと減衰極Ｂとによって当該１つの阻止帯域が形成されるため、ＬＣ共振回路４１によるなだらかな減衰極Ａによって当該１つの阻止帯域を広くできる。
また、減衰極Ｂの周波数は、減衰極Ａの周波数よりも高周波フィルタ４の通過帯域の近くに位置する。弾性波共振子による減衰極は急峻度が高く、減衰極Ｂの周波数が高周波フィルタ４の通過帯域の近くに位置しているため、急峻な減衰極Ｂによって、高周波フィルタ４の通過帯域から当該１つの阻止帯域にかけて形成される減衰スロープの急峻度を高めることができる。
実施例４では、直列腕共振子Ｓ４１、インダクタＬ４１、ならびに、キャパシタＣ４１およびＣ４２の設計パラメータを適宜調整することで、高周波フィルタ４の通過帯域は、ＭＢである１７１０−２２００ＭＨｚおよびＨＢである２３００−２６９０ＭＨｚとなっている。また、高周波フィルタ４の阻止帯域は、ＭＬＢからＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）の周波数帯域にわたる帯域である１４２７−１６０６ＭＨｚとなっている。なお、ＭＬＢは１４２７−１５１１ＭＨｚであり、ＧＰＳの周波数帯域は１５５９−１６０６ＭＨｚである。
これにより、１７１０−２６９０ＭＨｚという広帯域で、かつ、低周波側の減衰スロープの急峻度が高い通過帯域、および、当該通過帯域よりも低周波側に存在し１４２７−１６０６ＭＨｚという広帯域な阻止帯域を有する高周波フィルタを実現できる。このように、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できる。
［５．実施例５］
実施例５に係る高周波フィルタ５の構成について説明する。
図９は、実施例５に係る高周波フィルタ５の回路構成図である。図９に示された高周波フィルタ５は、インダクタＬ５１〜Ｌ５３と、キャパシタＣ５１およびＣ５２と、直列腕共振子Ｓ５１〜Ｓ５３と、入出力端子９１（第１入出力端子）および９２（第２入出力端子）と、を備える。実施例５では、少なくとも１つの弾性波共振子は、直列腕共振子Ｓ５１〜Ｓ５３から構成される。
キャパシタＣ５１は、入出力端子９１と入出力端子９２とを結ぶ経路上に設けられ、入出力端子９１に接続されている。直列腕共振子Ｓ５１〜Ｓ５３は、当該経路上に設けられた第２弾性波共振子であり、直列腕共振子Ｓ５１はキャパシタＣ５１に接続され、直列腕共振子Ｓ５２は直列腕共振子Ｓ５１に接続され、直列腕共振子Ｓ５３は直列腕共振子Ｓ５２および入出力端子９２に接続されている。キャパシタＣ５１と直列腕共振子Ｓ５１〜Ｓ５３とは、当該経路上において直列接続されている。
インダクタＬ５１は、ＬＣ共振回路５１の一部を構成する第１インダクタである。キャパシタＣ５２は、インダクタＬ５１に直列接続された第１キャパシタである。キャパシタＣ５２とインダクタＬ５１とが直列接続された回路は、入出力端子９１と入出力端子９２とを結ぶ経路上において第２弾性波共振子（例えば直列腕共振子Ｓ５１）に直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続される。具体的には、当該回路は、キャパシタＣ５１と直列腕共振子Ｓ５１との間のノードと、グランドとに接続されている。キャパシタＣ５２は、インダクタＬ５１とともにＬＣ共振回路５１としてＬＣ直列共振回路を構成する。
インダクタＬ５２およびＬ５３は、入出力端子９１と入出力端子９２とを結ぶ経路上において直列腕共振子Ｓ５１〜Ｓ５３に直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続された第３インダクタである。具体的には、インダクタＬ５２は直列腕共振子Ｓ５１と直列腕共振子Ｓ５２との間のノードと、グランドとに接続され、インダクタＬ５３は直列腕共振子Ｓ５２と直列腕共振子Ｓ５３との間のノードと、グランドとに接続されている。インダクタＬ５１〜Ｌ５３は、キャパシタＣ５１および直列腕共振子Ｓ５１〜Ｓ５３の容量成分とともにＨＰＦ５２を構成する。インダクタＬ５１は、ＬＣ直列共振回路を構成しつつ、ＨＰＦ５２も構成している。
なお、ＬＣ共振回路５１を構成する第１インダクタの個数および第１キャパシタの個数は、それぞれ１つに限らず、２つ以上あってもよい。また、高周波フィルタ５は、１つのＬＣ共振回路５１を備えるが、２つ以上のＬＣ共振回路を備えていてもよい。また、ＨＰＦ５２を構成する第１インダクタまたは第３インダクタの個数（並列接続数）は３つに限らず１つ、２つまたは４つ以上あってもよく、第２弾性波共振子の個数（直列接続数）は３つに限らず１つ、２つまたは３つ以上あってもよく、キャパシタＣ５１の個数（直列接続数）は１つに限らず２つ以上あってもよい。例えば、高周波フィルタ５は、少なくとも、インダクタＬ５１とキャパシタＣ５２と直列腕共振子Ｓ５１とから構成されていればよい。
次に、実施例５に係る高周波フィルタ５のフィルタ特性について説明する。
図１０は、実施例５に係る高周波フィルタ５のフィルタ特性を示す図である。
直列腕共振子Ｓ５１〜Ｓ５３は、容量成分を有しているため、インダクタＬ５１〜Ｌ５３とキャパシタＣ５１と、直列腕共振子Ｓ５１〜Ｓ５３とが接続されることでＨＰＦ５２が構成される。
高周波フィルタ５では、ＨＰＦ５２によって広帯域な通過帯域を形成することができる。また、直列腕共振子Ｓ５１〜Ｓ５３およびＬＣ共振回路５１は、それぞれ設計パラメータが適宜調整されることで、それぞれの共振周波数または反共振周波数において通過特性を減衰させるノッチフィルタとして動作する。これにより、直列腕共振子Ｓ５１〜Ｓ５３およびＬＣ共振回路５１は、ＨＰＦ５２によって形成される広帯域な通過帯域の一部を減衰させる。
例えば、図１０中のＡ部分に示される減衰極（減衰極Ａと呼ぶ）は、ＬＣ共振回路５１の共振周波数に対応する。また、例えば、図８中のＢ部分に示される減衰極（減衰極Ｂと呼ぶ）は、直列腕共振子Ｓ５１の反共振周波数に対応し、図８中のＣ部分に示される減衰極（減衰極Ｃと呼ぶ）は、直列腕共振子Ｓ５３の反共振周波数に対応し、図８中のＤ部分に示される減衰極（減衰極Ｄと呼ぶ）は、直列腕共振子Ｓ５２の反共振周波数に対応する。
図１０に示されるように、直列腕共振子Ｓ５１〜Ｓ５３の反共振周波数によって構成される減衰極Ｂ〜Ｄ（第１減衰極）の周波数、および、ＬＣ共振回路５１の共振周波数によって構成される減衰極Ａ（第２減衰極）の周波数は、高周波フィルタ５の１つの阻止帯域に含まれている。これにより、減衰極Ａと減衰極Ｂ〜Ｄとによって当該１つの阻止帯域が形成されるため、ＬＣ共振回路５１によるなだらかな減衰極Ａによって当該１つの阻止帯域を広くできる。
また、減衰極Ｂ〜Ｄの周波数は、減衰極Ａの周波数よりも高周波フィルタ５の通過帯域の近くに位置する。弾性波共振子による減衰極は急峻度が高く、減衰極Ｂ〜Ｄ（特に減衰極ＣおよびＤ）の周波数が高周波フィルタ５の通過帯域の近くに位置しているため、急峻な減衰極Ｂ〜Ｄによって、高周波フィルタ５の通過帯域から当該１つの阻止帯域にかけて形成される減衰スロープの急峻度を高めることができる。
実施例５では、直列腕共振子Ｓ５１〜Ｓ５３、インダクタＬ５１〜Ｌ５３、ならびに、キャパシタＣ５１およびＣ５２の設計パラメータを適宜調整することで、高周波フィルタ５の通過帯域は、ＨＢである２３００−２６９０ＭＨｚとなっている。また、高周波フィルタ５の阻止帯域は、ＭＬＢからＭＢにわたる帯域である１４２７−２２００ＭＨｚとなっている。
これにより、２３００−２６９０ＭＨｚという広帯域で、かつ、低周波側の減衰スロープの急峻度が高い通過帯域、および、当該通過帯域よりも低周波側に存在し１４２７−２２００ＭＨｚという広帯域な阻止帯域を有する高周波フィルタを実現できる。このように、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できる。
［６．実施例６］
実施例６に係る高周波フィルタ６の構成について説明する。
図１１は、実施例６に係る高周波フィルタ６の回路構成図である。図１１に示された高周波フィルタ６は、インダクタＬ６１およびＬ６２と、キャパシタＣ６１と、直列腕共振子Ｓ６１およびＳ６２と、並列腕共振子Ｐ６１と、入出力端子９１（第１入出力端子）および９２（第２入出力端子）と、を備える。実施例６では、少なくとも１つの弾性波共振子は、直列腕共振子Ｓ６１およびＳ６２、ならびに、並列腕共振子Ｐ６１から構成される。
