JP2018159941A - フォトリソグラフィのためのオーバーコート組成物及び方法 - Google Patents
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- DKDKCSYKDZNMMA-UHFFFAOYSA-N C=CC(OC(CC(C1)C2)(CC1C1)CC21O)=O Chemical compound C=CC(OC(CC(C1)C2)(CC1C1)CC21O)=O DKDKCSYKDZNMMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUWLHXQSQBKAPU-UHFFFAOYSA-N C=CC(OC(CC1C2)C2C(CO2)C1C2=O)=O Chemical compound C=CC(OC(CC1C2)C2C(CO2)C1C2=O)=O CUWLHXQSQBKAPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZDMCGPZDGKURQ-UHFFFAOYSA-N CC(C(OCC(OC(C1CC2C3C1)C3OC2=O)=O)=O)=C Chemical compound CC(C(OCC(OC(C1CC2C3C1)C3OC2=O)=O)=O)=C RZDMCGPZDGKURQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
Description
X1−R1−X2−R2−X3(I)
式中、X1は、アクリレートまたはアルキルアクリレート(例えば、メタクリレート)等の重合性官能基であり、R1は、1〜30個の炭素原子を有する任意に置換された直鎖、分岐鎖、もしくは環状の脂肪族基(アルキルを含む)または任意に置換されたフェニルもしくはナフチル等の任意に置換された芳香族基であってもよく、X2は、窒素等の塩基性部分であり、R1の成分であるかもしくはそれと一緒になってもよく(例えば、R1及びX2は、結合してピペリジニル部分を形成してもよい)、R2は、カルバメートもしくはスルファメート等の酸不安定基であり、X3は、1〜30個の炭素原子を有する任意に置換された直鎖、分岐鎖、もしくは環状の脂肪族基(アルキルを含む)または任意に置換されたフェニルもしくはナフチル等の任意に置換された芳香族基であってもよい。R2及びR3は、一緒に酸不安定基を形成してもよく、例えば、R2は、−C(=O)O−であってもよく、X3は、t−ブチル等の4級炭素を含んでもよい(したがって、R2及びX3は、−C(=O)OC(CH3)3になるであろう)。
好ましい組成物において、トップコート組成物の第1のポリマーは、トップコート組成物のコーティング中にトップコートコーティング層の上表面へ向かって移動し得る。特定のシステムでは、これは、実質的に第1のポリマーからなる表層を形成し得る。好ましい態様では、露光及び露光後ベーキング(PEB)の後、トップコート組成物層は、有機溶媒を含む現像剤中を含めて、下のレジストコーティング層と共に現像され得る。このようなシステムでは、有機現像剤は、トップコート及びフォトレジスト層の両方の未露光部分ならびに露光部分の表層を除去し得る。液浸リソグラフィにおいて使用される場合、好ましいトップコート組成物は、フォトレジスト材料の液浸流体への移動(浸出)の低減を呈し得る。
X1−R1−X2−R2−X3(I)
式中、X1は、アクリレートまたはメタクリレート等のアルキルアクリレート等の重合性官能基であり、R1は、1〜30個の炭素原子を有する任意に置換された直鎖、分岐鎖、もしくは環状の脂肪族基(アルキルを含む)または任意に置換されたフェニルもしくはナフチル等の任意に置換された芳香族基であってもよく、好ましくはR1は、C1−15のアルキルであり任意にフッ素化され、X2は、窒素等の塩基性部分であり、R1の成分であるかもしくはそれと一緒になってもよく(例えば、R1及びX2は、結合してピペリジニル部分を形成してもよい)、R2は、酸不安定基であり、X3は、1〜30個の炭素原子を有する任意に置換された直鎖、分岐鎖、もしくは環状の脂肪族基(アルキルを含む)または任意に置換されたフェニルもしくはナフチル等の任意に置換された芳香族基であってもよい。
R1-O-R2-O-R3-OH
式中、R1は、任意に置換されたC1〜C2アルキル基であり、R2及びR3は、独立して、任意に置換されたC2〜C4アルキル基、及び異性体混合物を含むこのようなヒドロキシアルキルエーテルの混合物から選択される。例示的なヒドロキシアルキルエーテルとしては、ジアルキルグリコールモノアルキルエーテル及びその異性体、例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、その異性体及びその混合物が挙げられる。添加溶媒は、典型的には溶媒システムの3〜15重量%の量で存在する。
