JP2018514497A - Cu錯体とテトラメチルアンモニウムの組合せによるcu−cha直接合成およびその触媒的使用 - Google Patents
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Abstract
銅原子を含有するシリコアルミネート形態のCHAゼオライト構造を有する材料の直接合成方法であって、少なくとも以下の工程を含む:(i)少なくとも1つの水の供給源、少なくとも1つの銅の供給源、少なくとも1つのポリアミン、少なくとも1つの4価元素の供給源Y、少なくとも1つの3価元素の供給源X、唯一のOSDAとしてのテトラエチルアンモニウムカチオンおよびアルカリまたはアルカリの少なくとも1つの供給源(A)カチオンを含む混合物の製造、ここで、合成混合物が以下のモル組成を有する:YO2:aX2O3:bOSDA:cA:dH2O:eCu:fポリアミン(ii)(i)で得られた混合物の反応器中での結晶化;(iii)(ii)で得られた結晶性物質の回収。
Description
技術分野
本発明は、有機構造指向剤(OSDA)としてのテトラエチルアンモニウムカチオン(TEA)と銅錯体との特定の組み合わせを用いて、銅原子を有するシリコアルミネート形態のCHAゼオライトを、高い合成収率で直接合成する方法に関する。本発明はまた、本合成法に従って合成されたゼオライト材料の触媒としての使用に関する。
本発明は、有機構造指向剤(OSDA)としてのテトラエチルアンモニウムカチオン(TEA)と銅錯体との特定の組み合わせを用いて、銅原子を有するシリコアルミネート形態のCHAゼオライトを、高い合成収率で直接合成する方法に関する。本発明はまた、本合成法に従って合成されたゼオライト材料の触媒としての使用に関する。
背景
ゼオライトは、酸素原子によって相互接続されたTO4四面体(T=Si、Al、P、Ti、Geなど)によって形成されによって形成された微小孔質(マイクロポーラス)材料であり、分子の範囲内において(3−15Å)一定のサイズと形態の細孔と空洞が形成される。これらのゼオライト材料は、触媒、吸着剤またはイオン交換体として重要な用途を有する。
ゼオライトは、酸素原子によって相互接続されたTO4四面体(T=Si、Al、P、Ti、Geなど)によって形成されによって形成された微小孔質(マイクロポーラス)材料であり、分子の範囲内において(3−15Å)一定のサイズと形態の細孔と空洞が形成される。これらのゼオライト材料は、触媒、吸着剤またはイオン交換体として重要な用途を有する。
これらの材料は、多数の化学プロセスにおいて触媒として使用され、確定した化学工程のための特定の物理化学的性質を有する確定されたゼオライトの使用は、工程に関与する反応物および生成物の性質(サイズ、形状、疎水性など)または反応条件に依存する。加えて、反応体および生成物の性質は、ゼオライトの細孔および空洞におけるこれらの分子の拡散に影響を及ぼし、結果として、反応に関与する生成物に適した細孔構造を有するゼオライトの選択が必須である。さらに、ゼオライトは、必要な反応条件下で化学的および構造的に安定でなければならない。
化石燃料の消費の際、主に自動車によって放出される窒素酸化物(NOx)は、空気の最大の汚染物質の1つであるため、深刻な環境問題となっている。これに関連して、NOxのアンモニアによる選択的触媒還元(SCR)は、前記望ましくない排出物の制御の効率的な形態として実証されている。
国際ゼオライト協会(International Zeolite Association:IZA)によって受け入れられた200を超えるゼオライト構造の中で、細孔の小さいゼオライトとネットワークの位置に銅原子を含む大きな空洞は、熱水安定性に加えてNOxの選択的接触還元(SCR)に優れた触媒活性を有する(Bull,et al.,U.S.patent 7601662,2009;Moliner,et al.,WO2013/159825,2013)。細孔の小さい既知のゼオライトの中でも、チャバザイト(IZAによるコードCHA)が特に注目されている。この材料は、大きな空洞によって相互接続された小さな細孔(8A)の三方向システムによって形成され、6員(DA6)の二重リングも有する。
Cu原子を含有するシリコアルミネート形態のCHAゼオライトは、酸素の存在下で還元剤としてアンモニアを使用するNOxの選択的触媒還元(SCR)のための優れた触媒である。Cuタイプの導入は、従来合成され焼成されたゼオライトの合成後のイオン交換処理によって従来行われる。この方法は、シリコアルミネートの水熱合成、OSDAを除去するための材料の焼成、アンモニウム形態への変換、金属のイオン交換などの様々なステップを必要とし、最終的に所望の金属を有する最終ゼオライトを得るために焼成する。これらのすべての工程は、触媒材料を得る際の総コストの増加に寄与する。
