JP2018501643A - 仮想接地型不揮発性メモリアレイ - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2014年11月12日に出願された米国仮出願第62/078,873号の利益を主張し、この仮出願は、参照により本明細書に組み込まれる。
アーキテクチャ番号1
アーキテクチャ番号2
アーキテクチャ番号3
アーキテクチャ番号4
アーキテクチャ番号5
アーキテクチャ番号6
Claims (41)
- メモリデバイスであって、
第1の導電型の半導体材料の基板と、
実質的に互いに平行であり、第1の方向に延在する前記基板の上に形成された、離間した分離領域と、を備え、隣接した各分離領域対の間の活性領域も前記第1の方向に延在し、
前記活性領域のそれぞれが複数のメモリセル対を含み、前記メモリセル対のそれぞれが、
前記基板内で離間し、前記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有する第1の領域及び第2の領域であって、前記基板内の連続チャネル領域が前記第1の領域と前記第2の領域との間に延在する、第1の領域及び第2の領域と、
前記第1の領域に隣接した前記チャネル領域の第1の部分の上方に絶縁状態で配設される第1の浮遊ゲートと、
前記第2の領域に隣接した前記チャネル領域の第2の部分の上方に絶縁状態で配設される第2の浮遊ゲートと、
前記第1の領域部分と前記第2のチャネル領域部分との間の前記チャネル領域の第3の部分の上方に絶縁状態で配設される消去ゲートと、
前記第1の浮遊ゲートの上方に絶縁状態で配設される第1の制御ゲートと、
前記第2の浮遊ゲートの上方に絶縁状態で配設される第2の制御ゲートと、を含み、
前記メモリセル対が、前記メモリセル対のそれぞれについて、前記チャネル領域が前記第1の領域から前記第2の領域まで前記第1の方向に延在し、前記第1の領域が、同一活性領域内の隣接したメモリセル対の前記第2の領域に電気的に接続され、前記第2の領域が前記同一活性領域内の隣接した前記メモリセル対の前記第1の領域に電気的に接続されるように、アレイに構成される、メモリデバイス。 - 前記第1の方向に対して直交する第2の方向に延在し、前記活性領域のそれぞれにある前記第1の制御ゲートの1つにそれぞれ電気的に接続される複数の第1の制御ゲート線と、
前記第2の方向に延在し、それぞれの前記活性領域にある前記第2の制御ゲートの1つにそれぞれ電気的に接続される、複数の第2の制御ゲート線と、
前記第2の方向に延在し、それぞれの前記活性領域にある前記第1の領域の1つ及び前記第2の領域の1つにそれぞれ電気的に接続される、複数のビット線と、
前記第1の方向に延在し、前記活性領域の1つにある前記消去ゲートにそれぞれ電気的に接続される、複数の消去ゲート線と、を更に含む、請求項1に記載のメモリデバイス。 - 前記消去ゲート線が、前記活性領域の上方を前記第1の方向に延在し、垂直方向に延在するコンタクトを介して前記消去ゲートに電気的に接続される金属線である、請求項2に記載のメモリデバイス。
- 前記消去ゲートのそれぞれが前記分離領域の1つまで延在し、前記消去ゲート線が、前記分離領域の上方を前記第1の方向に延在し、垂直方向に延在する、前記分離領域内のコンタクトを介して前記消去ゲートに電気的に接続される金属線である、請求項2に記載のメモリデバイス。
- 選択した前記メモリセルの1つの読み出し動作中に、
前記選択したメモリセルに電気的に接続されるビット線には正電圧、
前記選択したメモリセルの前記消去ゲートに電気的に接続される前記消去ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリセル対の前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線にはゼロ電圧、及び
前記選択したメモリセルではない前記メモリセルに電気的に接続される前記ビット線にはゼロ電圧を印加するように構成されている制御回路を更に含む、請求項2に記載のメモリデバイス。 - 選択した前記メモリセルの1つのプログラム動作中に、
前記選択したメモリセルに電気的に接続される前記ビット線には正電圧、
前記選択したメモリセルの前記消去ゲートに電気的に接続される前記消去ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルに電気的に接続される前記ビット線には電流、及び
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧を印加するように構成されている制御回路を更に含む、請求項2に記載のメモリデバイス。 - 前記制御回路が、
前記選択したメモリセルを含む前記メモリセル対に隣接したメモリセル対の前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には負電圧、及び
前記選択したメモリセルを含まず、かつ前記選択したメモリセルを含む前記メモリセル対に隣接しない、前記メモリ対の前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線にはゼロ電圧を更に印加するように構成されている、請求項6に記載のメモリデバイス。 - 選択した前記メモリセルの1つの消去動作中に、
前記選択したメモリセルの前記消去ゲートに電気的に接続される前記消去ゲート線には正電圧、及び
前記選択したメモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には負電圧を印加するように構成されている制御回路を更に含む、請求項2に記載のメモリデバイス。 - 前記第1の方向に対して直交する第2の方向に延在し、前記活性領域のそれぞれにある前記第1の制御ゲートの1つにそれぞれ電気的に接続される、複数の第1の制御ゲート線と、
前記第2の方向に延在し、それぞれの前記活性領域にある前記第2の制御ゲートの1つにそれぞれ電気的に接続される複数の第2の制御ゲート線と、
前記第2の方向に延在し、前記活性領域のそれぞれにある前記消去ゲートの1つにそれぞれ電気的に接続される複数の消去ゲート線と、を更に含む、請求項1に記載のメモリデバイス。 - 第1の活性領域の前記第1の領域及び前記第2の領域の一部の上方に配設され、電気的に接続される第1の部分と、
前記第1の活性領域に隣接した第2の活性領域の前記第1の領域及び前記第2の領域の一部の上方に配設され、電気的に接続される第2の部分と、