広範なフォトレジスト組成物を、本発明のトップコート組成物及びプロセスと組み合わせて使用することができる。
液状フォトレジスト組成物は、スピンコート法、浸漬法、ローラーコーティング法、または他の従来のコーティング技法等によって基板に塗布することができ、スピンコート法が典型的である。スピンコート法を行う場合、コーティング溶液の固形分含有量は、利用される特定の回転機器、溶液の粘度、スピナーの速度、及び回転に許容される時間の長さに基づいて所望の膜厚を提供するように調整することができる。
第2のポリマーの合成
以下のモノマーが、下記のトップコートポリマーの合成において用いられた。
ECPMA(5.092g)、MCPMA(10.967g)、MNLMA(15.661g)、及びHADA(8.280g)のモノマーを、60gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)に溶解した。このモノマー溶液を、20分間窒素によるバブリングにより脱気した。PGMEA(27.335g)を、凝縮器と機械撹拌機とを備えた500mLの3つ口フラスコに装入し、20分間窒素によるバブリングにより脱気した。続いて、反応フラスコ中の溶媒を80℃の温度へ移行させた。V601(ジメチル−2,2−アゾジイソブチレート)(0.858g)を、8gのPGMEA中に溶解させ、開始剤溶液を、20分間窒素によるバブリングにより脱気した。開始剤溶液を、反応フラスコ中へ添加し、次にモノマー溶液を、厳密な撹拌及び窒素環境下で3時間にわたって反応装置中へ液滴で供給した。モノマー供給が完了した後、重合混合物を更に1時間80℃で静置した。合計4時間の重合時間の後(3時間の供給及び1時間の供給後撹拌)、重合混合物を室温まで放冷した。沈殿を、メチルtert−ブチルエーテル(MTBE)(1634g)中で行った。沈殿したパワーを、ろ過によって収集し、一晩空気乾燥させ、120gのTHF中に再溶解させ、MTBE(1634g)中に再沈殿させた。最終ポリマーを、ろ過し、一晩空気乾燥させ、更に60℃で48時間真空乾燥して、31.0gのポリ(ECPMA/MCPMA/MNLMA/HADA)(15/35/30/20)コポリマー(MP−1)(Mw=20,120及びMw/Mn=1.59)を得た。
MCPMA(17.233g)、OTDA(13.695g)及びHADA(9.108g)のモノマーを60gのPGMEA中に溶解した。このモノマー溶液を、20分間窒素によるバブリングにより脱気した。PGMEA(30.837g)を、凝縮器と機械撹拌機とを備えた500mLの3つ口フラスコに装入し、20分間窒素によるバブリングにより脱気した。続いて、反応フラスコ中の溶媒を80℃の温度へ移行させた。V601(ジメチル−2,2−アゾジイソブチレート)(2.359g)を8gのPGMEA中に溶解させ、開始剤溶液を、20分間窒素によるバブリングにより脱気した。開始剤溶液を、反応フラスコ中へ添加し、次にモノマー溶液を、厳密な撹拌及び窒素環境下で3時間にわたって反応装置中へ液滴で供給した。モノマー供給が完了した後、重合混合物を更に1時間80℃で静置した。合計4時間の重合時間の後(3時間の供給及び1時間の供給後撹拌)、重合混合物を室温まで放冷した。沈殿を、行ったMTBE(1694g)。沈殿したパワーを、ろ過によって収集し、一晩空気乾燥させ、120gのTHF中に再溶解させ、MTBE(1694g)中に再沈殿させた。最終ポリマーを、ろ過し、一晩空気乾燥させ、更に60℃で48時間真空乾燥して、28.535gのポリ(MCPMA/OTDA/HADA)(50/30/20)コポリマー(MP−2)(Mw=13,474及びMw/Mn=1.64)を得た。
MCPMA(17.234g)及びOTDA(22.766g)のモノマーを60gのPGMEA中に溶解した。このモノマー溶液を、20分間窒素によるバブリングにより脱気した。PGMEA(30.837g)を、凝縮器と機械撹拌機とを備えた500mLの3つ口フラスコに装入し、20分間窒素によるバブリングにより脱気した。続いて、反応フラスコ中の溶媒を80℃の温度へ移行させた。V601(ジメチル−2,2−アゾジイソブチレート)(2.359g)を8gのPGMEA中に溶解させ、開始剤溶液を、20分間窒素によるバブリングにより脱気した。開始剤溶液を、反応フラスコ中へ添加し、次にモノマー溶液を、厳密な撹拌及び窒素環境下で3時間にわたって反応装置中へ液滴で供給した。モノマー供給が完了した後、重合混合物を、更に1時間80℃で静置した。合計4時間の重合時間の後(3時間の供給及び1時間の供給後撹拌)、重合混合物を室温まで放冷した。沈殿を、行ったMTBE(1694g)。沈殿したパワーを、ろ過によって収集し、一晩空気乾燥させ、120gのTHF中に再溶解させ、MTBE(1694g)中に再沈殿させた。最終ポリマーを、ろ過し、一晩空気乾燥させ、更に60℃で48時間真空乾燥して、33.058gのポリ(MCPMA/OTDA)(50/50)コポリマー(MP−3)(Mw=13,109及びMw/Mn=1.80)を得た。