近年、銅原子を含むCHA構造を有するシリコアルミネートの直接合成は、唯一のOSDAとして、試料を空気中で焼成した後に、銅のカチオン種をCHAの空洞に導入する目的で銅とポリアミンによって形成される有機金属錯体を用いることが記載されている(Chem。Commun,2011,47,9783;Chin.J.Catal.2012,33,92)。しかし、最終固体で得られるSi/Alのモル比は低い(Si/Al〜4−7)。これらの低いSi/Al比は、NOxのSCRに必要な条件(蒸気の存在および高温)における不可逆的な脱アルミニウム工程によって触媒を失活させる問題がある可能性がある。さらに、最終固体中のこれらのSi/Al比は、合成ゲルに導入されたものよりも小さく、特に、高いSi/Al比が研究されているケースにおいて、この差がより大きくなる(例えば、最終固形分の7.6のSi/Al比を得るために、ゲル中の理論比17が必要となる、例えば、Chem.Commum.2011、47、9783の表1の実施例Cu−ZJM−1−35参照)。Si/Al比の間のこれらの差異は、合成媒体に導入されたSi種の一部が溶液中に残り、最終固体に取り込むことができず、低い固体収率となる(Si/Al比7を超えるものが使用された場合50%未満)。また、この合成方法により、ゼオライト中に取り込まれる銅の量を制御することも不可能であり、常に9質量%を超える値を得る。一般に、ゼオライト試料中の銅の含有量が多いほど、触媒が示す水熱安定性が低いことが文献で広く認められている(Chem.Commun.、2012,48,8264)。この合成方法は、触媒のSi/Al比およびCu含有量を制御することができないのは明らかであり、その特性は、触媒の活性および安定性にとって非常に重要である。
シリコアルミネート形態のCHAゼオライトの合成のための好ましいOSDAは、カチオンN,N,N−トリメチル−1−アダマンタンアンモニウム(TMAdA)(Zones,U.S.Patent4544538,1985,Chevronに帰属)である。最近、CHAのシリコアルミネート形態の合成のための効率的なOSDAとしてのベンジルトリメチルアンモニウム(BzTMA)の使用も記載されている(Miller et al.,U.S.Patent 8007764,2011,Chevronに帰属)。
CHAの形成を導くTMAdAおよびBzTMAカチオンの機能を考慮し、前記OSDAと銅錯体との特定の混合物を用いたCu原子を含むそのシリコアルミネート形態のCHA構造の直接合成が、最近開示されている(Trukhan et al.,U.S.Patent 2011/0076229,2011;およびMoliner et al.,WO2014/090698,2014)。これらの記載は、これらの材料の合成をより大きなSi/Al範囲に向けることを可能にするが、それらにはいくつかの欠点がある。Trukhanらによって記載された方法においては、アンモニアを銅塩で添加することによって形成される有機金属銅錯体に加えて、TMAdA、BzTMAおよびテトラメチルアンモニウムから選択される2つの有機分子の併用を常に必要とする(Trukhan et al.,U.S.Patent 2011/0076229)。種々のOSDAの併用を避けることを目的とし、また、Molinerらにおいては、非常に腐食性で危険な物質の製造におけるアンモニアの使用を避けることに加えて、銅原子を有するシリコアルミネート形態中のCHA構造の直接合成においては、商業的に使用可能な直鎖状ポリアミン(テトラエチレンペンタミン、TEPA)および銅塩によって形成される銅錯体と共に、単一の有機分子(TMAdA)を使用することが記載されている。しかしながら、TMAdAカチオンは高価であり、所望の材料を著しく高価にし、このゼオライトの商業的使用が制限される。
Chem.Commun,2011,47,9783
Chin.J.Catal.2012,33,92
Chem.Commun.,2012,48,8264
従って、銅原子を含有するそのシリコアルミネート形態のCHA材料の直接合成に示されている進歩にもかかわらず、当分野においては、他のより経済的なOSDAを使用してこの材料の製造のためのコストを低減する必要が依然として存在する。
発明の説明
本発明は、内部にCu原子を含有するCHAゼオライト構造体をシリコアルミネート形態で直接合成する新規な方法に関する。この新規な方法は、CHAゼオライト構造の結晶化を導くことができるテトラエチルアンモニウム(TEA)などの商業的に利用できかつ経済的なOSDAとの銅有機金属錯体の組み合わせを必要とする。この合成法であれば、内部に銅原子を含有するシリコアルミネート形態のCHAゼオライト構造を、高い合成収率で直接合成することができ、金属イオン交換の周知の合成後の方法による前記材料に到達するために必要な工程を回避することができる。
本発明は、内部にCu原子を含有するCHAゼオライト構造体をシリコアルミネート形態で直接合成する新規な方法に関する。この新規な方法は、CHAゼオライト構造の結晶化を導くことができるテトラエチルアンモニウム(TEA)などの商業的に利用できかつ経済的なOSDAとの銅有機金属錯体の組み合わせを必要とする。この合成法であれば、内部に銅原子を含有するシリコアルミネート形態のCHAゼオライト構造を、高い合成収率で直接合成することができ、金属イオン交換の周知の合成後の方法による前記材料に到達するために必要な工程を回避することができる。
本発明はまた、例えばNOxの選択的接触還元(SCR)のための、本発明の方法によって得られるCHA構造のCu含有シリコアルミネート形態を有する材料の触媒としての使用にも関する。
したがって、本発明は、銅原子を含有するそのシリコアルミネート形態のCHAゼオライト構造を有する材料の直接合成方法であって、以下の工程を少なくとも含む:
(i)少なくとも1つの水の供給源、少なくとも1つの銅の供給源、Cu有機金属錯体を形成するための少なくとも1つのポリアミン、少なくとも1つの4価元素Yの供給源、少なくとも1つの3価元素Xの供給源、唯一のOSDAとしてのテトラエチルアンモニウム(TEA)カチオンおよびアルカリまたはアルカリ土類(A)カチオンの少なくとも1つの供給源を含む混合物の製造、
ここで、合成混合物は以下のモル組成を有する:
YO2:aX2O3:bOSDA:cA:dH2O:eCu:fポリアミン
ここで
aは0.001〜0.2、好ましくは0.005〜0.1、より好ましくは0.01〜0.07の範囲であり
bは0.01〜2、好ましくは0.1〜1、より好ましくは0.1〜0.6の範囲であり;
cは0〜2、好ましくは0.001〜1、より好ましくは0.01〜0.8の範囲であり;
dは1〜200;好ましくは1〜50、より好ましくは2〜20の範囲であり;
eは0.001〜1;好ましくは0.001〜0.6、より好ましくは0.001〜0.5の範囲であり;
fは0.001から1;好ましくは0.001〜0.6、より好ましくは0.001〜0.5の範囲である。
(ii)反応器中で(i)で得られた混合物の結晶化。
(iii)(ii)で得られた結晶性材料の回収。
(i)少なくとも1つの水の供給源、少なくとも1つの銅の供給源、Cu有機金属錯体を形成するための少なくとも1つのポリアミン、少なくとも1つの4価元素Yの供給源、少なくとも1つの3価元素Xの供給源、唯一のOSDAとしてのテトラエチルアンモニウム(TEA)カチオンおよびアルカリまたはアルカリ土類(A)カチオンの少なくとも1つの供給源を含む混合物の製造、
ここで、合成混合物は以下のモル組成を有する:
YO2:aX2O3:bOSDA:cA:dH2O:eCu:fポリアミン
ここで
aは0.001〜0.2、好ましくは0.005〜0.1、より好ましくは0.01〜0.07の範囲であり
bは0.01〜2、好ましくは0.1〜1、より好ましくは0.1〜0.6の範囲であり;
cは0〜2、好ましくは0.001〜1、より好ましくは0.01〜0.8の範囲であり;
dは1〜200;好ましくは1〜50、より好ましくは2〜20の範囲であり;
eは0.001〜1;好ましくは0.001〜0.6、より好ましくは0.001〜0.5の範囲であり;
fは0.001から1;好ましくは0.001〜0.6、より好ましくは0.001〜0.5の範囲である。
(ii)反応器中で(i)で得られた混合物の結晶化。
(iii)(ii)で得られた結晶性材料の回収。
本発明において、Yは、Si、Sn、Ti、Geおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される4価の元素であることが好ましく、YはSiであることがより好ましい。
使用されるSi供給源は、酸化ケイ素、ハロゲン化ケイ素、コロイドシリカ、ヒュームドシリカ、テトラアルキルオルトシリケート、シリケート、ケイ酸、予め合成された結晶性材料(結晶材料)、予め合成された非晶質材料及びそれらの組み合わせから選択することができ、より好ましくは予め合成された結晶性材料、予め合成された非晶質材料およびそれらの組み合わせから選択された材料から選択され、より好ましくは、あらかじめ合成された結晶性材料である。
本発明によれば、Xは、好ましくはAl、B、Fe、In、Gaおよびそれらの組み合わせから選択することができる三価元素であり、より好ましくは、XはAlである。
使用されるAlの供給源は、任意のアルミニウム塩、任意の水和酸化アルミニウム、任意のアルミニウムアルコキシド、予め合成された結晶性材料、予め合成された非晶質材料およびそれらの組み合わせから選択することができ、より好ましくは予め合成された結晶性材料、予め合成された非晶質材料およびそれらの組み合わせから選択された材料から選択され、より好ましくは、あらかじめ合成された結晶性材料である。
本発明の特定の実施形態によれば、FAUゼオライト構造を有する結晶質材料は、(i)YおよびXの唯一の供給源として、好ましくはシリコンおよびアルミニウムが存在すればよく、Si/Al比が好ましくは7より大きい。
したがって、本発明の特定の実施形態によれば、YはSiであり、XはAlである。その結果、高い合成収率で銅原子を含むそのシリコアルミネート形態のCHAゼオライト構造を有する材料を直接合成する方法は、少なくとも以下のステップ:
(i)少なくとも1つの水源、少なくとも1つの銅源、Cu有機金属錯体を形成するための少なくとも1つのポリアミン、シリコンおよびアルミニウムの唯一の供給源としてのFAU結晶構造を有する少なくとも1つのゼオライト、例えばゼオライトY、唯一のOSDAとしてのテトラエチルアンモニウムカチオンおよびアルカリまたはアルカリ土類(A)カチオンの少なくとも1つの供給源を含む混合物の製造、ここで、合成混合物は以下のモル組成を有する:
SiO2:aAl2O3:bOSDA:cA:dH2O:eCu:fポリアミン
ここで
aは0.001〜0.2、好ましくは0.005〜0.1、より好ましくは0.01〜0.07の範囲であり、
bは0.01〜2、好ましくは0.1〜1、より好ましくは0.1〜0.6の範囲であり;
cは0〜2、好ましくは0.001〜1、より好ましくは0.01〜0.8の範囲であり、
dは1〜200;好ましくは1〜50、より好ましくは2〜20の範囲であり;
eは0.001〜1;好ましくは0.001〜0.6、より好ましくは0.001〜0.5の範囲であり、
fは0.001〜1;好ましくは0.001〜0.6、より好ましくは0.001〜0.5の範囲である。
(ii)(i)で得られた混合物の反応器中での結晶化;
(iii)(ii)で得られた結晶性材料の回収。
(i)少なくとも1つの水源、少なくとも1つの銅源、Cu有機金属錯体を形成するための少なくとも1つのポリアミン、シリコンおよびアルミニウムの唯一の供給源としてのFAU結晶構造を有する少なくとも1つのゼオライト、例えばゼオライトY、唯一のOSDAとしてのテトラエチルアンモニウムカチオンおよびアルカリまたはアルカリ土類(A)カチオンの少なくとも1つの供給源を含む混合物の製造、ここで、合成混合物は以下のモル組成を有する:
SiO2:aAl2O3:bOSDA:cA:dH2O:eCu:fポリアミン
ここで
aは0.001〜0.2、好ましくは0.005〜0.1、より好ましくは0.01〜0.07の範囲であり、
bは0.01〜2、好ましくは0.1〜1、より好ましくは0.1〜0.6の範囲であり;
cは0〜2、好ましくは0.001〜1、より好ましくは0.01〜0.8の範囲であり、
dは1〜200;好ましくは1〜50、より好ましくは2〜20の範囲であり;
eは0.001〜1;好ましくは0.001〜0.6、より好ましくは0.001〜0.5の範囲であり、
fは0.001〜1;好ましくは0.001〜0.6、より好ましくは0.001〜0.5の範囲である。
(ii)(i)で得られた混合物の反応器中での結晶化;
(iii)(ii)で得られた結晶性材料の回収。
本発明によれば、任意のCu供給源を(i)において使用することができる。好ましくは、銅供給源はとりわけ硝酸塩、硫酸塩およびシュウ酸塩およびそれらの組み合わせから選択することができる。
本発明によれば、(i)で形成された混合物は任意のリン供給源を含まない。
本発明の好ましい実施形態によれば、(i)で形成される混合物は、任意のフッ化物の供給源を含まなくてもよい。
本発明の好ましい実施形態によれば、アルカリ又はアルカリ土類カチオンは、これらの元素の任意の供給源であってもよく、好ましくは、Na、K及びそれらの組み合わせの供給源から選択される。
本発明によれば、銅原子と錯体を形成することができる任意のポリアミンまたは異なるポリアミンの混合物が、その形態(環状、直鎖、分岐など)、アミンの性質(第一級、第二級、または第三級)に関わらず、(i)において使用されることができる。好ましくは、前記ポリアミンは、とりわけ、テトラエチレンペンタミン、トリエチレンテトラアミン、1,4,8,11−テトラアザシクロテトラデカン、1,4,8,11−テトラメチル−1,4,8,11−テトラアザシクロテトラデカン、およびそれらの組み合わせから選択することができる。好ましくは、ポリアミンはテトラエチレンペンタミンである。
本発明によれば、(ii)に記載された結晶化工程は、オートクレーブ中で、選択された温度で静的または動的(例えば、混合物の攪拌による)100〜200℃、好ましくは130〜200℃、より好ましくは130〜175℃の間で選択される温度において;6時間〜50日、好ましくは1日〜20日、より好ましくは2日〜15日であり得る結晶化時間の条件において実施される。合成混合物の成分は、記載された結晶化条件を変えることができる種々の供給源に由来し得ることを考慮に入れなければならない。
本発明の方法の特定の実施形態によれば、記載された合成を容易にするシード(種)として作用するCHA結晶を合成混合物に、酸化物の全量に対して25質量%までの量で添加することが可能である。これらの結晶は、結晶化工程の前または最中に添加することができる。
本発明の方法によれば、(ii)に記載の結晶化の後、得られた固体は母液から分離され、回収される。回収段階(iii)は、例えば、デカンテーション、ろ過、限外ろ過、遠心分離または任意の他の固液分離技術およびそれらの組み合わせなど、異なる公知の分離技術によって行うことができる。
本発明の方法はまた、抽出工程によって材料の内部に閉じ込められた有機成分の除去を含むことができる。
本発明の特定の実施形態によれば、材料の内部に閉じ込められた有機化合物の除去は、25℃以上、好ましくは100〜1000℃の温度による熱処理で、好ましくは2分〜25時間の期間で実施されることができる。
本発明の特定の実施形態によれば、前述の材料を得るための工程において、含浸、イオン交換またはそれらの組み合わせなどの合成後の工程によって、少なくとも1種の金属を導入することもできる。これらの金属は、好ましくは貴金属から選択され、より好ましくはPt、Pdおよびそれらの組み合わせから選択され、好ましくは骨格外の位置にある。
本発明の別の特定の実施形態によれば、前述の材料を得るための工程において、好ましくはPt、Pdおよびそれらの組み合わせから選択される少なくとも1つの貴金属を含む金属酸化物も導入することができる。
別の特定の実施形態によれば、本発明に従って製造された材料は、任意の公知の技術を用いてペレット化することができる。
好ましい実施形態によれば、本発明により得られた材料は焼成することができる。したがって、CHA構造を有するゼオライト材料は、焼成後に以下のモル組成を有することができる:
YO2:oX2O3:pA:rCu
oは0.001〜0.2、好ましくは0.005〜0.1、より好ましくは0.01〜0.07の範囲であり;
pは0〜2;好ましくは0.001〜1、より好ましくは0.01〜0.8の範囲でありの間であり;
rは0.001〜1、好ましくは0.001〜0.6、より好ましくは0.001〜0.5の範囲である。
YO2:oX2O3:pA:rCu
oは0.001〜0.2、好ましくは0.005〜0.1、より好ましくは0.01〜0.07の範囲であり;
pは0〜2;好ましくは0.001〜1、より好ましくは0.01〜0.8の範囲でありの間であり;
rは0.001〜1、好ましくは0.001〜0.6、より好ましくは0.001〜0.5の範囲である。
特定の実施形態によれば、YはSiであり、XはAlであり、したがって、CHA構造を有するゼオライト材料は、焼成後に以下のモル組成を有することができる:
SiO2:Al2O3:pA:rCu
oは0.001〜0.2、好ましくは0.005〜0.1、より好ましくは0.01〜0.07の範囲であり;
pは0〜2;好ましくは0.001〜1、より好ましくは0.01〜0.8の範囲であり;
rは0.001〜1、好ましくは0.001〜0.6、より好ましくは0.001〜0.5の範囲である。
SiO2:Al2O3:pA:rCu
oは0.001〜0.2、好ましくは0.005〜0.1、より好ましくは0.01〜0.07の範囲であり;
pは0〜2;好ましくは0.001〜1、より好ましくは0.01〜0.8の範囲であり;
rは0.001〜1、好ましくは0.001〜0.6、より好ましくは0.001〜0.5の範囲である。
好ましい実施形態によれば、得られる材料はCu−SSZ−13である。
本発明の特定の実施形態によれば、得られたCHA構造を有するゼオライト材料は、好ましくはPd、Ptおよびこれらの組み合わせから選択される貴金属も含むことができる。
本発明はまた、有機化合物によって形成された供給生成物を、より高い付加価値を有する生成物に変換するための触媒として、または(例えば、ガス混合物)流の除去/分離のためのモレキュラーシーブ(分子種)として、本発明の方法の得られた材料と供給生成物とを接触させる、本発明の方法により得られた前記に示された材料の使用方法に関する。
特定の実施形態によれば、本発明で得られた材料は、ガス流中のNOx(窒素酸化物)の選択的触媒還元(SCR)反応における触媒として使用することができる。NOxのSCRは、特に還元剤、好ましくはアンモニウム、尿素、炭化水素およびそれらの組み合わせから選択される還元剤の存在下で実施されることができる。この特定の実施形態によれば、NOx(窒素酸化物)の選択的触媒還元(SCR)は、基材としてモノライトを使用して実施することができ、ガス流が通過できるように本発明により得られたゼオライト材料の層を適用して、所望の反応を実施することができる。同様に、本発明により得られたゼオライト材料の層は、例えばガス流が通過するフィルタのような他の基材に適用することができる。
本発明の別の特定の実施形態によれば、本発明により合成され、PtまたはPdなどの貴金属を含む材料は、アンモニアの窒素への選択的酸化のための触媒として使用することができる。この特定の実施形態によれば、アンモニアの窒素への選択的触媒酸化は、基材としてモノライトを使用し、ガス流が通過することができるように本発明により得られたゼオライト材料の層を適用し、所望の反応を実施する。同様に、本発明により得られたゼオライト材料の層は、とりわけ、ガス流が通過する他の基材に適用することができる。
別の特定の実施形態によれば、本発明に従って記載される材料は、メタンからメタノールへの変換に使用することができる(Wulfers,et al.Chem.Commun.2015,51,4447)。
明細書および特許請求の範囲を通じて、「含む」という単語およびその変形は、他の技術的特徴、追加、構成要素またはステップを排除することを意図するものではない。当業者にとって、本発明の他の目的、利点および特徴は、部分的には明細書の記載から、部分的には本発明の実施から明らかになるであろう。
例
例1:CHA構造を有するCu−シリコアルミネートの直接合成
硫酸銅(II)(CuSO4、Alfa Aesar、98%)の20質量%水溶液1122.2mgを、テトラエチレンペンタミン(TEPA、98%、Sigma Aldrich)266.2mgと混合して、銅有機金属錯体をそのまま(in situ)で製造し、得られた混合物を2時間撹拌し続けた。この後、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAOH、Sigma Aldrich、水中35質量%)の水溶液9487.3mgおよび水酸化ナトリウム20質量%の水溶液1150.1mgを加え、得られた混合物を15分間撹拌した。最後に、FAU構造(CBV−720、モル比SiO2/Al2O3=21)を有する3608.5mgのゼオライトを合成混合物に導入し、所望のゲル濃度が得られるまで過剰の水を蒸発させるのに必要な時間攪拌した。ゲルの最終組成は、SiO2:0.047Al2O3:0.022Cu(TEPA)2+:0.4TEAOH:0.1NaOH:4H2Oである。得られたゲルを、テフロン(登録商標)ライナーを備えたオートクレーブに移す。結晶化は静的条件下において、160℃で7日間実施する。固体生成物をろ過し、多量の水ですすぎ、100℃で乾燥し、最後に空気中において550℃で4時間焼成して有機残留物を除去する。得られる固体の収率は90%より大きい(有機残基を考慮しない)。
例1:CHA構造を有するCu−シリコアルミネートの直接合成
硫酸銅(II)(CuSO4、Alfa Aesar、98%)の20質量%水溶液1122.2mgを、テトラエチレンペンタミン(TEPA、98%、Sigma Aldrich)266.2mgと混合して、銅有機金属錯体をそのまま(in situ)で製造し、得られた混合物を2時間撹拌し続けた。この後、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAOH、Sigma Aldrich、水中35質量%)の水溶液9487.3mgおよび水酸化ナトリウム20質量%の水溶液1150.1mgを加え、得られた混合物を15分間撹拌した。最後に、FAU構造(CBV−720、モル比SiO2/Al2O3=21)を有する3608.5mgのゼオライトを合成混合物に導入し、所望のゲル濃度が得られるまで過剰の水を蒸発させるのに必要な時間攪拌した。ゲルの最終組成は、SiO2:0.047Al2O3:0.022Cu(TEPA)2+:0.4TEAOH:0.1NaOH:4H2Oである。得られたゲルを、テフロン(登録商標)ライナーを備えたオートクレーブに移す。結晶化は静的条件下において、160℃で7日間実施する。固体生成物をろ過し、多量の水ですすぎ、100℃で乾燥し、最後に空気中において550℃で4時間焼成して有機残留物を除去する。得られる固体の収率は90%より大きい(有機残基を考慮しない)。
