KR102294952B1 - 유기발광 다이오드 표시장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 41
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 26
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 19
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 19
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 137
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 101100016388 Arabidopsis thaliana PAS2 gene Proteins 0.000 description 9
- 101100297150 Komagataella pastoris PEX3 gene Proteins 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 101100315760 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PEX4 gene Proteins 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 101100060179 Drosophila melanogaster Clk gene Proteins 0.000 description 8
- 101150038023 PEX1 gene Proteins 0.000 description 8
- 101150014555 pas-1 gene Proteins 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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Abstract
본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 기판, 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결된 제1 전극, 제1 전극의 일부와 중첩되도록 형성되어, 발광 영역과 비 발광 영역을 정의하는 뱅크, 제1 전극을 덮도록 형성된 유기 발광 층, 유기 발광 층을 덮도록 형성된 제2 전극 그리고 제2 전극 위에 형성되며, 발광 영역에 대응하여 배치된 광 반사 방지부와 비 발광 영역에 대응하여 배치된 광 투과부를 구비하는 광 조절 층을 포함한다.
Description
본 발명은 명실 명암비(Ambient Contrast Ratio, ACR)를 개선한 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 외부 광원으로부터 입사된 주변광 및 제2 전극에 의해 난반사 되는 산란광을 차단함으로써, 명실 명암비가 향상 되도록 하는 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display : LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display Device) 등이 있다.
유기발광 다이오드 표시장치는 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광 효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 또한, 플라스틱과 같은 유연한 기판 상에 소자를 형성할 수 있어 플렉서블한 표시장치를 구현할 수 있다.
도 1은 유기발광 다이오드의 구조를 나타내는 도면이다. 유기발광 다이오드는 도 1과 같이 전계발광하는 유기 전계발광 화합물층과, 유기 전계발광 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드 전극(Cathode) 및 애노드 전극(Anode)을 포함한다. 유기 전계발광 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL)을 포함한다.
유기발광 다이오드는 애노드 전극(Anode)과 캐소드 전극(Cathode)에 주입된 정공과 전자가 발광층(EML)에서 재결합할 때의 여기 과정에서 여기자(excition)가 형성되고 여기자로부터의 에너지로 인하여 발광한다. 유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광다이오드의 발광층(EML)에서 발생하는 빛의 양을 전기적으로 제어하여 영상을 표시한다.
유기발광 다이오드의 특징을 이용한 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode display: OLEDD)에는 패시브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Passive Matrix type Organic Light Emitting Diode display, PMOLED)와 액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode display, AMOLED)로 대별된다.
액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(AMOLED)는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 "TFT"라함.)를 이용하여 유기발광 다이오드에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다.
도 2는 액티브 매트릭스형 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도의 한 예이다. 도 3은 액티브 매트릭스형 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 액티브 매트릭스형 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2 내지 4를 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는 스위칭 TFT(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다. 도 4의 TFT는 바텀 게이트(bottom gate) 방식의 TFT를 예시하나, 이에 한정되지 않고 탑 게이트(top gate) 방식 등 다른 구조의 TFT가 구비될 수 있다.
스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다. 그리고 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 전원 전압원(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다. 애노드 전극(ANO)과 캐소드 전극(CAT) 사이에는 유기 발광 층(OL)이 개재되어 있다. 캐소드 전극(CAT)은 기저 전압원(VSS)에 연결된다. 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 전원 전압원(VDD) 사이 혹은 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD) 사이에는 보조 용량(Cst)이 배치된다.
액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치의 기판(SUB) 상에 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(SG, DG)이 형성되어 있다. 그리고 게이트 전극(SG, DG) 위에는 게이트 절연막(GI)이 덮고 있다. 게이트 전극(SG, DG)과 중첩되는 게이트 절연막(GI)의 일부에 반도체 층(SA, DA)이 형성되어 있다. 반도체 층(SA, DA) 위에는 일정 간격을 두고 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD)이 마주보고 형성된다. 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)은 게이트 절연막(GI)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(DG)과 접촉한다. 이와 같은 구조를 갖는 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)를 덮는 보호막(PAS)이 전면에 도포된다.
이와 같이 TFT들(ST, DT)이 형성된 기판은 여러 구성 요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 유기 발광 층(OL)는 평탄한 표면에 형성되어야 발광이 일정하고 고르게 발산될 수 있다. 따라서, 기판의 표면을 평탄하게 할 목적으로 오버코트 층(OC)을 기판 전면에 도포한다.
그리고 오버코트 층(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 오버코트 층(OC) 및 보호막(PAS)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.
애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 화소 영역을 정의하기 위해 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDL)이 형성된 영역 위에 뱅크(BN)를 형성한다. 뱅크(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 발광 영역이 된다. 뱅크(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기 발광 층(OL)을 형성한다. 유기 발광 층(OL) 위에는 캐소드 전극(CAT)이 형성된다.
캐소드 전극(CAT)은 유기 발광 층(OL)과 뱅크(BN)를 덮도록 형성되며, 뱅크(BN) 테이퍼에 의해 존재하는 표면 굴곡에 따라 증착된다. 캐소드 전극(CAT)이 우수한 스텝 커버리지(step coverage)를 갖도록 형성되는 경우에는 뱅크(BN) 테이퍼의 굴곡에 따라 변곡부(INF)가 형성된다. 변곡부(INF)는 곡면형상을 이루면서 단차가 생기는 부분으로 완만한 계단 형상인 것을 의미한다.
