JP2019021939A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019021939A5 JP2019021939A5 JP2018202160A JP2018202160A JP2019021939A5 JP 2019021939 A5 JP2019021939 A5 JP 2019021939A5 JP 2018202160 A JP2018202160 A JP 2018202160A JP 2018202160 A JP2018202160 A JP 2018202160A JP 2019021939 A5 JP2019021939 A5 JP 2019021939A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- processing chamber
- processed
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003028 elevating Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Description
本発明の基板処理方法は、酸素含有雰囲気下にて紫外線を照射することにより分解する被処理膜の原料を基板に塗布する工程と、
前記基板に塗布された原料を加熱して被処理膜を形成する工程と、
前記被処理膜が形成された基板を、排気機構を備えた酸素含有雰囲気の処理室内に配置し、前記排気機構による排気が停止された状態にて、当該基板に紫外線を照射して前記被処理膜の一部を除去する工程と、
次いで、前記排気機構により処理室内を排気する工程と、を含むことを特徴とする。
前記基板に塗布された原料を加熱して被処理膜を形成する工程と、
前記被処理膜が形成された基板を、排気機構を備えた酸素含有雰囲気の処理室内に配置し、前記排気機構による排気が停止された状態にて、当該基板に紫外線を照射して前記被処理膜の一部を除去する工程と、
次いで、前記排気機構により処理室内を排気する工程と、を含むことを特徴とする。
前記の基板処理方法は、以下の構成を備えていてもよい。
(a)酸素濃度が、空気中の酸素濃度と同等以上の酸素含有気体を前記処理室へ供給して前記酸素含有雰囲気を形成する工程を含み、前記酸素含有雰囲気を形成する工程と、前記被処理膜の一部を除去する工程と、前記処理室内を排気する工程とを繰り返し実行すること。
(b)前記排気機構により処理室内の排気を行う際に、当該処理室の排気を促進するための排気用気体を供給する工程を含み、前記処理室内を排気する工程を実行する際に、前記排気用気体を供給する工程を実行すること。
(c)前記被処理膜の一部を除去する工程の実行中に、前記基板を加熱する工程を含み、前記基板を加熱する工程は、基板の中央部側の温度よりも、当該基板の周縁部側の温度の方が低くなるように行われること。
(d)前記被処理膜の一部を除去する工程は、基板の領域毎に紫外線の照度を設定して行われること。
(e)前記処理室の下面側には開口部が形成され、前記開口部に嵌合し、基板が載置される載置台と、前記基板の受け渡しを行うための受け渡し位置と、前記受け渡し位置の上方側に設けられ、前記処理室の開口部を塞いで処理室内に基板を載置するための処理位置との間で載置台を昇降させる昇降機構と、を用い、前記受け渡し位置にて、少なくとも前記被処理膜の原料が塗布された後の基板を載置台に載置し、当該載置台を処理位置まで上昇させる工程と、被処理膜の一部が除去された後の基板が載置された載置台を処理位置から受け渡し位置まで降下させ、当該基板を搬出する工程と、を含むこと。
(f)前記被処理膜は、炭素化合物を含む有機膜であること。
(g)前記被処理膜の原料を基板に塗布する工程は、表面にパターンが形成された基板に対して行われ、前記被処理膜の原料を基板に塗布する工程と、前記被処理膜を形成する工程と、前記被処理膜の一部を除去する工程とをそれぞれこの順で複数回行い、少なくとも最後より前に行われる被処理膜の一部を除去する工程において、前記パターンの表面が露出するまで、前記被処理膜の一部を除去すること。
(a)酸素濃度が、空気中の酸素濃度と同等以上の酸素含有気体を前記処理室へ供給して前記酸素含有雰囲気を形成する工程を含み、前記酸素含有雰囲気を形成する工程と、前記被処理膜の一部を除去する工程と、前記処理室内を排気する工程とを繰り返し実行すること。
(b)前記排気機構により処理室内の排気を行う際に、当該処理室の排気を促進するための排気用気体を供給する工程を含み、前記処理室内を排気する工程を実行する際に、前記排気用気体を供給する工程を実行すること。
(c)前記被処理膜の一部を除去する工程の実行中に、前記基板を加熱する工程を含み、前記基板を加熱する工程は、基板の中央部側の温度よりも、当該基板の周縁部側の温度の方が低くなるように行われること。
(d)前記被処理膜の一部を除去する工程は、基板の領域毎に紫外線の照度を設定して行われること。
(e)前記処理室の下面側には開口部が形成され、前記開口部に嵌合し、基板が載置される載置台と、前記基板の受け渡しを行うための受け渡し位置と、前記受け渡し位置の上方側に設けられ、前記処理室の開口部を塞いで処理室内に基板を載置するための処理位置との間で載置台を昇降させる昇降機構と、を用い、前記受け渡し位置にて、少なくとも前記被処理膜の原料が塗布された後の基板を載置台に載置し、当該載置台を処理位置まで上昇させる工程と、被処理膜の一部が除去された後の基板が載置された載置台を処理位置から受け渡し位置まで降下させ、当該基板を搬出する工程と、を含むこと。
(f)前記被処理膜は、炭素化合物を含む有機膜であること。
(g)前記被処理膜の原料を基板に塗布する工程は、表面にパターンが形成された基板に対して行われ、前記被処理膜の原料を基板に塗布する工程と、前記被処理膜を形成する工程と、前記被処理膜の一部を除去する工程とをそれぞれこの順で複数回行い、少なくとも最後より前に行われる被処理膜の一部を除去する工程において、前記パターンの表面が露出するまで、前記被処理膜の一部を除去すること。