直列腕共振子Ｓ６１は、入出力端子９１と入出力端子９２とを結ぶ経路上に設けられた第１直列腕共振子である。直列腕共振子Ｓ６１は、入出力端子９１に接続されている。直列腕共振子Ｓ６２は、当該経路上に設けられた第２直列腕共振子である。直列腕共振子Ｓ６２は、直列腕共振子Ｓ６１および入出力端子９１に接続されている。直列腕共振子Ｓ６１と直列腕共振子Ｓ６２とは、当該経路上において直列接続されている。
並列腕共振子Ｐ６１は、直列腕共振子Ｓ６１と直列腕共振子Ｓ６２との間のノードとグランドとの間に接続された第１並列腕共振子である。直列腕共振子Ｓ６１およびＳ６２ならびに並列腕共振子Ｐ６１は、ラダー型のフィルタ構造を有しており、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）６３を構成する。
インダクタＬ６１は、ＬＣ共振回路６１の一部を構成する第１インダクタであり、直列腕共振子Ｓ６１と直列腕共振子Ｓ６２とが直列接続された回路に並列接続されている。直列腕共振子Ｓ６１および直列腕共振子Ｓ６２の容量成分は、インダクタＬ６１とともにＬＣ共振回路６１としてＬＣ並列共振回路を構成する。
インダクタＬ６２は、第２ＬＣ共振回路６２の一部を構成する第４インダクタである。キャパシタＣ６１は、インダクタＬ６２に直列接続された第１キャパシタである。キャパシタＣ６１とインダクタＬ６２とが直列接続された回路は、入出力端子９１と入出力端子９２とを結ぶ経路とグランドとの間に接続される。具体的には、当該回路は、直列腕共振子Ｓ６２と入出力端子９２との間のノードと、グランドとに接続されている。キャパシタＣ６１は、インダクタＬ６２とともに第２ＬＣ共振回路６２としてＬＣ直列共振回路を構成する。
なお、ＬＣ共振回路６１を構成する第１インダクタの個数は、１つに限らず、２つ以上あってもよい。また、第２ＬＣ共振回路６２を構成する第４インダクタの個数および第１キャパシタの個数は、それぞれ１つに限らず、２つ以上あってもよい。
次に、実施例６に係る高周波フィルタ６のフィルタ特性について説明する。
図１２は、実施例６に係る高周波フィルタ６のフィルタ特性を示す図である。
直列腕共振子Ｓ６１およびＳ６２ならびに並列腕共振子Ｐ６１によりＢＰＦ６３が構成され、挿入損失が低減された通過帯域を形成することができる。具体的には、直列腕共振子Ｓ６１およびＳ６２の共振周波数、ならびに、並列腕共振子Ｐ６１の反共振周波数によって通過帯域が形成され、直列腕共振子Ｓ６１およびＳ６２の反共振周波数によって通過帯域の高周波側の減衰極が形成され、並列腕共振子Ｐ６１の共振周波数によって通過帯域の低周波側の減衰極（第１減衰極）が形成される。また、ＬＣ共振回路６１および第２ＬＣ共振回路６２は、それぞれ設計パラメータが適宜調整されることで、それぞれの共振周波数において通過特性を減衰させるノッチフィルタとして動作する。
例えば、図１２中のＡ部分に示される減衰極（減衰極Ａと呼ぶ）は、第２ＬＣ共振回路６２の共振周波数に対応し、図１２中のＢ部分に示される減衰極（減衰極Ｂと呼ぶ）は、ＬＣ共振回路６１の共振周波数に対応する。また、図１２中のＣ部分に示される減衰極（減衰極Ｃと呼ぶ）は、並列腕共振子Ｐ６１の共振周波数に対応する。
図１２に示されるように、並列腕共振子Ｐ６１の共振周波数によって構成される減衰極Ｃ（第１減衰極）の周波数、および、ＬＣ共振回路６１および第２ＬＣ共振回路６２の共振周波数によって構成される減衰極ＡおよびＢ（第２減衰極）の周波数は、高周波フィルタ６の１つの阻止帯域に含まれている。これにより、減衰極ＡおよびＢと減衰極Ｃとによって当該１つの阻止帯域が形成されるため、ＬＣ共振回路６１および第２ＬＣ共振回路６２によるなだらかな減衰極ＡおよびＢによって当該１つの阻止帯域を広くできる。
また、並列腕共振子Ｐ６１の共振周波数によって通過帯域の低周波側の減衰極Ｃが形成されているため、減衰極Ｃの周波数は、減衰極ＡおよびＢの周波数よりも高周波フィルタ６の通過帯域の近くに位置する。弾性波共振子による減衰極は急峻度が高く、減衰極Ｃの周波数が高周波フィルタ６の通過帯域の近くに位置しているため、急峻な減衰極Ｃによって、高周波フィルタ６の通過帯域から当該１つの阻止帯域にかけて形成される減衰スロープの急峻度を高めることができる。
実施例６では、直列腕共振子Ｓ６１およびＳ６２、並列腕共振子Ｐ６１、インダクタＬ６１およびＬ６２、ならびに、キャパシタＣ６１の設計パラメータを適宜調整することで、高周波フィルタ６の通過帯域は、ＨＢである２３００−２６９０ＭＨｚとなっている。また、高周波フィルタ６の阻止帯域は、ＭＬＢからＭＢにわたる帯域である１４２７−２２００ＭＨｚとなっている。
これにより、低周波側の減衰スロープの急峻度が高い２３００−２６９０ＭＨｚの通過帯域、および、当該通過帯域よりも低周波側に存在し１４２７−２２００ＭＨｚという広帯域な阻止帯域を有する高周波フィルタを実現できる。このように、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できる。
［７．実施例７］
実施例６では、ＢＰＦ６３は、直列接続数が２つの第１直列腕共振子および第２直列腕共振子と、並列接続数が１つの第１並列腕共振子とからなるラダー型のフィルタ構造であったが、これに限らない。例えば、ＢＰＦは、３つ以上の直列腕共振子と２つ以上の並列腕共振子とからなるラダー型のフィルタ構造であってもよい。実施例７は、ＢＰＦが３つの直列腕共振子と２つの並列腕共振子とからなるラダー型のフィルタ構造である点が、実施例６と異なる。
図１３は、実施例７に係る高周波フィルタ７の回路構成図である。図１３に示された高周波フィルタ７は、インダクタＬ７１およびＬ７２と、キャパシタＣ７１と、直列腕共振子Ｓ７１〜Ｓ７３と、並列腕共振子Ｐ７１およびＰ７２と、入出力端子９１（第１入出力端子）および９２（第２入出力端子）と、を備える。実施例７では、少なくとも１つの弾性波共振子は、直列腕共振子Ｓ７１〜Ｓ７３、ならびに、並列腕共振子Ｐ７１およびＰ７２から構成される。
直列腕共振子Ｓ７１は、入出力端子９１と入出力端子９２とを結ぶ経路上に設けられた第１直列腕共振子である。直列腕共振子Ｓ７１は、入出力端子９１に接続されている。直列腕共振子Ｓ７３は、当該経路上に設けられた第２直列腕共振子である。直列腕共振子Ｓ７３は、入出力端子９２に接続されている。直列腕共振子Ｓ７２は、直列腕共振子Ｓ７１と直列腕共振子Ｓ７３との間に接続されている。直列腕共振子Ｓ７１と直列腕共振子Ｓ７２と直列腕共振子Ｓ７３とは、当該経路上において直列接続されている。
並列腕共振子Ｐ７１およびＰ７２は、直列腕共振子Ｓ７１と直列腕共振子Ｓ７３との間のノードとグランドとの間に接続された第１並列腕共振子である。具体的には、並列腕共振子Ｐ７１は、直列腕共振子Ｓ７１と直列腕共振子Ｓ７２との間のノードと、グランドとの間に接続され、並列腕共振子Ｐ７２は、直列腕共振子Ｓ７２と直列腕共振子Ｓ７３との間のノードと、グランドとの間に接続されている。直列腕共振子Ｓ７１〜Ｓ７３ならびに並列腕共振子Ｐ７１およびＰ７２は、ラダー型のフィルタ構造を有しており、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）７３を構成する。
インダクタＬ７１は、ＬＣ共振回路７１を構成する第１インダクタであり、直列腕共振子Ｓ７１と直列腕共振子Ｓ７２と直列腕共振子Ｓ７３とが直列接続された回路に並列接続されている。直列腕共振子Ｓ７１〜Ｓ７３の容量成分は、インダクタＬ７１とともにＬＣ共振回路７１としてＬＣ並列共振回路を構成する。
インダクタＬ７２は、第２ＬＣ共振回路７２の一部を構成する第４インダクタである。キャパシタＣ７１は、インダクタＬ７２に直列接続された第１キャパシタである。キャパシタＣ７１とインダクタＬ７２とが直列接続された回路は、入出力端子９１と入出力端子９２とを結ぶ経路上において入出力端子９１または９２に直接的に接続されたノードと、とグランドとの間に接続される。具体的には、当該回路は、直列腕共振子Ｓ７３と入出力端子９２との間のノードと、グランドとに接続されている。キャパシタＣ７１は、インダクタＬ７２とともに第２ＬＣ共振回路７２としてＬＣ直列共振回路を構成する。
なお、ＬＣ共振回路７１を構成する第１インダクタの個数は、１つに限らず、２つ以上あってもよい。また、第２ＬＣ共振回路７２を構成する第４インダクタの個数および第１キャパシタの個数は、それぞれ１つに限らず、２つ以上あってもよい。
次に、実施例７に係る高周波フィルタ７のフィルタ特性について説明する。
図１４は、実施例７に係る高周波フィルタ７のフィルタ特性を示す図である。