유기발광 다이오드 표시장치는 실내에서는 물론 외부에서도 사용될 수 있다. 외부광원에 영향을 받는 환경에서는 명실 명암비가 유기발광 다이오드 표시장치의 제품성 및 신뢰성에 있어서 중요한 요소가 된다. 외부에서 사용되는 경우 태양과 같이 상대적으로 휘도가 매우 높은 외부광원(1)으로부터의 주변광(2)이 유기발광 다이오드 표시장치내에 입사되어 캐소드 전극(CAT)에 의해 반사될 수 있다. 반사된 빛은 유기 발광 층(OL)으로부터 발생하는 자발광(5)과 혼합되어 유기발광 다이오드 표시장치에서 구현하고자 하는 영상을 사용자가 올바르게 인식할 수 없도록 한다. 즉, 유기발광 다이오드 표시장치는 외부 광원(1)으로부터 발생한 주변광(2)의 세기에 따라 명실 명암비(Ambient Contrast Ratio, ACR)가 크게 감소할 수 있다.
특히, 외부 광원(1)으로부터의 주변광(2)이 유기발광 다이오드 표시장치로 입사되는 경우 정반사가 아닌 난반사가 발생할 수 있다. 난반사된 산란광(4)들은 유기 발광 층(OL)으로부터 발생하는 자발광(5)을 방해한다. 자발광(5)을 방해하는 난반사의 주된 원인은 뱅크(BN)의 표면 굴곡을 따라 형성된 제2 전극(CAT)의 변곡부(INF)이다.
예를 들어, 도 5를 참조하면, 종래 유기발광 다이오드 표시장치의 변곡부(INF, 도 4)에 대해 45도 입사각(θ1, 도 4))을 갖는 주변광이 난반사 되는 범위를 보여준다. 대부분은 40~60도 범위의 반사각(θ2, 도 4)을 갖도록 반사되지만, 10~60도 범위 내의 모든 각도로 난반사 되는 산란광이 존재함을 알 수 있다. 특히, 30도 방향으로 난반사 되는 산란광이 상당히 존재한다. 네비게이션과 같이 차량의 중간부에 설치되고 좌우에 사용자가 위치하는 경우, 대략 30도 범위의 산란광은 사용자의 시야 범위 내에 있다. 따라서, 45도 측면에서 입사된 주변광이 사용자의 시야 범위 내로 난반사 된다. 이러한 난반사된 산란광은 유기발광 다이오드 표시장치의 명실 명암비를 더욱 저하시키고, 이에 따라 선명한 영상을 얻을 수 없게 하며, 제품성 및 신뢰성이 저감하는 문제점이 있다.
종래에는 이러한 문제점을 개선하기 위한 방법 중 하나로 저반사 특성 및 고 투과율을 갖는 편광판 또는 반사광 억제 필름 등을 사용한 경우가 있다. 편광판 등은 명실 명암비 특성을 향상시킬 수는 있으나 유기 발광 층에서 발광되는 자발광의 투과율을 감소시켜 표시장치의 휘도 저하 및 소비전력 증가를 야기한다. 또한, 편광판 등의 적용은 제조 비용이 증가하고, 별도의 추가공정이 필요하므로 공정 시간이 증가하는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기 종래 기술에 의한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 명실 명암비 특성이 향상된 유기발광 다이오드 표시장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 기판, 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결된 제1 전극, 제1 전극의 일부와 중첩되도록 형성되어, 발광 영역과 비 발광 영역을 정의하는 뱅크, 제1 전극을 덮도록 형성된 유기 발광 층, 유기 발광 층을 덮도록 형성된 제2 전극 그리고 제2 전극 위에 형성되며, 발광 영역에 대응하여 배치된 광 반사 방지부와 비 발광 영역에 대응하여 배치된 광 투과부를 구비하는 광 조절 층을 포함한다.
광 조절 층 하부에 형성된 제1 무기막 및 상기 광 조절 층 상부에 형성된 제2 무기막을 더 포함하고, 광 조절 층은 유기막이며, 광 반사 방지부는 유색이고, 광 투과부는 투명이다.
유기막은 감광성 유기 물질을 포함한다.
제2 전극과 광 조절 층 사이에 형성된 보호층을 더 포함하고, 광 반사 방지부는 일정 간격 이격하여 배치된 광 흡수 격벽 패턴을 포함한다.
광 흡수 격벽 패턴은 광 흡수 물질 및 광 반사 물질 중 적어도 어느 하나 이상을 포함한다.
광 조절 층은 광 반사 방지부에 배치된 블랙 매트릭스를 포함한다.
광 조절 층은 광 투과부에 배치된 렌즈를 포함한다.
본 발명의 유기발광 다이오드 표시장치는 입사된 외부광을 흡수하도록 감광성 유기 물질을 포함하는 유기막을 형성함으로써 명실 명암비를 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 유기발광 다이오드 표시장치는 입사된 외부광을 흡수 및/또는 반사하도록 보호층 상에 광 흡수 격벽 패턴을 갖는 배리어 필름을 배치함으로써 명실 명암비를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 유기발광 다이오드 표시장치는 입사된 외부광을 흡수하도록 비 발광 영역의 제2 전극 상에 블랙 매트릭스를 형성함으로써 명실 명암비를 향상시킬 수 있다. 또한, 발광 영역에 렌즈를 배치 또는 형성함으로써 시야각이 확장된 유기발광 다이오드 표시장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 유기발광 다이오드 표시장치는 외부광에 의한 반사 특성을 개선하기 위해 사용되는 편광판 또는 반사광 억제 필름 등의 적용이 요구되지 않는다. 따라서 편광판 등을 적용하기 위한 추가 공정이 필요하지 않으며, 편광판 등의 적용에 따른 투과율 저감 문제가 없다.
도 1은 종래기술에 의한 유기발광다이오드소자를 나타내는 도면이다.
도 2는 종래기술에 의한 액티브 매트릭스형 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도.
도 3은 종래기술에 의한 액티브 매트릭스형 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 액티브 매트릭스형 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 종래기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 변곡부에 의해 주변광이 난반사 되는 범위를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 7은 도 6에서 유기막을 형성하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 2는 종래기술에 의한 액티브 매트릭스형 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도.
도 3은 종래기술에 의한 액티브 매트릭스형 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 액티브 매트릭스형 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 종래기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 변곡부에 의해 주변광이 난반사 되는 범위를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 7은 도 6에서 유기막을 형성하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다. 여러 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 구성요소에 대하여는 제1 실시예에서 대표적으로 설명하고 다른 실시예에서는 생략될 수 있다.
<제1 실시예>
이하, 도 6 및 도 7을 참조하여, 본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에 대하여 상세히 설명한다. 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타낸 단면도이다. 도 7은 도 6에서 유기막을 형성하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에서 TFT(ST, DT) 부분은 종래 기술의 것과 큰 차이가 없다. TFT(ST, DT)는 도 3 및 도 4에서 나타낸 구조에 한정되는 것은 아니고 유기발광 다이오드 표시장치를 구동할 수 있는 구조라면 모두 포함될 수 있다. 제1 실시예의 핵심적인 특징은 유기막(PCL) 부분에 있다. 따라서, 유기막을 형성하는 공정을 설명하기 위한 도면인 도 7을 더 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 주요 특징을 설명한다.
도 6을 참조하면, 기판(SUB)상에는 TFT(ST, DT), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDL)이 형성된다. 보호막(PAS)은 TFT(ST, DT), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDL)을 덮도록 기판(SUB) 전면에 형성된다. TFT(ST, DT) 및 배선(DL, VDL)들이 형성되어 단차가 있는 표면을 평탄하게 하기 위하여 보호막(PAS)의 상부에는 오버코트층(OC)이 기판(SUB) 전면에 형성된다.
제1 전극(ANO)은 오버코트층(OC) 위에 다른 화소영역의 제1 전극(ANO)과 접촉하지 않도록 형성된다. 상부 발광형(Top Emission) 유기발광 다이오드 표시장치의 경우 제1 전극(ANO)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu) 등의 금속으로 이루어진 반사 전극으로 형성될 수 있고, 이들의 합금이나 산화물로도 형성될 수 있다. 제1 전극(ANO)은 애노드 전극이 될 수 있다.
뱅크(BN)는 화소 영역의 발광 영역(AA)과 비 발광 영역(NA)을 구획하기 위해 제1 전극(ANO)의 가장자리와 중첩되고, TFT(ST, DT) 및 각종 배선(DL, VDL)들이 형성된 영역과 중첩되도록 형성된다. 뱅크(BN)에 의해 노출된 제1 전극(ANO) 영역은 발광 영역(AA)으로, 그리고 뱅크(BN)가 형성된 영역은 비 발광 영역(NA)으로 정의된다.
유기 발광 층(OL)은 뱅크(BN)에 의해 노출된 제1 전극(ANO) 위에 형성된다. 유기 발광 층(OL)은 적어도 발광층(emission layer, EL)을 포함하며 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 전자 수송층(electron transport layer, ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
유기 발광 층(OL)은 적색, 녹색, 청색 중 어느 한 색을 발현하는 유기물질로 이루어져 각 화소별로 뱅크 사이에 도포 될 수 있다. 또한, 유기 발광 층(OL)은 백색광을 발현하는 유기물질로 이루어져 기판 전체 표면에 걸쳐 도포 될 수 있다. 이 경우 컬러 필터를 더 포함할 수 있다. 이하, 본 명세서에서는 편의상 유기 발광 층(OL)이 적색, 녹색, 청색 중 어느 한 색을 발현하는 유기물질로 이루어져 각 화소별로 뱅크 사이에 도포 된 구조로 설명한다.
유기 발광 층(OL) 위에는 제2 전극(CAT)이 형성되며, 제2 전극(CAT)은 기판(SUB) 전체 표면 위에 일체형으로 형성될 수 있다. 제2 전극(CAT)은 캐소드 전극이 될 수 있다. 이때, 상부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치의 경우 유기 발광 층(OL)에서 발생한 자발광은 캐소드 전극을 통해 출광한다.
제2 전극(CAT)은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명도전물질로 형성될 수 있다. 또한, 제2 전극(CAT)이 ITO로만 형성되는 경우 대면적 디스플레이를 구현함에 있어서 면 저항이 높아지므로 금속물질로 형성될 수도 있다. 다만, 상부 발광형의 경우 제2 전극(CAT) 방향으로 자발광이 방출되어야 하므로 투명성이 확보될 수 있도록 얇은 두께로 형성됨이 바람직하다. 또한, 마이크로캐비티(micro-cavity) 구조를 적용하는 경우 제2 전극(CAT)은 투명도전물질과 얇은 금속층을 적층하여 반투명층으로 형성될 수도 있다.