この固体は粉末X線回折によって特徴付けられ、CHA構造のピーク特性を得る(図1参照)。
焼成無しに得られた結晶質材料は、UV−Vis分光法によって特徴付けられ、ゼオライトの結晶化後の銅有機金属錯体の分子の安定性を検証する。図2に見られるように、UV−Visスペクトルは、〜265nmを中心とする単一のバンドを示し、これは、ゼオライト構造の内部にCu−TEPA複合体が無傷で存在することに帰属されている(Franco、et al、2013/159828、2012)。
実施例2:CHA構造を有するCu−シリコアルミネートの直接合成
硫酸銅(II)(CuSO4、Alfa Aesar、98%)の20質量%の水溶液380.2mgを90.2mgのテトラエチレンペンタミン(TEPA、98%、Sigma Aldrich)と混合して、銅有機金属錯体をそのまま(in situ)で製造し、得られた混合物を2時間撹拌し続けた。この後、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAOH、Sigma Aldrich、水中35質量%)の水溶液1578.0mgおよび水酸化ナトリウム20質量%の水溶液230.1mgを添加し、得られた混合物を15分間撹拌した。最後に、FAU構造を有するゼオライト(CBV−720、モル比モル比SiO2/Al2O3=21)601.3mgを合成混合物に導入し、所望のゲル濃度が得られるまで過剰の水を蒸発させるのに必要な時間攪拌された。ゲルの最終組成は、SiO2:0.047Al2O3:0.045Cu(TEPA)2+:0.4TEAOH:0.1NaOH:4H2Oである。得られたゲルを、テフロン(登録商標)ライナーを備えたオートクレーブに移す。結晶化は静的条件において160℃で7日間実施する。固体生成物をろ過し、多量の水ですすぎ、100℃で乾燥し、最後に空気中において550℃で4時間焼成して有機残留物を除去する。得られる固体の収率は90%より大きい(有機残基を考慮しない)。
硫酸銅(II)(CuSO4、Alfa Aesar、98%)の20質量%の水溶液380.2mgを90.2mgのテトラエチレンペンタミン(TEPA、98%、Sigma Aldrich)と混合して、銅有機金属錯体をそのまま(in situ)で製造し、得られた混合物を2時間撹拌し続けた。この後、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAOH、Sigma Aldrich、水中35質量%)の水溶液1578.0mgおよび水酸化ナトリウム20質量%の水溶液230.1mgを添加し、得られた混合物を15分間撹拌した。最後に、FAU構造を有するゼオライト(CBV−720、モル比モル比SiO2/Al2O3=21)601.3mgを合成混合物に導入し、所望のゲル濃度が得られるまで過剰の水を蒸発させるのに必要な時間攪拌された。ゲルの最終組成は、SiO2:0.047Al2O3:0.045Cu(TEPA)2+:0.4TEAOH:0.1NaOH:4H2Oである。得られたゲルを、テフロン(登録商標)ライナーを備えたオートクレーブに移す。結晶化は静的条件において160℃で7日間実施する。固体生成物をろ過し、多量の水ですすぎ、100℃で乾燥し、最後に空気中において550℃で4時間焼成して有機残留物を除去する。得られる固体の収率は90%より大きい(有機残基を考慮しない)。
この固体は粉末X線回折によって特徴付けられ、CHA構造のピーク特性を得る(図1参照)。サンプルの化学分析は、Si/Al比が10.3であり、銅含有量が4.1質量%であることを示している。
焼成せずに得られた結晶質材料は、UV−Vis分光法によって特徴付けられ、ゼオライトの結晶化後の銅有機金属錯体の分子の安定性を研究する。図2に見られるように、UV−Visスペクトルは、〜265nmを中心とする単一のバンドを示し、これは、Cu−TEPA複合体がゼオライト構造の内部に無傷で存在することに帰属されている(Franco、et al、2013/159828、2012)。
実施例3:CHA構造を有するCu−シリコアルミネートの直接合成
硫酸銅(II)(CuSO4、Alfa Aesar、98%)20質量%の水溶液234.0mgをテトラエチレンペンタミン(TEPA、98%、Sigma Aldrich)53.2mgと混合して、銅有機金属錯体をそのまま(in situ)で製造し、得られた混合物を2時間撹拌し続けた。この後、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAOH、Sigma Aldrich、水中35質量%)の水溶液959.1mgおよび20質量%の水酸化ナトリウムの水溶液225.1mgおよび水562.9mgを添加し、得られた混合物を15分間攪拌しながら維持した。最後に、FAU構造を有するゼオライト(CBV−720、モル比SiO2/Al2O3=21)365.3mgを合成混合物に導入し、所望のゲル濃度が得られるまで過剰の水を蒸発させるのに必要な時間攪拌された。ゲルの最終組成は、SiO2:0.047Al2O3:0.045Cu(TEPA)2+:0.4TEAOH:0.2NaOH:13H2Oである。得られたゲルを、テフロンライナーを備えたオートクレーブに移す。結晶化は静的条件において160℃で7日間実施する。固体生成物をろ過し、多量の水ですすぎ、100℃で乾燥し、最後に空気中において550℃で4時間焼成して有機残留物を除去する。得られる固体の収率は90%より大きい(有機残基を考慮しない)。
