JP2018505071A - ペーストインプリンティングによる高容量の構造体及びモノリス - Google Patents
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Abstract
Description
この出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる、ペーストインプリンティングによる高容量の構造体及びモノリス(HIGH CAPACITY STRUCTURES AND MONOLITH VIA PASTE IMPRINTING)と題した2014年11月11日出願の米国仮特許出願第62/077,977号の優先権の利益を主張する。
この開示の様々な実施形態は一般に、複合材料を支持体上に被覆し、複数の支持体を一緒に積層して層状組立体又は構造体を形成することにより調製される、構造体及びモノリスに関する。複合材料はその中に活性物質、典型的には触媒又は吸着剤を有していてもよい。この技術は、ガス吸着、媒体分離、又は触媒プロセスのためのモノリスを調製するのに応用することができる。
この開示の実施形態は、層状被覆支持体及び隣接した層状被覆支持体間の通路を含む構造体であってもよい。各層状被覆支持体は、第1及び第2の面を有する支持体、並びに支持体の少なくとも第1の面上の複合材であってもよい。複合材は活性物質を含んでいてもよく、複合材の表面に形体を有していてもよい。構造体の通路は、層状構造体の第1の面上の被覆物中の形体を、隣接した層状構造の面と接触させることによって、形成することができる。複合材はバインダーを含んでいてもよい。
いくつかの実施形態において、支持体は金属基材であってもよい。支持体はシート、箔、又はメッシュであってもよい。支持体は複合材料で被覆されていてもよく、複合材料は活性物質を含んでいてもよい。活性物質は触媒であってもよく又は吸着剤であってもよい。いくつかの実施形態において、活性物質はゼオライトであってもよい。
この開示の実施形態は、モノリスである構造体を含んでいてもよい。モノリスはその構造体を通り抜ける小さい通路を有することができ、現在のモノリス技術よりも高いセル密度を有することが可能である。いくつかの実施形態において、モノリスのセル密度は少なくとも900cpsi、又は少なくとも1000cpsi、又は少なくとも1500cpsiとすることができる。一実施形態において、構造体の形体がチャネルである場合、チャネル間の距離は約900μm未満である。
この開示の実施形態は、層状被覆支持体及び隣接した層状被覆支持体間の通路を含む構造体であってもよく、各層状被覆支持体は、第1及び第2の面を有する支持体、並びに支持体の少なくとも第1の面上の複合材を含み、複合材は、活性物質、及び吸着剤と通路を流体連通させるための複合材を通り抜ける蛇行した経路を含み、複合材の表面にある形体を有する。複合材はバインダーをさらに含む。
いくつかの実施形態において、複合材はメソ多孔性を有する。メソ多孔性は、少なくとも約15%、又は少なくとも約20%であってもよい。
いくつかの実施形態において、複合材は活性物質の一部又はすべてを内包していてもよい。複合材は活性物質の少なくとも約15%、又は活性物質の少なくとも約20%を内包していてもよい。
いくつかの実施形態において、支持体の面は、ペーストの薄層で被覆された支持体の第2の面であり、内包される通路は、第1の支持体の形体を含むペーストを第2の支持体の第2の面上のペーストの薄層へ接触させることにより形成される。形体は、インプリンティング、スタンピング、成形、ドラッギング(dragging)、又は3−Dプリンティングによってペースト中に作ることができる。ペースト層は、支持体の第2の面上に被覆されていてもよく、形体は第2の面上のペースト中に作ることができる。
いくつかの実施形態において、積層工程は、被覆支持体を別の被覆支持体上に積層して被覆支持体の層を形成する工程であってもよい。いくつかの実施形態において、積層工程は、渦巻き状構造体の内部に内包された通路を形成するために、支持体の第1の面が支持体の第2の面と接触できるように1つ又は複数の被覆支持体を渦巻き状に巻くことを含んでいてもよい。
また、好ましい実施形態の説明において、明確にするために専門用語を用いることにする。各用語は当業者が理解するその最も広い意味を意図し、同様に機能して同様の目的を達成するあらゆる技術的等価物を含むことを意図している。
「含む(comprising)」又は「含む(comprises)」又は「含む(including)」とは、少なくとも指定される化合物、要素、粒子、又は工程が、組成物又は物品又は方法に存在するが、他のそのような化合物、材料、粒子、工程が指定されたものと同じ機能を有するとしても、他の化合物、材料、粒子、工程の存在を排除しないことを意味する。
1つ又は複数の工程を挙げることによって、さらなる工程又は明示的に特定されるそれらの工程間に介在する工程の存在が除外されないことも理解するべきである。同様に、デバイス又はシステムにおける1つ又は複数の部材を挙げることによって、さらなる部材又は明示的に特定されるそれらの部材間に介在する部材の存在が除外されないことも理解するべきである。
開示の一態様は、構造体中又はモノリス中の複合材、及び複合材を製造するのに使用されるペーストである。下記でさらに述べるように、ペーストを支持体上に被覆させ、乾燥させ、任意選択的にさらに加工して複合材を製造することができる。ペーストは活性物質及び溶媒、並びに任意選択的にバインダーを含有していてもよい。乾燥プロセスによって、複合材が活性物質を含有することが可能である。複合材はバインダーをさらに含んでいてもよい。活性物質は典型的には吸着剤又は触媒であってもよい。1つより多くの活性物質が複合材に含まれていてもよく、1つより多くの活性物質が支持体の同じ区画に、構造体全体にわたって均一に塗布されていてもよい。あるいは、1つより多くの活性物質が支持体の異なる区域に、例えば支持体の異なる面上で複合材又はペーストなどで塗布されてもよい。複合材は残留溶媒を含有していてもよく、又は含有していなくてもよい。この開示におけるペースト及び複合材は高い担持量又は体積分率の活性物質を含有し、それによって従来の被覆技術を使用して実現することができない高容量モノリスを得ることができる。
TSA及びPSAプロセスは共に、媒体中の第2の成分又は他の成分と比較して、吸着材によって媒体の少なくとも1つの成分を優先的に吸着することを含んでいてもよい。圧力及び温度は共に媒体の成分の吸着担持量に影響を与える場合があるので、媒体から吸着された少なくとも1つの成分の総量(すなわち、吸着材の吸着容量)及び1つの成分が媒体の別の成分を上回って吸着される選択性は、特定の圧力及び温度条件下で吸着プロセスを操作することにより改善させることができる。吸着された成分はその後吸着材から脱着することが可能である。
圧力を増加させると媒体中のガスの吸着が増加するため、PSAにおいて成分の吸着及び脱着が生じる。異なるガスは異なる基材による異なる吸着係数を有する傾向があるので、ガスの混合物を高圧で床に通して混合物中のガスの少なくとも1つを選択的に吸着させることができる。いったん床がその容量の限界に達すると、圧力を低下させて吸着したガスを収集し吸着剤を再生させることができる。
TSA及びPSAプロセスの各々において、吸着剤の性質及び吸着剤を含有する構造体の性質は、吸着のタイプ、吸着の有効性及び効率と、プロセスにおけるガスの容量の両方に影響を与え得る。
(a)約10℃〜約250℃の温度、約0psig〜約500psig(約3.5MPag)の圧力、約0.5時間-1〜約100時間-1の総質量空間速度(WHSV)、及び約0.1〜約50の芳香族/オレフィンモル比のうち1つ又は複数を任意選択的に含む反応条件による、気相中又は液相中での、短鎖(C2−C6)オレフィンを有する芳香族のアルキル化、例えば、ベンゼンを有するエチレン又はプロピレンをアルキル化してそれぞれエチルベンゼン又はクメンを得るプロセス;
(b)約250℃〜約500℃の温度、約0psig〜500psig(約3.5MPag)の圧力、約0.5時間-1〜約50時間-1の総WHSV、及び約1〜約50の芳香族/オレフィンモル比のうち1つ又は複数を任意選択的に含む反応条件による、気相中又は液相中での、長鎖(C10−C20)オレフィンを有する芳香族のアルキル化;
(c)約100℃〜約500℃の温度、約1psig(約7kPag)〜500psig(約3.5MPag)の圧力、及び約1時間-1〜約10,000時間-1のWHSVのうち1つ又は複数を任意選択的に含む反応条件による、気相中又は液相中での、芳香族のアルキル交換、例えば、ベンゼンを有するポリエチルベンゼン及び/又はポリイソプロピルベンゼンをアルキル交換してそれぞれエチルベンゼン及び/又はクメンを得るプロセス;
(d)約200℃〜約760℃の温度、約1atm(0psig)〜約60atm(約5.9MPag)の圧力、約0.1時間-1〜約20時間-1のWHSV、及び約0(水素の添加なし)〜約50の水素/炭化水素モル比のうち1つ又は複数を任意選択的に含む反応条件による、アルキル芳香族の不均化、例えば、トルエンを不均化してキシレンを得るプロセス;
(e)約200℃〜約760℃の温度、約1atm(0psig)〜約60atm(約5.9MPag)の圧力、約0.1時間-1〜約20時間-1のWHSV、及び約0(水素の添加なし)〜約50の水素対炭化水素モル比のうち1つ又は複数を任意選択的に含む反応条件による、アルキル芳香族の脱アルキル、例えば、エチルベンゼンの脱エチル;
(f)約200℃〜約540℃の温度、約100kPaa〜約7MPaaの圧力、約0.1時間-1〜約50時間-1のWHSV、及び約0(水素の添加なし)〜約10の水素/炭化水素モル比のうち1つ又は複数を任意選択的に含む反応条件による、キシレンなどのアルキル芳香族の異性化;
(g)約260℃〜約375℃の温度、約0psig〜約1000psig(約6.9MPag)の圧力、約0.5時間-1〜約10時間-1のWHSV、及び約0(水素の添加なし)〜約10の水素/炭化水素モル比のうち1つ又は複数を任意選択的に含む反応条件による、芳香族を有するパラフィンを反応させて、例えばアルキル芳香族及び軽ガスを得るプロセス;
(h)約200℃〜約315℃の温度、約100psig(690kPag)〜約1000psig(約6.9MPag)の圧力、約0.5時間-1〜約10時間-1のWHSV、及び約0.5〜約10の水素対炭化水素モル比のうち1つ又は複数を任意選択的に含む反応条件による、分岐パラフィンを得るためのパラフィン異性化;
(i)約−20℃〜約350℃の温度、約0psig〜約700psig(約4.9MPag)の圧力、及び約0.02時間-1〜約10時間-1の総オレフィンWHSVのうち1つ又は複数を任意選択的に含む反応条件による、イソブタンなどのイソパラフィンの、オレフィンを用いたアルキル化;
(j)約200℃〜約450℃の温度、約0psig〜約1000psig(約6.9MPag)の圧力、約0.2時間-1〜約10時間-1のWHSV、及び約0.5〜約10の水素/炭化水素モル比のうち1つ又は複数を任意選択的に含む反応条件による、パラフィン系供給原料の脱ろう;
(k)約300℃〜約700℃の温度、約0.1atm(約10kPag)〜約30atm(約3MPag)の圧力、及び約0.1時間-1〜約20時間-1のWHSVのうち1つ又は複数を任意選択的に含む反応条件による、炭化水素のクラッキング;
(l)約250℃〜約750℃の温度、約30kPa〜約300kPaのオレフィン分圧、及び約0.5時間-1〜約500時間-1のWHSVのうち1つ又は複数を任意選択的に含む反応条件による、オレフィンの異性化;並びに
(m)自動車の冷間始動排出ガスのための炭化水素トラップ(例えば、プレ触媒コンバーター吸着剤)。
支持体を被覆する工程と、支持体において形体を作る工程と、支持体を一緒に積層する工程と、支持体を乾燥させてモノリスを得る工程とを含む、モノリスの調製方法が開示される。一実施形態において、方法は、第1の面及び第2の面を有する支持体上で、支持体の第1の面をペーストで被覆する工程と、ペースト中に形体を作る工程と、被覆支持体の1つの面上のペーストを第2の被覆支持体の1つの面と接触させることにより第1の被覆支持体を第2の被覆支持体と積層して内包された通路を形成する工程と、層状支持体を乾燥させてモノリスを得る工程とを含んでいてもよい。
支持体を被覆する工程は、ペーストの支持体上への被覆において当業者に知られている任意の方法によるものであってもよい。一実施形態において、ペーストはナイフコーティング、ロールコーティング、浸漬塗工、又はスプレーコーティングによって塗布することができる。
ペーストにおいて作られる形体は、最終的なモノリスにおいて作られる通路の性質及び形状を決定し得る。形体は、ペーストにおいて作ることができる任意の形状であってもよい。一実施形態において、形体は支持体の表面におおよそ平行な方向でペーストを横切る溝であってもよい。溝は任意の溝を含んでいてもよく、直線状、非直線状、波状、正弦曲線形、ジグザグ状、又は階段状であってもよい。形体が溝である場合、溝の断面形状、すなわち支持体の表面と垂直な断面として見た場合の溝の形状も述べることができる。一般に、溝はペーストに施すことができる任意の形状であってもよく、正方形、三角形、若しくは谷形の断面形状、又は概ね放物線である形状が挙げられる。直線状の溝を表したものを図2Aに示し、その断面図を図2Bに示す。階段状の溝を図3に示す。
支持体をペーストで被覆しペースト中に形体を作った後、被覆支持体を一緒に積層して層状組立体を得ることができる。乾燥前の層状組立体はグリーンモノリス、未乾燥モノリス、未焼成モノリス、又はモノリス前駆体と呼んでもよい。一実施形態において、被覆支持体の積層は第1の被覆支持体を第2の被覆支持体と共に積層することであってもよい。第1の被覆支持体の形体を第2の被覆支持体と接触させて層の間に通路を形成することができる。形体が溝である場合、通路はチャネルであってもよく、方法は第1の被覆支持体上のペーストを第2の被覆支持体と接触させることによって、第1の被覆支持体を第2の被覆支持体と共に積層してチャネルを形成することを含んでいてもよい。
上記の積層工程は、第1の支持体の第1の面を第2の支持体の第2の面と接触させる、標準的な積層パターンで行うことができる。図6に概略的に表される、そのような標準的な積層パターンでは、第1の被覆支持体601の第1の面を第2の被覆支持体の602の第2の面と共に積層し、次いで第2の被覆支持体602の第1の面を第3の被覆支持体の第2の面と積層するなどして、構造603を得ることになる。
上記の構造体を作るための方法によって、開示の構造体も説明することができる。開示は、層状支持体と層状支持体の間の通路とを含むことができる構造体を提供する。層状被覆支持体は、第1の面及び第2の面を有する支持体と、少なくとも1つの面上の複合材とを含んでいてもよい。複合材はバインダー及び活性物質、好ましくは吸着剤又は触媒を含んでいてもよい。複合材は、複合材中に形体を有していてもよい。モノリスの通路は、被覆支持体の第1の面上の複合材の形体を隣接した被覆支持体の面と接触させて形成することができる。
被覆支持体は、支持体の少なくとも第1の面上に複合材を含んでいてもよい。被覆支持体はまた、少なくとも第2の面上に複合材を含んでいてもよい。一実施形態において、被覆支持体は、支持体の第1及び第2の面上に複合材を含んでいてもよい。被覆支持体は、第1又は第2の面上のいずれかの複合材中に、好ましくは少なくとも第1の面上の複合材中に形体を含んでいてもよい。
開示の形体及び通路は、多くの様々な形状及びパターンを含んでいてもよい。形体は溝と表現でき、溝から生じる通路はチャネルと表現できる。一例は直線状の溝であり、これは結果として従来のモノリス技術に類似した直線状チャネルを生じさせ得る。しかし、溝及びチャネルは直線状である必要はないが、形状を含むことができる。溝又はチャネルは非直線状、波状、正弦曲線状、ジグザグ状、又は階段状であってもよい。
この開示は、吸着剤ペースト中に形体を使用して通路を所望の厚さ及び形状にすることによって、これらの問題に対処する。これらは適切な鋳型/モールドの選択によって制御できる。被覆モノリスと比較してより少ない材料しか必要とされないので、これは単位体積当たりのより高密度の活性物質を可能にする。この開示は、活性物質への拡散が制約となる、比較的低い圧力損失が必要とされる、又は吸着剤のより高い充填密度が有益である、触媒/吸着剤プロセスに応用されることが可能である。直線状チャネルなどを有し、層流条件下で作動する、モノリスを含めた開示による構造体を作ることもできる。しかし、乱流に類似した条件を作り出すために層流を分断させる構造体を設計することもできる。
したがって、この出願及び特許請求の範囲が基づいている概念が、この出願に示される実施形態及び特許請求の範囲のいくつかの目的を実行するための他の構造体のデザイン、方法、及びシステムの基礎として容易に利用できることを、当業者は理解することになる。したがって、特許請求の範囲がそのような等価の構造物を含むとみなすことが重要である。
被覆方法を示す。平坦なステンレス鋼箔(316 SS)を10%漂白溶液で洗浄し、空気中で500℃にて4時間焼成した。焼成後、ジルコニウム系下塗り(80質量%のAremco Ceramabond 685−N、20質量%のH2O)の薄い被覆物(1〜2um)をスプレーコーティングにより箔の表面に塗布した。試料を空気中で250°Fまで4時間加熱することによって、下塗りを硬化させた。次いで箔を平坦に保ち、ペーストの薄層を表面に塗布した。ペーストは、ゼオライト、コロイダルシリカバインダー、ケイ酸ナトリウム、水、及びメチルセルロースポリマーを含有するものであった。ペーストを短時間硬化させた(非常にわずかな乾燥)。次いで1枚の波形SS箔を剥離剤(例えばWD40)で処理し、その後ペーストの薄層に押し込んだ。次いで波形箔をペーストから取り除き、波形箔の逆の形体を残した。空気乾燥後、インプリンティングされた構造体を400℃で4時間焼成した。
最終的な層状構造体を図10A、10B、及び10Cに示す。構造体をポリマー樹脂中に包埋して、図11A及び11Bに示す構造体の断面の像を得た(画像中の気泡は断面像を得るために使用したポリマー樹脂に由来する)。
被覆方法を示す。波形SS箔を表面上に平坦に置き、剥離剤(例えばWD40)で処理した。次に、例1の平坦な箔と同じ前処理による、酸化及び下塗りした1枚のメッシュを波形箔の上に直接置いた。実施例1のペーストがメッシュに押し通され(スクリーン印刷と同様)、ペーストは下層の箔の波形構造体を満たし、一方で同時にメッシュを被覆した。乾燥すると、メッシュが波形箔(「モールド」)から持ち上げられ、インプリンティングされた形体がメッシュ上に残る。この一体化したセラミック/金属構造体は、巻き加工してモノリス(図12A)とするのに必要な程度まで曲げ加工することができる。さらに、セラミックは完全にメッシュに組み込まれ、埋め込まれたときにメッシュを包み込んでいるのが見られ、図12Bの断面像で見られる。縮尺の目的において、断面像のドットは40μmの直径を有するメッシュのワイヤである。
構造体の構築の例を示す。実施例2の構造体を6”×60”の寸法で製造した。次いでこれを700℃で4時間焼成した。被覆した箔の先端を1/2”直径の軸に仮溶接した。この軸は両端にネジ穴を有するのでこれを巻取り装置に取り付けることができる。基材の成形された形体を下向きにさせ、平坦な面を上向きにさせるように、箔及び軸を巻取り装置に取り付けた。基材を張った状態に保つために張力をかけた。次いで基材を水で飽和させ、そのためその後のペーストは露出した平坦な面に塗布された場合に迅速に乾燥しないことになる。箔が軸のまわりに巻かれる際に、実施例2による同じ組成のペーストの薄層を箔の露出した面に塗布した。次いで得られる構造体を空気中で10時間乾燥させ、次いでオーブン中でゆっくり加熱して200°Fまで5時間かけて上昇させた。最後に、構造体を700℃で4時間焼成した。渦巻き構造体の像を図13に示す。
図14は、2つの支持体を貼り合わせるために複合材の薄層を使用することができる、別の構造体を示す。
実施形態
さらに又は代わりに、開示は以下の実施形態の1つ又は複数を含んでいてもよい。
実施形態2:層状被覆支持体と隣接した層状被覆支持体の間のチャネルとを含むモノリスであって、各層状被覆支持体が、第1及び第2の面を有する支持体と、支持体の少なくとも第1の面上の複合材とを含み、複合材が活性物質を含み、複合材の表面に溝を有し;チャネルが、層状構造体の第1の面上の被覆物中の溝を隣接した層状構造体の面と接触させて形成される、モノリス。複合材はバインダーをさらに含んでいてもよい。
実施形態4. 支持体が金属基材を含む、又は支持体がシート、箔、又はメッシュを含む、前記の実施形態の1つの構造体、モノリス、又は方法。
実施形態6. モノリスのセル密度が少なくとも900cpsi、又は少なくとも1000cpsi、又は少なくとも1500cpsiである、又は形体がチャネルであり、チャネル間の距離が約900μm未満、又は約800μm未満、又は約700μm未満、又は約600μm未満、又は約500μm未満である、前記の実施形態の1つの構造体、モノリス、又は方法。
実施形態7. 層状被覆支持体が第2の面上に複合材又はペーストを含む、又は通路が、被覆支持体の第1の面上の被覆物中の形体を、隣接した支持体の第2の面上の複合材又はペーストと接触させて形成される、前記の実施形態の1つの構造体、モノリス、又は方法。
実施形態8. 層状被覆支持体が別の支持体を含み、通路は1つの支持体の第1の面を別の支持体の第2の面と接触させて形成される、前記の実施形態の1つの構造体、モノリス、又は方法。
実施形態10. ペースト層が支持体の第2の面上に被覆され、形体が第2の面上のペースト中に作られる、前記の実施形態の1つの構造体、モノリス、又は方法。
実施形態11. インプリンティング、スタンピング、成形、ドラッギング、又は3−Dプリンティングを行ってペースト中に形体を形成し、続いて乾燥及び/又は焼成して複合材中に形体を作ることによって、被覆物又は複合材中の形体を作ることができる、前記の実施形態の1つの構造体、モノリス、又は方法。
実施形態13. 活性物質が複合材中に少なくとも約5%、少なくとも約10%、少なくとも約15%、又は少なくとも約20%で内包される、前記の実施形態の1つの構造体、モノリス、又は方法。
次に、本発明の好ましい態様を示す。
1. 層状被覆支持体及び隣接した層状被覆支持体間の通路を含む構造体であって、
各層状被覆支持体が、第1及び第2の面を有する支持体と、支持体の少なくとも第1の面上の複合材とを含み、複合材が活性物質を含み、複合材の表面に形体を有し;
通路が、層状構造体の第1の面上の被覆物中の形体を、隣接した層状構造体の面と接触させて形成される、
構造体。
2. 複合材がバインダーをさらに含む、上記1に記載の構造体。
3. 支持体が金属基材を含む、上記1又は2に記載の構造体。
4. 支持体がシート、箔、又はメッシュを含む、上記1又は2に記載の構造体。
5. 層状被覆支持体が第2の面上に複合材を含む、上記1又は2に記載の構造体。
6. 通路が、被覆支持体の第1の面上の被覆物中の形体を、隣接した支持体の第2の面上の複合材と接触させて形成される、上記5に記載の構造体。
7. 構造体がモノリスである、上記1から6のいずれか1項に記載の構造体。
8. モノリスのセル密度が少なくとも900cpsiである、上記7に記載の構造体。
9. モノリスのセル密度が少なくとも1000cpsiである、上記7に記載の構造体。
10. モノリスのセル密度が少なくとも1500cpsiである、上記7に記載の構造体。
11. 形体がチャネルであり、チャネル間の距離が約900μm未満である、上記1から10のいずれか1項に記載の構造体。
12. 層状被覆支持体が別々の支持体を含み、通路が1つの支持体の第1の面を別の支持体の第2の面と接触させて形成される、上記1から11のいずれか1項に記載の構造体。
13. 層状被覆支持体が渦巻き状に巻かれた被覆支持体を含み、通路が被覆支持体の第1の面を被覆支持体の第2の面と接触させて形成される、上記1から11のいずれか1項に記載の構造体。
14. 活性物質が触媒又は吸着剤を含む、上記1から13のいずれか1項に記載の構造体。
15. 活性物質がゼオライトを含む、上記1から13のいずれか1項に記載の構造体。
16. 構造体の調製方法であって、
第1の面及び第2の面を有する支持体上でペーストを第1の面に被覆する工程と;
ペースト中に形体を作る工程と;
被覆支持体の第1の面上のペーストを第2の被覆支持体の面と接触させることにより第1の被覆支持体を第2の被覆支持体と共に積層して、内包される通路を形成する工程と;
層状支持体を焼成して構造体を得る工程と
を含む、方法。
17. ペーストが活性物質を含む、上記16に記載の方法。
18. ペーストがバインダーをさらに含む、上記17に記載の方法。
19. 支持体の面が、ペーストの薄層で被覆された支持体の第2の面であり、内包される通路が、第1の支持体の形体を含むペーストを第2の支持体の第2の面上のペーストの薄層へ接触させることにより形成される、上記16から18のいずれか1項に記載の方法。
20. 形体がインプリンティング、スタンピング、成形、ドラッギング、又は3−Dプリンティングによって作られる、上記16から19のいずれか1項に記載の方法。
21. ペースト層が支持体の第2の面上に被覆され、形体が第2の面上のペースト中に作られる、上記16から20のいずれか1項に記載の方法。
22. 積層工程が、第1の被覆支持体を別の被覆支持体上に積層して被覆支持体の層を形成することを含む、上記16から20のいずれか1項に記載の方法。
23. 積層工程が、支持体の第1の面が支持体の第2の面と接触して渦巻き状構造体の内部に内包された通路を形成できるように1つの被覆支持体を渦巻き状に巻くこと含む、上記16から20のいずれか1項に記載の方法。
24. 支持体が金属基材を含む、上記16から23のいずれか1項に記載の方法。
25. 支持体がシート、箔、又はメッシュを含む、上記16から23のいずれか1項に記載の方法。
26. ペーストがゼオライトを含む、上記16から25のいずれか1項に記載の方法。
27. 活性物質の少なくとも10%がペーストに内包されている、上記16から26のいずれか1項に記載の方法。
28. 層状被覆支持体と隣接した層状被覆支持体間の通路とを含む構造体であって、
各層状被覆支持体が
第1及び第2の面を有する支持体
並びに支持体の少なくとも第1の面上の複合材
を含み、
複合材が、活性物質、及び吸着剤と通路を流体連通させるための複合材を通る蛇行した経路を含み、かつ、複合材の表面にある形体を有し;
通路が、層状構造体の第1の面上の被覆物中の形体を、隣接した層状構造体の面と接触させて形成される、
構造体。
29. 複合材がバインダーをさらに含む、上記28に記載の構造体。
30. 複合材が少なくとも約15%のメソ多孔性を有する、上記28又は29に記載の構造体。
31. 複合材が少なくとも約20%のメソ多孔性を有する、上記28又は29に記載の構造体。
32. 活性物質の少なくとも約15%が複合材の中に内包される、上記28から31のいずれか1項に記載の構造体。
33. 活性物質の少なくとも約20%が複合材の中に内包される、上記28から31のいずれか1項に記載の構造体。
Claims (33)
- 層状被覆支持体及び隣接した層状被覆支持体間の通路を含む構造体であって、
各層状被覆支持体が、第1及び第2の面を有する支持体と、支持体の少なくとも第1の面上の複合材とを含み、複合材が活性物質を含み、複合材の表面に形体を有し;
通路が、層状構造体の第1の面上の被覆物中の形体を、隣接した層状構造体の面と接触させて形成される、
構造体。 - 複合材がバインダーをさらに含む、請求項1に記載の構造体。
- 支持体が金属基材を含む、請求項1又は2に記載の構造体。
- 支持体がシート、箔、又はメッシュを含む、請求項1又は2に記載の構造体。
- 層状被覆支持体が第2の面上に複合材を含む、請求項1又は2に記載の構造体。
- 通路が、被覆支持体の第1の面上の被覆物中の形体を、隣接した支持体の第2の面上の複合材と接触させて形成される、請求項5に記載の構造体。
- 構造体がモノリスである、請求項1から6のいずれか1項に記載の構造体。
- モノリスのセル密度が少なくとも900cpsiである、請求項7に記載の構造体。
- モノリスのセル密度が少なくとも1000cpsiである、請求項7に記載の構造体。
- モノリスのセル密度が少なくとも1500cpsiである、請求項7に記載の構造体。
- 形体がチャネルであり、チャネル間の距離が約900μm未満である、請求項1から10のいずれか1項に記載の構造体。
- 層状被覆支持体が別々の支持体を含み、通路が1つの支持体の第1の面を別の支持体の第2の面と接触させて形成される、請求項1から11のいずれか1項に記載の構造体。
- 層状被覆支持体が渦巻き状に巻かれた被覆支持体を含み、通路が被覆支持体の第1の面を被覆支持体の第2の面と接触させて形成される、請求項1から11のいずれか1項に記載の構造体。
- 活性物質が触媒又は吸着剤を含む、請求項1から13のいずれか1項に記載の構造体。
- 活性物質がゼオライトを含む、請求項1から13のいずれか1項に記載の構造体。
- 構造体の調製方法であって、
第1の面及び第2の面を有する支持体上でペーストを第1の面に被覆する工程と;
ペースト中に形体を作る工程と;
被覆支持体の第1の面上のペーストを第2の被覆支持体の面と接触させることにより第1の被覆支持体を第2の被覆支持体と共に積層して、内包される通路を形成する工程と;
層状支持体を焼成して構造体を得る工程と
を含む、方法。 - ペーストが活性物質を含む、請求項16に記載の方法。
- ペーストがバインダーをさらに含む、請求項17に記載の方法。
- 支持体の面が、ペーストの薄層で被覆された支持体の第2の面であり、内包される通路が、第1の支持体の形体を含むペーストを第2の支持体の第2の面上のペーストの薄層へ接触させることにより形成される、請求項16から18のいずれか1項に記載の方法。
- 形体がインプリンティング、スタンピング、成形、ドラッギング、又は3−Dプリンティングによって作られる、請求項16から19のいずれか1項に記載の方法。
- ペースト層が支持体の第2の面上に被覆され、形体が第2の面上のペースト中に作られる、請求項16から20のいずれか1項に記載の方法。
- 積層工程が、第1の被覆支持体を別の被覆支持体上に積層して被覆支持体の層を形成することを含む、請求項16から20のいずれか1項に記載の方法。
- 積層工程が、支持体の第1の面が支持体の第2の面と接触して渦巻き状構造体の内部に内包された通路を形成できるように1つの被覆支持体を渦巻き状に巻くこと含む、請求項16から20のいずれか1項に記載の方法。
- 支持体が金属基材を含む、請求項16から23のいずれか1項に記載の方法。
- 支持体がシート、箔、又はメッシュを含む、請求項16から23のいずれか1項に記載の方法。
- ペーストがゼオライトを含む、請求項16から25のいずれか1項に記載の方法。
- 活性物質の少なくとも10%がペーストに内包されている、請求項16から26のいずれか1項に記載の方法。
- 層状被覆支持体と隣接した層状被覆支持体間の通路とを含む構造体であって、
各層状被覆支持体が
第1及び第2の面を有する支持体
並びに支持体の少なくとも第1の面上の複合材
を含み、
複合材が、活性物質、及び吸着剤と通路を流体連通させるための複合材を通る蛇行した経路を含み、かつ、複合材の表面にある形体を有し;
通路が、層状構造体の第1の面上の被覆物中の形体を、隣接した層状構造体の面と接触させて形成される、
構造体。 - 複合材がバインダーをさらに含む、請求項28に記載の構造体。
- 複合材が少なくとも約15%のメソ多孔性を有する、請求項28又は29に記載の構造体。
- 複合材が少なくとも約20%のメソ多孔性を有する、請求項28又は29に記載の構造体。
- 活性物質の少なくとも約15%が複合材の中に内包される、請求項28から31のいずれか1項に記載の構造体。
- 活性物質の少なくとも約20%が複合材の中に内包される、請求項28から31のいずれか1項に記載の構造体。
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