上のスキーム1で一般に示されているように、tert−ブチル4−ヒドロキシピペリジン−1−カルボキシレート(50.0g、0.248mol)及びトリメチルアミン(104mL、0.745mol)を、0℃において窒素環境下で丸底フラスコ中の500mLの塩化メチレンに溶解した。塩化メタクリロイル(28.33mL、0.298mol)を液滴で添加した。反応混合物を、緩徐に室温まで温め、この温度で一晩撹拌した。
上のスキーム2に一般に示されているように、一連のモノマー、nBMA(5.74g)、iBMA(30.63g)及びTBPMA(3.63g)のを、室温において丸底フラスコ中の32.667gのPGMEAに撹拌により溶解し、20分間窒素により脱気した。PGMEA(60.667g)を、凝縮器と機械撹拌機とを備えたJulabo反応装置に装入した。20分間窒素により脱気した後、Julabo反応装置中の溶媒を80℃に加熱した。他の丸底フラスコにおいて、開始剤V601(5.98g)を、8.96gのPGMEAに溶解させ、20分間窒素により脱気した。開始剤溶液を、Julabo反応装置中へ緩徐に添加し、15分間撹拌した。次に、モノマー溶液を、窒素環境下で活発な撹拌と共に、3時間にわたってJulabo反応装置中へ液滴で供給した。モノマー供給が完了した後、反応混合物を、80℃で1時間撹拌した。反応混合物を、室温まで放冷し、次に4:1v/vのメタノール:水混合溶媒の混合物(1300g)に添加した。このようにして沈殿したポリマーを、ろ過によって収集し、一晩空気乾燥した。乾燥したポリマーを、90gのTHF中に再溶解させ、4:1v/vのメタノール:水混合溶媒の混合物(1300g)中に再沈殿させた。最終ポリマーを、ろ過し、一晩空気中で、次に24時間真空下で50℃において乾燥させ、26.6gのポリ(nBMA/iBMA/TBPMA)(14.0/81.4/4.7)コポリマー(試料#1)(Mw=6053及びPDI=1.51)を得た。
上の実施例5の手順によって、iBMA(36.37g)及びTBPMA(3.63g)のが、反応し、29.4gのポリ(iBMA/TBPMA)(95.2/4.8)コポリマー(試料#2)(Mw=5805及びPDI=1.51)を得た。
上の実施例5の手順によって、nBMA(8.98g)、TBPMA(3.40g)及びNPMA(27.61g)のが、反応し、32.5gのポリ(nBMA/TBPMA/NPMA)(24.9/4.9/70.2)コポリマー(試料#3)(Mw=6069及びPDI=1.58)を得た。
上の実施例5の手順によって、nBMA(3.67g)、iBMA(29.37g)及びTBPMA(6.95g)のが、反応し、29.0gのポリ(nBMA/iBMA/TBPMA)(8.7/82.1/9.2)コポリマー(試料#4)(Mw=6,009及びPDI=1.41)を得た。
上の実施例5の手順によって、nBMA(1.76g)、iBMA(28.22g)及びTBPMA(10.02g)のが、反応し、25.3gのポリ(nBMA/iBMA/TBPMA)(4.3/81.5/14.3)コポリマー(試料#5)(Mw=5922及びPDI=1.46)を得た。
本発明のトップコート組成物は、以下の成分を以下の量で混和することによって調製される。
本発明のトップコート組成物を、以下の成分、イソ酪酸イソブチル(IBIB)中の5.1398gのポリマーB溶液(下に示す)(20%)、IBIB中の1.365gのクエンチャーA(下に示す)溶液(1%)、及び93.604gのIBIBを混和することによって調製し、次に混合物を、0.2マイクロメートルのナイロンフィルタによりろ過した。
実施例11のトップコート組成物は、ネガ型現像可能な(NTD)フォトレジストのコーティング層を有するシリコンウエハ上にスピンコートされる。NTDフォトレジストは、光酸不安定基を含む第1のポリマー、光酸発生剤化合物、アミンクエンチャー化合物、フッ素化樹脂である第2のポリマー、及び溶媒を含有していた。第1のポリマーは、イソプロイルアダマンチルメタクリレート/イソプロピルシクロプロピルメタクリレート/γ−ブチロラクトンメタクリレート/ヒドロキシアダマンチルメタクリレート(20/25/30/25)のコポリマーであった。フォトレジスト光酸発生剤化合物は、全固形分(溶媒を除いた全フォトレジスト材料)の6.0重量%の量で存在するトリフェニルスルホニウムパーフルオロブチルスルホネートであった。フォトレジストクエンチャー化合物は、全固形分の1.3重量%の量で存在するトリオクチルアミンであった。フォトレジスト溶媒は、50:50相対体積パーセントのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート/メチル−2−ヒドロキシイソブチレートであった。
