JP2018147801A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光装置の発光面の反対側へ漏れる光の量を抑える。【解決手段】複数の遮光体２００は、第１遮光体２００ａ及び第２遮光体２００ｂを含んでいる。第１遮光体２００ａは、基板１００の第１面１０２側に位置しており、第１発光部１５２ａと重なっている。第１遮光体２００ａと同じ高さ（封止部材３００の第１面３０２）には、第２発光部１５２ｂと重なる遮光体が位置していない。第２遮光体２００ｂは、基板１００の第１面１０２側に位置しており、第２発光部１５２ｂと重なっている。第２遮光体２００ｂと同じ高さ（封止部材３００の第２面３０４）には、第１発光部１５２ａと重なる遮光体が位置していない。【選択図】図５

Description

本発明は、発光装置に関する。

近年、透光性を有する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が開発されている。特許文献１には、透光性ＯＬＥＤの一例について記載されている。このＯＬＥＤは、基板、第１電極、有機層及び複数の第２電極を備えている。第１電極及び有機層は、基板上で順に積層されている。複数の第２電極は、有機層上でストライプ状に配置されている。ＯＬＥＤの外部からの光は、隣り合う第２電極の間を透過することができる。したがって、ＯＬＥＤは、透光性を有している。

特開２０１３−１４９３７６号公報

上述したように、近年、透光性を有するＯＬＥＤが開発されている。このようなＯＬＥＤは、互いに反対側を向いた２つの面を有しており、ＯＬＥＤの発光部から出力された光は、これら２つの面のうちの一方の面（発光面）から主に出力されるようになっている。しかしながら、本発明者は、発光部から出力された光の一部が発光面の反対側へ漏れる場合があることを見出した。

本発明が解決しようとする課題としては、発光装置の発光面の反対側へ漏れる光の量を抑えることが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、
基板の第１面側に位置し、前記第１面側から第１電極、有機層及び第２電極を順に含む積層構造をそれぞれ有し、隣り合う第１発光部及び第２発光部と、
前記第１発光部及び前記第２発光部の間に位置する透光部と、
前記第１面側に位置し、前記第１発光部と重なる第１遮光体と、
を備え、
前記第１遮光体と同じ高さには、前記第２発光部と重なる遮光体が位置しない発光装置である。

実施形態１に係る発光装置を示す平面図である。 図１から遮光体、封止部材及び接着層を取り除いた図である。 図２から第２電極を取り除いた図である。 図３から絶縁層を取り除いた図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 図５に示した発光装置の動作の第１例を説明するための図である。 図５に示した発光装置の動作の第２例を説明するための図である。 実施形態１のシミュレーションに係る発光装置を示す断面図である。 比較例１のシミュレーションに係る発光装置を示す断面図である。 比較例２のシミュレーションに係る発光装置を示す断面図である。 図１２（ａ）に示す角度φ及び光度比Ｒを説明するための図である。 実施形態１、比較例１及び比較例２のそれぞれに係る発光装置のシミュレーション結果を示す図である。 図５の第１の変形例を示す図である。 図５の第２の変形例を示す図である。 実施形態２に係る発光装置を示す断面図である。 図１５に示した発光装置の動作の第１例を説明するための図である。 図１５に示した発光装置の動作の第２例を説明するための図である。 実施形態２のシミュレーションに係る発光装置を示す断面図である。 実施形態２、比較例１及び比較例２のそれぞれに係る発光装置のシミュレーション結果を示す図である。 図１５の第１の変形例を示す図である。 図１５の第２の変形例を示す図である。 図１５の第３の変形例を示す図である。 図１５の第４の変形例を示す図である。 図１５の第５の変形例を示す図である。 実施形態３に係る発光装置を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る発光装置１０を示す平面図である。図２は、図１から遮光体２００、封止部材３００及び接着層３１０を取り除いた図である。図３は、図２から第２電極１３０を取り除いた図である。図４は、図３から絶縁層１４０を取り除いた図である。図５は、図１のＡ−Ａ断面図である。図１から図５において、Ｘ方向は、複数の発光部１５２の配列方向として規定されており、Ｙ方向は、Ｘ方向に交わる方向、より具体的にはＹ方向に直交する方向として規定されている。図２から図４では、説明のため、有機層１２０（図５）を示していない。

図５を用いて、発光装置１０の概要について説明する。発光装置１０は、複数の発光部１５２、複数の透光部１５４及び複数の遮光体２００を備えている。複数の発光部１５２は、基板１００の第１面１０２側に位置している。各発光部１５２は、基板１００の第１面１０２側から第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を順に含む積層構造を有している。特に図５に示す例では、複数の発光部１５２は、第１発光部１５２ａ及び第２発光部１５２ｂを含んでおり、第１発光部１５２ａ及び第２発光部１５２ｂは、隣り合っている。各透光部１５４は、隣り合う発光部１５２の間に位置している。言い換えると、複数の発光部１５２及び複数の透光部１５４は、交互に並んでいる。

