JP2018150572A - ガス制御システム、該ガス制御システムを備えた成膜装置、該ガス制御システムに用いるプログラム及びガス制御方法。 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】材料が収容されたタンク10にキャリアガスを導入し、前記材料が気化した材料ガスを前記キャリアガスと共に前記タンク10から導出するものであって、前記タンク10から導出される混合ガスを測定して得られる、前記混合ガス中の材料ガス濃度を直接的又は間接的に示す濃度指標値が、予め定められた目標濃度指標値に近づくように前記キャリアガスの流量を制御する制御部60を具備し、前記制御部60が、前記キャリアガスの流量が所定変化率で変化するように制御する第1制御を行った後、前記濃度指標値と前記目標濃度指標値との偏差に基づき前記キャリアガスの流量を制御する第2制御を行う。
【選択図】図1
Description
前記制御部によって前記タンクから最初に導出される所定量の材料ガスをPID制御して得られる前記濃度指標値の経時変化を校正データとして記憶する校正データ記憶部と、を具備し、前記制御部が、前記タンクから2回目以降に導出される所定量の材料ガスをPID制御する場合に、前記校正データを参照して前記PID制御における前記キャリアガスの流量の操作量に対してその操作量の上限及び下限を定める制御可能範囲を設定することを特徴とするものである。
本実施形態に係るガス制御システム100は、図1に示すように、材料を収容するタンク10と、タンク10の材料空間に対してキャリアガスを導入するキャリアガス導入路20と、タンク10の気相空間から材料ガス及びキャリアガスを導出する導出路30と、導出路30に希釈ガスを導入する希釈ガス導入路40と、を備えている。また、キャリアガス導入路20及び導出路30とは、接続路25で接続されており、キャリアガス導入路20、接続路25及び導出路30には、それぞれバルブ20a,25a,30aが設置されている。そして、キャリアガス導入路20には、バルブ20aの上流側にキャリアガス流量調節部21が設置されており、希釈ガス導入路40には、希釈ガス流量調節部41が設置されており、導出路30には、バルブ30aの下流側に測定部50が設置されている。なお、図示しないが、キャリアガス導入路20の始端は、キャリアガス供給機構に接続されており、希釈ガス導入路40の始端は、希釈ガス供給機構に接続されており、導出路30の終端は、混合ガスを供給する成膜室に接続されている。
本実施形態は、前記実施形態1における第1制御(特に、図2におけるステップS3)の変形例である。すなわち、本実施形態における第1制御においては、材料の性質や量などの材料的条件、各管材の内径やタンク容量などの装置的条件、気温などの外的条件等を変更した各種条件下において測定濃度の初期変化率を測定し、その各初期変化率を予め初期変化率データとして初期変化率データ記憶部に記憶しておく。そして、制御部が、その初期変化率データ記憶部に記憶された初期変化率データを参照して所定変化率を設定する。
本実施形態は、前記実施形態1のおける第2制御(図2におけるステップS6〜ステップS11)の変形例である。すなわち、本実施形態における第2制御は、PID制御であり、第1状態になった場合に、PID制御における比例ゲインを所定値に設定し、これにより、キャリアガスの流量が変化しないようにPID制御する。一方、第2状態になった場合に、PID制御における比例ゲインを前記所定値よりも大きい値に設定してキャリアガスの流量が目標濃度に近づくようにPID制御する(図5参照)。
タンクから導出される材料ガスの総量を制御し易くするために、次のように制御してもよい。例えば、測定濃度と目標濃度との偏差に基づきキャリアガスの流量をPID制御し、これにより、タンクから導出される混合ガス中の材料ガス濃度を制御する場合に、所定タイミングで測定された測定濃度と目標濃度との偏差に基づきキャリアガスの流量を制御するのではなく、所定タイミングで測定された測定濃度から予想されるΔt後の予想濃度と目標濃度との偏差に基づきキャリアガスの流量を制御してもよい。
10 タンク
20 キャリアガス導入路
21 キャリアガス流量調節部
30 導出路
40 希釈ガス導入路
41 希釈ガス流量調節部
50 測定部
51 圧力測定装置
52 分圧測定装置
60 制御部
Claims (19)
- 材料が収容されたタンクにキャリアガスを導入し、前記材料が気化した材料ガスを前記キャリアガスと共に前記タンクから導出するものであって、
前記タンクから導出される混合ガスを測定して得られる、前記混合ガス中の材料ガス濃度を直接的又は間接的に示す濃度指標値が、予め定められた目標濃度指標値に近づくように前記キャリアガスの流量を制御する制御部を具備し、
前記制御部が、
前記キャリアガスの流量が所定変化率で変化するように制御する第1制御を行った後、前記濃度指標値と前記目標濃度指標値との偏差に基づき前記キャリアガスの流量を制御する第2制御を行うことを特徴とするガス制御システム。 - 前記制御部が、前記濃度指標値が前記目標濃度指標値に達する前に、前記第2制御に切り替える請求項1記載のガス制御システム。
- 前記制御部が、前記第1制御において、前記キャリアガスが導入され始めた直後に前記タンクから導出される混合ガスの前記濃度指標値の初期変化率を参照して前記所定変化率を設定する請求項1又は2のいずれかに記載のガス制御システム。
- 前記初期変化率を各種条件下で測定した初期変化率データが予め記憶された初期変化率データ記憶部をさらに具備し、
前記制御部が、前記第1制御において、前記初期変化率データを参照して前記所定変化率を設定する請求項1又は2のいずれかに記載のガス制御システム。 - 前記制御部が、前記第2制御において、前記濃度指標値が前記目標濃度指標値を含む予め定められた目標濃度指標値範囲内にある第1状態又は前記目標指標値範囲内にない第2状態のいずれか一方から他方へ移行する場合に、前記キャリアガスの流量の変化率を所定値シフトさせる請求項1乃至4のいずれかに記載のガス制御システム。
- 前記制御部が、前記第2制御において、前記第1状態から前記第2状態へ移行する場合に、前記キャリアガスの流量の変化率を所定値大きくなるようにシフトさせ、前記第2状態から前記第1状態へ移行する場合に、前記キャリアガスの流量の変化率を所定値小さくなるようにシフトさせる請求項5記載のガス制御システム。
- 前記制御部が、前記第2制御における前記第1状態又は前記第2状態のいずれか一方又は双方において、前記キャリアガスの流量を一定変化率で変化するように制御する請求項6記載のガス制御システム。
- 前記第2制御がPID制御であり、
前記制御部が、前記第2制御におけるPID制御において、前記第1状態よりも前記第2状態の方が、比例ゲインを大きい値に設定する請求項6又は7のいずれかに記載のガス制御システム。 - 前記制御部が、前記第2制御において、前記第1状態における前記キャリアガスの流量の変化率を0に制御する請求項6乃至8のいずれかに記載のガス制御システム。
- 前記制御部が、前記第1制御と前記第2制御との間に、前記キャリアガスの流量の変化率を0に制御する第3制御を行う請求項1乃至9のいずれかに記載のガス制御システム。
- 前記制御部が、前記第1制御と前記第2制御との間に、前記濃度指標値と前記目標濃度指標値との偏差に基づき前記キャリアガスの流量をPID制御する第4制御を行う請求項1乃至10のいずれかに記載のガス制御システム。
- 前記制御部が、前記第4制御におけるPID制御よりも前記第2制御におけるPID制御の方が、比例ゲインを小さい値に設定する請求項11記載のガス制御システム。
- 材料が収容されたタンクにキャリアガスを導入し、前記材料が気化した材料ガスを前記キャリアガスと共に前記タンクから導出することにより、前記タンクから所定量の材料ガスを間欠的に導出するものであって、
前記タンクから導出される混合ガスを測定して得られる、前記混合ガス中の材料ガス濃度を直接的又は間接的に示す濃度指標値が、予め定められた目標濃度指標値に近づくように前記キャリアガスの流量をPID制御する制御部と、
前記制御部によって前記タンクから最初に導出される所定量の材料ガスをPID制御して得られる前記濃度指標値の経時変化を校正データとして記憶する校正データ記憶部と、を具備し、
前記制御部が、
前記タンクから2回目以降に導出される所定量の材料ガスをPID制御する場合に、前記校正データを参照して前記PID制御において、前記濃度指標値と前記目標濃度指標値との偏差に基づいて決まる前記キャリアガスの流量の操作量に対してその上限及び下限を定める制御可能範囲を設定することを特徴とするガス制御システム。 - 材料が収容されたタンクにキャリアガスを導入し、前記材料が気化した材料ガスを前記キャリアガスと共に前記タンクから導出するものであって、
前記タンクから導出される混合ガスを測定して得られる、前記混合ガス中の材料ガス濃度を直接的又は間接的に示す濃度指標値が、予め定められた目標濃度指標値に近づくように、前記濃度指標値と前記目標濃度指標値との偏差に基づき前記キャリアガスの流量をフィードバック制御する制御部を具備し、
前記制御部が、
前記タンクに対してキャリアガスの導入を開始した直後からキャリアガスの導入を停止するまでの導出時間内に導出される材料ガスの総量が予め定められた目標総量になるように制御することを特徴とするガス制御システム。 - 前記制御部が、前記タンクに対してキャリアガスの導入を開始した直後から、混合ガス中の材料ガス濃度及びキャリアガスの流量に基づき材料ガスの流量を逐次算出し、その材料ガスの流量を積算して得られる前記タンクから導出された材料ガスの経過総量を参照して前記導出時間を逐次設定し直す請求項14記載のガス制御システム。
- 前記タンクから導出される材料ガス及びキャリアガスにさらに希釈ガスを加えたガスを混合ガスとするものであり、
前記制御部が、前記混合ガス中のキャリアガス及び希釈ガスの総量が一定に保たれるように、前記キャリアガス及び前記希釈ガスの流量を制御する請求項1乃至15のいずれかに記載のガス制御システム。 - 前記請求項1乃至16のいずれかのガス制御システムによって混合ガスを成膜室に供給する成膜装置。
- 材料が収容されたタンクにキャリアガスを導入し、前記材料が気化した材料ガスを前記キャリアガスと共に前記タンクから導出するガス制御システムに用いられるプログラムであって、
前記タンクから導出される混合ガスを測定して得られる、前記混合ガス中の材料ガス濃度を直接的又は間接的に示す濃度指標値が、予め定められた目標濃度指標値に近づくように前記キャリアガスの流量を制御し、
前記キャリアガスの流量が所定変化率で変化するように制御する第1制御を行った後、前記濃度指標値と前記目標濃度指標値との偏差に基づき前記キャリアガスの流量を制御する第2制御を行う機能をコンピュータに発揮させることを特徴とするプログラム。 - 材料が収容されたタンクにキャリアガスを導入し、前記材料が気化した材料ガスを前記キャリアガスと共に前記タンクから導出するガス制御システムにおける前記タンクから導出される混合ガス中の材料ガス濃度を制御するガス制御方法であって、
前記タンクから導出される混合ガスを測定して得られる、前記混合ガス中の材料ガス濃度を直接的又は間接的に示す濃度指標値が、予め定められた目標濃度指標値に近づくように前記キャリアガスの流量を制御し、
前記キャリアガスの流量が所定変化率で変化するように制御する第1制御を行った後、前記濃度指標値と前記目標濃度指標値との偏差に基づき前記キャリアガスの流量を制御する第2制御を行うことを特徴とするガス制御方法。
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