Claims (15)
- フォトレジスト層上に適用される組成物であって、
(a)
(i)酸不安定基を含む窒素含有部分を含む第1の単位と、
(ii)(1)1つ以上の疎水基を含み、かつ(2)前記第1の単位とは異なる、第2の単位と、を含み、フッ素を含まない第1のポリマーを含む、前記組成物。 - フォトレジスト層上に適用される組成物であって、
(a)
(i)酸不安定基を含む窒素含有部分を含む第1の単位と、
(ii)(1)1つ以上の疎水基を含み、かつ(2)前記第1の単位とは異なる、第2の単位と、
(iii)(1)1つ以上の疎水基を含み、かつ(2)前記第1及び第2の単位とは異なる、第3の単位と、を含む、第1のポリマーを含む、前記組成物。 - フォトレジスト層上に適用される組成物であって、
(a)
(i)酸不安定基を含む窒素含有部分を含む第1の単位と、
(ii)(1)1つ以上の疎水基を含み、かつ(2)前記第1の単位とは異なる、第2の単位と、を含み、
前記第2の単位の前記1つ以上の疎水基は各々、3つ以上の炭素原子を含む、第1のポリマーを含む、前記組成物。 - 前記窒素含有部分は、保護化アミンである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記窒素含有部分は、リソグラフィ処理の間、酸の存在下で脱保護化され得る、請求項1〜4のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記窒素含有部分は、カルバメートまたはスルファメートである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の組成物。
- (1)酸不安定基を含み、かつ(2)前記第1のポリマーとは異なる、第2のポリマーを更に含む、請求項1〜6のいずれか1項に記載の組成物。
- フォトレジスト層上に適用される組成物であって、
(a)
(i)酸不安定基を含む窒素含有部分を含む第1の単位と、
(ii)(1)1つ以上の疎水基を含み、かつ(2)前記第1の単位とは異なる、第2の単位と、を含む、第1のポリマーと、
(b)(1)酸不安定基を含み、かつ(2)前記第1のポリマーとは異なる、第2のポリマーと、
を含む、前記組成物。 - 前記第1の単位は、疎水基をさらに含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記第1の単位は、3つ以上の炭素原子を有する任意に置換されたアルキルをさらに含む、請求項1〜9のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記第2の単位及び前記第3の単位は各々、5つ以上の炭素原子を有する疎水基を含む、請求項1〜10のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記組成物は、酸発生剤を含まない、請求項1〜11のいずれか1項に記載の組成物。
- フォトレジスト組成物を処理するための方法であって、
(a)フォトレジスト組成物の層を基板上に塗布することと、
(b)前記フォトレジスト層上に、請求項1〜12のいずれか1項に記載の組成物の層を塗布してトップコート層を形成することと、
(c)前記トップコート層及びフォトレジスト層を活性化照射でパターン露光することと、
(d)前記露光されたフォトレジスト組成物層を現像してフォトレジストレリーフ像を提供することと、を含む、前記方法。 - 前記トップコート層の第1のポリマーの窒素含有部分の酸不安定基は、前記露光及び露光後かつ現像前の熱処理の間の反応を経て、前記第1のポリマーに結合したアミンを提供する、請求項13に記載の前記方法。
- 前記露光されたフォトレジスト及びトップコート層は、前記フォトレジスト組成物層の未露光部分を選択的に除去する有機溶媒組成物によって現像され、前記フォトレジストレリーフ像を提供する、請求項13または14に記載の前記方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562154946P | 2015-04-30 | 2015-04-30 | |
US62/154,946 | 2015-04-30 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016086306A Division JP2016212401A (ja) | 2015-04-30 | 2016-04-22 | フォトリソグラフィのためのオーバーコート組成物及び方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018159941A true JP2018159941A (ja) | 2018-10-11 |