複数の遮光体２００は、第１遮光体２００ａを含んでいる。第１遮光体２００ａは、基板１００の第１面１０２側に位置しており、第１発光部１５２ａと重なっている。第１遮光体２００ａと同じ高さ（図５に示す例では、封止部材３００の第１面３０２）には、第２発光部１５２ｂと重なる遮光体が位置していない。

複数の遮光体２００は、第２遮光体２００ｂを含んでいる。第２遮光体２００ｂは、基板１００の第１面１０２側に位置しており、第２発光部１５２ｂと重なっている。第２遮光体２００ｂと同じ高さ（図５に示す例では、封止部材３００の第２面３０４）には、第１発光部１５２ａと重なる遮光体が位置していない。

上述した構成によれば、発光装置１０の発光面（後述するように、基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。具体的には、上述した構成においては、複数の遮光体２００のそれぞれは、複数の発光部１５２のそれぞれと重なっており、特に図５に示す例では、第１遮光体２００ａ及び第２遮光体２００ｂが第１発光部１５２ａ及び第２発光部１５２ｂとそれぞれ重なっている。一方、発光部１５２から発せられた一部の光は、基板１００を透過し、基板１００の第１面１０２でフレネル反射によって反射される。上述した構成によれば、このような光を遮光体２００によって遮ることができる（詳細は、図６を用いて後述する。）。したがって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

さらに、上述した構成によれば、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向における発光装置１０の光線透過率を高くすることができる。具体的には、上述した構成においては、第１遮光体２００ａと同じ高さ（図５に示す例では、封止部材３００の第１面３０２）には、第２発光部１５２ｂと重なる遮光体が位置しておらず、第２遮光体２００ｂと同じ高さ（図５に示す例では、封止部材３００の第２面３０４）には、第１発光部１５２ａと重なる遮光体が位置していない。したがって、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向から見たときに複数の遮光体２００と重なる領域の面積を小さくすることができる（詳細は、図７を用いて後述する。）。したがって、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向における発光装置１０の光線透過率を高くすることができる。

次に、図１から図４を用いて、発光装置１０の平面レイアウトの詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、複数の第１電極１１０、複数の第１接続部１１２、第１配線１１４、複数の第２電極１３０、複数の第２接続部１３２、第２配線１３４、複数の絶縁層１４０、発光領域１５０、複数の遮光体２００、封止部材３００及び接着層３１０を備えている。

図１から図４に示す例において、基板１００の形状は、Ｘ方向に沿った長辺及びＹ方向に沿った短辺を有する矩形である。ただし、基板１００の形状は、図１から図４に示す例に限定されるものではない。

複数の第１電極１１０は、互いに離間して位置しており、具体的には、Ｘ方向に沿って一列に並んでいる。複数の第１電極１１０のそれぞれは、Ｙ方向に延伸している。

複数の第１電極１１０のそれぞれは、複数の第１接続部１１２のそれぞれを介して、第１配線１１４に接続している。第１配線１１４は、Ｘ方向に延伸している。外部からの電圧は、第１配線１１４及び第１接続部１１２を介して第１電極１１０に供給される。なお、図４に示す例において、第１電極１１０及び第１接続部１１２は、互いに一体となっている。

複数の第２電極１３０のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれに重なっている。複数の第２電極１３０は、互いに離間して位置しており、具体的には、Ｘ方向に沿って一列に並んでいる。複数の第２電極１３０のそれぞれは、Ｙ方向に延伸している。

複数の第２電極１３０のそれぞれは、複数の第２接続部１３２のそれぞれを介して、第２配線１３４に接続している。第２配線１３４は、Ｘ方向に延伸している。外部からの電圧は、第２配線１３４及び第２接続部１３２を介して第２電極１３０に供給される。

複数の絶縁層１４０のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれに重なっている。複数の絶縁層１４０は、互いに離間して位置しており、具体的には、Ｘ方向に沿って一列に並んでいる。複数の絶縁層１４０のそれぞれは、Ｙ方向に延伸している。

発光領域１５０は、Ｘ方向に沿って交互に並んだ複数の発光部１５２及び複数の透光部１５４を含んでいる。各発光部１５２は、絶縁層１４０の開口１４２によって画定されている。図５を用いて後述するように、開口１４２内において、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０は、基板１００の第１面１０２から順に積層されている。特に図１から図４に示す例において、発光部１５２は、Ｙ方向に長手方向を有している。透光部１５４は、遮光部材と重なっておらず、特に図１から図４に示す例では、第２電極１３０及び遮光体２００と重なっていない。

