JP2018523169A - 高抵抗率膜を有する埋設タッチパネル及びディスプレイデバイス - Google Patents

高抵抗率膜を有する埋設タッチパネル及びディスプレイデバイス Download PDF

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Abstract

【課題】より高いタッチ感度を有するインセル型タッチスクリーン及びディスプレイデバイスを提供すること。【解決手段】順次スタックされた、第１の基板（１０）、薄膜トランジスタ基板（２０）、液晶層（３０）、カラーフィルタ（４０）、タッチ感知層（５０）、第２の基板（６０）、及び高抵抗率膜（７０）を備えた、高抵抗率膜（７０）を有する埋設されたタッチパネル（１００）。複数の相互に絶縁された感知ワイヤは、薄膜トランジスタ基板（２０）の、液晶層（３０）に面した表面上に配置される。薄膜トランジスタ基板（２０）及びタッチ感知層（５０）は、タッチパネルの機能を液晶画素内に埋設するように協働して、タッチパネル（１００）の厚さを削減する。高抵抗率膜（７０）は、第２の基板（６０）の、タッチ感知層（５０）から遠い方の表面上に配置され、薄膜トランジスタ基板（２０）に電気的に接続され、その結果、高抵抗率膜（７０）は、薄膜トランジスタ基板（２０）によって生成された静電気を放出することが可能であり、静電効果を除去し、タッチセンサ間の干渉を低減し、埋設タッチスクリーン（１００）のタッチ感度を向上させる。【選択図】図１

Description

本開示は、ディスプレイデバイスの分野に関し、より具体的には、高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン及びディスプレイデバイスに関する。
タッチスクリーンは、携帯電話、タブレットコンピュータ、電子書籍などの電子デバイスの重要な部分である。現在、タッチスクリーンは、構成及び構造に従って一般にオンセル型及びインセル型に分類することができる。オンセル型は、タッチパネルがディスプレイスクリーンのカラーフィルタ基板と偏光子との間に埋設される方法を指す。換言すれば、タッチセンサは、液晶パネルの上に設けられる。タッチ層の付加に起因して、厚さがより厚くなり、タッチの際の色の不均衡などの問題が生じやすくなる。インセル型は、タッチパネル機能が液晶画素内に埋設される方法を指す。換言すれば、タッチセンサ機能は、ディスプレイスクリーン内に埋設され、その結果、モジュールの総厚が削減され、タッチスクリーンの製造コストもまた大幅に削減することができ、主要なパネル製造者によって支持されている。
しかしながら、インセル型タッチスクリーンは、一般にタッチセンサが薄膜トランジスタアレイ基板上の画素内に埋設されることを必要とし、タッチセンサは、互いに容易に干渉し合うので、それによりタッチ感度が低下する。
したがって、より高いタッチ感度を有するインセル型タッチスクリーン及びディスプレイデバイスを提供することが必要である。
高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンは、順次積層された、第１の基板、薄膜トランジスタ基板、液晶層、カラーフィルタ、タッチ感知層、第２の基板、及び高抵抗率膜を含む。薄膜トランジスタ基板には、液晶層に面したその表面上に複数の相互に絶縁された感知ワイヤが設けられる。高抵抗率膜は、第２の基板の、タッチ感知層から遠い方の表面上に形成され、高抵抗率膜は、薄膜トランジスタ基板に電気的に結合される。
１つの実施形態において、高抵抗率膜は、酸化グラファイト、酸化スズ、界面活性剤、及び架橋剤を含む混合物によって作られる。
１つの実施形態において、高抵抗率膜の材料は、４重量部から７重量部の酸化グラファイト、１０重量部から１３重量部の酸化スズ、２５重量部から３０重量部の界面活性剤、及び１０重量部から２６重量部の架橋剤を含む。
１つの実施形態において、架橋剤はアジリジン架橋剤である。
１つの実施形態において、高抵抗率膜は、３０ｎｍから５０ｎｍまでの厚さを有する。
１つの実施形態において、高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンは、高抵抗率膜の、第２の基板から遠い方の表面上に積層された偏光層をさらに含む。
１つの実施形態において、高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンは、偏光層の、高抵抗率膜から遠い方の表面上に積層された保護カバープレートをさらに含む。
１つの実施形態において、高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンは、０．６ｍｍから０．８ｍｍまでの厚さを有する。