제2 전극(CAT)은 뱅크(BN)의 표면 굴곡에 따라 증착되고, 그 굴곡에 따라 변곡부(INF)가 형성된다. 변곡부(INF)는 곡면형상을 이루면서 단차가 생기는 부분으로 완만한 계단 형상인 것을 의미한다.
제2 전극(CAT) 상에는 수분 및 산소로부터 박막 트랜지스터(ST, DT) 등의 구동 소자와 유기발광 다이오드(OLED) 등의 발광 소자를 보호하기 위해 보호층(PASSI)이 형성된다. 보호층(PASSI)은 제1 무기막(PAS1), 유기막(PCL), 제2 무기막(PAS2)을 포함한다. 제1 무기막(PAS1)과 제2 무기막(PAS2)은 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx) 등으로 형성되어 수분 및 산소의 유입을 차단한다.
유기막(PCL)은 posi type의 포토 아크릴(photo acryl)재료와 같은 감광성 유기 물질로 형성될 수 있다. 즉, 유기막(PCL)은 메타크릴레이트(methacrylates), 메틸 아크릴레이트(methyl acrylate), 2-에틸헥실 아크릴레이트(2-ethylhexyl acrylate), 부틸 아크릴레이트(butyl acrylate) 그리고 폴리 이미드(polyimide) 등과 같은 물질로 형성될 수 있다. 유기막(PCL)은 제1 무기막(PAS1)과 제2 무기막 (PAS2)사이에 개재된다.
유기막(PCL)을 형성하는 감광성 유기 물질은 색을 띠고 있기 때문에 외부 광원으로부터의 주변광 및 변곡부(INF)로부터 난반사된 산란광을 흡수할 수 있다. 다만, 유기 발광 층(OL)으로부터의 자발광은 유기막(PCL)에 의해 흡수되지 않고 외부로 방출되어야 하므로, 발광 영역(AA)의 유기막(PCL)은 투명할 필요가 있다. 발광 영역(AA)의 유기막(PCL)을 투명하게 하기 위해, 발광 영역(AA)의 유기막(PCL)에는 노광 공정을 진행한다. 노광된 발광 영역(AA)의 유기막(PCL)은 투과율 95% 이상으로 투명하게 변환된다.
더욱 자세하게는, 도 7을 참조하면, 색을 띠는 유기막(PCL) 중 발광 영역(AA) 부분을 투명하게 변환시키기 위해 마스크 공정을 이용할 수 있다. 마스크(MK)를 이용하여 발광 영역(AA)의 유기막(PCL)에 빛을 조사하는 노광 공정을 진행한다. 이때, 마스크(MK)는 발광 영역(AA)과 비 발광 영역(NA)을 정의하는 뱅크(BN, 도 6)를 형성할 때 사용한 마스크(MK)를 다시 사용할 수 있다. 노광 공정이 진행된 유기막(PCL)은 비 발광 영역(NA)의 색을 띠는 광 반사 방지부와 발광 영역(AA)의 투명한 광 투과부로 구분된다.
제1 실시예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 색을 띠는 유기막(PCL)을 포함하는 보호층(PASSI)을 형성함으로써, 외부로부터의 주변광과 변곡부(INF)로부터 난반사된 산란광을 흡수할 수 있다. 이에 따라, 명실 명암비가 향상된 유기발광 다이오드 표시장치를 제공할 수 있다. 또한, 발광 영역(AA)의 유기막(PCL)과 비 발광 영역(NA)의 유기막(PCL)이 띠는 색을 달리함으로써, 비 발광 영역(NA)의 유기막(PCL)에서 주변광 및 산란광을 흡수할 수 있고, 발광 영역(AA)의 유기막(PCL)에서 유기 발광 층(OL)으로부터의 자발광을 투과할 수 있도록 한 유기발광 다이오드 표시장치를 제공할 수 있다.
제1 실시예에서 유기막(PCL)은 선택적으로 빛을 흡수하거나 투과하는 광 조절 층으로써 기능을 하며, 광 조절 층은 광 반사 방지부와 광 투과부를 포함한다. 이때, 색을 띠는 유색 부분의 유기막(PCL)은 광 반사 방지부가 되어 주변광 및 산란광을 흡수하고, 투명화된 유기막(PCL) 부분은 광 투과부가 되어 자발광을 투과시킨다.
<제2 실시예>
이하, 도 8을 참조하여, 본 발명의 제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에 대하여 상세히 설명한다. 도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타낸 단면도이다. 도 8을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에서 TFT(ST, DT) 부분은 종래 기술의 것과 큰 차이가 없다. TFT(ST, DT)는 도 3 및 도 4에서 나타낸 구조에 한정되는 것은 아니고 유기발광 다이오드 표시장치를 구동할 수 있는 구조라면 모두 포함될 수 있다. 제2 실시예의 핵심적인 특징은 배리어 필름(BAR) 부분에 있다.
도 8을 참조하면, 기판(SUB)상에는 TFT(ST, DT), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDL)이 형성된다. 보호막(PAS)은 TFT(ST, DT), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDL)을 덮도록 기판(SUB) 전면에 형성된다. TFT(ST, DT) 및 배선(DL, VDL)들이 형성되어 단차가 있는 표면을 평탄하게 하기 위하여 보호막(PAS)의 상부에는 오버코트층(OC)이 기판(SUB) 전면에 형성된다.
제1 전극(ANO)은 오버코트층(OC) 위에 다른 화소영역의 제1 전극(ANO)과 접촉하지 않도록 형성된다. 상부 발광형(Top Emission) 유기발광 다이오드 표시장치의 경우 제1 전극(ANO)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu) 등의 금속으로 이루어진 반사 전극으로 형성될 수 있고, 이들의 합금이나 산화물로도 형성될 수 있다. 제1 전극(ANO)은 애노드 전극이 될 수 있다.
뱅크(BN)는 화소영역의 발광영역과 비 발광영역을 구획하기 위해 제1 전극(ANO)의 가장자리와 중첩되고, 각종 배선(DL, VDL)들이 형성된 영역과 중첩되도록 형성된다. 뱅크(BN)에 의해 노출된 제1 전극(ANO) 영역은 발광 영역(AA)으로, 그리고 뱅크(BN)가 형성된 영역은 비 발광 영역(NA)으로 정의된다.
유기 발광 층(OL)은 뱅크(BN)에 의해 노출된 제1 전극(ANO) 위에 형성된다. 유기 발광 층(OL)은 적어도 발광층(emission layer, EL)을 포함하며 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 전자 수송층(electron transport layer, ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
유기 발광 층(OL)은 적색, 녹색, 청색 중 어느 한 색을 발현하는 유기물질로 이루어져 각 화소별로 뱅크 사이에 도포 될 수 있다. 또한, 유기 발광 층(OL)은 백색광을 발현하는 유기물질로 이루어져 기판 전체 표면에 걸쳐 도포 될 수 있다. 이 경우 컬러 필터를 더 포함할 수 있다. 이하, 본 명세서에서는 편의상 유기 발광 층(OL)이 적색, 녹색, 청색 중 어느 한 색을 발현하는 유기물질로 이루어져 각 화소별로 뱅크 사이에 도포 된 구조로 설명한다.
유기 발광 층(OL) 위에는 제2 전극(CAT)이 형성되며, 제2 전극(CAT)은 기판(SUB) 전체 표면 위에 일체형으로 형성될 수 있다. 제2 전극(CAT)은 캐소드 전극이 될 수 있다. 이때, 상부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치의 경우 유기 발광 층(OL)에서 발생한 자발광은 캐소드 전극을 통해 출광한다.
제2 전극(CAT)은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명도전물질로 형성될 수 있다. 또한, 제2 전극(CAT)이 ITO로만 형성되는 경우 대면적 디스플레이를 구현함에 있어서 면 저항이 높아지므로 금속물질로 형성될 수도 있다. 다만, 상부 발광형의 경우 제2 전극(CAT) 방향으로 자발광이 방출되어야 하므로 투명성이 확보될 수 있도록 얇은 두께로 형성됨이 바람직하다. 또한, 마이크로캐비티(micro-cavity) 구조를 적용하는 경우 제2 전극(CAT)은 투명도전물질과 얇은 금속층을 적층하여 반투명층으로 형성될 수도 있다.
제2 전극(CAT)은 뱅크(BN)의 표면 굴곡에 따라 증착되고, 그 굴곡에 따라 변곡부(INF)가 형성된다. 변곡부(INF)는 곡면형상을 이루면서 단차가 생기는 부분으로 완만한 계단 형상인 것을 의미한다.
제2 전극(CAT) 상에는 수분 및 산소로부터 박막 트랜지스터(ST, DT) 등의 구동 소자와 유기발광 다이오드(OLED) 등의 발광 소자를 보호하기 위해 보호층(PASSI)이 형성된다. 보호층(PASSI)은 제1 무기막(PAS1), 유기막(PCL), 제2 무기막(PAS2)을 포함한다. 제1 무기막(PAS1)과 제2 무기막(PAS2)은 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx) 등으로 형성되어 수분 및 산소의 유입을 차단한다. 유기막(PCL)은 폴리머(polymer)와 같은 유기 물질로 형성되며, 제1 무기막(PAS1)과 제2 무기막(PAS2) 사이에 개재된다. 제2 무기막(PAS2)은 유기막(PCL)을 완전히 덮도록 형성된다. 도 8에서의 보호층(PASSI)은 제1 무기막(PAS1), 유기막(PCL), 제2 무기막(PAS2)을 포함하는 것으로 예시하고 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 내부 소자를 수분 및 산소로부터 보호할 수 있는 구조라면 모두 포함될 수 있다. 즉, 보호층(PASSI)은 수분 및 산소의 침투를 차단하기 위해 적어도 하나 이상의 무기막을 포함할 수 있으며, 다수의 무기막 적층 구조이거나, 하나 이상의 무기막과 유기막을 포함하는 적층 구조일 수 있다. 보호층(PASSI)이 유기막을 포함하는 경우, 유기막 상에 형성되는 무기막은 유기막을 덮도록 형성되는 것이 바람직하다. 무기막을 유기막의 가장자리를 덮도록 형성함으로써 외부로부터 유기막을 따라 결함이나 수분이 내부 소자로 침투되는 것을 미연에 차단시킬 수 있다.
보호층(PASSI)이 형성된 상부에는 보호층(PASSI)을 덮도록 배리어 필름(BAR)이 배치된다. 배리어 필름(BAR)은 사이클로올레핀폴리머(cycloolefin polymer; COP)나 PET 폴리머(PET polymer)등과 같은 재료의 베이스 층과 점착층으로 이루어질 수 있다. 베이스 층의 재료는 이에 한정되지 않으며, 포토 패턴이 가능하고, 수분 및 산소로부터 소자를 보호할 수 있는 재료라면 사용될 수 있다.
배리어 필름(BAR)은 일정 간격 이격하여 배치된 광 흡수 격벽 패턴(ABL)을 포함한다. 즉, 배리어 필름(BAR)은 마스크 공정을 진행하여 광 흡수 격벽 패턴(ABL)을 갖도록 형성할 수 있다. 광 흡수 격벽 패턴(ABL)은 외부로부터의 주변광을 흡수 및/또는 반사시켜 주변광에 의한 변곡부(INF)에서의 난반사를 최소화시킬 수 있다. 예를 들어, 광 흡수 격벽 패턴(ABL)으로 입사된 주변광의 대부분은 광 흡수 격벽 패턴(ABL)에 의해 흡수되고, 일부 흡수되지 않은 주변광은 반사되어 인접하는 광 흡수 격벽 패턴(ABL)에 의해 흡수된다. 이에 따라, 주변광이 변곡부(INF)로 입사하는 것을 최소화할 수 있다.
광 흡수 격벽 패턴(ABL)은 외부에서 들어오는 주변광을 흡수할 수 있는 광 흡수 물질 및/또는 주변광을 반사할 수 있는 광 반사 물질을 포함한다. 즉, 광 흡수 격벽 패턴(ABL)은 주변광을 반사할 수 있는 물질로 산화 티타늄(TiO2), 산화 마그네슘(MgO), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 실리콘(SiO2), 산화 지르코늄(ZrO2) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있고, 주변광을 흡수할 수 있는 물질로 카본 블랙(carbon black), 탄소나노튜브(CNT), 흑연(graphite), 그래핀(graphene) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
예를 들어, 단일의 광 흡수 격벽 패턴(ABL)에 산화 티타늄(TiO2, 광 반사 물질) 및 카본 블랙(carbon black, 광 흡수 물질)이 모두 포함되는 경우에는, 산화 티타늄(TiO2)의 함량은 30~50%, 카본 블랙(carbon black)의 함량은 50~70%가 바람직할 수 있다. 또한, 단일의 광 흡수 격벽 패턴(ABL)에 산화 티타늄(TiO2) 또는 카본 블랙(carbon black) 중 어느 하나의 물질이 포함되는 경우에는, 인접하는 광 흡수 격벽 패턴(ABL) 각각에 서로 다른 물질을 포함하도록 하여, 산화 티타늄(TiO2) 또는 카본 블랙(carbon black)을 포함하는 각각의 광 흡수 격벽 패턴(ABL)이 교번하여 배열되도록 할 수 있다.
광 흡수 격벽 패턴(ABL)은 적어도 제2 전극(CAT)의 변곡부(INF)를 덮도록 비 발광 영역(NA)의 배리어 필름(BAR)에만 형성될 수 있다. 필요에 따라서는, 발광 영역(AA)을 포함한 배리어 필름(BAR) 전체에 연장되어 형성될 수도 있다. 이때, 인접하는 광 흡수 격벽 패턴(ABL) 사이의 폭(w)은 외부 광원으로부터의 주변광의 흡수율과 유기 발광 층(OL)으로부터의 자발광의 투과율을 고려하여 설계될 수 있다.
예를 들어, 인접하는 광 흡수 격벽 패턴(ABL) 사이의 폭(w)이 좁은 경우에는, 주변광의 흡수율이 높아 변곡부(INF)에서의 난반사를 줄일 수 있으나 자발광의 투과율이 줄어들 수 있다. 또한, 인접하는 광 흡수 격벽 패턴(ABL) 사이의 폭(w)이 넓은 경우에는, 자발광의 투과율을 증가시킬 수는 있으나, 주변광의 흡수율이 줄어들 수 있다. 따라서, 설계자의 의도에 따라 적절하게 설계할 필요가 있다. 이를 고려하여 인접하는 광 흡수 격벽 패턴(ABL) 사이의 폭(w)은 10~20㎛가 바람직하다.
광 흡수 격벽 패턴(ABL)의 두께(t)는 배리어 필름(BAR)의 두께와 동일할 수 있다. 즉, 일반적인 배리어 필름(BAR)의 두께인 대략 100㎛의 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 광 흡수 격벽 패턴(ABL)의 두께(t)는 입사되는 주변광의 흡수율을 고려하여 정해질 수 있다.
제2 실시예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 광 흡수 격벽 패턴(ABL)에 의해 외부로부터의 주변광을 흡수함으로써, 명실 명암비가 저하되는 것을 억제하면서 동시에 유기 발광 층(OL)으로부터의 자발광의 손실을 최소화하여 외부로 방출시킬 수 있다.
제2 실시예에서 배리어 필름(BAR)은 빛을 선택적으로 투과하거나 흡수하는 광 조절 층으로써 기능을 하며, 광 조절 층은 광 반사 방지부와 광 투과부를 포함한다. 이때, 광 흡수 격벽 패턴(ABL)은 비 발광 영역(AA)에 대응하는 광 반사 방지부 상에만 형성될 수 있으며, 필요에 따라서는 비 발광 영역(NA)에 대응하는 광 투과부에 연장되어 형성될 수 있다.
<제3 실시예>
이하, 도 9를 참조하여, 본 발명의 제3 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에 대하여 상세히 설명한다. 도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타낸 단면도이다. 도 9를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에서 TFT(ST, DT) 부분은 종래 기술의 것과 큰 차이가 없다. TFT(ST, DT)는 도 3 및 도 4에서 나타낸 구조에 한정되는 것은 아니고 유기발광 다이오드 표시장치를 구동할 수 있는 구조라면 모두 포함될 수 있다. 제3 실시예의 핵심적인 특징은 블랙 매트릭스(BM) 부분에 있다.
도 9를 참조하면, 기판(SUB)상에는 TFT(ST, DT), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDL)이 형성된다. 보호막(PAS)은 TFT(ST, DT), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDL)을 덮도록 기판(SUB) 전면에 형성된다. TFT(ST, DT) 및 배선(DL, VDL)들이 형성되어 단차가 있는 표면을 평탄하게 하기 위하여 보호막(PAS)의 상부에는 오버코트층(OC)이 기판(SUB) 전면에 형성된다.
제1 전극(ANO)은 오버코트층(OC) 위에 다른 화소영역의 제1 전극(ANO)과 접촉하지 않도록 형성된다. 상부 발광형(Top Emission) 유기발광 다이오드 표시장치의 경우 제1 전극(ANO)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu) 등의 금속으로 이루어진 반사 전극으로 형성될 수 있고, 이들의 합금이나 산화물로도 형성될 수 있다. 제1 전극(ANO)은 애노드 전극이 될 수 있다.
뱅크(BN)는 화소영역의 발광영역과 비 발광영역을 구획하기 위해 제1 전극(ANO)의 가장자리와 중첩되고, 각종 배선(DL, VDL)들이 형성된 영역과 중첩되도록 형성된다. 뱅크(BN)에 의해 노출된 제1 전극(ANO) 영역은 발광 영역(AA)으로, 그리고 뱅크(BN)가 형성된 영역은 비 발광 영역(NA)으로 정의된다.
유기 발광 층(OL)은 뱅크(BN)에 의해 노출된 제1 전극(ANO) 위에 형성된다. 유기 발광 층(OL)은 적어도 발광층(emission layer, EL)을 포함하며 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 전자 수송층(electron transport layer, ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
유기 발광 층(OL)은 적색, 녹색, 청색 중 어느 한 색을 발현하는 유기물질로 이루어져 각 화소별로 뱅크 사이에 도포 될 수 있다. 또한, 유기 발광 층(OL)은 백색광을 발현하는 유기물질로 이루어져 기판 전체 표면에 걸쳐 도포 될 수 있다. 이 경우 컬러 필터를 더 포함할 수 있다. 이하, 본 명세서에서는 편의상 유기 발광 층(OL)이 적색, 녹색, 청색 중 어느 한 색을 발현하는 유기물질로 이루어져 각 화소별로 뱅크 사이에 도포 된 구조로 설명한다.
유기 발광 층(OL) 위에는 제2 전극(CAT)이 형성되며, 제2 전극(CAT)은 기판(SUB) 전체 표면 위에 일체형으로 형성될 수 있다. 제2 전극(CAT)은 캐소드 전극이 될 수 있다. 이때, 상부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치의 경우 유기 발광 층(OL)에서 발생한 자발광은 캐소드 전극을 통해 출광한다.
제2 전극(CAT)은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명도전물질로 형성될 수 있다. 또한, 제2 전극(CAT)이 ITO로만 형성되는 경우 대면적 디스플레이를 구현함에 있어서 면 저항이 높아지므로 금속물질로 형성될 수도 있다. 다만, 상부 발광형의 경우 제2 전극(CAT) 방향으로 자발광이 방출되어야 하므로 투명성이 확보될 수 있도록 얇은 두께로 형성됨이 바람직하다. 또한, 마이크로캐비티(micro-cavity) 구조를 적용하는 경우 제2 전극(CAT)은 투명도전물질과 얇은 금속층을 적층하여 반투명층으로 형성될 수도 있다.
제2 전극(CAT)은 뱅크(BN)의 표면 굴곡에 따라 증착되고, 그 굴곡에 따라 변곡부(INF)가 형성된다. 변곡부(INF)는 곡면형상을 이루면서 단차가 생기는 부분으로 완만한 계단 형상인 것을 의미한다.
비 발광 영역(NA)의 제2 전극(CAT) 상에는 블랙 매트릭스(BM)가 형성된다. 블랙 매트릭스(BM)는 크롬(Chromium), 산화 크롬(Chromium Oxide), 혹은 질화 크롬(Chromium Nitride)과 같은 유기 고분자 물질로 빛 반사율이 0에 가까운 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 블랙 매트릭스(BM)는 적어도 제2 전극(CAT)의 변곡부(INF)를 덮도록 형성되어 외부로부터의 주변광을 흡수한다. 이에 따라, 주변광에 의한 변곡부(INF)에서의 난반사를 최소화시켜 명실 명암비를 개선한 유기발광 다이오드 표시장치를 제공할 수 있다.
제3 실시예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 제2 전극(CAT) 상에 블랙 매트릭스(BM)를 형성함으로써, 외부로부터의 주변광 반사를 방지하기 위한 별도의 편광판 또는 컬러 필터를 배치할 필요가 없다. 이에 따라, 공정의 단순화를 도모할 수 있다. 또한, 컬러 필터를 형성함으로써 발생할 수 있는 발광 영역(AA)과의 정렬(align) 문제가 없다.
블랙 매트릭스(BM)가 제2 전극(CAT)의 변곡부(INF)를 덮도록 형성되는 경우, 자발광의 발산 범위가 줄어들어 시야각이 좁아지는 문제가 발생할 수 있다. 이를 해결하기 위해 블랙 매트릭스(BM)가 형성되지 않은 발광 영역(AA)의 제2 전극(CAT) 상에는 렌즈(LNS)가 배치(또는 형성)될 수 있다. 렌즈(LNS)는 렌티 큘러 형, 피라미드 형, 반구 형, 프리즘 형, 타원 형 등의 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 제3 실시예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 렌즈(LNS)를 포함하여 더 넓은 시야각을 확보할 수 있는 표시장치를 제공할 수 있다.
제3 실시예에서 블랙 매트릭스(BM)는 빛을 선택적으로 투과하거나 흡수하는 광 조절 층으로써 기능을 하며, 광 조절 층은 광 반사 방지부와 광 투과부를 포함한다. 이때, 블랙 매트릭스(BM)는 비 발광 영역(NA)에 대응하는 광 반사 방지부에만 형성된다. 또한, 시야각을 확장시키기 위해 발광 영역(AA)에 대응하는 광 투과부에는 렌즈(LNS)가 배치될 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양하게 변경 및 수정할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.
AA : 발광 영역 NA : 비 발광 영역
ANO : 제1 전극 OL : 유기 발광 층
CAT : 제2 전극 OLED : 유기발광 다이오드
INF : 변곡부 PAS1 : 제1 무기막
PCL : 유기막 PAS2 : 제2 무기막
BAR : 배리어 필름 ABL : 광 흡수 격벽 패턴
BM : 블랙 매트릭스 LNS : 렌즈
ANO : 제1 전극 OL : 유기 발광 층
CAT : 제2 전극 OLED : 유기발광 다이오드
INF : 변곡부 PAS1 : 제1 무기막
PCL : 유기막 PAS2 : 제2 무기막
BAR : 배리어 필름 ABL : 광 흡수 격벽 패턴
BM : 블랙 매트릭스 LNS : 렌즈
Claims (10)
- 기판;
상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터와 연결된 제1 전극;
상기 제1 전극의 일부와 중첩되도록 형성되어, 발광 영역과 비 발광 영역을 정의하는 뱅크;
상기 제1 전극을 덮도록 형성된 유기 발광 층;
상기 유기 발광 층을 덮도록 형성된 제2 전극; 및
상기 제2 전극 위에 유기물질로 형성되며, 상기 발광 영역에 대응하여 배치된 광 투과부와 상기 비 발광 영역에 대응하여 배치된 광 반사 방지부를 구비하는 광 조절 층을 포함하며,
상기 광 반사 방지부는 유색이고, 상기 광 투과부는 투명인 유기발광 다이오드 표시장치 - 제 1 항에 있어서,
상기 광 조절 층 하부에 형성된 제1 무기막 및 상기 광 조절 층 상부에 형성된 제2 무기막을 더 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 유기물질은 감광성 유기 물질을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치. - 기판;
상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터와 연결된 제1 전극;
상기 제1 전극의 일부와 중첩되도록 형성되어, 발광 영역과 비 발광 영역을 정의하는 뱅크;
상기 제1 전극을 덮도록 형성된 유기 발광 층;
상기 유기 발광 층을 덮도록 형성된 제2 전극; 및
상기 제2 전극 위에 형성되며, 상기 발광 영역에 대응하여 배치된 광 투과부와 상기 비 발광 영역에 대응하여 배치된 광 반사 방지부를 구비하는 광 조절 층을 포함하며,
상기 광 반사 방지부는 일정 간격 이격하여 배치된 광 흡수 격벽 패턴을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 광 흡수 격벽 패턴은 광 흡수 물질 및 광 반사 물질 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치. - 삭제
- 기판;
상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터와 연결된 제1 전극;
상기 제1 전극의 일부와 중첩되도록 형성되어, 발광 영역과 비 발광 영역을 정의하는 뱅크;
상기 제1 전극을 덮도록 형성된 유기 발광 층;
상기 유기 발광 층을 덮도록 형성된 제2 전극; 및
상기 제2 전극 위에 형성되며, 상기 발광 영역에 대응하여 배치된 광 투과부와 상기 비 발광 영역에 대응하여 배치된 광 반사 방지부를 구비하는 광 조절 층을 포함하며,
상기 광 반사 방지부는 블랙매트릭스이고 상기 광 투과부는 렌즈인 유기발광 다이오드 표시장치. - 제 3 항에 있어서, 상기 광 투과부의 유기물질은 노광된 유기물질인 유기발광 다이오드 표시장치.
- 제 5 항에 있어서, 서로 인접하는 상기 광 흡수 격벽 패턴은 각각 광 흡수 물질 및 광 반사 물질로 이루어진 유기발광 다이오드 표시장치.
- 제 4 항에 있어서, 상기 광 흡수 격벽 패턴 사이의 폭은 외부 광원으로부터의 주변광의 흡수율과 상기 유기 발광 층으로부터의 자발광의 투과율에 의해 결정되는 유기발광 다이오드 표시장치.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140121780A KR102294952B1 (ko) | 2014-09-15 | 2014-09-15 | 유기발광 다이오드 표시장치 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140121780A KR102294952B1 (ko) | 2014-09-15 | 2014-09-15 | 유기발광 다이오드 표시장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR20160032306A KR20160032306A (ko) | 2016-03-24 |
| KR102294952B1 true KR102294952B1 (ko) | 2021-08-27 |
Family
ID=55651242
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102294952B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102463737B1 (ko) | 2017-12-04 | 2022-11-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치 |
| CN110071151B (zh) * | 2019-04-18 | 2022-01-25 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 柔性显示面板和柔性显示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332019A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-12-07 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
-
2014
- 2014-09-15 KR KR1020140121780A patent/KR102294952B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332019A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-12-07 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160032306A (ko) | 2016-03-24 |
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