JP2018504774A - ウエハー処理のためのダイナミック加熱方法及びシステム - Google Patents

ウエハー処理のためのダイナミック加熱方法及びシステム Download PDF

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Abstract

処理中にワークピースをダイナミックに加熱するシステム及び方法が開示される。該システムは、イオン源およびアレイに配列された複数のLEDを含み、それらは、ワークピースの表面の部分に向けられる。LEDは、ワークピースにより直ちに吸収される周波数範囲の光を放出するように選択されるので、ワークピースを加熱する。いくつかの実施態様において、その部分がイオンビームにより処理されるすぐ前に、LEDは、ワークピースの部分を加熱する。別の実施態様において、その部分が処理されている時に、LEDは、ワークピースの部分を加熱する。LEDは、アレイに配列することができ、アレイは、少なくともイオンビームの幅と同じ幅を有することができる。アレイは、また、1つ以上の行のLEDを有する、その幅に垂直な長さを有する。

Description

本発明の実施形態は、処理中にワークピースをダイナミックに加熱するシステム及び方法に関し、特に、処理中にワークピースを加熱するためにLEDを用いることに関する。
半導体デバイスの製造は、複数の離散的及び複雑なプロセスを含む。これらのプロセスを実施するために、ワークピースは、典型的に、プラテン上に配置される。プラテンは、プラテン内の電極により作り出される静電力を加えることにより、ワークピースを保持するように設計された静電チャックであり得る。
いくつかの実施態様において、1つ以上のこれらの処理は不均一であり得て、ワークピースのその部分において、他のどんな部分よりも、より多く処理される。例えば、堆積プロセスは、ワークピースの第2の部分よりも第1の部分に、より多くの物質を堆積させることができる。別の例において、化学機械平坦化(CMP)プロセスは、第2の部分からよりも第1の部分から、より少ない物質を除去することができる。これを代償するために、続いて、ワークピースを不均一に処理することが、有利であり得る。例えば、続いて、第2の部分からよりも第1の部分から、より多くの物質をエッチングすることが有益であり得る。この技術は、他の方法により達成することができるよりも、もっと均一なワークピースをもたらし得る。
さらに、いくつかの半導体プロセスは、それらの効率が、処理中のワークピースの温度に基づいて、変化するように、温度に影響を受けやすい。例えば、同一のエッチングプロセスは、より冷たいワークピースからよりも加熱したワークピースから、より多くの物質を除去することができる。
この現象は、ワークピース処理中により良い均一性を達成するために、利用することができる。しかしながら、この温度に影響を受けやすい処理を実施するために、ワークピースの小部分の正確な加熱が望まれ得る。しかしながら、ワークピースを選択的に加熱する技術は、不正確となり得るか、又は、望ましい解決を可能としない可能性がある。
それ故に、ワークピース処理中にワークピースの部分をダイナミックに加熱し、所望の量の温度と空間の制御を可能にするシステム及び方法があれば、有益であろう。
処理中にワークピースをダイナミックに加熱するシステム及び方法が開示される。該システムは、イオン源およびアレイに配列された複数のLEDを含み、それらは、ワークピースの表面の部分に向けられる。LEDは、ワークピースにより直ちに吸収される周波数範囲の光を放出するように選択されるので、ワークピースを加熱する。いくつかの実施態様において、その部分がイオンビームにより処理されるすぐ前に、LEDは、ワークピースの部分を加熱する。別の実施態様において、その部分が処理されている時に、LEDは、ワークピースの部分を加熱する。LEDは、アレイに配列することができ、アレイは、少なくともイオンビームの幅と同じ幅を有することができる。アレイは、また、1つ以上の行のLEDを有する、その幅に垂直な長さを有する。
一実施態様において、ワークピース処理システムが開示される。該ワークピース処理システムは、幅を有する引き出しアパーチャを有するイオン源であって、前記引き出しアパーチャは前記イオン源の側面に位置付けられる、イオン源と、ワークピースに近接して、前記引き出しアパーチャの1方の側に配置された第1のLEDアレイであって、該第1のLEDアレイは、第2の幅を有し、前記引き出しアパーチャに平行である、第1のLEDアレイと、前記ワークピースに近接して、前記第1のLEDアレイから前記引き出しアパーチャの反対の側に配置された第2のLEDアレイであって、該第2のLEDアレイは、前記第2の幅を有し、前記引き出しアパーチャに平行である、第2のLEDアレイと、を備え、前記第1のLEDアレイ及び前記第2のLEDアレイは、各々、複数の列及び少なくとも1つの行で配列された複数のLEDを備える。特定の実施態様において、前記LEDは1μm未満の波長を有する光を放出する。特定の実施態様において、コントローラは、前記第1のLEDアレイ及び前記第2のLEDアレイと通信し、前記複数のLEDを選択的に動作させる。いくつかの実施態様において、前記複数のLEDの各々は独立に動作される。いくつかの実施態様において、前記第1のLEDアレイ及び前記第2のLEDアレイは、前記引き出しアパーチャに近接して、前記イオン源の前記側面に配置される。他の実施態様において、前記第1のLEDアレイ及び前記第2のLEDアレイは、前記ワークピースに最も近く配置された前記引き出し電極の上に配置される。