複数の遮光体２００は、互いに離間して位置しており、具体的には、Ｘ方向に沿って一列に並んでいる。複数の遮光体２００のそれぞれは、Ｙ方向に延伸している。特に図１から図４に示す例において、複数の遮光体２００のそれぞれは、複数の発光部１５２のそれぞれと重なっている。

遮光体２００の第１配線１１４側の端部は、発光部１５２の第１配線１１４側の端部よりも、第１配線１１４側に突出していてもよいし、又は突出していなくてもよく、遮光体２００の第２配線１３４側の端部は、発光部１５２の第２配線１３４側の端部よりも、第２配線１３４側に突出していてもよいし、又は突出していなくてもよい。特に図１から図４に示す例では、遮光体２００の第１配線１１４側の端部は、発光部１５２の第１配線１１４側の端部よりも、第１配線１１４側に突出しており、遮光体２００の第２配線１３４側の端部は、発光部１５２の第２配線１３４側の端部よりも、第２配線１３４側に突出している。したがって、図１から図４に示す例では、発光部１５２のいずれの部分からＸ方向に沿って光が出射されても（詳細は図６を用いて後述する。）、この光が遮光体２００に入射するようにすることができる。

さらに、図１から図４に示す例において、複数の遮光体２００は、複数の第１遮光体２００ａ及び複数の第２遮光体２００ｂを含んでおり、複数の第１遮光体２００ａ及び複数の第２遮光体２００ｂは、Ｘ方向に沿って交互に並んでいる。

封止部材３００及び接着層３１０は、発光領域１５０、すなわち、複数の発光部１５２を封止している。具体的には、封止部材３００は、発光領域１５０の全体と重なっている。封止部材３００は、接着層３１０を介して基板１００に搭載されている。接着層３１０は、発光領域１５０を囲んでおり、封止部材３００の縁に沿って延伸している。したがって、発光領域１５０の上方の領域は、封止部材３００によって封止されており、発光領域１５０の側方の領域は、接着層３１０によって封止されている。

次に、図５を用いて、発光装置１０の断面構造の詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、絶縁層１４０、遮光体２００及び封止部材３００を備えている。

基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、絶縁層１４０、遮光体２００及び封止部材３００は、基板１００の第１面１０２側に位置している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。発光装置１０（有機層１２０）から発せられる光は、主に、基板１００の第２面１０４から発せられる。したがって、基板１００の第２面１０４は、発光装置１０の発光面として機能している。

基板１００は、透光性を有している。一例において、基板１００は、ガラス又は樹脂を含んでいる。

第１電極１１０は、透光性及び導電性を有している。一例において、第１電極１１０は、酸化物半導体、より具体的には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）又はＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）を含んでいる。したがって、有機層１２０から発せられた光は、第１電極１１０を透過する。

有機層１２０は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）により光を発することができる。一例において、有機層１２０は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を含んでいる。この例においては、第１電極１１０からＨＩＬ及びＨＴＬを経由して正孔がＥＭＬに注入され、第２電極１３０からＥＩＬ及びＥＴＬを経由して電子がＥＭＬに注入され、正孔及び電子がＥＭＬで再結合して光を発する。

なお、図５に示す例では、有機層１２０は、複数の発光部１５２に亘って広がっている。言い換えると、複数の発光部１５２は、有機層１２０を共有している。ただし、他の例においては、互いに離間した複数の有機層１２０のそれぞれが複数の発光部１５２のそれぞれを構成していてもよい。

第２電極１３０は、遮光性、より具体的には光反射性を有しており、さらに、導電性を有している。一例において、第２電極１３０は、金属、より具体的には、Ａｌ、Ａｇ及びＭｇＡｇの少なくとも１つを含んでいる。したがって、有機層１２０から発せられた光は、第２電極１３０で反射される。

絶縁層１４０は、発光部１５２を画定している。具体的には、絶縁層１４０は、開口１４２を有している。絶縁層１４０の開口１４２内において、発光部１５２は、基板１００の第１面１０２から第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を順に含む積層構造を有している。

絶縁層１４０は、透光性を有していてもよいし、又は遮光性を有していてもよい。特に図５に示す例では、絶縁層１４０は、透光性を有している。したがって、絶縁層１４０の一部（第２電極１３０と重なっていない部分）は、透光部１５４の一部となっている。一例において、絶縁層１４０は、有機絶縁材料、例えば、ポリイミドを含んでいる。他の例において、絶縁層１４０は、無機絶縁材料、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）、シリコン窒化物（ＳｉＮ）又はシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）を含んでいる。