前記第1の活性領域と前記第2の活性領域との間の前記分離領域をそれぞれ横断する第3の部分と、を含む、ジグザグ形状をそれぞれ有する複数のビット線を更に含む、請求項9に記載のメモリデバイス。 - 選択した前記メモリセルの1つの読み出し動作中に、
前記選択したメモリセルに電気的に接続される前記ビット線には正電圧、
前記選択したメモリセルの前記消去ゲートに電気的に接続される前記消去ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリセル対の前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線にはゼロ電圧、及び
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリセル対に電気的に接続される前記ビット線にはゼロ電圧を印加するように構成されている制御回路、を更に含む、請求項10に記載のメモリデバイス。 - 選択した前記メモリセルの1つのプログラム動作中に、
前記選択したメモリセルに電気的に接続される前記ビット線には正電圧、
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルに電気的に接続される前記ビット線には電流、
前記選択したメモリセルの前記消去ゲートに電気的に接続される前記消去ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧、及び
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧を印加するように構成されている制御回路を更に含む、請求項10に記載のメモリデバイス。 - 前記制御回路が、
前記選択したメモリセルを含まず、かつ前記ビット線及び前記選択したメモリセルに電気的に接続される制御ゲート線を共有する、前記メモリセル対に電気的に接続される前記ビット線に正電圧を印加するように更に構成されている、請求項12に記載のメモリデバイス。 - 前記制御回路が、
前記選択したメモリセルを含まず、かつ前記ビット線及び前記選択したメモリセルに電気的に接続される制御ゲート線を共有しない、前記メモリセル対に電気的に接続される前記ビット線には正又はゼロ電圧、
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリ対の前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線にはゼロ電圧を印加するように更に構成されている、請求項12に記載のメモリデバイス。 - 前記活性領域のそれぞれにある、前記第1の領域の1つ及び前記第2の領域の1つにそれぞれ電気的に接続される複数のビット線を更に含み、前記ビット線のそれぞれが、前記第1の方向に対して斜めに方向付けられている、請求項9に記載のメモリデバイス。
- 前記活性領域のそれぞれにある、前記第1の領域の1つ及び前記第2の領域の1つにそれぞれ電気的に接続される複数のビット線を更に含み、前記ビット線のそれぞれが、
前記活性領域の1つに沿ってそれぞれ延在する第1の部分と、
ある前記第1の部分から別の前記第1の部分まで前記分離領域の1つをそれぞれ横断する第2の部分と、を含む、請求項9に記載のメモリデバイス。 - 選択した前記メモリセルの1つの読み出し動作中に、
前記選択したメモリセルに電気的に接続される前記ビット線には正電圧、
前記選択したメモリセルの前記消去ゲートに電気的に接続される前記消去ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリセル対の前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線にはゼロ電圧、及び
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリセル対に電気的に接続される前記ビット線にはゼロ電圧を印加するように構成されている制御回路を更に含む、請求項15に記載のメモリデバイス。 - 選択した前記メモリセルの1つのプログラム動作中に、
前記選択したメモリセルに電気的に接続される前記ビット線には正電圧、
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルに電気的に接続される前記ビット線には電流、
前記選択したメモリセルの前記消去ゲートに電気的に接続される前記消去ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧、及び
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧を印加するように構成されている制御回路を更に含む、請求項15に記載のメモリデバイス。 - 前記制御回路が、
前記選択したメモリセルを含まず、かつ前記ビット線及び前記選択したメモリセルに電気的に接続される制御ゲート線を共有する、前記メモリセル対に電気的に接続される前記ビット線に正電圧、及び
前記選択したメモリセルを含まず、かつ前記ビット線及び前記選択したメモリセルに電気的に接続される制御ゲート線を共有しない、前記メモリセル対に電気的に接続される前記ビット線には正又はゼロ電圧、を印加するように更に構成されている、請求項18に記載のメモリデバイス。 - 前記制御回路が、
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリセル対の前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線にはゼロ電圧を印加するように更に構成されている、請求項18に記載のメモリデバイス。 - 前記活性領域のそれぞれが、
前記第1の方向に延在し、前記活性領域にある前記第1及び第2の領域の一部に電気的に接続される第1のビット線と、
前記第1の方向に延在し、前記活性領域にある前記第1及び第2の領域の他方に電気的に接続される第2のビット線と、を更に含む、請求項9に記載のメモリデバイス。 - 選択した前記メモリセルの1つの読み出し動作中に、
前記選択したメモリセルに電気的に接続される前記ビット線には正電圧、
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルに電気的に接続される前記ビット線には正電圧、