別の実施態様において、ワークピース処理システムが開示される。該ワークピース処理システムは、幅を有するイオンビームを生成するイオン源であって、イオンビームは焦点をワークピースの領域に合わせられる、イオン源と、複数の列及び少なくとも1つの行で配列された複数のLEDを備える、LEDアレイと、前記複数のLEDから放出される光を前記ワークピースの前記領域の方へ向ける、光学装置と、を備える。いくつかの実施態様において、前記イオン源は、ビームラインイオン注入機である。他の実施態様において、前記イオン源は、プラズマチャンバである。
別の実施態様において、ワークピース処理方法が開示される。該方法は、前記ワークピース上の第1の位置を、LEDアレイの第1のLEDから放出される光で、選択的に加熱する、ステップと、前記ワークピースをスキャン方向にスキャンする、ステップと、加熱後に前記第1の位置をイオンビームに照射する、ステップと、を有する。更なる実施態様において、該方法は、前記第1の位置を、前記LEDアレイの第2のLEDから放出される光で、選択的に加熱する、ステップも有する。別の更なる実施態様において、該方法は、前記第1の位置を、前記第2のLEDから放出される光で、選択的に加熱する間に、前記ワークピース上の第2の位置を、前記第1のLEDから放出される光で、選択的に加熱する、ステップも有する。
本発明をよりよく理解するため、参考として本明細書に組み入れる添付図面を参照して説明する。
一実施形態によるLEDアレイの斜視図である。 図1AのLEDアレイの一実施形態の拡大図である。 図1AのLEDアレイの第2の実施形態の上面図である。 LEDアレイを利用する第1のシステムを例示する。 図2Aに示す第1のシステムの変形を例示する。 図2Bに示すシステムの変形を例示する。 図2Aのシステムの上面図である。 図4A〜4Eは、ワークピースを加熱し、かつ、照射するシーケンスを示す。 LEDアレイを利用するシステムの第2のシステムを例示する。 LEDアレイを利用するシステムの第3のシステムを例示する。
上記のように、特定の半導体製造プロセスが温度に影響を受けやすいことを利用するために、処理中のワークピースの部分を選択的に及びダイナミックに加熱することが有益であり得る。
図1Aは、ワークピースの選択部分をダイナミックに加熱するために用いる、LEDアレイ100の第1の実施形態の斜視図を示す。LEDアレイ100は、その長さよりも大きい幅を有し得る。LEDアレイ100の幅は、以下にもっと詳細に説明するように、少なくともイオンビームと同じ幅になるように選択することができる。いくつかの実施形態において、LEDアレイ100の幅は、イオンビームより広い。LEDアレイ100は、また、幅に垂直な寸法である長さを有する。LEDアレイ100の長さは、任意のサイズであり得て、本発明により限定されない。
図1Bは、図1AのLEDアレイの一実施形態の拡大図を示す。LEDアレイ100は、二次元アレイに配列された複数の個々の発光ダイオード(LED)110から成る。本実施形態において、LEDの行として呼ばれ得る、LEDアレイ100の長さ方向に配置された12個のLED110がある。しかしながら、LEDの任意の数の行を用いることができる。例えば、図1Cは、図1AのLEDアレイの第2の実施形態の上面図を示す。本実施形態において、LED110の1つの行だけがある。全ての実施形態において、複数のLED110を幅の方向に沿って配置する。長さ方向に並べたLEDの一組をLEDの列として呼ぶことができる。LEDの任意の数の列を用いることができる。したがって、LEDアレイ100は、複数の列及び少なくとも1つの行で配列された複数のLED110を備える。多くの実施形態において、LEDアレイ100は、また、行の数は本発明により限定されないけれども、5個と50個との間の行などの複数の行を備える。
これらの実施形態において、LED110の各々は、独立に制御することができ、それ故に、任意のLED110は、他の全てのLED110とは独立に動作することができる。言い換えれば、特定の行及び列に配置されるLED110は、その行及び列の中の任意の他のLED110を動作させることなく、動作することができる。
特定の実施形態において、LEDの出力周波数が、処理されるワークピース又はワークピース上に堆積されるフィルムにより直ちに吸収されるように、特定のタイプのLEDが選択される。例えば、シリコンは、約1μm以下の波長を有する光のエネルギーを吸収する。シリコンの吸収は、この波長を超えると顕著に低減する。したがって、一実施形態において、LED110は、各々、約450〜490nmの波長で光を放出するInGaNから作られる。別の実施形態において、LED110は、各々、約610〜760nmの波長で光を放出するAlGaAs又はGaAsPから作られる。これらのタイプのLEDの両方は、シリコンのワークピースにより吸収され、熱に変換される光を放出する。もちろん、1μm以下の波長を有する光を放出する他のタイプのLEDを利用することができる。
いくつかの実施形態において、LED110の波長は、ワークピースの上に配置されるフィルムの吸収特性に基づいて、選択される。フィルムは、例えば、酸化物又は窒化物とすることができる。フィルムは、下部のワークピースと同じか又は異なる吸収特性を有することができる。