１つの実施形態において、感知ワイヤは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）で作られる。
ディスプレイデバイスは、上述の高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンのいずれか１つを含む。
上述の高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンは、順次積層された、第１の基板、薄膜トランジスタ基板、液晶層、カラーフィルタ、タッチ感知層、第２の基板、及び高抵抗率膜を含む。薄膜トランジスタ基板には、液晶層に面したその表面上に複数の相互に絶縁された感知ワイヤが設けられる。薄膜トランジスタ基板は、タッチパネル機能が液晶画素内に埋設されるようにタッチ感知層と係合し、それによってタッチスクリーンの厚さが削減されるようになっている。高抵抗率膜は、第２の基板の、タッチ感知層から遠い方の表面上に配置され、高抵抗率膜は、薄膜トランジスタ基板に電気的に結合される。かくして、薄膜トランジスタ基板によって発生する静電気を高抵抗率膜によって瞬時に放電することができ、これは静電気除去の役割を果たし、タッチセンサ間の相互干渉を低減し、それによってインセル型タッチスクリーンのタッチ感度を改善する。
一実施形態による高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンの略図である。 別の実施形態による高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンの略図である。
高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン及びその製造方法を以下、特定の実施形態及び添付の図面を参照してさらに詳細に説明する。
図１を参照すると、一実施形態による高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン１００は、順次積層された、第１の基板１０、薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）２０、液晶層３０、カラーフィルタ４０、タッチ感知層５０、第２の基板６０、及び高抵抗率層７０を含む。
薄膜トランジスタ基板２０には、液晶層３０に面したその表面上に複数の相互に絶縁された感知ワイヤが設けられる。高抵抗率膜７０は、第２の基板６０の、タッチ感知層５０から遠い方の表面上に形成される。高抵抗率膜７０は、薄膜トランジスタ基板２０に電気的に結合される。具体的には、高抵抗率膜７０は、薄膜トランジスタ基板２０にリード線を介して電気的に結合することができる。
薄膜トランジスタ基板２０には、液晶層３０に面したその表面上に複数の相互に絶縁された感知ワイヤが設けられ、複数の相互に絶縁された感知ワイヤは、液晶層３０内に埋設することができる。薄膜トランジスタ基板２０は、タッチパネル機能が液晶画素内に埋設されるように、タッチ感知層５０と係合する。タッチセンサ機能は、ディスプレイスクリーンの内部に埋設され、それによりインセル型タッチスクリーンを形成し、その結果、タッチスクリーンの厚さが削減され、スクリーンをより薄くより軽量にするようになっている。高抵抗率膜７０は、第２の基板６０の、タッチ感知層５０から遠い方の表面上に配置され、高抵抗率膜７０は、薄膜トランジスタ基板２０に電気的に結合される。かくして、薄膜トランジスタ基板２０によって発生する静電気を高抵抗率膜７０によって瞬時に放電することができ、これは静電気除去の役割を果たし、タッチセンサ間の相互干渉を低減し、それによって高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン１００のタッチ感度を改善する。
例証する実施形態において、高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン１００は、０．６ｍｍから０．８ｍｍまでの厚さを有する。タッチスクリーン１００の厚さは、タッチパネル機能を液晶画素内に埋設することによって著しく削減される。
具体的には、第１の基板１０及び第２の基板６０は、ガラスのような光透過性材料で作ることができる。
具体的には、感知ワイヤ層は、最初に、薄膜トランジスタ基板２０の表面上に形成することができ、感知ワイヤは、露光、現像、エッチングなどのステップの後、薄膜トランジスタ基板２０の表面上に形成される。
好ましくは、感知ワイヤは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）で作られる。もちろん、感知ワイヤの材料はＩＴＯに限定されず、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）などの他の導電性材料であってもよい。ＩＴＯは、優れた電気伝導性及び光透過性を有する。
液晶層３０は、脂肪族、芳香族、ステアリン酸などの有機物質で作ることができる。液晶層３０は、液晶パーフュージョン法によって、薄膜トランジスタ基板２０とカラーフィルタ４０との間に形成することができる。換言すれば、薄膜トランジスタ基板２０とカラーフィルタ基板４０とを位置合わせして組み立てた後、毛管原理によって液晶を吸い込んで液晶層を形成する。あるいは、滴下液晶注入法を用いて、液晶をカラーフィルタ基板４０上へ直接滴下し、次いで薄膜トランジスタ基板２０とカラーフィルタ４０と位置合わせして組み立てる。
タッチ感知層５０は、第２の基板６０の表面上に形成される。タッチ感知層５０は、ＩＴＯで作ることができる。もちろん、タッチ感知層５０の材料はＩＴＯに限定されず、ＡＺＯなどの他の導電性材料であってもよい。ＩＴＯは、優れた電気伝導性及び光透過性を有する。
具体的には、タッチ感知層５０及びカラーフィルタ４０は、真空条件下で貼り合わされ、それにより、順次積層された、第１の基板１０、薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）２０、液晶層３０、カラーフィルタ４０、タッチ感知層５０、及び第２の基板６０が得られる。
薄膜トランジスタ基板２０は、タッチパネル機能が液晶画素内に埋設されるようにタッチ感知層５０と係合し、タッチセンサ機能がディスプレイスクリーンの内部に埋設される。タッチ機能は、集積回路（ＩＣ）の駆動下で達成される。
具体的には、高抵抗率膜７０は、酸化グラファイト、酸化スズ、界面活性剤、及び架橋剤を含む混合物によって作られる。
具体的には、酸化グラファイト、酸化スズ、界面活性剤、及び架橋剤の混合物は、スクリーン印刷又は自動スプレーなどの方法によって、第２の基板６０の、タッチ検知層から遠い方の表面上へ印刷するか又は吹付けすることができる。
例証する実施形態において、自動スプレー装置を用いて、第２の基板６０の表面へスラリーが吹き付けられる。好ましくは、スプレーガンは、第２の基板６０の表面から２０ｃｍから４０ｃｍまでの距離を有し、吹付圧力は、０．５ＭＰａから１．５ＭＰａまでであり、温度は２０℃から３０℃までであり、湿度は５０％から６０％までである。
具体的には、スラリーは、酸化グラファイト、酸化スズ、界面活性剤、架橋剤、及び溶媒の混合物を含む。
好ましくは、スラリーは、４重量部から７重量部の酸化グラファイト、１０重量部から１３重量部の酸化スズ、２５重量部から３０重量部の界面活性剤、１０重量部から２６重量部の架橋剤、及び３５重量部から４５重量部の溶媒を含む。
溶媒は、水又は有機溶媒であり得る。好ましくは、スラリーは、３０ｃＰから４０ｃＰまでの粘度を有する。
酸化グラファイト（ＧＯ）は、優れた吸着特性を有する新規な炭素材料である。酸化スズ（ＳｎＯ2）は、半導体特性を有する活性酸化物である。酸化グラファイト、酸化スズ、界面活性剤、及び架橋剤を混合して、優れた性能を有する複合材料を得ることができる。酸化スズは、酸化グラファイトの表面特性を変化させることができる。酸化グラファイトの高い多孔性及び大きい表面積もまた、酸化スズの分散度を向上させることができる。種々の成分の相乗効果が、高抵抗率膜７０が優れた吸着特性及び電気的特性を示す原因となる。
薄膜トランジスタ基板２０によって発生する静電気を、酸化グラファイト、酸化スズ、界面活性剤、及び架橋剤の混合物で構成された高抵抗率膜７０によって瞬時に放電することができ、それによって静電気除去の役割を果たし、タッチ感度を改善する。同時に、高抵抗率膜７０は、その優れた吸着特性に起因して、接着剤などを使用することなく第２の基板６０の表面上に形成することができるので、高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン１００の厚さはほとんど増大しないようになっている。
好ましくは、酸化グラファイト、酸化スズ、界面活性剤、及び架橋剤の混合物は、４重量部から７重量部の酸化グラファイト、１０重量部から１３重量部の酸化スズ、２５重量部から３０重量部の界面活性剤、及び１０重量部から２６重量部の架橋剤を含む。
例証する実施形態において、酸化グラファイト、酸化スズ、界面活性剤、及び架橋剤の混合物は、５．５重量部の酸化グラファイト、１１．５重量部の酸化スズ、２７．５重量部の界面活性剤、及び１８重量部の架橋剤を含む。
具体的には、界面活性剤は、ステアリン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、第四級アンモニウム化合物、レシチン、脂肪酸グリセリド、ソルビタン脂肪酸（Ｓｐａｎ）、ポリソルベート（Ｔｗｅｅｎ）などであり得る。
例証する実施形態において、界面活性剤は、米国Ｄｏｗ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製のＤＯＷ ＦＡＸ ２Ａ１タイプである。
具体的には、架橋剤は、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリアクリレート、ポリアルキルアクリレート、スチレン、アクリロニトリル、アクリル酸、メタクリル酸、グリオキサール、アジリジン、などであり得る。
例証する実施形態において、架橋剤は、アジリジン架橋剤である。具体的には、架橋剤は、Ｓｈａｎｇｈａｉ Ｙｏｕｅｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．製のＳａＣ−１００タイプのアジリジン架橋剤である。
従来のタッチスクリーンは、一般に、タッチの干渉を軽減するために、支持体としての基板を必要とする。しかしながら、製品の厚さは、支持体の付加に起因して増大することになる。積層後の厚さは、約０．４ｍｍ増大し、それによって電子装置（携帯電話など）の厚さが大幅に増大する。加えて、光透過性に乏しく、太陽光の下での反射率がより高く、それは体験効果に直接影響する。同時に、これは貼り合わせ中に問題を生じやすく、それによって歩留まりが低下する。これはコストの増大及び長い加工サイクルを直接的にもたらし、それは市場のインセンティブ競合環境に適さない。
タッチスクリーンの感度は、半導体材料を使用して改善することもできる。しかしながら、半導体材料は高価であり、複雑な調製プロセスを有し、大量生産に適していない。
本開示による酸化グラファイト、酸化スズ、アジリジン及びアニオン性界面活性剤の混合物は、強い付着力、優れた電気伝導性、良好な光透過性、及び強い安定性を有するとともに、容易に酸化されない。製造プロセスは簡単であり、大量生産に適している。
好ましくは、高抵抗率膜７０は、３０ｎｍから５０ｎｍまでの厚さを有する。
好ましくは、高抵抗率膜７０は、５×１０8Ω／ｃｍ2から５×１０9Ω／ｃｍ2までの表面抵抗を有する。
例証する実施形態において、高抵抗率膜７０の光透過率は、９２％以上である。本明細書で用いられる光透過率は、高抵抗率膜７０を形成した後の高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン１００の光透過率と、高抵抗率膜７０を形成する前のその光透過率との比を指す。
一般に、高抵抗率膜７０の表面抵抗が小さいほど、帯電防止効果が高くなる。しかしながら、表面抵抗が小さいほど、インセル型タッチスクリーンは干渉効果を受けやすく、その結果、タッチ効果が影響を受ける。抵抗が大きいほど、帯電防止効果は明らかでなくなる。酸化インジウムスズＩＴＯの導電性は非常に強いので、より高い抵抗を達成することが必要とされる場合、フィルム層は薄くなりすぎ、これは帯電防止の役割を果たすことができない。
本開示は、高抵抗率膜７０が５×１０8Ω／ｃｍ2から５×１０9Ω／ｃｍ2までの表面抵抗を有するとき、高抵抗率膜７０は、帯電防止効果を有するのみならず、タッチ効果に影響を及ぼさないことを実験的に示した。加えて、高抵抗率膜７０は、適正な厚さ、良好な光透過性及び電気伝導性、並びに優れた帯電防止効果を有する。
図２を参照すると、別の実施形態による高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン１００は、順次積層された、第１の基板１０、薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）２０、液晶層３０、カラーフィルタ４０、タッチ感知層５０、及び第２の基板６０を含む。高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン１００は、偏光層８０及び保護カバープレート９０をさらに含む。
偏光層８０は、高抵抗率膜７０の、第２の基板６０から遠い方の表面上に積層され、保護カバープレート９０は、偏光層８０の、高抵抗率膜７０から遠い方の表面上に積層される。
好ましくは、偏光子９０の材料は、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、及びアミノポリエーテルポリオール（ＡＰ）から成る群から選択される少なくとも１つである。
好ましくは、保護カバープレート９０の材料は、ソーダ石灰ガラス、高アルミナ白色ガラス、及び旭虹（ｘｕｈｏｎｇ）高アルミナガラスから成る群から選択される少なくとも１つである。
具体的には、タッチパネルは、高抵抗率膜７０を形成した後、小片に分割することができる。小片は、一般に、約４．５インチから約６インチまでのサイズを有し、これは携帯電話スクリーンのサイズに適している。小片を洗浄した後、偏光層８０が高抵抗率膜７０上に形成され、次いで保護カバープレート９０が偏光層８０上に積層される。好ましくは、保護カバープレート９０は、光学的接着剤を介して偏光層８０に貼り合わされ、保護カバープレート９０は、高抵抗率膜７０を保護することができる。
ディスプレイデバイスは、上述の高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンを含む。かかるディスプレイデバイスは、明瞭な画像、感度の良いタッチなどの利点を有する。
上述の高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン１００は、順次積層された、第１の基板１０、薄膜トランジスタ基板２０、液晶層３０、カラーフィルタ４０、タッチ感知層５０、及び第２の基板６０を含む。薄膜トランジスタ基板２０には、液晶層３０に面したその表面上に複数の相互に絶縁された感知ワイヤが設けられる。薄膜トランジスタ基板２０は、タッチパネル機能が液晶画素内に埋設されるようにタッチ感知層５０と係合し、それによってタッチスクリーンの厚さが削減されるようになっている。高抵抗率膜７０は、第２の基板６０の、タッチ感知層から遠い方の表面上に配置され、高抵抗率膜７０は、薄膜トランジスタ基板２０に電気的に結合される。かくして、薄膜トランジスタ基板２０によって発生する静電気を高抵抗率膜７０によって瞬時に放電することができ、これは、静電気除去の役割を果たし、タッチセンサ間の相互干渉を低減し、それによってインセル型タッチスクリーンのタッチ感度を改善する。同時に、高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン１００は、より薄い厚さ、優れた光透過性、及び簡単な製造方法を有する。
以下、特定の実施例を参照して詳細に説明する。
以下の実施例において、特定の条件を指定していない実験方法は、特段の断りのない限り、一般に従来の条件に従う。
機器：自動スプレー装置、乾燥炉、洗浄機、高抵抗機器、膜厚ゲージ、分光計、等。
試薬：界面活性剤は、米国Ｄｏｗ ＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎのＤＯＷ ＦＡＸ ２Ａ１型界面活性剤、架橋剤は、Ｓｈａｎｇｈａｉ Ｙｏｕｅｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．製のＳａＣ−１００型アジリジン架橋剤である。
実施例１
高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンを以下のステップによって製造した。
（１）薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）をガラス基板（第１の基板）の表面上に積層し、感知ワイヤ層を薄膜トランジスタ基板の表面上に形成した。感知ワイヤ層はＩＴＯで作製した。露光、現像、エッチングなどのステップの後に、感知ワイヤが薄膜トランジスタ基板の表面上に形成され、液晶層が薄膜トランジスタ基板上に形成された。カラーフィルタを積層してＡプレートを得た。
（２）タッチ感知層を別のガラス基板（第２の基板）の表面上に形成し、このタッチ感知層はＩＴＯで作製され、これによりＢプレートを得た。
（３）Ａプレート及びＢプレートを真空環境内で貼り合わせた。カラーフィルタ及びタッチ感知層を互いに貼り合わせて、順次積層された、第１の基板、薄膜トランジスタ基板、液晶層、カラーフィルタ、タッチ感知層、及び第２の基板を得た。
（４）高抵抗率膜を、第２の基板の、タッチ感知層から遠い方の表面上に自動スプレー装置によって形成した。基板は、スプレー装置の作業台の上に送られ、自動的に位置決めされ、次いでスラリーが第２の基板上に吹き付けられた。スラリーは、酸化グラファイト、酸化スズ、界面活性剤、架橋剤、及び溶媒の混合物を含んでいた。具体的には、スラリーは、５．５重量部の酸化グラファイト、１１．５重量部の酸化スズ、２７．５重量部の界面活性剤、１８重量部の架橋剤、及び３７．５重量部の水を含んでいた。スラリーの粘度は、３５ｃＰであった。第２の基板の表面からスプレーガンまでの距離は、３０ｃｍであった。吹付圧力は、１．０ＭＰａ、作業環境は無塵空間（１００クラス）、温度は２５℃、湿度は５５％であった。吹付けが完了した後、基板を乾燥炉内で温度１１５℃で１５分間ベーキングし、次いで冷却して、高抵抗率膜を得た。
高抵抗率膜の厚さは膜厚ゲージによって測定され、４０ｎｍであった。
高抵抗率膜の光透過率は分光計によって測定され、９７．８％であった。
膜の硬度は、６Ｈであった。
もちろん、タッチスクリーンは、カバープレート、偏光子、及びリード線の製造も含み、従来法を使用することができ、それらに限定されない。
高抵抗率膜の抵抗は、抵抗機器によって測定され、５．５×１０8Ω／ｃｍ2であり、これは高抵抗率膜が良好な電気的特性を有することを示した。高抵抗率膜の抵抗の変化率は、ベーキング実験を温度湿度チャンバ内で９０℃、湿度６０％で２４０時間行ったときに、１０％であり、これは高抵抗率膜が良好な耐湿性を有することを示した。高抵抗率層の抵抗の変化率は、５分間のアルコール浸漬の後、１０％であった。抵抗の変化率は、パッド付オーブン（ｏｖｅｎ ｗｉｔｈ ｐａｄ）内で６０℃で２４０時間ベーキングしたとき、５％であり、これは高抵抗率膜が良好な耐熱性を有することを示した。
タッチ感知層のＩＴＯのシート抵抗は、１５５Ωであり、膜の厚さは２５０±５０Åであった。
上述の高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンは、強い安定性を有し、容易に酸化されず、優れた電気伝導性及び良好な光透過性、並びに優れた帯電防止効果を有する。
実施例２
高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンを以下のステップによって製造した。
（１）薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）をガラス基板（第１の基板）の表面上に積層し、感知ワイヤ層を薄膜トランジスタ基板の表面上に形成した。感知ワイヤ層はＩＴＯで作製した。露光、現像、エッチングなどのステップの後に感知ワイヤが薄膜トランジスタ基板の表面上に形成され、液晶層が薄膜トランジスタ基板上に形成された。カラーフィルタを積層してＡプレートを得た。
（２）タッチ感知層を別のガラス基板（第２の基板）の表面上に形成し、このタッチ感知層はＩＴＯで作製され、これによりＢプレートを得た。
（３）Ａプレート及びＢプレートを真空環境内で貼り合わせた。カラーフィルタ及びタッチ感知層を互いに貼り合わせて、順次積層された、第１の基板、薄膜トランジスタ基板、液晶層、カラーフィルタ、タッチ感知層、及び第２の基板を得た。
（４）高抵抗率膜を、第２の基板の、タッチ感知層から遠い方の表面上に自動スプレー装置によって形成した。基板は、スプレー装置の作業台の上に送られ、自動的に位置決めされ、次いでスラリーが第２の基板上に吹き付けられた。スラリーは、酸化グラファイト、酸化スズ、界面活性剤、架橋剤、及び溶媒の混合物を含んでいた。具体的には、スラリーは、４重量部の酸化グラファイト、１０重量部の酸化スズ、２５重量部の界面活性剤、１０重量部の架橋剤、及び３０重量部の水を含んでいた。スラリーの粘度は、３０ｃＰであった。第２の基板の表面からスプレーガンまでの距離は、２０ｃｍであった。吹付圧力は、０．５ＭＰａ、作業環境は無塵空間（１００クラス）、温度は２０℃、湿度は５０％であった。吹付けが完了した後、基板を乾燥炉内で温度１１０℃で１０分間ベーキングし、次いで冷却して高抵抗率膜を得た。
高抵抗率膜の厚さは膜厚ゲージによって測定され、３０ｎｍであった。
高抵抗率膜の光透過率は分光計によって測定され、９８％であった。
膜の硬度は、６Ｈであった。
もちろん、タッチスクリーンは、カバープレート、偏光子、及びリード線の製造も含み、従来法を使用することができ、それらに限定されない。
高抵抗率膜の抵抗は、抵抗機器によって測定され、５×１０8Ω／ｃｍ2であり、これは高抵抗率膜が良好な電気的特性を有することを示した。高抵抗率膜の抵抗の変化率は、ベーキング実験を温度湿度チャンバ内で９０℃、湿度６０％で２４０時間行ったときに、１０％であり、これは高抵抗率膜が良好な耐湿性を有することを示した。高抵抗率層の抵抗の変化率は、５分間のアルコール浸漬の後、２０％であった。抵抗の変化率は、パッド付オーブン内で６０℃で２４０時間ベーキングしたとき、５％であり、これは高抵抗率膜が良好な耐熱性を有することを示した。
タッチ感知層のＩＴＯのシート抵抗は、６０Ωであり、膜の厚さは２５０±５０Åであった。
上述の高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンは、強い安定性を有し、容易に酸化されず、優れた電気伝導性及び良好な光透過性、並びに優れた帯電防止効果を有する。
実施例３
高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンを以下のステップによって製造した。
（１）薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）をガラス基板（第１の基板）の表面上に積層し、感知ワイヤ層を薄膜トランジスタ基板の表面上に形成した。感知ワイヤ層はＩＴＯで作製した。露光、現像、エッチングなどのステップの後に感知ワイヤが薄膜トランジスタ基板の表面上に形成され、液晶層が薄膜トランジスタ基板上に形成された。カラーフィルタを積層してＡプレートを得た。
（２）タッチ感知層を別のガラス基板（第２の基板）の表面上に形成し、このタッチ感知層はＩＴＯで作製され、これによりＢプレートを得た。
（３）Ａプレート及びＢプレートを真空環境内で貼り合わせた。カラーフィルタ及びタッチ感知層を互いに貼り合わせて、順次積層された、第１の基板、薄膜トランジスタ基板、液晶層、カラーフィルタ、タッチ感知層、及び第２の基板を得た。
（４）高抵抗率膜を、第２の基板の、タッチ感知層から遠い方の表面上に自動スプレー装置によって形成した。基板は、スプレー装置の作業台の上に送られ、自動的に位置決めされ、次いでスラリーが第２の基板上に吹き付けられた。スラリーは、酸化グラファイト、酸化スズ、界面活性剤、架橋剤、及び溶媒の混合物を含んでいた。具体的には、スラリーは、７重量部の酸化グラファイト、１３重量部の酸化スズ、３０重量部の界面活性剤、２６重量部の架橋剤、及び４０重量部の水を含んでいた。スラリーの粘度は、４０ｃＰであった。第２の基板の表面からスプレーガンまでの距離は、４０ｃｍであった。吹付圧力は、１．０ＭＰａ、作業環境は無塵空間（１００クラス）、温度は３０℃、湿度は６０％であった。吹付けが完了した後、基板を乾燥炉内で温度１２０℃で２０分間ベーキングし、次いで冷却して高抵抗率膜を得た。
高抵抗率膜の厚さは膜厚ゲージによって測定され、５０ｎｍであった。
高抵抗率膜の光透過率は分光計によって測定され、９６％であった。
膜の硬度は、６Ｈであった。
もちろん、タッチスクリーンは、カバープレート、偏光子、及びリード線の製造も含み、従来法を使用することができ、それらに限定されない。
高抵抗率膜の抵抗は、抵抗機器によって測定され、５×１０9Ω／ｃｍ2であり、これは高抵抗率膜が良好な電気的特性を有することを示した。高抵抗率膜の抵抗の変化率は、ベーキング実験を温度湿度チャンバ内で９０℃、湿度６０％で２４０時間行ったときに、５％であり、これは高抵抗率膜が良好な耐湿性を有することを示した。高抵抗率層の抵抗の変化率は、５分間のアルコール浸漬の後、１０％であった。抵抗の変化率は、パッド付オーブン内で６０℃で２４０時間ベーキングしたとき、５％であり、これは高抵抗率膜が良好な耐熱性を有することを示した。
タッチ感知層のＩＴＯのシート抵抗は、１５０Ωであり、膜の厚さは２５０±５０Åであった。
上述の高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンは、強い安定性を有し、容易に酸化されず、優れた電気伝導性及び良好な光透過性、並びに優れた帯電防止効果を有する。
実施例４
高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンを以下のステップによって製造した。
（１）薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）をガラス基板（第１の基板）の表面上に積層し、感知ワイヤ層を薄膜トランジスタ基板の表面上に形成した。感知ワイヤ層はＩＴＯで作製した。露光、現像、エッチングなどのステップの後に感知ワイヤが薄膜トランジスタ基板の表面上に形成され、液晶層が薄膜トランジスタ基板上に形成された。カラーフィルタを積層してＡプレートを得た。
（２）タッチ感知層を別のガラス基板（第２の基板）の表面上に形成し、このタッチ感知層はＩＴＯで作製され、これによりＢプレートを得た。
（３）Ａプレート及びＢプレートを真空環境内で貼り合わせた。カラーフィルタ及びタッチ感知層を互いに貼り合わせて、順次積層された、第１の基板、薄膜トランジスタ基板、液晶層、カラーフィルタ、タッチ感知層、及び第２の基板を得た。
（４）高抵抗率膜を、第２の基板の、タッチ感知層から遠い方の表面上に自動スプレー装置によって形成した。基板は、スプレー装置の作業台の上に送られ、自動的に位置決めされ、次いでスラリーが第２の基板上に吹き付けられた。スラリーは、酸化グラファイト、酸化スズ、界面活性剤、架橋剤、及び溶媒の混合物を含んでいた。具体的には、スラリーは、５重量部の酸化グラファイト、１２重量部の酸化スズ、２８重量部の界面活性剤、１５重量部の架橋剤、及び３６重量部の水を含んでいた。スラリーの粘度は、３８ｃＰであった。第２の基板の表面からスプレーガンまでの距離は、４０ｃｍであった。吹付圧力は、１．０ＭＰａ、作業環境は無塵空間（１００クラス）、温度は２５℃、湿度は５５％であった。吹付けが完了した後、基板を乾燥炉内で温度１１０℃で１０分間ベーキングし、次いで冷却して高抵抗率膜を得た。
高抵抗率膜の厚さは膜厚ゲージによって測定され、５０ｎｍであった。
高抵抗率膜の光透過率は分光計によって測定され、９７％であった。
膜の硬度は、６Ｈであった。
もちろん、タッチスクリーンは、カバープレート、偏光子、及びリード線の製造も含み、従来法を使用することができ、それらに限定されない。
高抵抗率膜の抵抗は、抵抗機器によって測定され、５×１０9Ω／ｃｍ2であり、これは高抵抗率膜が良好な電気的特性を有することを示した。高抵抗率膜の抵抗の変化率は、ベーキング実験を温度湿度チャンバ内で９０℃、湿度６０％で２４０時間行ったときに、５％であり、これは高抵抗率膜が良好な耐湿性を有することを示した。高抵抗率層の抵抗の変化率は、５分間のアルコール浸漬の後、１０％であった。抵抗の変化率は、パッド付オーブン内で６０℃で２４０時間ベーキングしたとき、１０％であり、これは高抵抗率膜が良好な耐熱性を有することを示した。
タッチ感知層のＩＴＯのシート抵抗は、１５０Ωであり、膜の厚さは２５０±５０Åであった。
上述の高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンは、強い安定性を有し、容易に酸化されず、優れた電気伝導性及び良好な光透過性、並びに優れた帯電防止効果を有する。
上記の実施構成は、本開示の単に特定の実施形態にすぎず、本開示の保護範囲を限定することを意図しない。本発明において開示される技術範囲内の、当業者によって容易に見いだされるいかなる変形も、本発明の保護範囲内に入ることに留意されたい。したがって、本発明の保護範囲は、添付の特許請求の範囲に従うものとする。
１０：第１の基板
２０：薄膜トランジスタ基板
３０：液晶層
４０：カラーフィルタ
５０：タッチ感知層
６０：第２の基板
７０：高抵抗率膜
８０：偏光層
９０：保護カバープレート
１００：高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン

Claims (10)

  1. 高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンであって、順次積層された、第１の基板、薄膜トランジスタ基板、液晶層、カラーフィルタ、タッチ感知層、第２の基板、及び高抵抗率膜を備え、前記薄膜トランジスタ基板には、前記液晶層に面したその表面上に複数の相互に絶縁された感知ワイヤが設けられ、前記高抵抗率膜は、前記第２の基板の、前記タッチ感知層から遠い方の表面上に形成され、前記高抵抗率膜は、前記薄膜トランジスタ基板に電気的に結合されることを特徴とする、高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン。
  2. 前記高抵抗率膜は、酸化グラファイト、酸化スズ、界面活性剤、及び架橋剤を含む混合物によって作られることを特徴とする、請求項１に記載の高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン。
  3. 前記高抵抗率膜は、４重量部から７重量部の酸化グラファイト、１０重量部から１３重量部の酸化スズ、２５重量部から３０重量部の界面活性剤、及び１０重量部から２６重量部の架橋剤を含むことを特徴とする、請求項２に記載の高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン。
  4. 前記架橋剤は、アジリジン架橋剤であることを特徴とする、請求項２に記載の高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン。
  5. 前記高抵抗率膜は、３０ｎｍから５０ｎｍまでの厚さを有することを特徴とする、請求項１に記載の高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン。
  6. 前記高抵抗率膜の、前記第２の基板から遠い方の表面上に積層された偏光層をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン。
  7. 前記偏光層の、前記高抵抗率膜から遠い方の表面上に積層された保護カバープレートをさらに備えることを特徴とする、請求項６に記載の高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン。
  8. 前記高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンは、０．６ｍｍから０．８ｍｍまでの厚さを有することを特徴とする、請求項１に記載の高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン。
  9. 前記感知ワイヤは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）で作られることを特徴とする、請求項１に記載の高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーン。
  10. 請求項１〜請求項９のいずれかに記載の高抵抗率膜を有するインセル型タッチスクリーンを備えることを特徴とする、ディスプレイデバイス。
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