前記選択したメモリセルの前記消去ゲートに電気的に接続される前記消去ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリセル対の前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線にはゼロ電圧、及び
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリセル対に電気的に接続される前記ビット線にはゼロ電圧を印加するように構成されている制御回路を更に含む、請求項21に記載のメモリデバイス。 - 選択した前記メモリセルの1つのプログラム動作中に、
前記選択したメモリセルに電気的に接続される前記ビット線には正電圧、
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルに電気的に接続される前記ビット線には電流、
前記選択したメモリセルの前記消去ゲートに電気的に接続される前記消去ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧、及び
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧を印加するように構成されている制御回路を更に含む、請求項21に記載のメモリデバイス。 - 前記制御回路が、
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリセル対に電気的に接続される前記ビット線には正電圧、
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリ対の前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線にはゼロ電圧を印加するように更に構成されている、請求項23に記載のメモリデバイス。 - 前記活性領域のそれぞれについて、
前記ある活性領域にある第1の複数の前記第1の領域が、前記第2の方向で前記ある活性領域に隣接した、別の前記活性領域にある第1の複数の前記第1の領域に電気的に接続され、
前記ある活性領域にある第2の複数の前記第1の領域が、前記第2の方向と反対の方向で前記ある活性領域に隣接した、別の前記活性領域にある第2の複数の前記第1の領域に電気的に接続され、
前記第1の複数の前記第1の領域が、前記第2の複数の前記第1の領域と交互であり、
前記メモリデバイスが、
第1の複数の前記活性領域の1つに沿ってそれぞれ延在し、その中の前記第1の複数の前記第1の領域に電気的に接続される、第1の複数のビット線と、
第2の複数の前記活性領域の1つに沿ってそれぞれ延在し、その中の前記第2の複数の前記第1の領域に電気的に接続される、第2の複数のビット線と、を更に含み、
前記第1の複数の前記活性領域が、前記第2の複数の前記活性領域と交互である、請求項9に記載のメモリデバイス。 - 前記活性領域のそれぞれについて、
前記ある活性領域にある前記第1の複数の前記第1の領域が、前記分離領域の1つに交差して延在する拡散部によって前記第2の方向で前記ある活性領域に隣接した、別の前記活性領域にある前記第1の複数の前記第1の領域に電気的に接続され、
前記ある活性領域にある前記第2の複数の前記第1の領域が、前記分離領域の別の1つに交差して延在する拡散部によって前記第2の方向と反対の方向で前記ある活性領域に隣接した、別の前記活性領域にある前記第2の複数の前記第1の領域に電気的に接続される、請求項25に記載のメモリデバイス。 - 前記活性領域のそれぞれについて、
前記ある活性領域にある前記第1の複数の前記第1の領域が、前記分離領域の1つに交差して延在する金属コネクタによって前記第2の方向で前記ある活性領域に隣接した、別の前記活性領域にある前記第1の複数の前記第1の領域に電気的に接続され、
前記ある活性領域にある前記第2の複数の前記第1の領域が、前記分離領域の別の1つに交差して延在する金属コネクタによって前記第2の方向と反対の方向で前記ある活性領域に隣接した、別の前記活性領域にある前記第2の複数の前記第1の領域に電気的に接続される、請求項25に記載のメモリデバイス。 - 選択した前記メモリセルの1つの読み出し動作中に、
前記選択したメモリセルに電気的に接続される前記ビット線には正電圧、
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルに電気的に接続される前記ビット線にはゼロ電圧、
前記選択したメモリセルの前記消去ゲートに電気的に接続される前記消去ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリセル対の前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線にはゼロ電圧、及び
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリセル対に電気的に接続される前記ビット線にはゼロ電圧を印加するように構成されている制御回路を更に含む、請求項25に記載のメモリデバイス。 - 選択した前記メモリセルの1つのプログラム動作中に、
前記選択したメモリセルに電気的に接続される前記ビット線には正電圧、
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルに電気的に接続される前記ビット線には電流、
前記選択したメモリセルの前記消去ゲートに電気的に接続される前記消去ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧、及び
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧を印加するように構成されている制御回路を更に含む、請求項25に記載のメモリデバイス。 - 前記制御回路が、
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリセル対に電気的に接続される前記ビット線には正電圧又はゼロ電圧、
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリ対の前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線にはゼロ電圧を印加するように更に構成されている、請求項29に記載のメモリデバイス。 - メモリデバイスであって、