他の実施形態において、異なるタイプのワークピースを用いることができる。例えば、他のワークピースは、GaN、AlN、GaAs、Ge、サファイア又は他の物質を用いて作ることができる。これらの実施形態において、LED110の波長は、LED110の波長が、その特定のワークピースにより吸収されるように、選択することができる。いくつかの実施形態において、紫外線を放出するLEDを用いることができる。
いくつかの実施形態において、LEDアレイ100は、異なる出力の波長を有する複数のLED110を備えることができる。例えば、LED110の内のいくつかは、シリコンに対して最適化することができ、一方、LED110の内のその他は、ワークピースの上に配置されるフィルム又は異なるタイプのワークピースなどの異なる物質に対して最適化することができる。
LEDアレイ100は、また、LED110の各々と通信する回路基板(図示せず)を備える。回路基板は、各LED110に対して、個々の制御を提供することができる。さらに、回路基板は、LED110に対して、ヒートシンクを提供することができる。回路基板は、コントローラと通信することができる。
LED110の各々は、1mm2以下の面積を占めることができる。いくつかの実施形態において、LED110は、各々、100μm×100μmの面積を占めることができる。したがって、1cm2の面積において、任意の構成で、100以上のLED110を配置することができる。さらに、各LEDは、約1W/ mm2の電力を生成することができる。
LED110から放出される光は、光を受けるワークピースの部分の温度を上昇させるのに十分である。一試験において、ワークピースが、10mm/sのスキャン速度で5秒の期間、LED110からの光にさらされる時、温度の15℃の上昇が観察された。その上、別の試験において、LED110の個々の制御により、10mm/sのスキャン速度で、10℃/cmより大きいワークピースの温度勾配を可能にする。言い換えれば、一部分を加熱し、かつ、隣接部分を加熱せず又は冷却さえすることにより、温度勾配を創生することができる。この正確な温度の制御は、各LED110の小さいサイズ、各LED110により生成される電力及び各LED110の個々の制御により、達成される。ライトの電力は、本LEDアレイ100を用いて焦点を合わせることができるのと同じようには、精密に焦点を合わせることができないため、ランプを用いて同様の温度勾配を生成することはできない。
図2AはLEDアレイ100を用いるシステム200の第1の実施形態を示す。本実施形態において、イオン源201を用いてイオンが創生される。一実施形態において、イオン源201はプラズマチャンバであり得て、プラズマチャンバは、外壁に配置されたガス注入口及びRFアンテナを有し、RFアンテナは、イオンを創生するために、プラズマチャンバ内のガスにエネルギーを与える。それらのイオンは、イオンビーム210として、引き出しアパーチャ202を通してイオン源201から引き出される。引き出しアパーチャ202は、ワークピース220に最も近いイオン源201の側面203に位置付けることができる。イオンビーム210は、ワークピース220の方へ向けられる。ワークピース220は、スキャンの方向221にスキャンされる。本例示的実施形態において、イオンビーム210は、より長い寸法でありページの中へ入る方向である幅を有するリボンビームである。第1のLEDアレイ100aは、イオン源201の側面203上であって、ワークピース220に最も近く、引き出しアパーチャ202に近接する表面上に配置される。イオンビーム210と同様に、第1のLEDアレイ100aの幅は、ページの中へ延びる。第2のLEDアレイ100bは、また、引き出しアパーチャ202に近接するイオン源201の側面203上に配置される。この第2のLEDアレイ100bは、ワークピースに最も近い側面203の表面上であって、第1のLEDアレイ100aから引き出しアパーチャ202の反対側に配置される。
コントローラ250は、第1のLEDアレイ100a及び第2のLEDアレイ100bと通信することができる。コントローラ250は、処理装置及び処理装置と通信するメモリ要素を備えることができる。メモリ要素は、処理装置により実行される時に、システム200が、本明細書に説明されるように、動作することを可能にする命令を記憶するために、用いることができる。メモリ要素は、また、他のデータを含むことができる。コントローラ250は、また、他の入力を有することができる。例えば、ヒートマップをコントローラ250へ供給することができる。このヒートマップは、二次元アレイであり得て、そのアレイの各エントリーは、ワークピース220上の物理的位置を表す。各エントリーに記憶される値は、その物理的位置に適用されるべきヒートの設定を表すことができる。コントローラ250は、また、他の入力を有することができる。例えば、コントローラ250は、LEDアレイ100を適切に制御するように、ワークピース220のスキャン速度及びスキャン方向を知ることができる。さらに、コントローラ250は、LEDアレイ100の行及び列の数などの構成を認識する。コントローラ250は、また、LEDアレイ100とイオンビーム210との間の距離及び他の寸法を含む物理的構成を知ることができる。コントローラ250は、第1のLEDアレイ100a及び第2のLEDアレイ100bに配置された複数のLED110を選択的に動作させるために、用いられる。