硫酸銅(II)(CuSO4、Alfa Aesar、98%)20質量%の水溶液234.0mgをテトラエチレンペンタミン(TEPA、98%、Sigma Aldrich)53.2mgと混合して、銅有機金属錯体をそのまま(in situ)で製造し、得られた混合物を2時間撹拌し続けた。この後、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAOH、Sigma Aldrich、水中35質量%)の水溶液959.1mgおよび20質量%の水酸化ナトリウムの水溶液225.1mgおよび水562.9mgを添加し、得られた混合物を15分間攪拌しながら維持した。最後に、FAU構造を有するゼオライト(CBV−720、モル比SiO2/Al2O3=21)365.3mgを合成混合物に導入し、所望のゲル濃度が得られるまで過剰の水を蒸発させるのに必要な時間攪拌された。ゲルの最終組成は、SiO2:0.047Al2O3:0.045Cu(TEPA)2+:0.4TEAOH:0.2NaOH:13H2Oである。得られたゲルを、テフロンライナーを備えたオートクレーブに移す。結晶化は静的条件において160℃で7日間実施する。固体生成物をろ過し、多量の水ですすぎ、100℃で乾燥し、最後に空気中において550℃で4時間焼成して有機残留物を除去する。得られる固体の収率は90%より大きい(有機残基を考慮しない)。
この固体は粉末X線回折によって特徴付けられ、CHA構造のピーク特性を得る(図1参照)。
焼成せずに得られた結晶質材料は、UV−Vis分光法によって特徴付けられ、ゼオライトの結晶化後の銅有機金属錯体の分子の安定性を検証する。図2に見られるように、UV−Visスペクトルは、〜265nmを中心とする単一のバンドを示し、これは、Cu−TEPA複合体がゼオライト構造の内部に無傷で存在することに帰属されている(Franco、et al、2013/159828、2012)。
実施例4:NOxのSCR反応のための触媒試験
直径1.2cm、長さ20cmの固定床を有する石英管状反応器を用いて、NOxの選択的触媒還元のための触媒活性を検討した。典型的な実験では、触媒を0.25〜0.42mmの大きさの粒子に圧縮する。それらを反応器に導入し、温度を550℃に達するまで上昇させる(表1の反応条件参照)。引き続いて、この温度を窒素流下で1時間維持する。所望の温度に達すると、反応混合物が供給される。還元剤としてNH3を用いてNOxのSCRを調べた。反応器からのガスの出口に存在するNOxは、化学発光検出器(Thermo 62C)を用いて連続的に分析される。触媒結果を表2に要約する。
直径1.2cm、長さ20cmの固定床を有する石英管状反応器を用いて、NOxの選択的触媒還元のための触媒活性を検討した。典型的な実験では、触媒を0.25〜0.42mmの大きさの粒子に圧縮する。それらを反応器に導入し、温度を550℃に達するまで上昇させる(表1の反応条件参照)。引き続いて、この温度を窒素流下で1時間維持する。所望の温度に達すると、反応混合物が供給される。還元剤としてNH3を用いてNOxのSCRを調べた。反応器からのガスの出口に存在するNOxは、化学発光検出器(Thermo 62C)を用いて連続的に分析される。触媒結果を表2に要約する。
Claims (34)
- 銅原子を含有するシリコアルミネート形態のCHAゼオライト構造を有する材料の直接合成方法であって、少なくとも以下の工程を含む:
(i)少なくとも1つの水の供給源、少なくとも1つの銅の供給源、少なくとも1つのポリアミン、少なくとも1つの4価元素の供給源Y、少なくとも1つの3価元素の供給源X、唯一のOSDAとしてのテトラエチルアンモニウムカチオンおよびアルカリまたはアルカリの少なくとも1つの供給源(A)カチオンを含む混合物の製造、ここで、合成混合物が以下のモル組成を有する:
YO2:aX2O3:bOSDA:cA:dH2O:eCu:fポリアミン
ここで、
aは0.001〜0.2の範囲であり;
bは0.01〜2の範囲であり;
cは0〜2の範囲であり;
dは1〜200の範囲であり;
eは0.001〜1の範囲であり;
fは0.001〜1の範囲であり;
(ii)(i)で得られた混合物の反応器中での結晶化;
(iii)(ii)で得られた結晶性物質の回収。 - cが0.001〜1の範囲であることを特徴とする、請求項1に記載の材料の直接合成方法。
- Yが、Si、Sn、Ti、Geおよびこれらの組み合わせから選択される4価元素であることを特徴とする、請求項1に記載の材料の直接合成方法。
- YがSiであり、酸化ケイ素、ハロゲン化ケイ素、コロイドシリカ、ヒュームドシリカ、テトラアルキルオルトシリケート、ケイ酸塩、ケイ酸、予め合成された結晶性材料、予め合成された非晶質材料およびそれらの組み合わせから選択される供給源に由来することを特徴とする、請求項3に記載の材料の直接合成方法。
- Yの前記供給源が予め合成された結晶性材料であることを特徴とする、請求項4に記載の材料の直接合成方法。
- XがAl、B、Fe、In、Gaおよびそれらの組み合わせから選択されることを特徴とする請求項1に記載の材料の直接合成方法。
- XがAlであり、アルミニウム塩、任意の水和酸化アルミニウム、任意のアルミニウムアルコキシド、予め合成された結晶性材料、予め合成された非晶質材料、およびそれらの混合物から選択される供給源に由来することを特徴とする請求項6に記載の材料の直接合成方法。
- Xの前記供給源が予め合成された結晶性材料であることを特徴とする請求項7に記載の材料の直接合成方法。
- FAU構造を有するゼオライトが、YおよびXの唯一の供給源であることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載の材料の直接合成方法。
- 工程(i)において、任意の銅の供給源を用いることができることを特徴とする、請求項1に記載の材料の直接合成方法。
- 前記銅の供給源が、硝酸塩、硫酸塩およびシュウ酸塩またはそれらの混合物から選択されることを特徴とする、請求項10に記載の材料の直接合成方法。
- 工程(i)の前記ポリアミンが、第一級、第二級、第三級アミンまたはそれらの混合物を含むことを特徴とする、請求項1に記載の材料の直接合成方法。
- 工程(i)において必要とされる前記ポリアミンが、テトラエチレンペンタミン、トリエチレンテトラアミン、1,4,8,11−テトラアザシクロテトラデカン、1,4,8,11−テトラメチル−1,4,8,11−テトラアザシクロテトラデカン、およびこれらの組み合わせから選択されることを特徴とする、請求項12に記載の材料の直接合成方法。
- 工程(i)で使用されるポリアミンがテトラエチレンペンタミンであることを特徴とする、請求項13に記載の材料の直接合成方法。
- (ii)に記載の結晶化工程が、オートクレーブ中、静的条件または動的条件で実施されることを特徴とする、請求項1〜14のいずれか一項に記載の材料の直接合成方法。
- (ii)に記載の結晶化工程が、100〜200℃の温度で実施されることを特徴とする、請求項1〜15のいずれか一項に記載の材料の直接合成方法。
- (ii)に記載の方法の結晶化時間が、6時間〜50日であることを特徴とする、請求項1〜16のいずれか一項に記載の材料の直接合成方法。
- CHA結晶をシードとして合成混合物に酸化物の全量に対して25質量%までの量で添加することをさらに含む、請求項1〜17のいずれか一項に記載の材料の直接合成方法。
- 回収工程(iii)が、デカンテーション、ろ過、限外ろ過、遠心分離およびそれらの組み合わせから選択される分離技術を用いて行われることを特徴とする、請求項1に記載の材料の直接合成方法。
- 抽出工程によって材料の内部に閉じ込められた有機成分を除去することをさらに含むことを特徴とする、請求項1〜19のいずれか一項に記載の材料の直接合成方法。
- 2分間〜25時間の期間で100〜1000℃の温度での熱処理によって材料の内部に閉じ込められた有機成分を除去することをさらに含むことを特徴とする、請求項1〜20のいずれか一項に記載の材料の直接合成方法。
- 得られた前記材料をペレット化することを特徴とする、請求項1〜21のいずれか一項に記載の材料の直接合成方法。
- 少なくとも1つの貴金属を導入することをさらに含むことを特徴とする、請求項1〜22のいずれか一項に記載の材料の直接合成方法。
- 前記貴金属が、Pd、Pt及びこれらの組み合わせから選択されることを特徴とする、請求項23に記載の材料の直接合成方法。
- 焼成後に以下のモル組成となることを特徴とする、請求項1〜24に記載の方法により得られたCHA構造を有するゼオライト材料:
YO2:oX2O3:pA:rCu
ここで、
oは0.001〜0.2の範囲であり;
pは0〜2の範囲であり;
rは0.001〜1の範囲である。 - YがSiであり、XがAlであり、以下のモル組成であることを特徴とする、請求項25に記載のCHA構造を有するゼオライト材料:
SiO2:oAl2O3:pA:rCu
ここで、
oは0.001〜0.2の範囲であり;
pは0〜2の範囲であり;
rは0.001〜1の範囲である。 - 前記材料がCu−SSZ−13であることを特徴とする、請求項25または26に記載のCHA構造を有するゼオライト材料。
- 貴金属をさらに含むことを特徴とする、請求項25〜27のいずれか一項に記載のCHA構造を有するゼオライト材料。
- 前記貴金属が、Pd、Ptおよびこれらの組み合わせから選択されることを特徴とする請求項28に記載のCHA構造を有するゼオライト材料。
- 有機化合物により形成された供給生成物をより付加価値の高い生成物に転化する方法において、または、前記供給生成物を前記材料と接触させておく反応性流の除去/分離のための請求項1〜24のいずれか一項に記載の方法によって得られた請求項25〜29のいずれか一項に記載されたCHA構造を有するゼオライト材料の使用。
- ガス流中の窒素酸化物(NOx)の選択的接触還元(SCR)のための触媒としての、請求項30に記載のCHA構造を有するゼオライト材料の使用。
- アンモニア、尿素、炭化水素およびこれらの組み合わせから選択される還元剤の存在下で行われることを特徴とする、NOxのSCRのための触媒としての、請求項31に記載のCHA構造を有するゼオライト材料の使用。
- メタンからメタノールへの変換における触媒としての、請求項30に記載のCHA構造を有するゼオライト材料の使用。
- アンモニアの窒素への選択的酸化における触媒としての、請求項28または29に記載のCHA構造を有するゼオライト材料の使用。
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