JP6641419B2 JP6641419B2 (ja) | 2020-02-05 |
Family
ID=57204872
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016086306A Pending JP2016212401A (ja) | 2015-04-30 | 2016-04-22 | フォトリソグラフィのためのオーバーコート組成物及び方法 |
JP2018111140A Expired - Fee Related JP6641419B2 (ja) | 2015-04-30 | 2018-06-11 | フォトリソグラフィのためのオーバーコート組成物及び方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016086306A Pending JP2016212401A (ja) | 2015-04-30 | 2016-04-22 | フォトリソグラフィのためのオーバーコート組成物及び方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10514604B2 (ja) |
JP (2) | JP2016212401A (ja) |
KR (2) | KR101848656B1 (ja) |
CN (1) | CN106094439A (ja) |
TW (1) | TWI671344B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105022224A (zh) * | 2013-12-31 | 2015-11-04 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 光刻方法 |
TWI750225B (zh) * | 2016-09-15 | 2021-12-21 | 日商日產化學工業股份有限公司 | 光阻下層膜形成組成物 |
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-
2016
- 2016-04-20 KR KR1020160048417A patent/KR101848656B1/ko active IP Right Grant
- 2016-04-21 TW TW105112508A patent/TWI671344B/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-04-22 CN CN201610258327.8A patent/CN106094439A/zh active Pending
- 2016-04-22 JP JP2016086306A patent/JP2016212401A/ja active Pending
- 2016-04-29 US US15/142,658 patent/US10514604B2/en active Active
-
2018
- 2018-04-09 KR KR1020180040967A patent/KR102029693B1/ko active IP Right Grant
- 2018-06-11 JP JP2018111140A patent/JP6641419B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180041639A (ko) | 2018-04-24 |
US20160320703A1 (en) | 2016-11-03 |
CN106094439A (zh) | 2016-11-09 |
KR20160129726A (ko) | 2016-11-09 |
TW201638226A (zh) | 2016-11-01 |
KR102029693B1 (ko) | 2019-10-08 |
US10514604B2 (en) | 2019-12-24 |
KR101848656B1 (ko) | 2018-04-13 |
TWI671344B (zh) | 2019-09-11 |
JP6641419B2 (ja) | 2020-02-05 |
JP2016212401A (ja) | 2016-12-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180611 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190515 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |