JP2018146617A5 - - Google Patents

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塗布装置240は、基板Wの被処理面にDSA液を供給することにより、膜の塗布処理を行う。本実施の形態では、DSA液として、2種類の重合体から構成されるブロック共重合体が用いられる。2種類の重合体の組み合わせとして、例えば、ポリスチレン−ポリメチルメタクリレート(PS−PMMA)、ポリスチレン−ポリジメチルシロキサン(PS−PDMS)、ポリスチレン−ポリフェロセニルジメチルシラン(PS−PFS)、ポリスチレン−ポリエチレンオキシド(PS−PEO)、ポリスチレン−ポリビニルピリジン(PS−PVP)、ポリスチレン−ポリヒドロキシスチレン(PS−PHOST)、およびポリメチルメタクリレート−ポリメタクリレートポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン(PMMA−PMAPOSS)等が挙げられる。

Claims (11)

  1. 基板を露光する露光装置であって、
    前記露光装置の動作モードを露光モードと保守モードとで切り替える切替部と、
    透光性の窓部材が取り付けられ、前記露光モードにおいて処理対象の基板を収容する処理室と、
    前記窓部材を通して前記処理室内に真空紫外線を出射可能に設けられた光源部と、
    前記処理室内の雰囲気を排気するための排気部と、
    前記露光モードにおいて、前記処理室内の酸素濃度が大気中の酸素濃度よりも低い第1の濃度になるように前記排気部を制御する第1の排気制御部と、
    前記露光モードにおいて、前記処理室内の酸素濃度が前記第1の濃度である状態で、前記処理室内の基板に真空紫外線を照射することにより基板を露光するように前記光源部を制御する第1の投光制御部と、
    前記保守モードにおいて、前記処理室内の酸素濃度が前記第1の濃度よりも高い第2の濃度である状態で、前記処理室内の雰囲気に真空紫外線を照射することによりオゾンを発生させるように前記光源部を制御する第2の投光制御部とを備える、露光装置。
  2. 前記保守モードにおいて、発生された前記処理室内のオゾンを排気するように前記排気部を制御する第2の排気制御部をさらに備える、請求項1記載の露光装置。
  3. 前記第2の濃度は、大気中の酸素濃度である、請求項1または2記載の露光装置。
  4. 前記第1の濃度は、前記光源部により出射される真空紫外線によってはオゾンが発生しない酸素濃度である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光装置。
  5. 前記露光モードにおいて、前記処理室内に不活性ガスを供給する給気部をさらに備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載の露光装置。
  6. 前記光源部は、面状の断面を有する真空紫外線を出射するように構成される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の露光装置。
  7. 前記光源部による真空紫外線の出射面積は、基板の面積よりも大きい、請求項6記載の露光装置。
  8. 基板に処理液を塗布することにより基板に膜を形成する塗布処理部と、
    前記塗布処理部により膜が形成された基板を熱処理する熱処理部と、
    前記熱処理部により熱処理された基板を前記露光モードにおいて露光する請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置と、
    前記露光装置により露光された基板に溶剤を供給することにより基板の膜を現像する現像処理部とを備える、基板処理装置。
  9. 処理液は、誘導自己組織化材料を含む、請求項8記載の基板処理装置。
  10. 露光装置を用いた基板の露光方法であって、
    前記露光装置の動作モードを露光モードと保守モードとで切り替えるステップと、
    前記露光モードにおいて、透光性の窓部材が取り付けられた処理室内に処理対象の基板を収容するステップと、
    前記露光モードにおいて、処理室内の酸素濃度が大気中の酸素濃度よりも低い第1の濃度になるように排気部により前記処理室内の雰囲気を排気するステップと、
    前記露光モードにおいて、前記処理室内の酸素濃度が前記第1の濃度である状態で、光源部から前記窓部材を通して前記処理室内の基板に真空紫外線を照射することにより基板を露光するステップと、
    前記保守モードにおいて、前記処理室内の酸素濃度が前記第1の濃度よりも高い第2の濃度である状態で、前記光源部から前記窓部材を通して前記処理室内の雰囲気に真空紫外線を照射することによりオゾンを発生させるステップとを含む、露光方法。
  11. 塗布処理部により基板に処理液を塗布することにより基板に膜を形成するステップと、
    前記塗布処理部により膜が形成された基板を熱処理部により熱処理するステップと、
    前記熱処理部により熱処理された基板を前記露光装置により前記露光モードにおいて露光する請求項10記載の露光方法と、
    前記露光装置により露光された基板に現像処理部により溶剤を供給することにより基板の膜を現像するステップとを含む、基板処理方法。
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