第1の導電型の半導体材料の基板と、
実質的に互いに平行であり、第1の方向に延在する前記基板の上に形成された、離間した分離領域と、を備え、隣接した各分離領域対の間の活性領域も前記第1の方向に延在し、
前記活性領域のそれぞれが複数のメモリセル対を含み、前記メモリセル対のそれぞれが、
前記基板内で離間し、前記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有する第1の領域及び第2の領域であって、前記基板内の連続チャネル領域が前記第1の領域と前記第2の領域との間に延在する、第1の領域及び第2の領域と、
前記第1の領域に隣接した前記チャネル領域の第1の部分の上方に絶縁状態で配設される第1の浮遊ゲートと、
前記第2の領域に隣接した前記チャネル領域の第2の部分の上方に絶縁状態で配設される第2の浮遊ゲートと、
前記第1の領域部分と前記第2のチャネル領域部分との間の前記チャネル領域の第3の部分の上方に絶縁状態で配設されるワード線ゲートと、
前記第1の浮遊ゲートの上方に絶縁状態で配設される第1の制御ゲートと、
前記第2の浮遊ゲートの上方に絶縁状態で配設される第2の制御ゲートと、
前記第1の領域の上方に絶縁状態で配設される第1の消去ゲートと、
第2の領域の上方に絶縁状態で配設される消去ゲートと、を備え、
前記メモリセル対が、前記メモリセル対のそれぞれについて、前記チャネル領域が前記第1の領域から前記第2の領域まで前記第1の方向に延在し、前記第1の領域が、同一活性領域内の隣接したメモリセル対の前記第2の領域に電気的に接続され、前記第2の領域が前記同一活性領域内の隣接した前記メモリセル対の前記第1の領域に電気的に接続されるように、アレイに構成される、メモリデバイス。 - 前記第1の方向に対して直交する第2の方向に延在し、それぞれの前記活性領域にある前記第1の制御ゲートの1つにそれぞれ電気的に接続される、複数の第1の制御ゲート線と、
前記第2の方向に延在し、それぞれの前記活性領域にある前記第2の制御ゲートの1つにそれぞれ電気的に接続される、複数の第2の制御ゲート線と、
前記第2の方向に延在し、前記活性領域のそれぞれにある前記第1及び第2の消去ゲートの1つにそれぞれ電気的に接続される、複数の消去ゲート線と、
前記第2の方向に延在し、前記活性領域のそれぞれにある前記ワード線ゲートの1つにそれぞれ電気的に接続される、複数のワード線と、を更に含む、請求項31に記載のメモリデバイス。 - 前記活性領域のそれぞれについて、
前記ある活性領域にある第1の複数の前記消去ゲートが、前記第2の方向で前記ある活性領域に隣接した、別の前記活性領域にある第1の複数の前記消去ゲートに電気的に接続され、
前記ある活性領域にある第2の複数の前記消去ゲートが、前記第2の方向と反対の方向で前記ある活性領域に隣接した、別の前記活性領域にある第2の複数の消去ゲートに電気的に接続され、
前記第1の複数の前記消去ゲートが、前記第2の複数の前記消去ゲートと交互である、請求項32に記載のメモリデバイス。 - 前記第1の複数の前記消去ゲートの1つと前記消去ゲート線の1つとの間でそれぞれ電気的に接続される第1の複数の電気コンタクトと、
前記第2の複数の前記消去ゲートの1つと前記消去ゲート線の1つとの間でそれぞれ電気的に接続される第2の複数の電気コンタクトと、を更に含む、請求項33に記載のメモリデバイス。 - 前記活性領域のそれぞれについて、
前記ある活性領域にある第1の複数の前記第1の領域が、前記第2の方向で前記ある活性領域に隣接した、別の前記活性領域にある第1の複数の前記第1の領域に電気的に接続され、
前記ある活性領域にある第2の複数の前記第1の領域が、前記第2の方向と反対の方向で前記ある活性領域に隣接した、別の前記活性領域にある第2の複数の前記第1の領域に電気的に接続され、
前記第1の複数の前記第1の領域が、前記第2の複数の前記第1の領域と交互であり、
前記メモリデバイスが、
第1の複数の前記活性領域の1つと平行にそれぞれ延在し、その中の前記第1の複数の前記第1の領域と電気的に接続される、第1の複数のビット線と、
第2の複数の前記活性領域の1つと平行にそれぞれ延在し、その中の前記第2の複数の前記第1の領域と電気的に接続される、第2の複数のビット線と、を更に含み、
前記第1の複数の前記活性領域が、前記第2の複数の前記活性領域と交互である、請求項32に記載のメモリデバイス。 - 前記第1及び第2の複数のビット線が、前記分離領域の1つの上方に延在する、請求項35に記載のメモリデバイス。
- 前記第1及び第2の領域のうちの1つに電気的に接続される第1のコンタクトと、前記第1及び第2の複数のビット線のうちの1つに電気的に接続される第2のコンタクトとの間を前記第1の方向にそれぞれ延在する複数の金属ブリッジを更に備える、請求項36に記載のメモリデバイス。
- 選択した前記メモリセルの1つの読み出し動作中に、
前記選択したメモリセルに電気的に接続される前記ビット線には正電圧、
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルに電気的に接続される前記ビット線にはゼロ電圧、
前記選択したメモリセルの前記消去ゲートに電気的に接続される前記消去ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルの前記ワード線ゲートに電気的に接続される前記ワード線には正電圧、
前記選択したメモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリセル対の前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線にはゼロ電圧、及び
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリセル対に電気的に接続される前記ビット線にはゼロ電圧、及び
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリ対の前記ワード線ゲートに電気的に接続される前記ワード線にはゼロ電圧を印加するように構成されている制御回路を更に含む、請求項35に記載のメモリデバイス。 - 選択した前記メモリセルの1つのプログラム動作中に、
前記選択したメモリセルに電気的に接続される前記ビット線には正電圧、
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルに電気的に接続される前記ビット線には電流、
前記選択したメモリセルの前記消去ゲートに電気的に接続される前記消去ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルと対になる前記メモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧、
前記選択したメモリセルの前記ワード線ゲートに電気的に接続される前記ワード線には正電圧、及び
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリ対の前記ワード線ゲートに電気的に接続される前記ワード線にはゼロ電圧を印加するように構成されている制御回路を更に含む、請求項35に記載のメモリデバイス。 - 前記制御回路が、
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリセル対に電気的に接続される前記ビット線には正電圧又はゼロ電圧、
前記選択したメモリセルを含まない前記メモリ対の前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には正電圧又はゼロ電圧を印加するように更に構成されている、請求項39に記載のメモリデバイス。 - 選択した前記メモリセルの1つの消去動作中に、
前記選択したメモリセルの前記消去ゲートに電気的に接続される前記消去ゲート線には正電圧、及び
前記選択したメモリセルの前記制御ゲートに電気的に接続される前記制御ゲート線には負電圧を印加するように構成されている制御回路を更に含む、請求項32に記載のメモリデバイス。
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CN107305892B (zh) * | 2016-04-20 | 2020-10-02 | 硅存储技术公司 | 使用两个多晶硅沉积步骤来形成三栅极非易失性闪存单元对的方法 |
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US10748630B2 (en) | 2017-11-29 | 2020-08-18 | Silicon Storage Technology, Inc. | High precision and highly efficient tuning mechanisms and algorithms for analog neuromorphic memory in artificial neural networks |
US11087207B2 (en) | 2018-03-14 | 2021-08-10 | Silicon Storage Technology, Inc. | Decoders for analog neural memory in deep learning artificial neural network |
US10699779B2 (en) | 2017-11-29 | 2020-06-30 | Silicon Storage Technology, Inc. | Neural network classifier using array of two-gate non-volatile memory cells |
DE102019108500A1 (de) | 2018-09-27 | 2020-04-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Brückenzellen-architektur für eingebetteten speicher |
DE102019112410A1 (de) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Bauelementbereich-Layout für eingebetteten Flash-Speicher |
US10943913B2 (en) * | 2018-09-27 | 2021-03-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Strap-cell architecture for embedded memory |
US11500442B2 (en) | 2019-01-18 | 2022-11-15 | Silicon Storage Technology, Inc. | System for converting neuron current into neuron current-based time pulses in an analog neural memory in a deep learning artificial neural network |
US11023559B2 (en) | 2019-01-25 | 2021-06-01 | Microsemi Soc Corp. | Apparatus and method for combining analog neural net with FPGA routing in a monolithic integrated circuit |
US10720217B1 (en) | 2019-01-29 | 2020-07-21 | Silicon Storage Technology, Inc. | Memory device and method for varying program state separation based upon frequency of use |
US11423979B2 (en) | 2019-04-29 | 2022-08-23 | Silicon Storage Technology, Inc. | Decoding system and physical layout for analog neural memory in deep learning artificial neural network |
CN112086510A (zh) * | 2019-06-13 | 2020-12-15 | 联华电子股份有限公司 | 存储器元件的结构 |
CN111886651B (zh) * | 2020-04-28 | 2021-09-14 | 长江存储科技有限责任公司 | 存储器件及其擦除和验证方法 |
CN114335185A (zh) | 2020-09-30 | 2022-04-12 | 硅存储技术股份有限公司 | 具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅双位非易失性存储器单元及其制备方法 |
CN114335186A (zh) | 2020-09-30 | 2022-04-12 | 硅存储技术股份有限公司 | 具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元及其制备方法 |
CN115083912A (zh) * | 2021-03-11 | 2022-09-20 | 硅存储技术股份有限公司 | 带改善控制栅电容耦合的分裂栅存储器单元及其制造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02110981A (ja) * | 1988-06-08 | 1990-04-24 | Eliyahou Harari | フラッシュeepromセルアレイとそのアレイの形成方法 |
JPH07508859A (ja) * | 1992-07-03 | 1995-09-28 | コミッサリア タ レネルジー アトミーク | トリプルゲートフラッシュeepromメモリとその製造法 |
JPH0883855A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
US6646914B1 (en) * | 2002-03-12 | 2003-11-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Flash memory array architecture having staggered metal lines |
US20040065917A1 (en) * | 2002-10-07 | 2004-04-08 | Der-Tsyr Fan | Flash memory cells with separated self-aligned select and erase gates, and process of fabrication |
US20090108328A1 (en) * | 2007-10-24 | 2009-04-30 | Yuniarto Widjaja | Array Of Non-volatile Memory Cells |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3225916B2 (ja) | 1998-03-16 | 2001-11-05 | 日本電気株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置とその製造方法 |
US6125060A (en) | 1998-05-05 | 2000-09-26 | Chang; Ming-Bing | Flash EEPROM device employing polysilicon sidewall spacer as an erase gate |
US6566682B2 (en) | 2001-02-09 | 2003-05-20 | Micron Technology, Inc. | Programmable memory address and decode circuits with ultra thin vertical body transistors |
US6605840B1 (en) | 2002-02-07 | 2003-08-12 | Ching-Yuan Wu | Scalable multi-bit flash memory cell and its memory array |
US7214579B2 (en) * | 2002-10-24 | 2007-05-08 | Nxp Bv. | Self-aligned 2-bit “double poly CMP” flash memory cell |
US7101757B2 (en) * | 2003-07-30 | 2006-09-05 | Promos Technologies, Inc. | Nonvolatile memory cells with buried channel transistors |
KR100791331B1 (ko) * | 2006-01-20 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
TW200802816A (en) | 2006-06-27 | 2008-01-01 | Powerchip Semiconductor Corp | Non-volatile memory and manufacturing method thereof |
US7518912B2 (en) * | 2006-08-25 | 2009-04-14 | Powerchip Semiconductor Corp. | Multi-level non-volatile memory |
US7495958B2 (en) * | 2006-11-06 | 2009-02-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Program and erase methods and structures for byte-alterable flash memory |
KR20090106573A (ko) * | 2006-12-28 | 2009-10-09 | 샌디스크 코포레이션 | 비휘발성 메모리에서 필드 커플링 감소를 위한 차폐 플레이트들을 제조하는 방법 |
US20090039410A1 (en) * | 2007-08-06 | 2009-02-12 | Xian Liu | Split Gate Non-Volatile Flash Memory Cell Having A Floating Gate, Control Gate, Select Gate And An Erase Gate With An Overhang Over The Floating Gate, Array And Method Of Manufacturing |