直列腕共振子Ｓ７１〜Ｓ７３ならびに並列腕共振子Ｐ７１およびＰ７２によりＢＰＦ７３が構成され、挿入損失が低減された通過帯域を形成することができる。具体的には、直列腕共振子Ｓ７１〜Ｓ７３の共振周波数、ならびに、並列腕共振子Ｐ７１およびＰ７２の反共振周波数によって通過帯域が形成され、直列腕共振子Ｓ７１〜Ｓ７３の反共振周波数によって通過帯域の高周波側の減衰極が形成され、並列腕共振子Ｐ７１およびＰ７２の共振周波数によって通過帯域の低周波側の減衰極（第１減衰極）が形成される。また、ＬＣ共振回路７１および第２ＬＣ共振回路７２は、それぞれ設計パラメータが適宜調整されることで、それぞれの共振周波数において通過特性を減衰させるノッチフィルタとして動作する。
例えば、図１４中のＡ部分に示される減衰極（減衰極Ａと呼ぶ）は、第２ＬＣ共振回路７２の共振周波数に対応し、図１４中のＢ部分に示される減衰極（減衰極Ｂと呼ぶ）は、ＬＣ共振回路７１の共振周波数に対応する。また、図１４中のＣ部分に示される減衰極（減衰極Ｃと呼ぶ）は、並列腕共振子Ｐ７１およびＰ７２の少なくとも一つの共振周波数に対応する。
図１４に示されるように、並列腕共振子Ｐ７１およびＰ７２の共振周波数によって構成される減衰極Ｃ（第１減衰極）の周波数、および、ＬＣ共振回路７１および第２ＬＣ共振回路７２の共振周波数によって構成される減衰極ＡおよびＢ（第２減衰極）の周波数は、高周波フィルタ７の１つの阻止帯域に含まれている。これにより、減衰極ＡおよびＢと減衰極Ｃとによって当該１つの阻止帯域が形成されるため、ＬＣ共振回路７１および第２ＬＣ共振回路７２によるなだらかな減衰極ＡおよびＢによって当該１つの阻止帯域を広くできる。
また、並列腕共振子Ｐ７１およびＰ７２の共振周波数によって通過帯域の低周波側の減衰極Ｃが形成されているため、減衰極Ｃの周波数は、減衰極ＡおよびＢの周波数よりも高周波フィルタ７の通過帯域の近くに位置する。弾性波共振子による減衰極は急峻度が高く、減衰極Ｃの周波数が高周波フィルタ７の通過帯域の近くに位置しているため、急峻な減衰極Ｃによって、高周波フィルタ７の通過帯域から当該１つの阻止帯域にかけて形成される減衰スロープの急峻度を高めることができる。
実施例７では、直列腕共振子Ｓ７１〜Ｓ７３、並列腕共振子Ｐ７１およびＰ７２、インダクタＬ７１およびＬ７２、ならびに、キャパシタＣ７１の設計パラメータを適宜調整することで、高周波フィルタ７の通過帯域は、ＨＢ２（ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）のＢａｎｄ４１）である２４９６−２６９０ＭＨｚとなっている。また、高周波フィルタ７の阻止帯域は、ＭＬＢからＨＢ１（ＬＴＥのＢａｎｄ４０）にわたる帯域である１４２７−２４００ＭＨｚとなっている。なお、ＨＢ１は、２３００−２４００ＭＨｚである。
これにより、低周波側の減衰スロープの急峻度が高い２４９６−２６９０ＭＨｚの通過帯域、および、当該通過帯域よりも低周波側に存在し１４２７−２４００ＭＨｚという広帯域な阻止帯域を有する高周波フィルタを実現できる。このように、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できる。
［８．実施例８］
実施例７では、高周波フィルタ７は、第２ＬＣ共振回路７２を備えていたが、備えていなくてもよい。実施例８は、高周波フィルタが第２ＬＣ共振回路を備えていない点が、実施例７と異なる。
図１５は、実施例８に係る高周波フィルタ８の回路構成図である。
実施例８における直列腕共振子Ｓ８１〜Ｓ８３、並列腕共振子Ｐ８１およびＰ８２、インダクタＬ８１、ＬＣ共振回路８１、ならびに、ＢＰＦ８２は、実施例７における直列腕共振子Ｓ７１〜Ｓ７３、並列腕共振子Ｐ７１およびＰ７２、インダクタＬ７１、ＬＣ共振回路７１、ならびに、ＢＰＦ７３に対応するため、高周波フィルタ８の構成についての説明を省略する。
なお、高周波フィルタ８は、少なくとも、インダクタＬ８１と直列腕共振子Ｓ８１およびＳ８３と並列腕共振子Ｐ８１とから構成されていればよい。
次に、実施例８に係る高周波フィルタ８のフィルタ特性について説明する。
図１６は、実施例８に係る高周波フィルタ８のフィルタ特性を示す図である。
直列腕共振子Ｓ８１〜Ｓ８３ならびに並列腕共振子Ｐ８１およびＰ８２によりＢＰＦ８２が構成され、挿入損失が低減された通過帯域を形成することができる。具体的には、直列腕共振子Ｓ８１〜Ｓ８３の共振周波数、ならびに、並列腕共振子Ｐ８１およびＰ８２の反共振周波数によって通過帯域が形成され、直列腕共振子Ｓ８１〜Ｓ８３の反共振周波数によって通過帯域の高周波側の減衰極が形成され、並列腕共振子Ｐ８１およびＰ８２の共振周波数によって通過帯域の低周波側の減衰極（第１減衰極）が形成される。また、ＬＣ共振回路８１は、設計パラメータが適宜調整されることで、共振周波数において通過特性を減衰させるノッチフィルタとして動作する。
例えば、図１６中のＡ部分に示される減衰極（減衰極Ａと呼ぶ）は、ＬＣ共振回路８１の共振周波数に対応する。また、図１６中のＢ部分に示される減衰極（減衰極Ｂと呼ぶ）は、並列腕共振子Ｐ８１およびＰ８２の少なくとも一つの共振周波数に対応する。また、図１６中のＣ部分に示される減衰極（減衰極Ｃと呼ぶ）は、直列腕共振子Ｓ８１〜Ｓ８３の少なくとも一つの反共振周波数に対応する。
図１６に示されるように、並列腕共振子Ｐ８１およびＰ８２の共振周波数によって構成される減衰極Ｂ（第１減衰極）の周波数、および、ＬＣ共振回路８１の共振周波数によって構成される減衰極Ａ（第２減衰極）の周波数は、高周波フィルタ８の１つの阻止帯域に含まれている。これにより、減衰極Ａと減衰極Ｂとによって当該１つの阻止帯域が形成されるため、ＬＣ共振回路８１によるなだらかな減衰極Ａによって当該１つの阻止帯域を広くできる。また、直列腕共振子Ｓ８１〜Ｓ８３の反共振周波数によって減衰極Ｃが構成されている。
また、並列腕共振子Ｐ８１およびＰ８２の共振周波数によって通過帯域の低周波側の減衰極Ｂが形成されているため、減衰極Ｂの周波数は、減衰極Ａの周波数よりも高周波フィルタ８の通過帯域の近くに位置する。弾性波共振子による減衰極は急峻度が高く、減衰極Ｂの周波数が高周波フィルタ８の通過帯域の近くに位置しているため、急峻な減衰極Ｂによって、高周波フィルタ８の通過帯域から当該１つの阻止帯域にかけて形成される減衰スロープの急峻度を高めることができる。
実施例８では、直列腕共振子Ｓ８１〜Ｓ８３、並列腕共振子Ｐ８１およびＰ８２、ならびに、インダクタＬ８１の設計パラメータを適宜調整することで、高周波フィルタ８の通過帯域は、ＨＢ１である２３００−２４００ＭＨｚとなっている。また、高周波フィルタ８の１つの阻止帯域は、ＭＬＢからＭＢにわたる帯域である１４２７−２２００ＭＨｚとなっている。また、高周波フィルタ８の他の１つの阻止帯域は、ＨＢ２である２４９６−２６９０ＭＨｚとなっている。
これにより、低周波側の減衰スロープの急峻度が高い２３００−２４００ＭＨｚの通過帯域、および、当該通過帯域よりも低周波側に存在し１４２７−２２００ＭＨｚという広帯域な阻止帯域を有する高周波フィルタを実現できる。このように、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できる。
［９．実施例９および１０］
近年、キャリアアグリゲーション（ＣＡ）に対応するため、高周波信号を周波数帯域ごとに分離（分波）する分波器が広く用いられている。このような分波器として、複数のフィルタを含むマルチプレクサが提案されている。このようなマルチプレクサでは、各フィルタの一端の端子が、直接接続、又は、位相器もしくはフィルタ選択スイッチを介して共通端子化される。これにより、一端の端子が共通端子化された各フィルタのうちの一のフィルタの特性が他のフィルタの特性に影響を与え得る。例えば、当該他のフィルタの通過帯域の周波数範囲に対応する当該一のフィルタの阻止帯域の減衰量が小さい場合には、当該一のフィルタの特性は、他のフィルタの特性に影響を与え、他のフィルタの通過帯域における通過特性を劣化させる要因となる。
これに対して、実施例１〜８で説明した高周波フィルタは、通過帯域から１つの阻止帯域にかけて形成される減衰スロープの急峻度が高く、また、当該１つの阻止帯域の広帯域化が実現されている。したがって、実施例１〜８に係る高周波フィルタを、マルチプレクサが備える上記一のフィルタに適用することで、マルチプレクサが備える各フィルタの通過帯域における通過特性の劣化を抑制できる。
そこで、実施例９および１０では、実施例１〜８で説明した高周波フィルタを少なくとも１つ含む複数のフィルタを備え、複数のフィルタの入力端子または出力端子が、共通端子に直接的または間接的に接続されているマルチプレクサについて説明する。なお、当該マルチプレクサは、例えば、当該複数のフィルタが２つの場合にはダイプレクサとなり、３つの場合にはトリプレクサとなり、４つの場合にはクアッドプレクサとなる。なお、当該複数のフィルタは５つ以上であってもよい。実施例９では、当該複数のフィルタが３つのフィルタであるマルチプレクサ（トリプレクサ）について説明し、実施例１０では、当該複数のフィルタが２つのフィルタであるマルチプレクサ（ダイプレクサ）について説明する。
図１７は、実施例９に係るマルチプレクサ（トリプレクサ）１０１の回路構成図である。マルチプレクサ１０１は、実施例１に係る高周波フィルタ１と、実施例７に係る高周波フィルタ７と、実施例８に係る高周波フィルタ８とを備え、各高周波フィルタが備える入出力端子９１は、共通端子９３に接続されている。
高周波フィルタ１は、図２に示されるように、ＨＢである２３００−２６９０ＭＨｚという広帯域な阻止帯域を有する。一方、高周波フィルタ７は、図１４に示されるように、ＨＢに含まれるＨＢ２である２４９６−２６９０ＭＨｚという通過帯域を有し、高周波フィルタ８は、図１６に示されるように、ＨＢに含まれるＨＢ１である２３００−２４００ＭＨｚという通過帯域を有する。したがって、高周波フィルタ７および８の通過帯域は、高周波フィルタ１の阻止帯域に含まれているため、高周波フィルタ７および８は、高周波フィルタ１の影響を受けにくく、高周波フィルタ７および８の通過帯域における通過特性の劣化を抑制できる。
高周波フィルタ７および８は、図１４および図１６に示されるように、ＭＬＢからＭＢにわたる帯域である１４２７−２２００ＭＨｚという広帯域な阻止帯域を有する。一方、高周波フィルタ１は、図２に示されるように、ＭＬＢからＭＢにわたる帯域である１４２７−２２００ＭＨｚという通過帯域を有する。したがって、高周波フィルタ１の通過帯域は、高周波フィルタ７および８の阻止帯域と重複しているため、高周波フィルタ１は、高周波フィルタ７および８の影響を受けにくく、高周波フィルタ１の通過帯域における通過特性の劣化を抑制できる。
また、高周波フィルタ７は、図１４に示されるように、ＨＢ１である２３００−２４００ＭＨｚという阻止帯域を有する。一方、高周波フィルタ８は、図１６に示されるように、ＨＢ１である２３００−２４００ＭＨｚという通過帯域を有する。したがって、高周波フィルタ８の通過帯域は、高周波フィルタ７の阻止帯域と重複しているため、高周波フィルタ８は、高周波フィルタ７の影響を受けにくく、高周波フィルタ８の通過帯域における通過特性の劣化を抑制できる。
また、高周波フィルタ８は、図１６に示されるように、ＨＢ２である２４９６−２６９０ＭＨｚという阻止帯域を有する。一方、高周波フィルタ７は、図１４に示されるように、ＨＢ２である２４９６−２６９０ＭＨｚという通過帯域を有する。したがって、高周波フィルタ７の通過帯域は、高周波フィルタ８の阻止帯域と重複しているため、高周波フィルタ７は、高周波フィルタ８の影響を受けにくく、高周波フィルタ７の通過帯域における通過特性の劣化を抑制できる。
さらに、高周波フィルタ１が有する通過帯域の高周波側の周波数と高周波フィルタ８が有する通過帯域の低周波側の周波数とは近いが、高周波フィルタ１が有する通過帯域の高周波側の減衰スロープの急峻度が高く、高周波フィルタ８が有する通過帯域の低周波側の急峻度が高いため、それぞれの通過帯域は互いに影響を受けにくく、高周波フィルタ１および８のそれぞれの通過帯域における通過特性の劣化を抑制できる。
また、高周波フィルタ８が有する通過帯域の高周波側の周波数と高周波フィルタ７が有する通過帯域の低周波側の周波数とは近いが、高周波フィルタ８が有する通過帯域の高周波側の減衰スロープの急峻度が高く、高周波フィルタ７が有する通過帯域の低周波側の急峻度が高いため、それぞれの通過帯域は互いに影響を受けにくく、高周波フィルタ７および８のそれぞれの通過帯域における通過特性の劣化を抑制できる。
なお、マルチプレクサ１０１は、高周波フィルタ１、７および８に加え、さらに、共通端子９３に接続されたＬＰＦを備えていてもよい。当該ＬＰＦの通過帯域は、例えば、ＬＢである６００−９６０ＭＨｚである。この場合、マルチプレクサ１０１は、６００ＭＨｚから９６０ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、１４２７ＭＨｚから２２００ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、２３００ＭＨｚから２４００ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、２４９６ＭＨｚから２６９０ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、を含む４つのフィルタを備える。
このように構成されたマルチプレクサ１０１は、複数のフィルタのそれぞれに対応する複数の周波数帯域の信号を同時に送受信する、いわゆるＣＡに対応することができる。
図１８は、実施例１０に係るマルチプレクサ（ダイプレクサ）１０２の回路構成図である。マルチプレクサ１０２は、実施例１に係る高周波フィルタ１と、実施例６に係る高周波フィルタ６とを備え、各高周波フィルタが備える入出力端子９１は、共通端子９３に接続されている。
高周波フィルタ１は、図２に示されるように、ＨＢである２３００−２６９０ＭＨｚという広帯域な阻止帯域を有する。一方、高周波フィルタ６は、図１２に示されるように、ＨＢである２３００−２６９０ＭＨｚという通過帯域を有する。したがって、高周波フィルタ６の通過帯域は、高周波フィルタ１の阻止帯域と重複しているため、高周波フィルタ６は、高周波フィルタ１の影響を受けにくく、高周波フィルタ６の通過帯域における通過特性の劣化を抑制できる。
高周波フィルタ６は、図１２に示されるように、ＭＬＢからＭＢにわたる帯域である１４２７−２２００ＭＨｚという広帯域な阻止帯域を有する。一方、高周波フィルタ１は、図２に示されるように、ＭＬＢからＭＢにわたる帯域である１４２７−２２００ＭＨｚという通過帯域を有する。したがって、高周波フィルタ１の通過帯域は、高周波フィルタ６の阻止帯域と重複しているため、高周波フィルタ１は、高周波フィルタ６の影響を受けにくく、高周波フィルタ１の通過帯域における通過特性の劣化を抑制できる。
さらに、高周波フィルタ１が有する通過帯域の高周波側の周波数と高周波フィルタ８が有する通過帯域の低周波側の周波数とは近いが、高周波フィルタ１が有する通過帯域の高周波側の減衰スロープの急峻度が高く、高周波フィルタ６が有する通過帯域の低周波側の急峻度が高いため、それぞれの通過帯域は互いに影響を受けにくく、高周波フィルタ１および６のそれぞれの通過帯域における通過特性の劣化を抑制できる。
なお、マルチプレクサ１０２は、高周波フィルタ１および６に加え、さらに、共通端子９３に接続されたＬＰＦを備えていてもよい。当該ＬＰＦの通過帯域は、例えば、ＬＢである６００−９６０ＭＨｚである。この場合、マルチプレクサ１０２は、６００ＭＨｚから９６０ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、１４２７ＭＨｚから２２００ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、２３００ＭＨｚから２６９０ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、を含む３つのフィルタを備える。
このように構成されたマルチプレクサ１０２は、複数のフィルタのそれぞれに対応する複数の周波数帯域の信号を同時に送受信する、いわゆるＣＡに対応することができる。
（実施の形態２）
実施の形態１の実施例で説明した高周波フィルタは、高周波フロントエンド回路および通信装置に適用することもできる。そこで、実施の形態２では、高周波フロントエンド回路および通信装置について説明する。
図１９は、実施の形態２に係る通信装置１５０の回路構成図である。
図１９に示されるように、通信装置１５０は、高周波フロントエンド回路１３０と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）１４０と、を備える。なお、図１９には、アンテナ素子ＡＮＴが示されている。アンテナ素子ＡＮＴは、高周波信号を送受信する、例えばＬＴＥ等の通信規格に準拠したマルチバンド対応のアンテナである。アンテナ素子ＡＮＴは、通信装置１５０に内蔵されていてもかまわない。
高周波フロントエンド回路１３０は、アンテナ素子ＡＮＴとＲＦＩＣ１４０との間で高周波信号を伝達する回路である。具体的には、高周波フロントエンド回路１３０は、アンテナ素子ＡＮＴで受信された高周波信号（ここでは高周波受信信号）を、受信側信号経路を介してＲＦＩＣ１３０に伝達する。
高周波フロントエンド回路１３０は、マルチプレクサ１０１と、スイッチ１１１〜１１６と、増幅回路１２１〜１２３と、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１６１〜１６８とを備える。なお、ＢＰＦ１６１および１６２、ならびに、ＢＰＦ１６３および１６４は、それぞれデュプレクサを構成している。マルチプレクサ１０１は、実施例９で説明したように、例えばＣＡに対応している。なお、高周波フロントエンド回路１３０が備えるマルチプレクサは、マルチプレクサ１０１に限らず、少なくとも１つの実施例１〜８に係る高周波フィルタを含む複数のフィルタから構成されるマルチプレクサであればよい。
スイッチ１１１〜１１３は、マルチプレクサ１０１とＢＰＦ１６１〜１６８との間に接続され、制御部（図示せず）からの制御信号にしたがって、互いに周波数帯域の異なる複数のバンド（ここでは、ＭＬＢからＭＢにわたる帯域、ＨＢ１及びＨＢ２）に対応する信号経路とＢＰＦ１６１〜１６８とを接続する。
具体的には、スイッチ１１１は、共通端子が高周波フィルタ１に接続され、各選択端子がＢＰＦ１６１〜１６４に接続されている。スイッチ１１２は、共通端子が高周波フィルタ８に接続され、各選択端子がＢＰＦ１６５および１６６に接続されている。スイッチ１１３は、共通端子が高周波フィルタ７に接続され、各選択端子がＢＰＦ１６７および１６８に接続されている。
スイッチ１１４〜１１６は、増幅回路１２１〜１２３とＢＰＦ１６１〜１６８との間に接続され、制御部（図示せず）からの制御信号にしたがって、ＢＰＦ１６１〜１６８と増幅回路１２１〜１２３とを接続する。
具体的には、スイッチ１１４は、共通端子が増幅回路１２１に接続され、各選択端子がＢＰＦ１６１〜１６４に接続されている。スイッチ１１５は、共通端子が増幅回路１２２に接続され、各選択端子がＢＰＦ１６５および１６６に接続されている。スイッチ１１３は、共通端子が増幅回路１２３に接続され、各選択端子がＢＰＦ１６７および１６８に接続されている。
なお、高周波フィルタ１の通過帯域（１４２７−２２００ＭＨｚ）は、ＢＰＦ１６１〜１６４の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。高周波フィルタ８の通過帯域（２３００−２４００ＭＨｚ）は、ＢＰＦ１６５および１６６の各通過帯域を包含している。高周波フィルタ７の通過帯域（２４９６ＭＨｚ−２６９０ＭＨｚ）は、ＢＰＦ１６７および１６８の各通過帯域を包含している。
増幅回路１２１〜１２３、例えばスイッチ１１１〜１１６およびＢＰＦ１６１〜１６８を介してマルチプレクサ１０１に接続され、アンテナ素子ＡＮＴで受信された高周波受信信号を電力増幅するローノイズアンプである。
ＲＦＩＣ１４０は、アンテナ素子ＡＮＴで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ１４０は、アンテナ素子ＡＮＴから高周波フロントエンド回路１３０の受信側信号経路を介して入力された高周波信号（ここでは高周波受信信号）を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をベースバンド信号処理回路（図示せず）へ出力する。
上記構成を有する通信装置１５０において、例えば、スイッチ１１１〜１１３を切り替えることにより、ＭＬＢからＭＢにわたる帯域（１４２７−２２００ＭＨｚ）、ＨＢ１（２３００−２４００ＭＨｚ）およびＨＢ２（２４９６ＭＨｚ−２６９０ＭＨｚ）から、それぞれ１バンドを選択することにより、ＣＡ動作が可能である。
なお、高周波フロントエンド回路１３０は、送信側信号経路を有していてもよく、ＲＦＩＣ１４０から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を、送信側信号経路を介してアンテナ素子ＡＮＴに伝達してもよい。この場合、ＲＦＩＣ１４０は、ベースバンド信号処理回路から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を高周波フロントエンド回路７０の送信側信号経路に出力してもよく、増幅回路１２０は、ＲＦＩＣ１４０から出力された高周波送信信号を電力増幅するパワーアンプであってもよい。
上記制御部は、図１９には図示していないが、ＲＦＩＣ１４０が有していてもよいし、制御部が制御するスイッチとともにスイッチＩＣを構成していてもよい。
以上のように構成された高周波フロントエンド回路１３０および通信装置１５０によれば、実施の形態１の実施例に係るフィルタを備えることにより、通過帯域内の挿入損失の低減を図りつつ、阻止帯域の広帯域化を実現できる高性能な高周波フロントエンド回路および通信装置を実現できる。
（その他の実施の形態）
以上、本発明に係る高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置について、実施の形態１および２を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
例えば、上記説明した弾性波共振子の各々は、１つの共振子に限らず、１つの共振子が分割された複数の分割共振子によって構成されていてもかまわない。
また、例えば、高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置において、各構成要素の間に、インダクタやキャパシタが接続されていてもかまわない。なお、インダクタには、各構成要素間を繋ぐ配線による配線インダクタが含まれてもよい。
また、例えば、実施例９および１０において、マルチプレクサは、実施例１〜８に係る高周波フィルタを複数備えていたが、実施例１〜８に係る高周波フィルタのうちの少なくとも１つを備えていればよい。
また、例えば、実施の形態２では、高周波フロントエンド回路１３０は、スイッチ１１０及び増幅回路１２０をそれぞれ１つ備えたが、それぞれ複数備えていてもよい。また、高周波フロントエンド回路１３０は、スイッチ１１０及び増幅回路１２０の両方を備えていなくてもよく、いずれか一方を備えていればよい。
また、上記実施の形態で説明したマルチプレクサは、入力された高周波信号を分波する際に用いられたが、合波する際に用いられてもよい。
本発明は、マルチバンドシステムに適用できる高周波フィルタ、マルチプレクサ、フロントエンド回路および通信装置として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
１、２、３、４、５、６、７、８ 高周波フィルタ
１１、２１、２２、３１、４１、５１、６１、７１、８１ ＬＣ共振回路
１２、２３ ローパスフィルタ（ＬＰＦ）
１３、３２、４２、５２ ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）
６２、７２ 第２ＬＣ共振回路
６３、７３、８２、１６１、１６２、１６３、１６４、１６５、１６６、１６８ バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）
９１ 入出力端子（第１入出力端子）
９２ 入出力端子（第２入出力端子）
９３ 共通端子
１０１ マルチプレクサ（トリプレクサ）
１０２ マルチプレクサ（ダイプレクサ）
１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６ スイッチ
１２１、１２２、１２３ 増幅回路
１３０ 高周波フロントエンド回路
１４０ ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
１５０ 通信装置
ＡＮＴ アンテナ素子
Ｃ１１、Ｃ２１、Ｃ２２、Ｃ４２、Ｃ５２、Ｃ６１、Ｃ７１ キャパシタ（第１キャパシタ）
Ｃ４１、Ｃ５１ キャパシタ
Ｌ１１、Ｌ２１、Ｌ２２、Ｌ３２、Ｌ４１、Ｌ５１、Ｌ６１、Ｌ７１、Ｌ８１ インダクタ（第１インダクタ）
Ｌ１２ インダクタ（第２インダクタ）
Ｌ１３、Ｌ３１、Ｌ３３、Ｌ５２、Ｌ５３ インダクタ（第３インダクタ）
Ｌ６２、Ｌ７２ インダクタ（第４インダクタ）
Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ２１、Ｐ２２ 並列腕共振子（第１弾性波共振子）
Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ３１、Ｓ３２、Ｓ３３、Ｓ３４、Ｓ４１、Ｓ５１、Ｓ５２、Ｓ５３ 直列腕共振子（第２弾性波共振子）
Ｓ６１、Ｓ７１、Ｓ８１ 直列腕共振子（第１直列腕共振子）
Ｓ６２、Ｓ７３、Ｓ８３ 直列腕共振子（第２直列腕共振子）
Ｓ７２、Ｓ８２ 直列腕共振子（弾性波共振子）
Ｐ６１、Ｐ７１、Ｐ７２、Ｐ８１、Ｐ８２ 並列腕共振子（第１並列腕共振子）

Claims (19)

  1. 第１入出力端子と第２入出力端子との間に接続される高周波フィルタであって、
    少なくとも１つの弾性波共振子と、
    ＬＣ共振回路の一部を構成する第１インダクタと、を備え、
    前記少なくとも１つの弾性波共振子の共振周波数または反共振周波数によって構成される第１減衰極の周波数、および、前記ＬＣ共振回路の共振周波数によって構成される第２減衰極の周波数は、前記高周波フィルタの１つの阻止帯域に含まれ、
    前記第１減衰極の周波数は、前記第２減衰極の周波数よりも前記高周波フィルタの通過帯域の近くに位置する、
    高周波フィルタ。
  2. 前記少なくとも１つの弾性波共振子は、容量成分によりローパスフィルタまたはハイパスフィルタを構成する、
    請求項１に記載の高周波フィルタ。
  3. 前記少なくとも１つの弾性波共振子は、第１弾性波共振子および第２弾性波共振子から構成され、
    前記高周波フィルタは、さらに、第１キャパシタと、第２インダクタと、第３インダクタと、を備え、
    前記第１インダクタと、前記第２インダクタと、前記第２弾性波共振子とは、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とを結ぶ経路上において直列接続され、
    前記第１キャパシタは、前記第１インダクタに並列接続され、
    前記第１弾性波共振子は、前記経路上において前記第２インダクタに直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続され、
    前記第３インダクタは、前記経路上において前記第２弾性波共振子に直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続され、
    前記第１キャパシタは、前記第１インダクタとともに前記ＬＣ共振回路としてＬＣ並列共振回路を構成し、
    前記第２インダクタは、前記第１弾性波共振子の容量成分とともに前記ローパスフィルタを構成し、
    前記第３インダクタは、前記第２弾性波共振子の容量成分とともに前記ハイパスフィルタを構成する、
    請求項２に記載の高周波フィルタ。
  4. 前記少なくとも１つの弾性波共振子は、第１弾性波共振子から構成され、
    前記高周波フィルタは、さらに、第１キャパシタを備え、
    前記第１インダクタは、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とを結ぶ経路上に設けられ、
    前記第１キャパシタは、前記第１インダクタに並列接続され、
    前記第１弾性波共振子は、前記経路上において前記第１インダクタに直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続され、
    前記第１キャパシタは、前記第１インダクタとともに前記ＬＣ共振回路としてＬＣ並列共振回路を構成し、
    前記第１インダクタは、さらに、前記第１弾性波共振子の容量成分とともに前記ローパスフィルタを構成する、
    請求項２に記載の高周波フィルタ。
  5. 前記少なくとも１つの弾性波共振子は、第２弾性波共振子から構成され、
    前記高周波フィルタは、さらに、第１キャパシタを備え、
    前記第２弾性波共振子は、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とを結ぶ経路上に設けられ、
    前記第１キャパシタと前記第１インダクタとは直列接続され、
    前記第１キャパシタと前記第１インダクタとが直列接続された回路は、前記経路上において前記第２弾性波共振子に直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続され、
    前記第１キャパシタは、前記第１インダクタとともに前記ＬＣ共振回路としてＬＣ直列共振回路を構成し、
    前記第１インダクタは、さらに、前記第２弾性波共振子の容量成分とともに前記ハイパスフィルタを構成する、
    請求項２に記載の高周波フィルタ。
  6. 前記少なくとも１つの弾性波共振子は、第２弾性波共振子から構成され、
    前記高周波フィルタは、さらに、第１キャパシタと、第３インダクタと、を備え、
    前記第２弾性波共振子は、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とを結ぶ経路上に設けられ、
    前記第１キャパシタと前記第１インダクタとは直列接続され、
    前記第１キャパシタと前記第１インダクタとが直列接続された回路は、前記経路とグランドとの間に接続され、
    前記第３インダクタは、前記経路上において前記第２弾性波共振子に直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続され、
    前記第１キャパシタは、前記第１インダクタとともに前記ＬＣ共振回路としてＬＣ直列共振回路を構成し、
    前記第３インダクタは、前記第２弾性波共振子の容量成分とともに前記ハイパスフィルタを構成する、
    請求項２に記載の高周波フィルタ。
  7. 前記少なくとも１つの弾性波共振子は、第１直列腕共振子、第２直列腕共振子および第１並列腕共振子から構成され、
    前記第１直列腕共振子と前記第２直列腕共振子とは、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とを結ぶ経路上において直列接続され、
    前記第１並列腕共振子は、前記第１直列腕共振子と前記第２直列腕共振子との間のノードとグランドとの間に接続され、
    前記第１インダクタは、前記第１直列腕共振子と前記第２直列腕共振子とが直列接続された回路に並列接続され、
    前記第１直列腕共振子および前記第２直列腕共振子の容量成分は、前記第１インダクタとともに前記ＬＣ共振回路としてＬＣ並列共振回路を構成し、
    前記第１直列腕共振子、前記第２直列腕共振子および前記第１並列腕共振子は、バンドパスフィルタを構成する、
    請求項１に記載の高周波フィルタ。
  8. 前記高周波フィルタは、さらに、第２ＬＣ共振回路の一部を構成する第４インダクタと、第１キャパシタを備え、
    前記第１キャパシタと前記第４インダクタとは直列接続され、
    前記第１キャパシタと前記第４インダクタとが直列接続された回路は、前記経路上において前記第１入出力端子または前記第２入出力端子に直接的に接続されたノードと、グランドとの間に接続され、
    前記第１キャパシタと前記第４インダクタとが直列接続された回路は、前記第１インダクタとともに前記第２ＬＣ共振回路としてＬＣ直列共振回路を構成する、
    請求項７に記載の高周波フィルタ。
  9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の高周波フィルタを少なくとも１つ含む複数のフィルタを備え、
    前記複数のフィルタの入力端子または出力端子は、共通端子に直接的または間接的に接続されている、
    マルチプレクサ。
  10. 前記複数のフィルタは、２つのフィルタである、
    請求項９に記載のマルチプレクサ。
  11. 前記複数のフィルタは、３つのフィルタである、
    請求項９に記載のマルチプレクサ。
  12. 前記３つのフィルタは、
    ６００ＭＨｚから９６０ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、
    １４２７ＭＨｚから２２００ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、
    ２３００ＭＨｚから２６９０ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、を含む
    請求項１１に記載のマルチプレクサ。
  13. 前記複数のフィルタは、４つのフィルタである、
    請求項９に記載のマルチプレクサ。
  14. 前記４つのフィルタは、
    ６００ＭＨｚから９６０ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、
    １４２７ＭＨｚから２２００ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、
    ２３００ＭＨｚから２４００ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、
    ２４９６ＭＨｚから２６９０ＭＨｚを通過帯域とするフィルタと、を含む
    請求項１３に記載のマルチプレクサ。
  15. 前記複数のフィルタには、ローパスフィルタが含まれる、
    請求項９〜１４のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
  16. 前記複数のフィルタのそれぞれに対応する複数の周波数帯域の信号を同時に送受信する、
    請求項９〜１５のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
  17. 請求項９〜１６のいずれか１項に記載のマルチプレクサと、
    前記マルチプレクサに直接的または間接的に接続されたスイッチと、を備える、
    高周波フロントエンド回路。
  18. 請求項９〜１６のいずれか１項に記載のマルチプレクサと、
    前記マルチプレクサに直接的または間接的に接続された増幅回路と、を備える、
    高周波フロントエンド回路。
  19. アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    前記アンテナ素子と前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する請求項１７または１８に記載の高周波フロントエンド回路と、を備える、
    通信装置。
JP2017142287A 2017-07-21 2017-07-21 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置 Active JP6708177B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017142287A JP6708177B2 (ja) 2017-07-21 2017-07-21 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
US16/032,098 US10243538B2 (en) 2017-07-21 2018-07-11 High-frequency filter, multiplexer, high-frequency front-end circuit, and communication device
CN201810795737.5A CN109286387B (zh) 2017-07-21 2018-07-19 高频滤波器、多路复用器、高频前置电路以及通信装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017142287A JP6708177B2 (ja) 2017-07-21 2017-07-21 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019024155A true JP2019024155A (ja) 2019-02-14
JP6708177B2 JP6708177B2 (ja) 2020-06-10

Family

ID=65023505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017142287A Active JP6708177B2 (ja) 2017-07-21 2017-07-21 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10243538B2 (ja)
JP (1) JP6708177B2 (ja)
CN (1) CN109286387B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022535470A (ja) * 2020-05-12 2022-08-09 安徽安努奇科技有限公司 バンドパスフィルタ回路及びマルチプレクサ
JP7352855B2 (ja) 2019-08-21 2023-09-29 株式会社村田製作所 分波器
KR102683043B1 (ko) * 2020-05-12 2024-07-09 안후이 아누키 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 밴드패스 필터 회로 및 멀티 플렉서

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10098684B2 (en) * 2016-04-06 2018-10-16 Biosense Webster (Israel) Ltd. Uncalibrated thermocouple system
US10700666B2 (en) * 2017-02-08 2020-06-30 Taiyo Yuden Co., Ltd. Filter circuit, multiplexer, and module
DE102019210496A1 (de) * 2018-07-18 2020-01-23 Skyworks Solutions, Inc. Hybrides akustisches lc filter mit unterdrückung von harmonischen
JP7232083B2 (ja) * 2019-03-05 2023-03-02 太陽誘電株式会社 フィルタ
US11025218B2 (en) 2019-04-10 2021-06-01 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Frontend module
JP7313477B2 (ja) * 2019-05-08 2023-07-24 テレフオンアクチーボラゲット エルエム エリクソン（パブル） マルチバンドイコライザ
JP2020195115A (ja) * 2019-05-30 2020-12-03 株式会社村田製作所 高周波回路および通信装置
JP7377450B2 (ja) * 2019-07-29 2023-11-10 株式会社村田製作所 フィルタ回路及び複合フィルタ装置
CN110661508A (zh) * 2019-09-17 2020-01-07 天津大学 一种双工器、多工器、高频前端电路以及通信装置
US11705886B2 (en) * 2019-09-19 2023-07-18 Skyworks Solutions, Inc. Multiplexer with reduced phase spreading
CN110768683A (zh) * 2019-11-20 2020-02-07 深圳市钮为通信技术有限公司 WiFi、4G和WiMAX共存时增强信噪比的设备
US20220200645A1 (en) * 2020-12-18 2022-06-23 Skyworks Solutions, Inc. Stacked resonator based antennaplexer
TWI803091B (zh) * 2021-12-08 2023-05-21 立積電子股份有限公司 雙工器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010116776A1 (ja) * 2009-03-30 2010-10-14 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ
WO2016013659A1 (ja) * 2014-07-25 2016-01-28 株式会社村田製作所 バンドパスフィルタおよびフィルタモジュール
JP2016136686A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 株式会社村田製作所 フィルタ装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2815791B1 (fr) * 2000-10-24 2003-03-07 France Telecom Procede de transformation de filtres passe-bandes pour faciliter leur realisation, et dispositifs ainsi obtenus
US7199796B2 (en) * 2004-08-05 2007-04-03 Agilent Technologies, Inc. Method of selecting portion of a graph, and network analyzing apparatus using same
WO2006040927A1 (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. 分波器
JPWO2006040923A1 (ja) * 2004-10-08 2008-05-15 株式会社村田製作所 分波器
CN100566154C (zh) * 2005-06-17 2009-12-02 松下电器产业株式会社 多模薄膜弹性波谐振器滤波器
JP4640412B2 (ja) * 2005-08-23 2011-03-02 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ
WO2007094139A1 (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ｓａｗフィルタ装置
DE102006022580B4 (de) 2006-05-15 2014-10-09 Epcos Ag Elektrisches Bauelement
JP5073355B2 (ja) * 2007-04-20 2012-11-14 太陽誘電株式会社 アンテナ分波器
EP2533422A3 (en) * 2010-01-28 2013-07-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Tunable filter
DE112012002502B4 (de) * 2011-06-17 2018-06-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Demultiplexer
KR20140129057A (ko) * 2012-02-06 2014-11-06 카나투 오와이 터치 감지 디바이스 및 검출 방법
WO2014064987A1 (ja) * 2012-10-24 2014-05-01 株式会社村田製作所 フィルタ装置
KR101944652B1 (ko) * 2015-01-23 2019-01-31 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 필터 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010116776A1 (ja) * 2009-03-30 2010-10-14 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ
WO2016013659A1 (ja) * 2014-07-25 2016-01-28 株式会社村田製作所 バンドパスフィルタおよびフィルタモジュール
JP2016136686A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 株式会社村田製作所 フィルタ装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7352855B2 (ja) 2019-08-21 2023-09-29 株式会社村田製作所 分波器
JP2022535470A (ja) * 2020-05-12 2022-08-09 安徽安努奇科技有限公司 バンドパスフィルタ回路及びマルチプレクサ
KR102683043B1 (ko) * 2020-05-12 2024-07-09 안후이 아누키 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 밴드패스 필터 회로 및 멀티 플렉서

Also Published As

Publication number Publication date
CN109286387B (zh) 2023-06-06
US20190028085A1 (en) 2019-01-24
CN109286387A (zh) 2019-01-29
JP6708177B2 (ja) 2020-06-10
US10243538B2 (en) 2019-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6708177B2 (ja) 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
CN108023568B (zh) 滤波器装置、多路复用器、高频前置电路以及通信装置
CN111164890B (zh) 高频滤波器、多路复用器、高频前端电路以及通信装置
WO2017217197A1 (ja) マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
US10804882B2 (en) Multiplexer, high-frequency front end circuit, and communication device
JP6669681B2 (ja) フィルタ回路、マルチプレクサおよびモジュール
WO2011086717A1 (ja) マルチプレクサ
JP2018078542A (ja) フィルタ装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP6798456B2 (ja) 高周波フロントエンド回路及び通信装置
WO2020008759A1 (ja) 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
WO2020054284A1 (ja) マルチプレクサならびにそれを用いた高周波フロントエンド回路および通信装置
KR102368022B1 (ko) 멀티플렉서 및 고주파 필터
KR102193508B1 (ko) 탄성파 필터 장치, 고주파 프론트엔드 회로 및 통신 장치
KR102496953B1 (ko) 멀티플렉서
JP2017112525A (ja) 分波器
CN110601676B (zh) 多路复用器和通信装置
JP6885376B2 (ja) フィルタおよびマルチプレクサ
KR102182259B1 (ko) 고주파 필터 및 멀티플렉서
WO2020003956A1 (ja) マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
KR20220113752A (ko) 필터 장치, 멀티플렉서, 고주파 프론트엔드 회로 및 통신 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190213

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20191128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191210

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200206

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200421

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200504

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6708177

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150