本発明の基板処理装置は、酸素含有雰囲気下にて紫外線を照射することにより分解する被処理膜が形成された基板が載置される載置台と、
前記載置台に載置された基板が収容される酸素含有雰囲気の処理室と、
前記処理室内の基板に紫外線を照射する紫外線照射部と、
前記処理室内の排気を行う排気機構と、
前記排気機構による排気が停止された状態にて、前記紫外線照射部から基板に紫外線を照射して前記被処理膜の一部を除去するステップと、次いで、前記排気機構により処理室内を排気するステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備えることを特徴とする。
前記載置台に載置された基板が収容される酸素含有雰囲気の処理室と、
前記処理室内の基板に紫外線を照射する紫外線照射部と、
前記処理室内の排気を行う排気機構と、
前記排気機構による排気が停止された状態にて、前記紫外線照射部から基板に紫外線を照射して前記被処理膜の一部を除去するステップと、次いで、前記排気機構により処理室内を排気するステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備えることを特徴とする。
本発明は、排気機構を備えた処理室にて基板に紫外線を照射する際に、前記排気機構による処理室内の排気を停止することにより、気流の影響を抑えて基板面内で均一に被処理膜の一部除去を行うことができる。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014128430 | 2014-06-23 | ||
JP2014128430 | 2014-06-23 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015087675A Division JP6428466B2 (ja) | 2014-06-23 | 2015-04-22 | 基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム及び記憶媒体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019021939A JP2019021939A (ja) | 2019-02-07 |
JP2019021939A5 true JP2019021939A5 (ja) | 2019-03-22 |
JP6673432B2 JP6673432B2 (ja) | 2020-03-25 |
Family
ID=65353721
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018202160A Active JP6673432B2 (ja) | 2014-06-23 | 2018-10-26 | 基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム及び記憶媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6673432B2 (ja) |
-
2018
- 2018-10-26 JP JP2018202160A patent/JP6673432B2/ja active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014165252A5 (ja) | ||
SG142270A1 (en) | Integrated method for removal of halogen residues from etched substrates by thermal process | |
JP2014208883A5 (ja) | ||
JP2009542000A5 (ja) | ||
KR101956740B1 (ko) | 건조 장치 및 건조 처리 방법 | |
TW201130042A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2015070177A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP2009094115A5 (ja) | ||
TW200507111A (en) | Method and apparatus for forming silicon oxide film | |
WO2008096835A1 (ja) | 基板処理方法及び塗布現像処理装置 | |
JP2014150202A5 (ja) | ||
JP5186224B2 (ja) | 基板処置装置 | |
JP2010219308A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2010024484A5 (ja) | 表面処理方法 | |
JP2019021939A5 (ja) | ||
JP2003318091A (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
JP6135764B2 (ja) | デスミア処理装置 | |
WO2018155421A1 (ja) | 樹脂膜の形成方法および樹脂膜の成膜装置 | |
TW201631659A (zh) | 基板處理方法、程式、電腦記憶媒體及基板處理系統 | |
JP2019057640A5 (ja) | ||
JP2018146617A5 (ja) | ||
KR20100092875A (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
US8232216B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing a semiconductor | |
JP2007250690A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2012054475A5 (ja) |