遮光体２００は、遮光性、より具体的には、吸光性を有している。一例において、遮光体２００は、黒色顔料（例えば、カーボンブラック）又は黒色染料を含んでいる。この例において、遮光体２００は、ブラックマトリクスとして機能することができる。

遮光体２００の幅は、第２電極１３０の幅より狭くてもよいし、又は広くてもよい。図５に示す例では、遮光体２００の幅は、第２電極１３０の幅より狭くなっている。したがって、透光部１５４の端部は、第２電極１３０の端部によって規定されている。

封止部材３００は、透光性を有しており、透光性部材として機能している。一例において、封止部材３００は、水蒸気透過率が低い材料、例えば、ガラスを含んでいる。したがって、封止部材３００は、発光部１５２、より具体的には、有機層１２０を封止することができる。

封止部材３００は、第１面３０２及び第２面３０４を有している。封止部材３００は、第２面３０４が基板１００の第１面１０２と対向するように基板１００上に搭載されている。基板１００と封止部材３００の間の領域は、中空となっている。言い換えると、この中空の領域は、基板１００と封止部材３００によって画定されている。複数の発光部１５２は、この中空の領域によって覆われており、この中空の領域によって外部の領域から封止されている。

複数の遮光体２００は、第１遮光体２００ａ及び第２遮光体２００ｂを含んでいる。図５に示す例では、第１遮光体２００ａは、封止部材３００の第１面３０２上に位置しており、第２遮光体２００ｂは、封止部材３００の第２面３０４上に位置している。図１から図４を用いて説明したように、第１遮光体２００ａ及び第２遮光体２００ｂは、Ｘ方向に沿って交互に並んでいる。

発光装置１０は、透光性を有している。具体的には、人間の視覚では、発光装置１０を隔てて基板１００の第２面１０４側から基板１００の第１面１０２側が透けて見えるとともに、発光装置１０を隔てて基板１００の第１面１０２側から基板１００の第２面１０４側が透けて見える。これは、発光装置１０が複数の透光部１５４を有しているためである。すなわち、発光装置１０の外部からの光は、透光部１５４を透過することができる。したがって、発光装置１０は、透光性を有している。

図６は、図５に示した発光装置１０の動作の第１例を説明するための図である。

図６に示す例では、第２発光部１５２ｂから発せられた光が基板１００を透過し、基板１００の第２面１０４でフレネル反射によって反射角θ１で反射されている（図６において、光は黒矢印で示されている。）。図６に示す例では、この光が第１遮光体２００ａによって遮られている。したがって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

さらに、図６に示す例では、第１発光部１５２ａから発せられた光が基板１００を透過し、基板１００の第２面１０４でフレネル反射によって反射角θ２（θ２＞θ１）で反射されている（図６において、光は黒矢印で示されている。）。図６に示す例では、この光が第２遮光体２００ｂによって遮られている。したがって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

基板１００の第２面１０４でどの反射角で反射する光を遮るかは、遮光体２００の高さによって制御することができる。具体的には、図６に示す例では、第１遮光体２００ａは、第２遮光体２００ｂよりも、基板１００の第１面１０２から離れた位置にある。したがって、第１遮光体２００ａは、基板１００の第２面１０４において小さな反射角（上述した例においては、反射角θ１）で反射された光を遮ることができ、第２遮光体２００ｂは、基板１００の第２面１０４において大きな反射角（上述した例においては、反射角θ２）で反射された光を遮ることができる。

図７は、図５に示した発光装置１０の動作の第２例を説明するための図である。

図７に示す例では、第１遮光体２００ａと同じ高さには、第２発光部１５２ｂと重なる遮光体が位置していない。すなわち、領域ＲＧ１（第１遮光体２００ａと同じ高さにあって、かつ第２発光部１５２ｂと重なる領域）には、遮光体が位置していない。さらに、第２遮光体２００ｂと同じ高さには、第１発光部１５２ａと重なる遮光体が位置していない。すなわち、領域ＲＧ２（第２遮光体２００ｂと同じ高さにあって、かつ第１発光部１５２ａと重なる領域）には、遮光体が位置していない。

図７に示す例では、領域ＲＧ１から第１発光部１５２ａの下方にかけて遮光体が位置していない。したがって、図７の黒矢印に示すように、発光装置１０の外部からの光が、領域ＲＧ１から第１発光部１５２ａの下方にかけて透過することができる。したがって、領域ＲＧ１から第１発光部１５２ａの下方にかけての方向（すなわち、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向）における発光装置１０の光線透過率を高くすることができる。

さらに、図７に示す例では、領域ＲＧ２から第２発光部１５２ｂの下方にかけて遮光体が位置していない。したがって、図７の黒矢印に示すように、発光装置１０の外部からの光が、領域ＲＧ２から第２発光部１５２ｂの下方にかけて透過することができる。したがって、領域ＲＧ２から第２発光部１５２ｂの下方にかけての方向（すなわち、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向）における発光装置１０の光線透過率を高くすることができる。

次に、図８から図１２を用いて、発光装置１０のシミュレーションの結果について説明する。

図８は、実施形態１のシミュレーションに係る発光装置１０を示す断面図である。本実施形態に係るシミュレーションの条件は、以下のとおりとした。

基板１００の厚さは、０．５ｍｍとした、基板１００の屈折率は、１．５２とした。

第１電極１１０の厚さは、ゼロとみなした。つまり、このシミュレーションにおいて、第１電極１１０は、考慮されていない。

第２電極１３０の幅は、０．２５ｍｍとした。

遮光体２００の幅は、第２電極１３０の幅と等しくした。

封止部材３００の厚さは、０．５ｍｍとした。封止部材３００の屈折率は、１．５２とした。

基板１００と封止部材３００の間の領域は、中空とした。基板１００の第１面１０２と封止部材３００の第２面３０４の間の距離は、０．５ｍｍとした。中空の領域の屈折率は、１．０とした。

図９は、比較例１のシミュレーションに係る発光装置１０を示す断面図である。比較例１に係るシミュレーションの条件は、遮光体２００を設けなかった点を除いて、実施形態１に係るシミュレーションの条件と同様とした。

図１０は、比較例２のシミュレーションに係る発光装置１０を示す断面図である。比較例２に係るシミュレーションの条件は、第２発光部１５２ｂと重なる遮光体を第１発光部１５２ａと同じ高さ（封止部材３００の第１面３０２）に設けた点及び第１発光部１５２ａと重なる遮光体を第２発光部１５２ｂと同じ高さ（封止部材３００の第２面３０４）に設けた点を除いて、実施形態１に係るシミュレーションの条件と同様とした。

図１１は、図１２（ａ）に示す角度φ及び光度比Ｒを説明するための図である。

基板１００の第２面１０４（発光装置１０の発光面）側における輝度分布は、第２面１０４に垂直な方向において第１輝度Ｌ１を有している。基板１００の第１面１０２（発光装置１０の発光面とは反対側の面）側における輝度分布は、第１面３０２に垂直な方向からＸ方向に沿って角度φ傾いた方向において第２輝度Ｌ２を有している。

光度比Ｒは、以下の式（１）によって定義される。
Ｒ＝Ｌ２／Ｌ１×１００ （１）

図１２は、実施形態１、比較例１及び比較例２のそれぞれに係る発光装置１０のシミュレーション結果を示す図である。図１２（ａ）は、実施形態１、比較例１及び比較例２のそれぞれの光度比Ｒの分布を示している。図１２（ｂ）は、実施形態１、比較例１及び比較例２の光線透過率の分布を示している。特に図１２（ｂ）のグラフの横軸は、発光装置１０の厚さ方向からの角度を示している。

図１２（ａ）に示すように、実施形態１の光度比Ｒは、角度φのほぼ全範囲に亘って、比較例１の光度比Ｒよりも小さくなっている。この結果は、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を遮光体２００によって抑えることができることを示唆している。

図１２（ｂ）に示すように、実施形態１の光線透過率は、横軸の角度のほぼ全範囲に亘って、比較例２の光線透過率よりも高くなっている。この結果は、遮光体２００が配置されていない領域を設けることによって、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向における発光装置１０の光線透過率を高くすることができることを示唆している。

以上、本実施形態によれば、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

さらに、本実施形態によれば、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向における発光装置１０の光線透過率を高くすることができる。

図１３は、図５の第１の変形例を示す図である。

図１３に示す例において、発光装置１０は、封止板４００及び接着層４１０を備えている。複数の発光部１５２は、封止板４００及び接着層４１０によって封止されている。具体的には、接着層４１０は、基板１００の第１面１０２及び複数の発光部１５２を覆っている。つまり、図１３に示す例では、複数の発光部１５２は、中空の領域（例えば、図５）によって覆われていない。封止板４００は、透光性を有しており、透光性部材として機能している。封止板４００は、第１面４０２及び第２面４０４を有している。第２面４０４は、第１面４０２の反対側にある。封止板４００は、第２面４０４が接着層４１０を介して基板１００の第１面１０２と対向するように基板１００に搭載されている。

第１遮光体２００ａは、封止板４００の第１面４０２上に位置しており、第２遮光体２００ｂは、封止板４００の第２面４０４上に位置している。さらに、第１遮光体２００ａと同じ高さ（図１３に示す例では、封止板４００の第１面４０２）には、第１発光部１５２ａと重なる遮光体が位置しておらず、第２遮光体２００ｂと同じ高さ（図１３に示す例では、封止板４００の第２面４０４）には、第２発光部１５２ｂと重なる遮光体が位置していない。

図１４は、図５の第２の変形例を示す図である。

図１４に示す例において、発光装置１０は、無機層５００及び透光性部材５１０を備えている。

無機層５００は、基板１００の第１面１０２及び複数の発光部１５２を覆っており、複数の発光部１５２を封止している。無機層５００は、例えば水蒸気又は酸素を遮断するバリア層として機能しており、より具体的には、例えば、ＳｉＮ_ｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ_２Ｏ_３及びＴｉＯ_２からなる群から選択された少なくとも一つ含んでいる。特に、無機層５００は、上述した群から選択された一つを含む第１層と、上述した群から選択された一つであって第１層とは異なる材料を含む第２層と、を含んでいてもよく、第１層及び第２層が交互に積層されていてもよい。無機層５００は、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタ、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）又はＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅｅａｍ）蒸着によって形成されることができ、段差被覆性の観点では、ＡＬＤによって形成されることが好ましい。

透光性部材５１０は、第１面５１２及び第２面５１４を有しており、第２面５１４が基板１００の第１面１０２と対向するように位置している。透光性部材５１０は、図５に示した封止部材３００と同様にして接着層を介して基板１００に搭載することができる。

透光性部材５１０は、例えば、水蒸気又は酸素を遮断するバリア層として機能してもよいし、又は機能しなくてもよい。図１４に示す例では、無機層５００が各発光部１５２を封止しているため、透光性部材５１０がバリア層として機能しなくても、各発光部１５２を封止することができる。これに対して、透光性部材５１０がバリア層として機能する場合は、無機層５００及び透光性部材５１０の双方によって各発光部１５２を封止することができる。

透光性部材５１０の第１面５１２には、第１遮光体２００ａが取り付けられており、透光性部材５１０の第２面５１４には、第２遮光体２００ｂが取り付けられている。したがって、図５に示した例と同様にして、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができ、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向における発光装置１０の光線透過率を高くすることができる。

本変形例においても、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。さらに、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向における発光装置１０の光線透過率を高くすることができる。

（実施形態２）
図１５は、実施形態２に係る発光装置１０を示す断面図であり、実施形態１の図５に対応する。本実施形態に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態１に係る発光装置１０と同様である。

図１５に示す例において、発光装置１０は、共通の発光部１５２（第１発光部１５２ａ）と重なる複数の遮光体２００（第１遮光体２００ａ１及び第１遮光体２００ａ２）を備えている。複数の遮光体２００は、互いに異なる高さに位置しており、特に図１５に示す例では、第１遮光体２００ａ１は、封止部材３００の第１面３０２上に位置しており、第１遮光体２００ａ２は、封止部材３００の第２面３０４上に位置している。複数の遮光体２００のそれぞれと同じ高さには、第２発光部１５２ｂと重なる遮光体が位置していない。

本実施形態においても、実施形態１と同様にして、図１６を用いて後述するように、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

本実施形態においても、実施形態１と同様にして、図１７を用いて後述するように、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向における発光装置１０の光線透過率を高くすることができる。

図１６は、図１５に示した発光装置１０の動作の第１例を説明するための図であり、実施形態１の図６に対応する。

図１６に示す例では、第２発光部１５２ｂから発せられた光が基板１００を透過し、基板１００の第２面１０４でフレネル反射によって反射角θ１で反射されている（図１６において、光は黒矢印で示されている。）。図１６に示す例では、この光が第１遮光体２００ａ１によって遮られている。したがって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

さらに、図１６に示す例では、第１発光部１５２ａから発せられた光が基板１００を透過し、基板１００の第２面１０４でフレネル反射によって反射角θ２（θ２＞θ１）で反射されている（図１６において、光は黒矢印で示されている。）。図１６に示す例では、この光が第１遮光体２００ａ２によって遮られている。したがって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

基板１００の第２面１０４でどの反射角で反射する光を遮るかは、遮光体２００の高さによって制御することができる。具体的には、図１６に示す例では、第１遮光体２００ａ１は、第１遮光体２００ａ２よりも、基板１００の第１面１０２から離れた位置にある。したがって、第１遮光体２００ａ１は、基板１００の第２面１０４において小さな反射角（上述した例においては、反射角θ１）で反射された光を遮ることができ、第１遮光体２００ａ２は、基板１００の第２面１０４において大きな反射角（上述した例においては、反射角θ２）で反射された光を遮ることができる。

図１７は、図１５に示した発光装置１０の動作の第２例を説明するための図であり、実施形態１の図７に対応する。

図１７に示す例では、第１遮光体２００ａ１と同じ高さには、第２発光部１５２ｂと重なる遮光体が位置していない。すなわち、領域ＲＧ１（第１遮光体２００ａ１と同じ高さにあって、かつ第２発光部１５２ｂと重なる領域）には、遮光体が位置していない。さらに、第１遮光体２００ａ２と同じ高さには、第２発光部１５２ｂと重なる遮光体が位置していない。すなわち、領域ＲＧ２（第１遮光体２００ａ２と同じ高さにあって、かつ第２発光部１５２ｂと重なる領域）には、遮光体が位置していない。

図１７に示す例では、領域ＲＧ１から第１発光部１５２ａの下方にかけて遮光体が位置していない。したがって、図１７の黒矢印に示すように、発光装置１０の外部からの光が、領域ＲＧ１から第１発光部１５２ａの下方にかけて透過することができる。したがって、領域ＲＧ１から第１発光部１５２ａの下方にかけての方向（すなわち、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向）における発光装置１０の光線透過率を高くすることができる。

さらに、図１７に示す例では、領域ＲＧ２から第１発光部１５２ａの下方にかけて遮光体が位置していない。したがって、図１７の黒矢印に示すように、発光装置１０の外部からの光が、領域ＲＧ２から第１発光部１５２ａの下方にかけて透過することができる。したがって、領域ＲＧ２から第１発光部１５２ａの下方にかけての方向（すなわち、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向）における発光装置１０の光線透過率を高くすることができる。

次に、図１８及び図１９を用いて、発光装置１０のシミュレーションの結果について説明する。

図１８は、実施形態２のシミュレーションに係る発光装置１０を示す断面図である。本実施形態に係るシミュレーションの条件は、第１遮光体２００ａ１及び第１遮光体２００ａ２を設けて第２遮光体２００ｂを設けなかった点を除いて、図８に示した実施形態１に係るシミュレーションの条件と同様とした。

図１９は、実施形態２、比較例１及び比較例２のそれぞれに係る発光装置１０のシミュレーション結果を示す図であり、実施形態１の図１２に対応する。図１９に示す比較例１及び比較例２は、図１２に示した比較例１及び比較例２とそれぞれ同様である。

図１９（ａ）に示すように、実施形態２の光度比Ｒは、角度φのほぼ全範囲に亘って、比較例１の光度比Ｒよりも小さくなっている。この結果は、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を遮光体２００によって抑えることができることを示唆している。

図１９（ｂ）に示すように、実施形態２の光線透過率は、横軸の角度のほぼ全範囲に亘って、比較例２の光線透過率よりも高くなっている。この結果は、遮光体２００が配置されていない領域を設けることによって、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向における発光装置１０の光線透過率を高くすることができることを示唆している。

図２０は、図１５の第１の変形例を示す図である。

図２０に示すように、第１遮光体２００ａ１及び第１遮光体２００ａ２（図１５）のうち第１遮光体２００ａ１のみが設けられていてもよい。図２０に示す例においても、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を遮光体２００によって抑えることができる。さらに、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向における発光装置１０の光線透過率を高くすることができる。

図２１は、図１５の第２の変形例を示す図である。

図２１に示すように、第１遮光体２００ａ１及び第１遮光体２００ａ２（図１５）のうち第１遮光体２００ａ２のみが設けられていてもよい。図２１に示す例においても、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を遮光体２００によって抑えることができる。さらに、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向における発光装置１０の光線透過率を高くすることができる。

図２２は、図１５の第３の変形例を示す図である。

図２２に示す例において、発光装置１０は、無機層５００を備えている。図１４に示した例と同様にして、無機層５００は、基板１００の第１面１０２及び複数の発光部１５２を覆っており、複数の発光部１５２を封止している。

図２２に示す例において、第１遮光体２００ａ１は、無機層５００上に位置しており、第１遮光体２００ａ２は、第２電極１３０を覆っており、無機層５００に覆われている。図２２に示す例においても、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を遮光体２００によって抑えることができる。さらに、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向における発光装置１０の光線透過率を高くすることができる。

特に図２２に示す例では、第１遮光体２００ａ２の幅は、第２電極１３０の幅より広く、第１遮光体２００ａ２は、第２電極１３０の両端を覆っている。したがって、第２面１０４側からの光（例えば、発光装置１０の外部からの光）が第２電極１３０によって反射されることを抑えることができる。

図２３は、図１５の第４の変形例を示す図である。

図２３に示すように、第１遮光体２００ａ１及び第１遮光体２００ａ２（図２２）のうち第１遮光体２００ａ１のみが設けられていてもよい。図２３に示す例においても、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を遮光体２００によって抑えることができる。さらに、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向における発光装置１０の光線透過率を高くすることができる。

図２４は、図１５の第５の変形例を示す図である。

図２４に示すように、第１遮光体２００ａ１及び第１遮光体２００ａ２（図２２）のうち第１遮光体２００ａ２のみが設けられていてもよい。図２４に示す例においても、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を遮光体２００によって抑えることができる。さらに、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向における発光装置１０の光線透過率を高くすることができる。

（実施形態３）
図２５は、実施形態３に係る発光装置１０を示す断面図であり、実施形態１の図５に対応する。本実施形態に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態１に係る発光装置１０と同様である。

図２５に示す例において、発光装置１０は、無機層５００を備えている。図１４に示した例と同様にして、無機層５００は、基板１００の第１面１０２及び複数の発光部１５２を覆っており、複数の発光部１５２を封止している。

図２５に示す例において、第１遮光体２００ａは、無機層５００上に位置しており、第１遮光体２００ａと同じ高さには、第２発光部１５２ｂと重なる遮光体が位置していない。したがって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を遮光体２００によって抑えることができる。さらに、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向における発光装置１０の光線透過率を高くすることができる。

さらに、図２５に示す例において、第２遮光体２００ｂは、第２発光部１５２ｂの第２電極１３０を覆い、無機層５００によって覆われており、第２遮光体２００ｂと同じ高さには、第１発光部１５２ａと重なる遮光体が位置していない。したがって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を遮光体２００によって抑えることができる。さらに、発光装置１０の厚さ方向に対して斜め方向における発光装置１０の光線透過率を高くすることができる。

図２５に示す例において、各遮光体２００の幅は、各第２電極１３０の幅より広くなっており、特に、第２遮光体２００ｂは、第２電極１３０の両端を覆っている。したがって、第２面１０４側からの光（例えば、発光装置１０の外部からの光）が第２電極１３０によって反射されることを抑えることができる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０ 発光装置
１００ 基板
１０２ 第１面
１０４ 第２面
１１０ 第１電極
１１２ 第１接続部
１１４ 第１配線
１２０ 有機層
１３０ 第２電極
１３２ 第２接続部
１３４ 第２配線
１４０ 絶縁層
１４２ 開口
１５０ 発光領域
１５２ 発光部
１５２ａ 第１発光部
１５２ｂ 第２発光部
１５４ 透光部
２００ 遮光体
２００ａ 第１遮光体
２００ａ１ 第１遮光体
２００ａ２ 第１遮光体
２００ｂ 第２遮光体
３００ 封止部材
３０２ 第１面
３０４ 第２面
３１０ 接着層
４００ 封止板
４０２ 第１面
４０４ 第２面
４１０ 接着層

Claims (6)

1. 基板の第１面側に位置し、前記第１面側から第１電極、有機層及び第２電極を順に含む積層構造をそれぞれ有し、隣り合う第１発光部及び第２発光部と、
   前記第１発光部及び前記第２発光部の間に位置する透光部と、
   前記第１面側に位置し、前記第１発光部と重なる第１遮光体と、
   を備え、
   前記第１遮光体と同じ高さには、前記第２発光部と重なる遮光体が位置しない発光装置。
2. 請求項１に記載に発光装置において、
   前記第１面側に位置し、前記第２発光部と重なる第２遮光体を備え、
   前記第２遮光体と同じ高さには、前記第１発光部と重なる遮光体が位置しない発光装置。
3. 請求項１に記載の発光装置において、
   複数の前記第１遮光体を備え、
   前記複数の第１遮光体は、前記第１発光部と重なっており、かつ互いに異なる高さに位置しており、
   前記複数の第１遮光体のそれぞれと同じ高さには、前記第２発光部と重なる遮光体が位置しない発光装置。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置において、
   第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有する透光性部材を備え、
   前記透光性部材は、前記透光性部材の前記第２面が前記基板の前記第１面と対向するように位置しており、
   前記第１遮光体は、前記透光性部材の前記第１面上又は前記第２面上に位置している発光装置。
5. 請求項４に記載の発光装置において、
   前記基板と前記透光性部材の間の領域は、中空である発光装置。
6. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記基板の前記第１面及び前記第１発光部及び前記第２発光部を覆う接着層と、
   第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有し、前記第２面が前記接着層を介して前記基板の前記第１面と対向するように前記基板に搭載された透光性部材と、
   を備え、
   前記第１遮光体は、前記透光性部材の前記第１面又は前記第２面に取り付けられている発光装置。

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