US7749855B2 (en) * | 2007-08-14 | 2010-07-06 | Spansion Llc | Capacitor structure used for flash memory |
US7701767B2 (en) * | 2008-07-09 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Strap-contact scheme for compact array of memory cells |
US7851846B2 (en) * | 2008-12-03 | 2010-12-14 | Silicon Storage Technology, Inc. | Non-volatile memory cell with buried select gate, and method of making same |
US7974114B2 (en) | 2009-04-28 | 2011-07-05 | Infineon Technologies Ag | Memory cell arrangements |
CN102637455A (zh) | 2011-02-10 | 2012-08-15 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 存储器阵列 |
JP2012222201A (ja) | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US8883592B2 (en) * | 2011-08-05 | 2014-11-11 | Silicon Storage Technology, Inc. | Non-volatile memory cell having a high K dielectric and metal gate |
CN102969346B (zh) * | 2011-08-31 | 2016-08-10 | 硅存储技术公司 | 具有带改进耦合比的浮栅和耦合栅的非易失性存储器单元 |
US8878281B2 (en) * | 2012-05-23 | 2014-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods and apparatus for non-volatile memory cells |
CN102693987A (zh) * | 2012-06-11 | 2012-09-26 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 分栅式闪存单元以及分栅式闪存装置 |
US9018690B2 (en) | 2012-09-28 | 2015-04-28 | Silicon Storage Technology, Inc. | Split-gate memory cell with substrate stressor region, and method of making same |
US8669607B1 (en) | 2012-11-01 | 2014-03-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods and apparatus for non-volatile memory cells with increased programming efficiency |
JP6114534B2 (ja) | 2012-11-07 | 2017-04-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US9276206B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-03-01 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Scalable and reliable non-volatile memory cell |
CN104091801B (zh) * | 2014-07-23 | 2017-01-11 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 存储器单元阵列及其形成方法和驱动方法 |
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Patent Citations (6)
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---|---|---|---|---|
JPH02110981A (ja) * | 1988-06-08 | 1990-04-24 | Eliyahou Harari | フラッシュeepromセルアレイとそのアレイの形成方法 |
JPH07508859A (ja) * | 1992-07-03 | 1995-09-28 | コミッサリア タ レネルジー アトミーク | トリプルゲートフラッシュeepromメモリとその製造法 |
JPH0883855A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
US6646914B1 (en) * | 2002-03-12 | 2003-11-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Flash memory array architecture having staggered metal lines |
US20040065917A1 (en) * | 2002-10-07 | 2004-04-08 | Der-Tsyr Fan | Flash memory cells with separated self-aligned select and erase gates, and process of fabrication |
US20090108328A1 (en) * | 2007-10-24 | 2009-04-30 | Yuniarto Widjaja | Array Of Non-volatile Memory Cells |
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