JP2018157564A5 - 酸窒化ケイ素膜により覆われたインターディジタル電極を含む弾性波デバイスとその形成方法 - Google Patents

Claims (20)

1. 弾性波デバイスであって、
   圧電基板と、
   前記圧電基板に配置された一対の交互に入り組んだインターディジタルトランスデューサ電極と、
   酸窒化ケイ素を含む誘電体膜と
   を含み、
   前記誘電体膜は、前記一対の交互に入り組んだインターディジタルトランスデューサ電極を覆い−５５℃から１２５℃の前記弾性波デバイスの動作温度範囲全体にわたり実質的にゼロの速度温度係数を示す、弾性波デバイス。
2. 前記酸窒化ケイ素を含む誘電体膜と前記一対の交互に入り組んだインターディジタルトランスデューサ電極との間に配置された第２誘電体膜をさらに含む、請求項１の弾性波デバイス。
3. 前記第２誘電体膜は、前記圧電基板の速度温度係数とは反対の符号を有する速度温度係数を示す、請求項２の弾性波デバイス。
4. 前記第２誘電体膜の速度温度係数は正である、請求項３の弾性波デバイス。
5. 前記第２誘電体膜は、前記弾性波デバイスの動作温度範囲全体にわたり、前記圧電基板の速度温度係数とは反対の符号を有する速度温度係数を示す、請求項３の弾性波デバイス。
6. 前記第２誘電体膜の速度温度係数は、前記酸窒化ケイ素を含む誘電体膜の速度温度係数よりも負の程度が大きい、請求項５の弾性波デバイス。
7. 前記第２誘電体膜は二酸化ケイ素を含む、請求項５の弾性波デバイス。
8. 前記第２誘電体膜は前記一対の交互に入り組んだインターディジタルトランスデューサ電極に直接接触する、請求項２の弾性波デバイス。
9. 前記第２誘電体膜は、酸窒化ケイ素を含む誘電体膜に直接接触する、請求項８の弾性波デバイス。
10. 前記第２誘電体膜は前記圧電基板に直接接触する、請求項８の弾性波デバイス。
11. 前記弾性波デバイスは共振器及びフィルタの一方である、請求項１の弾性波デバイス。
12. 前記弾性波デバイスは無線周波数共振器及び無線周波数フィルタの一方である、請求項１１の弾性波デバイス。
13. 電子デバイスモジュールに含まれた、請求項１の弾性波デバイス。
14. 前記電子デバイスモジュールは無線周波数デバイスモジュールである、請求項１３の弾性波デバイス。
15. 電子デバイスに含まれる、請求項１４の弾性波デバイス。
16. 弾性波デバイスであって、
    圧電基板と、
    前記圧電基板に配置された一対の交互に入り組んだインターディジタルトランスデューサ電極と、
    酸窒化ケイ素を含む誘電体膜と
    を含み、
    前記誘電体膜は、前記一対の交互に入り組んだインターディジタルトランスデューサ電極を覆い、Ｎ／（Ｎ＋Ｏ）比が０．１以下であり、ここで、Ｎは前記誘電体膜における窒素の原子パーセントであり、Ｏは前記誘電体膜における酸素の原子パーセントである、弾性波デバイス。
17. 前記誘電体膜は正の速度温度係数を有する、請求項１６の弾性波デバイス。
18. 前記酸窒化ケイ素を含む誘電体膜と前記一対の交互に入り組んだインターディジタルトランスデューサ電極との間に配置された第２誘電体膜をさらに含む、請求項１６の弾性波デバイス。
19. 弾性波デバイスを形成する方法であって、
    一対の交互に入り組んだインターディジタルトランスデューサ電極を圧電基板に形成することと、
    酸窒化ケイ素を含む誘電体膜を、前記一対の交互に入り組んだインターディジタルトランスデューサ電極を覆うように堆積することと
    を含み、
    前記誘電体膜は、−５５℃から１２５℃の前記弾性波デバイスの動作温度範囲全体にわたり実質的にゼロの速度温度係数を示す、方法。
20. 前記誘電体膜と前記一対の交互に入り組んだインターディジタルトランスデューサ電極との間に二酸化ケイ素膜を形成することをさらに含む、請求項１９の方法。