本実施形態において、ワークピース220をスキャン方向221にスキャンすることができる。ワークピース220が上方へ動く時、コントローラ250は、ワークピース220を予熱するために、第1のLEDアレイ100aを用いることができる。図に示すように、イオンビーム210が特定の位置240を当てる前に、又は、イオンビーム210と同時に、第1のLEDアレイ100aからの光のエネルギーが、その特定の位置240を当てる。ワークピースがこの方向にスキャンされている時、第2のLEDアレイ100bは、コントローラ250により、動作を停止することができる。ワークピースがスキャン方向221の下方にスキャンされる時、第2のLEDアレイ100bは、コントローラ250により、動作を可能にされ、ワークピース上の位置がイオンビーム210にさらされる前に、又は、と同時に、ワークピース上のその位置を加熱するために用いられる。一実施形態において、第1のLEDアレイ100a及び第2のLEDアレイ100bは、ワークピース220の上の約5mmに配置することができる。もちろん、他の距離も用いることができる。
上記のように、引き出しアパーチャ202は、その長さより非常に大きい幅を有する。ワークピース220は、引き出しアパーチャ202の長さの寸法に平行であり、その幅に垂直である、スキャン方向221にスキャンされる。第1のLEDアレイ100aは、長さ方向に沿う引き出しアパーチャ202の一方の側に配置され、第2のLEDアレイ100bは、長さ方向の引き出しアパーチャ202の反対の側に配置される。このように、第1のLEDアレイ100a及び第2のLEDアレイ100bは、長さ方向に引き出しアパーチャ202と平行な構成で配置される。上記のように、第1のLEDアレイ100a及び第2のLEDアレイ100bの幅は、引き出しアパーチャ202の幅を超えることができる。
代替の実施形態において、ワークピース220は、往復システムの、一方向にスキャンのみされ、又は、一方向に処理のみされる。本実施形態において、1つのLEDアレイ100のみを採用することができる。
さらに、図2Aは、イオン源201の底表面の側203の上に直接に配置される第1のLEDアレイ100a及び第2のLEDアレイ100bを示す。別の実施形態において、第1のLEDアレイ100a及び第2のLEDアレイ100bは、引き出しアパーチャ202のどちらかの側の上でワークピース220の近くに配置されるが、しかし、それらは、側面203の上に直接に配置されない。一実施形態において、第1のLEDアレイ100a及び第2のLEDアレイ100bは、側面203の上に配置されたプラットフォームの上に配置することができ、ワークピース220の方へ延びる。別の実施形態において、第1のLEDアレイ100a及び第2のLEDアレイ100bは、側面203に全く接続しなくすることができる。
図2Bは、図2Aのシステムの変形を示す。本構成において、システム260は、イオンビーム210をイオン源201から引き出して、イオンビーム210をワークピース220の方へ加速するために用いられる引き出し電極270を含む。前のように、引き出しアパーチャ202は、イオン源201の側面203の上に配置される。第1のLEDアレイ100a及び第2のLEDアレイ100bは、引き出し電極270の上であって、ワークピース220に最も近い表面の上に配置される。図2Bは引き出し電極270の1つの組のみを示すが、任意の数の引き出し電極を含むことができ、かつ、LEDアレイ100はワークピース220に最も近いそれらの電極の上に配置されることが理解される。
図2Cは、図2Bのシステムの変形を示す。本システム280は、LEDアレイ100が引き出し電極270の上に配置される点において、図2Bに示すものと類似する。しかしながら、本実施形態において、LEDアレイ100は、焦点を内側に向けてイオンビーム210の方に合わせられる。いくつかの実施形態において、LEDアレイ100からの光は、焦点をイオンビーム210に近い位置に合わせられるので、ワークピース220は、イオンビーム210による照射の前に加熱される。別の実施形態において、LEDアレイ100からの光は、焦点をイオンビーム210に照射されるワークピース220の同じ部分に合わせられるので、その同じ部分は、同時に、加熱され、イオンビーム210に照射される。
したがって、図2A〜2Cに示す実施形態の各々において、LEDアレイ100は、ワークピース220に最も近くに配置されるコンポーネントの上に配置される。いくつかの実施形態において、この最も近いコンポーネントは、イオン源201の底の表面の側203であり得る。他の実施形態において、この最も近いコンポーネントは、引き出し電極270であり得る。さらに、任意のこれらの実施形態において、LEDアレイ100からの光は、図2A〜2Bに示すように、イオンビーム210に平行になるように、向けることができる。他の実施形態において、LEDアレイ100からの光は、ある角度に曲げることができ、焦点をイオンビーム210の方に合わせることができる。このように、図2Cに示すように、イオンビーム210に照射されるワークピース220の部分の方へ、又は、間もなくイオンビーム210に照射されるワークピース220の部分の方へ、光は向けられる。
図3は、ワークピース220が図2Aのシステム200により処理される時のワークピース220の上面図を示す。本図において、ワークピース220、イオンビーム210、第1のLEDアレイ100a及び第2のLEDアレイ100bが、上面図から示される。上記のように、第1のLEDアレイ100a、第2のLEDアレイ100b及びイオンビーム210は、長さ方向に平行である。図2Aにおけるように、ワークピース220は、スキャン方向221の上方にスキャンされる。本実施形態において、第1のLEDアレイ100a及び第2のLEDアレイ100bは、各々が、幅方向に8個のLED110(すなわち、8列)を有し、長さ方向に2行のLED110を有する。しかしながら、第1のLEDアレイ100a及び第2のLEDアレイ100bは、各方向に任意の数のLED110を有することができるので、これは、単に、例示的目的のためである。いくつかの実施形態において、第1のLEDアレイ100a及び第2のLEDアレイ100bは、等しい数の行及び等しい数の列を有する。
ワークピース220は上方にスキャンされるので、ワークピース220の特定の位置が、第1のLEDアレイ100aのより低い行のLED110の特定の列のLEDに、最初に照射される。ワークピース220のその位置が、第1のLEDアレイ100aのより上の行のLED110の同じ列のLEDに、次いで照射される。その後、その位置はイオンビーム210に照射される。
図4A〜4Eは、ワークピース220の特定の位置の加熱及び照射を例示する図のシーケンスを示す。これらの図において、LED400、410は第1のLEDアレイ100aの部分であり、LED400はより低い行の中にあり、LED410は、LED400と同じ列の中にあるが、より上の行の中にある。これらのLED400、410及びイオンビーム210は、空間的に固定していると仮定されるが、一方、ワークピース220は、上方の方向に動かさられる。図3及び図4A〜4Eは、2つの行を有するLEDアレイ100を例示するが、任意の数の行をLEDアレイ100に用いることができることは、理解される。シーケンスの各図は、順次時点を表す。図4Aにおいて、位置300は、第1のLEDアレイ100aのより低い行のLED400に照射される。このLED400は動作させることができ、又は、オフにすることができる。より低い行のLED400を動作させる場合、位置300は加熱される。図4Bに示すように、ワークピース220が上方にスキャンされるにつれて、位置300は、LED400を過ぎて、第1のLEDアレイ100aのより上の行のLED410の方へ動き始める。図4Cにおいて、位置300は、第1のLEDアレイ100aのより上の行のLED410に今や照射される。再び、このLED410は動作させることができ、又は、オフにすることができる。図4Dに示すように、ワークピース220がスキャン方向に動き続けるにつれて、位置300は、LED410を過ぎて、イオンビーム210の方へ動き始める。図4Eにおいて、位置300は、イオンビーム210に今や照射される。
本例示において、LED400、410の2つの行がある。これにより、位置300が複数の異なる温度に加熱されることを可能にする。例えば、一実施形態において、位置300が全く加熱されないようにする。この実施形態において、位置300がそれぞれの経路に配置される時に、LED400及びLED410の両方共オフにすることができる。別の実施形態において、位置300は少しだけ加熱することができる。この実施形態において、LED400は図4Aにおいて動作させることができ、LED410は図4Cにおいてオフにすることができる。この組合せは、位置300に、いくらかの熱を加えるが、しかし、位置300は、イオンビーム210に達する前に、冷え始める。第3の実施形態において、位置300は、前の実施形態よりもっと加熱することができる。この場合において、LED400は図4Aにおいてオフにすることができ、LED410は図4Cにおいて動作させることができる。同じ量の熱が位置300に加えられるけれども、加熱が、もっと直近に生じるため、位置300がイオンビーム210に達する時に、本実施形態において、位置300は、もっと暖かくなり得る。第4の実施形態において、位置300は、図4AのLED400及び図4CのLED410の両方により加熱される。これにより、他の実施形態より、もっと、位置300を加熱する。
以下の表1に示すように、LEDの2つの行の使用により、位置300に対して、4つの異なる加熱の設定が可能である。
Figure 2018504774
上記表は、LEDを、動作しているか、それとも、オフにしているかを仮定した。しかしながら、加熱の設定の数は、LEDを調節することにより、増加することができる。例えば、LEDは、点滅するように作ることができる。点滅動作のデューティサイクルは、ワークピースに加えられる熱量を決定することができる。例えば、オフにされるLEDは、0%のデューティサイクルを有すると仮定することができ、一方、動作されるLEDは、100%のデューティサイクルを有すると仮定することができる。これらの2つの値の間の任意のデューティサイクルは、異なる熱量を加えるように用いることができる。この点滅の周波数は、任意の適切な周波数とすることができ、本発明により限定されない。
もちろん、異なる数の行により、多かれ少なかれ、加熱の設定を可能にする。例えば、1つの行のみのLED110がLEDアレイに用いられる場合、LED110の調節が採用されないならば、2つの加熱の設定のみを実現することができる。3つの行のLED110が用いられる場合、8つの異なる加熱の設定が可能である。LED110の調節が採用される場合、もっと多くの加熱の設定が可能である。
コントローラ250は、特定の位置300が、第1のLEDアレイ100aのLED400、410の内の1つの前に配置される時を決定するために、LEDアレイの行の間の距離、スキャン方向221及びスキャン速度を用いることができる。スキャン速度は、また、各LED400、410が動作される継続時間を決定するために用いることができる。例えば、スキャン速度が比較的に遅くあり得る第1の速度である場合、LED400、410は、第1の期間に動作することができる。スキャン速度が第1の速度より速い第2の速度である場合、LED400、410は、第1の期間より短い第2の期間に動作することができる。これは、スキャン速度が増加する時に、位置300が、LED400、410の各々を、もっと速く通過するためである。さらに、位置300がLED400の前に配置される時と、位置300がLED410の前に配置される時との間の時間は、スキャン速度の増加と共に短くなる。
図4A〜4Eは、各LED400、410が個々に制御可能である実施形態を説明する。他の実施形態において、単一の列内の2つ以上のLEDは、コントローラ250により1つのグループとして、対処し制御することができる。
上記のように、加熱及び照射のプロセスは、ワークピースの多数の位置で、同時に動作する。したがって、図4Cに示すように、位置300がLED410に達する時に、第2の位置310がLED400に今や照射される。図4Eにおいて、位置300がイオンビーム210に照射される時に、第2の位置310がLED410に照射される。さらに、図4Eにおいて、第3の位置320がLED400の前に配置される。なお、各要素により処理される位置は、要素間の距離に依存し、それらの距離は図4A〜4Eに示すものと異なり得る。
したがって、任意の所定の時間で、各LED400、410及びイオンビーム210は、各々、異なる位置で動作している。例えば、LED400は、位置iで動作することができる。その後になって、LED410は、位置iで動作することができるが、一方、LED400は、今や、位置i+1で動作している。さらにその後になって、位置iはイオンビーム210に照射され得るが、一方、LED410は、位置i+1で動作しており、LED400は、位置i+2で動作している。ヒートマップ及び各それぞれのLEDの前に配置される物理的位置に基づいて、コントローラ250は各LED400、410を制御する。LEDアレイ100がLEDの2つの行より多い行を有する場合、もっと多くの物理的位置をLEDアレイ100により同時に動作することができる。
上記のように、各LEDは、そのLEDからの光に照射される特定の位置で動作する。各位置のサイズは、各LEDのサイズ、スキャン速度及びLEDの動作のオン/オフ時間に基づいて、決定することができる。より遅いスキャン速度で、各位置のサイズは、より小さくなり得る。
LED400、410がワークピース220を加熱した後、ワークピース220は、イオンビーム210に達する前に、冷え始める。言い換えれば、LEDの最後の行とイオンビーム210との間の空間のワークピース220には、熱が供給されない。それ故に、いくつかの実施形態において、LEDの加熱効果を最大化するために、LEDをイオンビーム210にできるだけ近くに位置づけることが有益であり得る。したがって、図2Aにおいて、第1のLEDアレイ100a及び第2のLEDアレイ100bが、引き出しアパーチャ202の近くに配置されるのが示される。いくつかの実施形態において、第1のLEDアレイ100a及び第2のLEDアレイ100bは、引き出しアパーチャ202から約1cm離れて配置することができる。LEDアレイにより加熱される位置とイオンビームとの間の距離は、図2Cに示すように、LEDアレイからの光をイオンビーム210の方へある角度に曲げることにより、さらに低減することができる。
しかしながら、他の実施形態において、LEDアレイ100は、ワークピース220から、さらに遠くに配置することができる。これらの実施形態において、LED110からの光の焦点をワークピース220の方に合わせるために、光学装置を用いることができる。上で説明したように、LED110により標的にされる領域が、イオンビーム210の直前に配置されるか、又は、イオンビーム210と同時に配置される時に、加熱が最大化にされる。
いくつかの実施形態において、LEDアレイ100からの光は、イオンビーム210に照射されるワークピース220の位置に当たるように、焦点を合わせることができる。したがって、本実施形態において、加熱及び照射は同時に起こる。言い換えれば、イオンビーム及びLEDアレイ100からの光は、焦点を共有する。
図5は、LEDアレイを利用するシステム500の第2の実施形態を示す。本実施形態において、ワークピース220の方に向けられるイオンビーム510を作り出すために、イオン源501が用いられる。一実施形態において、イオン源501はプラズマチャンバであり得て、プラズマチャンバは、外壁に配置されたガス注入口及びRFアンテナを有し、RFアンテナは、イオンを創生するために、プラズマチャンバ内のガスにエネルギーを与える。本実施形態において、LEDアレイ520は、イオンビーム510及び引き出しアパーチャ502から遠位に配置される。上のように、LEDアレイ520は、図2Aに関連して説明したコントローラ250のような、コントローラ550と通信する。LEDアレイ520は、複数の列及び少なくとも1つの行に配列された複数のLEDを備える。本実施形態において、窓及び/又はレンズなどの光学装置530は、引き出しアパーチャ502と反対側のイオン源501の側面に配置される。LEDアレイ520は、光学装置530の近くに配置され、それ故に、LEDアレイ520のLEDにより放出される光は、焦点を合わせられ、イオン源501の内部を通って送られ、イオンビーム510と共に引き出しアパーチャ502を通って出る。
したがって、システム500において、ワークピース220の加熱及びイオンビーム510に照射されることは同時である。いくつかの実施形態において、イオンビーム510は特定の幅を有することができる。この幅の全体を加熱するように、LEDアレイは、十分な数の行を有して組み立てることができる。
図6は、LEDアレイ630を利用する別のシステム600を示す。本実施形態において、イオン源601は、ビームラインイオン注入機であり得る。イオン源601は、IHC源などのイオン生成機及びイオン生成機から引き出されたイオンを向けるための関連する光学機器を備えることができる。もちろん、Barnas源などの他のイオン生成機も又用いることができる。さらに、イオン源601は、質量分析磁石などの1つ以上の磁石を備えることができる。イオン源601は、イオンビーム610を調整するために、加速及び減速段階も又含むことができる。
イオン源601はイオンビーム610を生成し、イオンビーム610は、プロセスチャンバ620に入り、ワークピース220に向けられる。図6に示すように、LEDアレイ630は、ワークピース220から遠位に配置することができる。前のように、LEDアレイ630はコントローラ650と通信することができる。本実施形態において、焦点レンズなどの光学装置640は、LEDアレイ630からの光をワークピース220の方へ向けるために、用いることができる。
一実施形態において、LEDアレイ630からの光をイオンビーム610に照射されるワークピース220の同じ部分へ向けるように、焦点を共有するために、LEDアレイ630からの光が向けられる。本実施形態において、光の標的が変わらないので、光学装置640は固定することができる。
別の実施形態において、LEDアレイ630からの光の焦点を、間もなくイオンビーム610に照射されるワークピース220の部分に合わせる。言い換えれば、ワークピース220がスキャン方向221の下方に動いている時に、光の焦点を、イオンビーム610に照射される領域の上に配置されたワークピース220の位置に合わせることができる。ワークピース220が上方に動いている時に、光の焦点を、イオンビーム610に照射される領域の下に配置されたワークピース220の位置に合わせることができる。これは、数個の方法の内の1つで実施することができる。一実施形態において、2つの異なるLEDアレイ630がプロセスチャンバ620内に配置され、1つのLEDアレイの焦点を、イオンビーム610に照射されている領域の上に配置されたワークピース220の位置に合わせ、第2のLEDアレイの焦点を、イオンビーム610に照射されている領域の下に配置されたワークピース220の位置に合わせる。本実施形態において、各LEDアレイの標的が変わらないので、光学装置640は固定することができる。別の実施形態において、スキャン方向221に基づいて、LEDアレイ630からの光の焦点を、2つの異なる位置の内の1つに合わせるように、光学装置640は可動である。
図6は、光の焦点を、レンズなどの光学装置640により合わせることを示す。しかしながら、他の実施形態も可能である。例えば、別の実施形態において、光学装置640は集束ミラーであってもよい。本実施形態において、LEDアレイ630からの光を、反射することができ、集束ミラーにより焦点に合わせることができる。上記のように、光の焦点を、イオンビーム610に照射されている位置に合わせることができ、又は、イオンビーム610に間もなく照射される位置に合わせることができる。
さらに、様々な実施形態において説明したLEDアレイを、複数の異なる環境で利用することができる。
一実施形態において、上記のように、ワークピースの部分をイオンビームに照射する前に、又は、と同時に、ワークピースの部分を予熱するために、LEDアレイを用いる。これは、イオンビームにより実施されるプロセスの温度感受性を利用するために用いることができる。
別の実施形態において、用いられるビームの出力を一致させるように、ワークピースを予熱するために、LEDアレイを用いる。このように、ウエハーの全ての処理は、単一の温度で、すなわち、「ウォーミングアップ」時間なしで、生じる。
別の実施形態において、熱的に均一なウエハーの処理が均一でないビームの加熱に対する補償を行うことを可能にするために、LEDアレイを用いる。例えば、いくつかの例において、ワークピースの端部(スキャン中の上部エッジ及び下部エッジなど)は類似の熱プロファイルを有することができ、この熱プロファイルは、いくつかの熱の出力のアプリケーションにおいて、10℃を超える分だけ高いワークピースの中心と異なり得る。これは、ワークピースの中央はワークピースのエッジよりも、もっと頻繁にイオンビームに照射されるためであり得るからである。LEDアレイの使用により、ワークピースのエッジが、ワークピースの中心と大体同じ温度になるように、これらのエッジをもっと加熱することが可能になる。
別の実施形態において、ワークピースの外周に沿う温度は、プラテンがワークピースより少し小さいという事実により、ワークピースのその他の部分より低くなり得る。このために、ワークピースの外周はプラテンにより加熱されない。LEDアレイの使用により、ワークピースの外周の温度がワークピースのその他の部分の温度により近くなるように、この外周をもっと予熱することが可能になり得る。あるいは、いくつかの実施形態において、ワークピースを冷却するために、プラテンが用いられる。このシナリオにおいて、外周はワークピースのその他の部分より暖かくなり得る。LEDアレイの使用により、ワークピースのその他の部分の温度がワークピースの外周の温度により近くなるように、ワークピースのその他の部分をもっと予熱することが可能になり得る。
LEDアレイは、ワークピースを選択的に加熱するために用いることができるが、なお、この装置は、他の加熱技術と共に用いることができる。例えば、LEDアレイは加熱プラテンと共に用いることができる。
本発明は、本明細書に記載される特定の実施形態の範囲に限定されない。実際には、本明細書に記載された実施形態に加えて、本発明に対する他の種々の実施形態及び変更例が、前述の記載及び添付の図面から当業者には明らかであろう。従って、かような他の実施形態及び変更例は、本発明の範囲に含まれるものと意図される。さらに、本明細書の開示は、特定の目的に対する、特定の環境における、特定の実施の文脈にて記載されているが、当業者は、その有用性はこれに限定されないこと及び、本発明があらゆる目的のために、あらゆる環境において有益に実行可能であることを認識されよう。それ故に、以下に説明する特許請求の範囲は、本明細書に記載されたように、本発明の全幅及び精神に鑑みて解釈すべきである。

Claims (15)

  1. ワークピース処理システムであって、
    該システムは、
    幅を有する引き出しアパーチャを有するイオン源であって、前記引き出しアパーチャは前記イオン源の側面に位置付けられる、イオン源と、
    ワークピースに近接して、前記引き出しアパーチャの1方の側に配置された第1のLEDアレイであって、該第1のLEDアレイは、第2の幅を有し、前記引き出しアパーチャに平行である、第1のLEDアレイと、
    前記ワークピースに近接して、前記第1のLEDアレイから前記引き出しアパーチャの反対の側に配置された第2のLEDアレイであって、該第2のLEDアレイは、前記第2の幅を有し、前記引き出しアパーチャに平行である、第2のLEDアレイと、を備え、
    前記第1のLEDアレイ及び前記第2のLEDアレイは、各々、複数の列及び少なくとも1つの行で配列された複数のLEDを備える、システム。
  2. 前記第1のLEDアレイ及び前記第2のLEDアレイと通信し、前記複数のLEDを選択的に動作させるコントローラを更に備える、請求項1記載のワークピース処理システム。
  3. 前記コントローラはヒートマップを有するメモリ要素を備え、前記コントローラはヒートマップを用いて前記複数のLEDを選択的に動作させる、請求項2記載のワークピース処理システム。
  4. 前記第1のLEDアレイ及び前記第2のLEDアレイは、前記引き出しアパーチャに近接して、前記イオン源の前記側面に配置される、請求項1記載のワークピース処理システム。
  5. 前記イオン源と前記ワークピースとの間に配置された1つ以上の引き出し電極を更に備え、前記第1のLEDアレイ及び前記第2のLEDアレイは、前記ワークピースに最も近く配置された前記引き出し電極の上に配置される、請求項1記載のワークピース処理システム。
  6. 前記第1のLEDアレイ及び前記第2のLEDアレイからの光は、前記引き出しアパーチャから引き出されたイオンビームにほぼ平行である、請求項1記載のワークピース処理システム。
  7. 前記第1のLEDアレイ及び前記第2のLEDアレイからの光は、焦点を前記引き出しアパーチャから引き出されたイオンビームの方に合わせられる、請求項1記載のワークピース処理システム。
  8. ワークピース処理システムであって、
    該システムは、
    幅を有するイオンビームを生成するイオン源であって、イオンビームは焦点をワークピースの領域に合わせられる、イオン源と、
    複数の列及び少なくとも1つの行で配列された複数のLEDを備える、LEDアレイと、
    前記複数のLEDから放出される光を前記ワークピースの前記領域の方へ向ける、光学装置と、を備える、システム。
  9. 前記イオン源は、ビームラインイオン注入機を備える、請求項8記載のワークピース処理システム。
  10. 前記光学装置は、レンズ又は集束ミラーを備える、請求項9記載のワークピース処理システム。
  11. 前記イオン源は、プラズマチャンバを備える、請求項8記載のワークピース処理システム。
  12. 前記光学装置は、前記プラズマチャンバの壁に配置され、前記複数のLEDから放出される前記光は、前記プラズマチャンバを通過する、請求項11記載のワークピース処理システム。
  13. ワークピース処理方法であって、
    該方法は、
    前記ワークピース上の第1の位置を、LEDアレイの第1のLEDから放出される光で、選択的に加熱する、ステップと、
    前記ワークピースをスキャン方向にスキャンする、ステップと、
    加熱後に前記第1の位置をイオンビームに照射する、ステップと、を有する、方法。
  14. 前記第1の位置を、前記LEDアレイの第2のLEDから放出される光で、選択的に加熱する間に、前記ワークピース上の第2の位置を、前記LEDアレイの前記第1のLEDから放出される光で、選択的に加熱する、ステップを更に有する、請求項13記載の方法。
  15. 前記第1の位置を、前記イオンビームに照射する間に、前記ワークピース上の第2の位置を、前記LEDアレイの前記第1のLEDから放出される光で、選択的に加熱する、ステップを更に有する、請求項13記載の方法。
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