JP2018073527A - 発光装置の製造方法及び発光装置の製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の静電気を簡易な方法で基板から除去する。【解決手段】マスクを介して有機層１２０及び第２電極１３０の積層構造の少なくとも一部を蒸着によって形成する場合、マスクを導電部１５２に接触させることができる。このマスクは、導電性を有している。このため、基板１００が静電気を帯びていても、導電部１５２を介してこの静電気をマスクに逃がすことができる。さらに、導電部１５２の厚さＴは、第１電極１１０の基板１００と反対の面（すなわち、第１電極１１０の上面（第１面））から第２電極１３０の上端までの高さＨ１より厚くなっている（Ｔ≧Ｈ１）。【選択図】図２

Description

本発明は、発光装置の製造方法及び発光装置の製造装置に関する。

近年、発光装置として、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が開発されている。ＯＬＥＤは、有機層を有しており、この有機層は、有機エレクトロルミネッセンスにより光を発する発光層を含んでいる。ＯＬＥＤは、第１電極（例えば、アノード電極）及び第２電極（例えば、カソード電極）をさらに有しており、第１電極及び第２電極は、有機層を挟んで互いに対向している。ＯＬＥＤでは、第１電極及び第２電極を用いて有機層に電圧を印加することにより光が発せられる。

特許文献１には、ＯＬＥＤの一例について記載されている。このＯＬＥＤは、隔壁を有しており、この隔壁は、互いに隣接する第２電極（カソード電極）の間に位置している。第２電極は、メタルマスクを用いて蒸着によって形成される。隔壁は、有機層がメタルマスクによって傷つくことを防止するために設けられている。特許文献１には、隔壁は、絶縁性及び透光性を有することが記載されている。

特許文献２には、ＯＬＥＤを製造するための装置の一例について記載されている。この装置では、マスクを用いて基板上に薄膜を形成する。特許文献２には、薄膜とマスクの間に静電気が発生することが記載されている。特許文献２では、マスクに電流を流すことで、この静電気を除去している。

特許文献３には、ＯＬＥＤの製造に用いられるマスクの一例について記載されている。特許文献３には、磁石を用いることが記載されており、具体的には、マスクと磁石の間に基板を配置して、マスクと磁石を磁力によって互いに引き合わせることについて記載されている。

特開２０１１−２３３３６号公報 特開２０１１−１２７２１８号公報 特開２０１６−１６６４１３号公報

特許文献２に記載されているように、ＯＬＥＤに用いられる基板は、静電気を帯びることがある。このような静電気は、できる限り簡易な方法で基板から除去されることが望ましい。

本発明が解決しようとする課題としては、基板の静電気を簡易な方法で基板から除去することが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、
基板上に透光性の第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の前記基板と反対側の面である第１面上に導電部を形成する工程と、
前記第１面上に有機層及び第２電極を含む積層構造を形成する工程と、
を含み、
前記積層構造を形成する工程は、前記導電部に導電性マスクを接触させ、前記導電性マスクを介して前記積層構造のうち少なくとも一部を蒸着によって形成する工程を含む発光装置の製造方法である。

請求項１０に記載の発明は、
発光装置の製造装置であって、
導電性マスクを備え、
前記発光装置は、
基板の第１面側に位置し、透光性の第１電極、発光層を含む有機層及び遮光性の第２電極の積層構造を含む発光部と、
前記第１電極の前記基板と反対の面上に位置する導電部と、
を備え、
前記導電性マスクは、前記有機層を形成する工程又は前記第２電極を形成する工程において前記導電部に接触する発光装置の製造装置である。

実施形態１に係る発光装置を示す平面図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 図２に示した導電部の詳細の一例を説明するための図である。 実施形態１に係る発光装置の動作の一例を説明するための図である。 比較例に係る発光装置の動作の一例を説明するための図である。 図１及び図２に示した発光装置を製造するための製造装置を示す図である。 図６に示した蒸着室を説明するための図である。 図６に示した蒸着室を説明するための図である。 図６及び図７に示した製造装置を用いて有機層を形成する方法の一例を説明するための図である。 図６及び図７に示した製造装置を用いて有機層を形成する方法の一例を説明するための図である。 図６及び図８に示した製造装置を用いて第２電極を形成する方法の一例を説明するための図である。 図６及び図８に示した製造装置を用いて第２電極を形成する方法の一例を説明するための図である。 実施形態２に係る発光装置を説明するための平面図である。 図１３のＡ−Ａ断面図である。 図１３及び図１４に示した発光装置を製造する方法の一例を説明するための図である。 図１４の変形例を示す図である。 図１３の第１の変形例を示す図である。 図１３の第２の変形例を示す図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る発光装置１０を示す平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。

図２を用いて発光装置１０の概要について説明する。発光装置１０は、発光部１４２及び導電部１５２を備えている。発光部１４２は、基板１００の第１面１０２側に位置している。発光部１４２は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０の積層構造を含んでいる。第１電極１１０は、透光性を有している。有機層１２０は、発光層を含んでいる。第２電極１３０は、遮光性、より具体的には、光反射性を有している。導電部１５２は、第１電極１１０の基板１００と反対の面上に位置しており、言い換えると、第１電極１１０の上面上に位置している。

上記した構成によれば、マスクを介して有機層１２０及び第２電極１３０の積層構造の少なくとも一部を蒸着によって形成する場合、図９〜図１２を用いて後述するように、マスク（図９及び図１０に示す例ではマスク４１０、図１１及び図１２に示す例ではマスク５１０）を導電部１５２に接触させることができる。このマスクは、導電性を有している。このため、基板１００が静電気を帯びていても、導電部１５２を介してこの静電気をマスクに逃がすことができる。

さらに、図２に示す例においては、第２電極１３０の位置を高い精度で調節することができる。具体的には、導電部１５２の厚さＴは、第１電極１１０の基板１００と反対の面（すなわち、第１電極１１０の上面（第１面））から第２電極１３０の上端までの高さＨ１より厚くなっている（Ｔ≧Ｈ１）。この場合、図１１及び図１２を用いて後述するように、マスク（図１１及び図１２に示す例ではマスク５１０）を用いて第２電極１３０を蒸着によって形成するとき、このようなマスクを導電部１５２の上面に接触させることができる。このため、第２電極１３０の位置を高い精度で調節することができる。

本図に示す例においては、発光装置１０の製造プロセスの工程を少なくすることができる。具体的には、導電部１５２の厚さＴが上記高さＨ１より厚い場合、上記したように、第２電極１３０の形成に用いられるマスクを導電部１５２の上面に接触させることができる。言い換えると、このようなマスクを接触させるための絶縁層（例えば、図５を用いて後述する絶縁層２１０）を設ける必要がない。このため、発光装置１０の製造プロセスの工程を少なくすることができる。

本図に示す例においては、発光装置１０の耐光性を高いものにすることができる。具体的には、導電部１５２の厚さＴが上記高さＨ１より厚い場合、上記したように、第２電極１３０の形成に用いられるマスクを接触させるための絶縁層を設ける必要がない。このような絶縁層が有機材料（例えば、ポリイミド）を含んでいる場合に絶縁層が光（より具体的には紫外線）に照射されると、絶縁層からアウトガスが発生することがある。有機層１２０は、このようなアウトガスによって劣化することがある。これに対して、本図に示す例では、このような絶縁層を設ける必要がない。このため、有機層１２０が上記した絶縁層からのアウトガスによって劣化するおそれがない。このため、発光装置１０の耐光性を高いものにすることができる。

次に、図１を用いて、発光装置１０の平面レイアウトの詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、複数の第１電極１１０、複数の第１接続部１１２、複数の有機層１２０、複数の第２電極１３０、複数の第２接続部１３２、導電層１５０及び導電層１６０を備えている。導電層１５０は、複数の導電部１５２及び配線１５８を有している。導電層１６０は、配線１６８を有している。

基板１００の形状は、第１面１０２に垂直な方向から見た場合、一対の長辺及び一対の短辺を有する矩形である。ただし、基板１００の形状は、本図に示す例に限定されるものではない。基板１００の形状は、第１面１０２に垂直な方向から見た場合、例えば円でもよいし、又は矩形以外の多角形であってもよい。

複数の第１電極１１０は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板１００の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の第１電極１１０のそれぞれは、基板１００の短辺に沿って延伸している。

複数の第１電極１１０のそれぞれは、複数の第１接続部１１２のそれぞれに接続している。第１接続部１１２の幅は、第１電極１１０の幅よりも狭くなっている。なお、第１電極１１０及び第１接続部１１２は、互いに一体となっている。言い換えると、発光装置１０は、第１電極１１０として機能する領域及び第１接続部１１２として機能する領域を有する導電層を備えている。

複数の有機層１２０のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれに重なっている。複数の有機層１２０は、互いに離間しており、具体的には、基板１００の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の有機層１２０のそれぞれは、基板１００の短辺に沿って延伸している。

複数の第２電極１３０のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれに重なっている。複数の第２電極１３０は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板１００の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の第２電極１３０のそれぞれは、基板１００の短辺に沿って延伸しており、具体的には、基板１００の短辺に沿って延伸する一対の長辺及び基板１００の長辺に沿って延伸する一対の短辺を有している。

複数の第２電極１３０のそれぞれは、複数の第２接続部１３２のそれぞれに接続している。

第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０は、発光部１４２として機能する領域を有している。具体的には、発光部１４２は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０の積層構造を含んでいる。これにより、複数の発光部１４２のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれ、複数の有機層１２０のそれぞれ及び複数の第２電極１３０のそれぞれと重なっている。発光部１４２は、基板１００の短辺に沿って延伸しており、具体的には、基板１００の短辺に沿って延伸する一対の長辺及び基板１００の長辺に沿って延伸する一対の短辺を有している。

複数の導電部１５２のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれに重なっており、複数の第１電極１１０のそれぞれに接続している。導電部１５２は、第１電極１１０から第１接続部１１２にかけて延伸している。

配線１５８は、複数の第１接続部１１２及び複数の導電部１５２に接続している。配線１５８は、基板１００の一対の長辺の一方に沿って延伸している。外部からの電圧は、配線１５８、第１接続部１１２及び導電部１５２を介して第１電極１１０に供給される。なお、複数の導電部１５２及び配線１５８は、互いに一体となっている。言い換えると、発光装置１０は、導電部１５２として機能する領域及び配線１５８として機能する領域を有する導電層（すなわち、導電層１５０）を含んでいる。

配線１６８は、複数の第２接続部１３２に接続している。配線１６８は、基板１００の一対の長辺の他方に沿って延伸している。外部からの電圧は、配線１６８を介して第２電極１３０に供給される。

次に、図２を用いて、発光装置１０の断面の詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０及び導電部１５２を備えている。基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０及び導電部１５２は、いずれも、基板１００の第１面１０２上にある。

基板１００は、透光性を有している。一例において、基板１００は、ガラスを含んでいる。他の例において、基板１００は、樹脂を含んでいてもよい。

第１電極１１０は、透光性及び導電性を有している。具体的には、第１電極１１０は、透光性及び導電性を有する材料を含んでおり、例えば金属酸化物、具体的には例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）の少なくとも１つを含んでいる。これにより、有機層１２０からの光は、第１電極１１０を透過することができる。

有機層１２０は、例えば、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を含んでいる。ＨＩＬ及びＨＴＬは、第１電極１１０に接続している。ＥＴＬ及びＥＩＬは、第２電極１３０に接続している。ＥＭＬは、第１電極１１０と第２電極１３０の間の電圧によって光を発する。

本図に示す例において、有機層１２０の幅は、第１電極１１０の幅よりも狭くなっている。具体的には、第１電極１１０の幅方向において、有機層１２０は、第１電極１１０の両端よりも内側に位置している。この場合、基板１００の厚さ方向において有機層１２０と重なる領域の面積を小さくすることができる。このため、発光装置１０の光線透過率を高くすることができる。

第２電極１３０は、光反射性及び導電性を有している。具体的には、第２電極１３０は、光反射性を有する材料を含んでおり、例えば金属、具体的には例えば、Ａｌ、Ａｇ及びＭｇＡｇの少なくとも１つを含んでいる。これにより、有機層１２０からの光は、第２電極１３０をほとんど透過することなく、第２電極１３０で反射される。

なお、第２電極１３０の光反射性に起因して、第２電極１３０は、遮光性を有している。このため、本図に示す例では、有機層１２０からの光が第２電極１３０から漏れることが抑制されている。

本図に示す例において、第２電極１３０の幅は、有機層１２０の幅よりも狭くなっている。具体的には、有機層１２０の幅方向において、第２電極１３０は、有機層１２０の両端よりも内側に位置している。この場合、第２電極１３０が第１電極１１０に接触することが防止される。このため、第１電極１１０と第２電極１３０の間の短絡が防止される。

本図に示す例では、第１電極１１０と第２電極１３０の間の短絡を防止すること及び発光装置１０の光線透過率を高くすることの双方が実現されている。具体的には、上記したように、第２電極１３０の幅は、有機層１２０の幅よりも狭くなっている。この場合、第２電極１３０が第１電極１１０に接触することが防止される。このため、第１電極１１０と第２電極１３０の間の短絡が防止される。さらに、上記したように、有機層１２０の幅は、第１電極１１０の幅よりも狭くなっている。この場合、基板１００の厚さ方向において有機層１２０と重なる領域の面積を小さくすることができる。このため、発光装置１０の光線透過率を高くすることができる。このようにして、第１電極１１０と第２電極１３０の間の短絡を防止すること及び発光装置１０の光線透過率を高くすることの双方が実現されている。

導電部１５２は、導電性を有している。具体的には、導電部１５２は、第１電極１１０に含まれる材料の導電率よりも高い導電率を有する材料（例えば、アルミニウム（Ａｌ））を含んでいる。導電部１５２は、第１電極１１０に電気的に接続しており、第１電極１１０の補助電極として機能している。具体的には、導電部１５２は、第１電極１１０の電圧降下を小さいものにしている。

複数の第１電極１１０のそれぞれ上において、有機層１２０は、導電部１５２から離間している。このようにして、基板１００の厚さ方向において有機層１２０と重なる領域の面積が小さくなっている。これにより、発光装置１０の光線透過率を高いものにすることができる。

複数の第１電極１１０のそれぞれの上おいて、第２電極１３０は、導電部１５２から離間している。このため、第２電極１３０が導電部１５２を介して第１電極１１０に短絡することが防止されている。

導電部１５２は、透光性を有している必要はなく、言い換えると、遮光性を有していてもよい。本図に示す例では、導電部１５２は、遮光性を有している。このため、外部からの光は、導電部１５２によって遮られる。

導電部１５２の厚さＴは、第１電極１１０の上面から第２電極１３０の上端までの高さＨ１よりも厚くなっている。一例において、第１電極１１０の厚さは、おおよそ１００ｎｍであり、有機層１２０の全体の厚さ（有機層１２０がＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬ及びＥＭＬを含む場合は、ＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬ及びＥＭＬの全体の厚さ）はおおよそ１００ｎｍであり、第２電極１３０の厚さは、おおよそ１００ｎｍであり、導電部１５２の厚さＴは、おおよそ５００ｎｍである。この例において、導電部１５２の厚さＴ（おおよそ５００ｎｍ）は、第１電極１１０の上面から第２電極１３０の上端までの高さ（おおよそ２００ｎｍ）よりも厚くなっている。厚さＴが高さＨ１よりも厚い場合、上記したように、第２電極１３０の形成に用いられるマスクを導電部１５２の上面に接触させることができる。

発光装置１０は、複数の発光部１４２、複数の透光部１４４ａ及び複数の透光部１４４ｂを備えている。互いに隣接する発光部１４２の間には、透光部１４４ａ及び透光部１４４ｂが位置している。

発光部１４２は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０の積層構造を含んでいる。具体的には、有機層１２０は、第１電極１１０上に位置し、第２電極１３０は、有機層１２０上に位置している。特に本図に示す例では、発光部１４２の幅は、第２電極１３０の幅と等しくなっている。具体的には、有機層１２０の幅は、第１電極１１０の幅よりも狭くなっており、第２電極１３０の幅は、有機層１２０の幅より狭くなっている。このため、第１電極１１０の幅方向において、発光部１４２の両端は、第２電極１３０の両端によって画定されることになる。言い換えると、第２電極１３０は、発光部１４２を画定するための絶縁層（例えば、図５を用いて後述する絶縁層２１０）と重なっていない。このようにして、発光部１４２の幅は、第２電極１３０の幅と等しくなっている。

透光部１４４ａは、第１電極１１０の幅方向において、一の第１電極１１０上の導電部１５２の端部から一の第１電極１１０上の第２電極１３０の端部にかけて広がっている。透光部１４４ａは、遮光層、具体的には、第２電極１３０及び導電部１５２と重なっていない。このため、外部からの光は、透光部１４４ａを透過することができる。

透光部１４４ｂは、第１電極１１０の幅方向において、一の第１電極１１０上の第２電極１３０の端部から他の第１電極１１０上の導電部１５２の端部にかけて広がっている。透光部１４４ｂは、遮光層、具体的には、第２電極１３０及び導電部１５２と重なっていない。このため、外部からの光は、透光部１４４ｂを透過することができる。

発光装置１０は、半透過ＯＬＥＤとして機能している。具体的には、複数の発光部１４２から光が発せられていない場合、人間の視覚では、第１面１０２側の物体が第２面１０４側から透けて見え、第２面１０４側の物体が第１面１０２側から透けて見える。さらに、複数の発光部１４２からの光は、第２面１０４側から主に出力され、第１面１０２側からはほとんど出力されない。複数の発光部１４２から光が発せられている場合、人間の視覚では、第２面１０４側の物体が第１面１０２側から透けて見える。

一例において、発光装置１０は、自動車のハイマウントストップランプとして用いることができる。この場合、発光装置１０は、自動車のリアウインドウに貼り付けることができる。さらに、この場合、発光装置１０は、例えば、赤色の光を発する。

図３は、図２に示した導電部１５２の詳細の一例を説明するための図である。導電部１５２は、第１電極１１０の基板１００と反対の面（すなわち、第１電極１１０の上面）上に位置している。導電部１５２は、第１層１５２ａ及び第２層１５２ｂを有している。第１層１５２ａは、第１電極１１０の上面上に位置している。第２層１５２ｂは、第１層１５２ａ上に位置している。

第１層１５２ａは、モリブデン（Ｍｏ）を含んでいる。第１層１５２ａは、第２層１５２ｂを第１電極１１０に強固に固定するために設けられている。

第２層１５２ｂは、アルミニウム（Ａｌ）を含んでいる。このため、導電部１５２は、高い導電率を有しており、第１電極１１０の補助電極として機能することができる。

第２層１５２ｂの上面は、導電層１５０の他の層、具体的には、アルミニウム（Ａｌ）よりも低い導電率を有する材料を含む層、より具体的にはモリブデン層によって覆われていない。このため、導電層１５０の導電率を高いものにすることができる。

本図に示す例では、第２層１５２ｂの上面をモリブデン層によって覆う必要がなく、このため、第２層１５２ｂの上面は導電層１５０の外部に露出していてもよい。具体的には、仮に、発光部１４２を画定するための絶縁層（例えば、図５を用いて後述する絶縁層２１０）によって第２層１５２ｂの上面が覆われている場合、第２層１５２ｂに含まれるアルミニウムがマイグレーションによってこの絶縁層内を移動することがある。このため、このような絶縁層を設ける場合、第２層１５２ｂの上面をバリアメタル（例えば、モリブデン）によって覆う必要がある。これに対して、本図に示す例では、上記した絶縁層を設ける必要がない。このため、第２層１５２ｂの上面は導電層１５０の外部に露出していてもよい。

図４は、本実施形態に係る発光装置１０の動作の一例を説明するための図である。本図に示す例において、発光装置１０は、封止基板３１０を備えている。封止基板３１０は、第１面３１２及び第２面３１４を有している。封止基板３１０の第１面３１２は、基板１００の第１面１０２に対向している。第２面３１４は、第１面３１２の反対側にある。

本図に示すように、発光部１４２から発せられた光は、基板１００の第２面１０４と封止基板３１０の第１面３１２で反射し、発光装置１０の内部を伝搬することがある。さらに、この光は、第２電極１３０の上面で反射することがある。

第２電極１３０の上面は、実質的に平坦になっており、より具体的には、基板１００の第１面１０２と実質的に平行になっている。言い換えると、第１電極１１０の幅方向において、発光部１４２の両端は、第２電極１３０の両端によって画定されている。これにより、発光部１４２の幅は、第２電極１３０の幅と等しくなっている。

第２電極１３０の上面が基板１００の第１面１０２と実質的に平行である場合、光が第２電極１３０の上面で反射しても、光が封止基板３１０の外側に漏れることを防止することができる。具体的には、第２電極１３０の上面が基板１００の第１面１０２と実質的に平行である場合、第２電極１３０の上面で光が反射しても、この光は、発光装置１０の内部を伝搬する光が封止基板３１０の第１面３１２に入射する際の入射角とほぼ等しい入射角で封止基板３１０の第１面３１２に入射する。この場合、この光は、封止基板３１０をほとんど透過することなく、封止基板３１０の第１面３１２で反射する。このようにして、光が封止基板３１０の外側に漏れることを防止することができる。

図５は、比較例に係る発光装置１０の動作の一例を説明するための図である。本比較例に係る発光装置１０は、絶縁層２１０が設けられている点を除いて、本実施形態に係る発光装置１０と同様である。

絶縁層２１０は、第１電極１１０の端部及び導電部１５２を覆っている。絶縁層２１０は、開口２１２を有している。第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０は、開口２１２内で互いに重なっており、発光部１４２として機能している。言い換えると、絶縁層２１０は、発光部１４２を画定している。

絶縁層２１０の開口２１２の周辺の領域αにおいて、第２電極１３０の上面は、平坦になっておらず、開口２１２の外側に向かうにつれて上方に向けて傾いている。具体的には、第２電極１３０は、絶縁層２１０の開口２１２の外側に広がっている。絶縁層２１０の上端は、絶縁層２１０の開口２１２の底部よりも高い位置にあり、このため、絶縁層２１０の開口２１２の周辺の領域αでは、絶縁層２１０によって凹凸が形成されている。第２電極１３０の上面は、当該凹凸の存在により平坦になっていない。

なお、第２電極１３０を蒸着によって形成する場合、第２電極１３０の形成に用いられるマスクは、絶縁層２１０の上面に接触させることができる。

図５に示す例でも、図４に示した例と同様にして、発光部１４２から発せられた光は、基板１００の第２面１０４と封止基板３１０の第１面３１２で反射し、発光装置１０の内部を伝搬することがある。さらに、この光は、第２電極１３０の上面で反射することがある。

光が領域αで第２電極１３０の上面で反射した場合、光が封止基板３１０の外側に漏れることがある。具体的には、光が領域αで第２電極１３０の上面で反射した場合、この光は、発光装置１０の内部を伝搬する光が封止基板３１０の第１面３１２に入射する際の入射角よりも浅い入射角で封止基板３１０の第１面３１２に入射することがある。この場合、この光は、封止基板３１０の第１面３１２でほとんど反射することなく、封止基板３１０を透過する。このようにして、光が封止基板３１０の外側に漏れることがある。

図６は、図１及び図２に示した発光装置１０を製造するための製造装置２０を示す図である。製造装置２０は、搬送室３２、準備室３４、複数の蒸着室４０（蒸着室４０ａ、蒸着室４０ｂ、蒸着室４０ｃ、蒸着室４０ｄ及び蒸着室４０ｅ）及び蒸着室５０を備えている。準備室３４、複数の蒸着室４０及び蒸着室５０は、搬送室３２に繋がっている。製造装置２０を用いて、発光装置１０は、一例において、以下のように製造される。

まず、製造装置２０の外部において、基板１００の第１面１０２上に第１電極１１０、第１接続部１１２及び第２接続部１３２を形成する。一例において、第１電極１１０、第１接続部１１２及び第２接続部１３２は、スパッタリングにより形成された導電層をパターニングすることにより形成される。次いで、導電層１５０（導電部１５２及び配線１５８）及び導電層１６０（配線１６８）を形成する。一例において、導電層１５０及び導電層１６０は、スパッタリングによって形成される。

次いで、基板１００を準備室３４に搬入する。準備室３４では、基板１００を洗浄してもよい。次いで、基板１００を準備室３４から搬送室３２に移動させる。

次いで、基板１００を搬送室３２から蒸着室４０ａに搬入する。蒸着室４０ａでは、蒸着によって有機層１２０のＨＩＬを形成する。次いで、基板１００を蒸着室４０ａから搬送室３２に移動させる。

次いで、基板１００を準備室３４から蒸着室４０ｂに搬入する。蒸着室４０ｂでは、蒸着によって有機層１２０のＨＴＬを形成する。次いで、基板１００を蒸着室４０ｂから搬送室３２に移動させる。

次いで、基板１００を搬送室３２から蒸着室４０ｃに搬入する。蒸着室４０ｃでは、蒸着によって有機層１２０のＥＭＬを形成する。次いで、基板１００を蒸着室４０ｃから搬送室３２に移動させる。

次いで、基板１００を搬送室３２から蒸着室４０ｄに搬入する。蒸着室４０ｄでは、蒸着によって有機層１２０のＥＴＬを形成する。次いで、基板１００を蒸着室４０ｄから搬送室３２に移動させる。

次いで、基板１００を搬送室３２から蒸着室４０ｅに搬入する。蒸着室４０ｅでは、蒸着によって有機層１２０のＥＩＬを形成する。次いで、基板１００を蒸着室４０ｅから搬送室３２に移動させる。

次いで、基板１００を搬送室３２から蒸着室５０に搬入する。蒸着室５０では、蒸着によって第２電極１３０を形成する。次いで、基板１００を蒸着室５０から搬送室３２に移動させる。

このようにして、図１及び図２に示した発光装置１０が製造される。なお、上述した例では、有機層１２０のＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬ及びＥＭＬのいずれも蒸着によって形成しているが、他の例においては、ＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬ及びＥＭＬのうちの少なくとも一つを塗布プロセスによって形成してもよい。

図７は、図６に示した蒸着室４０を説明するための図である。蒸着室４０は、マスク４１０、ホルダ４２０及び蒸着源４３０を備えている。蒸着室４０では、真空蒸着を用いて、有機層１２０中のいずれかの層（例えば、ＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬ及びＥＭＬ）が形成される。具体的には、ホルダ４２０は、基板１００の第１面１０２がマスク４１０を介して蒸着源４３０に対向するように基板１００を保持している。蒸着源４３０は、例えば加熱によって蒸発し、蒸発した材料がマスク４１０を介して基板１００の第１面１０２上に堆積される。このようにして、有機層１２０中の層が基板１００の第１面１０２上に形成される。

図８は、図６に示した蒸着室５０を説明するための図である。蒸着室５０は、マスク５１０、ホルダ５２０及び蒸着源５３０を備えている。蒸着室５０では、真空蒸着を用いて、第２電極１３０が形成される。具体的には、ホルダ５２０は、基板１００の第１面１０２がマスク５１０を介して蒸着源５３０に対向するように基板１００を保持している。蒸着源５３０は、例えば加熱によって蒸発し、蒸発した材料がマスク５１０を介して基板１００の第１面１０２上に堆積される。このようにして、第２電極１３０が基板１００の第１面１０２上に形成される。

図９及び図１０は、図６及び図７に示した製造装置２０を用いて有機層１２０を形成する方法の一例を説明するための図である。

まず、図９に示すように、マスク４１０を導電部１５２に接触させる。マスク４１０は、導電性を有しており、一例においてメタルマスクである。さらに、マスク４１０は、接地されている。このため、仮に、基板１００及び第１電極１１０が静電気を帯びていても、導電部１５２を介してこの静電気をマスク４１０に逃がすことができる。

さらに、図９に示す例では、マスク４１０の位置を高い精度で調節することができる。具体的には、マスク４１０は、第１面４１２を有しており、第１面４１２は、基板１００の第１面１０２に対向している。第１面４１２は、第１領域４１２ａ、第２領域４１２ｂ及び第３領域４１２ｃを有している。第１領域４１２ａは、第２領域４１２ｂと第３領域４１２ｃの間にあり、第２領域４１２ｂ及び第３領域４１２ｃよりもマスク４１０の深くに位置している。このような構成においては、導電部１５２が第２領域４１２ｂと第３領域４１２ｃの間に位置する状態で第１領域４１２ａを導電部１５２に接触させることができる。このため、マスク４１０の位置を高い精度で調節することができる。

第１領域４１２ａの幅Ｗ２は、導電部１５２の幅Ｗ１とある程度等しく、一例において、導電部１５２の幅の１００％以上１１０％以下である。幅Ｗ２が幅Ｗ１とある程度等しい場合、導電部１５２がマスク４１０の第１領域４１２ａに接触したときに導電部１５２の側面とマスク４１０の間に生じるスペースが小さくなる。このため、マスク４１０の位置を高い精度で調節することができる。特に、導電部１５２がマスク４１０の第１領域４１２ａに接触したときに導電部１５２の側面がマスク４１０に接触する場合、マスク４１０に導電部１５２をはめ込むことができる。このため、マスク４１０の位置を高い精度で調節することができる。

マスク４１０は、導電部１５２に含まれる磁性材料（例えば、モリブデン）を引き付ける強磁性体材料（例えば、ＫＳ鋼又はＭＫ鋼）を含んでいてもよい。この場合、導電部１５２とマスク４１０を磁力によって互いに引き合わせることができる。このため、マスク４１０を導電部１５２に安定して接触させることができる。なお、マスク４１０を導電部１５２に安定して接触させる観点からすると、マスク４１０は、マスク４１０の全体に亘って強磁性体材料を含んでいなくてもよく、例えば、第１領域４１２ａと重なる領域のみ又は第１領域４１２ａの近傍にのみ強磁性体材料を含んでいてもよい。

次いで、図１０に示すように、マスク４１０の開口４１６を介して蒸着源４３０（図７）からの材料を基板１００の第１面１０２上に堆積する。これにより、有機層１２０（より具体的には、有機層１２０中のいずれかの層）が形成される。図２を用いて上述したように、導電部１５２の上面は、第２電極１３０の上面よりも高い位置にあり、このため、有機層１２０の上面よりも高い位置にある。このため、マスク４１０が図１０に示すように導電部１５２に接していても、マスク４１０を介して有機層１２０を形成することができる。

図１１及び図１２は、図６及び図８に示した製造装置２０を用いて第２電極１３０を形成する方法の一例を説明するための図である。

まず、図１１に示すように、マスク５１０を導電部１５２に接触させる。マスク５１０は、導電性を有しており、一例においてメタルマスクである。さらに、マスク５１０は、接地されている。このため、仮に、基板１００及び第１電極１１０が静電気を帯びていても、導電部１５２を介してこの静電気をマスク５１０に逃がすことができる。

さらに、図１１に示す例では、マスク５１０の位置を高い精度で調節することができる。具体的には、マスク５１０は、第１面５１２を有しており、第１面５１２は、基板１００の第１面１０２に対向している。第１面５１２は、第１領域５１２ａ、第２領域５１２ｂ及び第３領域５１２ｃを有している。第１領域５１２ａは、第２領域５１２ｂと第３領域５１２ｃの間にあり、第２領域５１２ｂ及び第３領域５１２ｃよりもマスク５１０の深くに位置している。このような構成においては、導電部１５２が第２領域５１２ｂと第３領域５１２ｃの間に位置する状態で第１領域５１２ａを導電部１５２に接触させることができる。このため、マスク５１０の位置を高い精度で調節することができる。

第１領域５１２ａの幅Ｗ２は、導電部１５２の幅Ｗ１とある程度等しく、一例において、導電部１５２の幅Ｗ１の１００％以上１１０％以下である。幅Ｗ２が幅Ｗ１とある程度等しい場合、導電部１５２がマスク５１０の第１領域５１２ａに接触したときに導電部１５２の側面とマスク５１０の間に生じるスペースが小さくなる。このため、マスク５１０の位置を高い精度で調節することができる。特に、導電部１５２がマスク５１０の第１領域５１２ａに接触したときに導電部１５２の側面がマスク５１０に接触する場合、マスク５１０に導電部１５２をはめ込むことができる。このため、マスク５１０の位置を高い精度で調節することができる。

マスク５１０は、導電部１５２に含まれる磁性材料（例えば、モリブデン）を引き付ける強磁性体材料（例えば、ＫＳ鋼又はＭＫ鋼）を含んでいてもよい。この場合、導電部１５２とマスク５１０を磁力によって互いに引き合わせることができる。このため、マスク５１０を導電部１５２に安定して接触させることができる。なお、マスク５１０を導電部１５２に安定して接触させる観点からすると、マスク５１０は、マスク５１０の全体に亘って強磁性体材料を含んでいなくてもよく、例えば、第１領域５１２ａと重なる領域のみ又は第１領域５１２ａの近傍にのみ強磁性体材料を含んでいてもよい。

次いで、図１２に示すように、マスク５１０の開口５１６を介して蒸着源５３０（図８）からの材料を基板１００の第１面１０２上に堆積する。これにより、第２電極１３０が形成される。図２を用いて上述したように、導電部１５２の上面は、第２電極１３０の上面よりも高い位置にある。このため、マスク５１０が図１２に示すように導電部１５２に接していても、マスク５１０を介して第２電極１３０を形成することができる。

以上、本実施形態によれば、基板１００が静電気を帯びていても、導電部１５２を介してこの静電気をマスクに逃がすことができる。具体的には、マスクを介して有機層１２０及び第２電極１３０の積層構造の少なくとも一部を蒸着によって形成する場合、マスク（図９及び図１０に示す例ではマスク４１０、図１１及び図１２に示す例ではマスク５１０）を導電部１５２に接触させることができる。このマスクは、導電性を有している。このため、基板１００が静電気を帯びていても、導電部１５２を介してこの静電気をマスクに逃がすことができる。

（実施形態２）
図１３は、実施形態２に係る発光装置１０を説明するための平面図であり、実施形態１の図１に対応する。図１４は、図１３のＡ−Ａ断面図であり、実施形態１の図２に対応する。本実施形態に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態１に係る発光装置１０と同様である。

まず、図１３を用いて、発光装置１０の平面レイアウトの詳細について説明する。発光装置１０は、導電層１５０を備えている。導電層１５０は、複数の導電部１５２、複数の導電部１５４、複数の導電部１５６及び配線１５８を有している。複数の導電部１５２、複数の導電部１５４、複数の導電部１５６及び配線１５８は、互いに一体となっている。

複数の導電部１５２のそれぞれ及び複数の導電部１５４のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれと重なっている。複数の第１電極１１０のそれぞれ上において、導電部１５２と導電部１５４は、第２電極１３０を挟んで互いに反対側に位置している。導電部１５２は、第１電極１１０から第１接続部１１２にかけて延伸している。導電部１５４は、第１電極１１０の長さ方向に沿って延伸している。

複数の導電部１５６のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれと重なっている。複数の第１電極１１０のそれぞれ上において、導電部１５６は、配線１５８から離間しており、導電部１５２と導電部１５４を互いに接続している。

配線１５８は、複数の導電部１５２に接続している。外部からの電圧は、配線１５８を介して複数の導電部１５２、複数の導電部１５４及び複数の導電部１５６に供給される。

本図に示す例では、有機層１２０の位置を高い精度で調節することができる。具体的には、複数の第１電極１１０のそれぞれ上において、有機層１２０は、導電部１５２、導電部１５４及び導電部１５６に接している。言い換えると、導電部１５２、導電部１５４及び導電部１５６は、有機層１２０を導電部１５２、導電部１５４及び導電部１５６の外側の領域から隔てるための隔壁として機能している。このようにして、有機層１２０の位置を高い精度で調節することができる。

次に、図１４を用いて、発光装置１０の断面の詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、導電部１５２及び導電部１５４を備えている。

有機層１２０の端部は、導電部１５２及び導電部１５４に接している。より具体的には、第１電極１１０の幅方向において、有機層１２０の一方の端部は、導電部１５２の内側の側面に接しており、有機層１２０の他方の端部は、導電部１５４の内側の側面に接している。このようにして、導電部１５２及び導電部１５４は、有機層１２０を導電部１５２及び導電部１５４の外側の領域から隔てるための隔壁として機能している。

本図に示す例では、互いに隣接する有機層１２０が互いに接触することを防止することができる。具体的には、導電部１５２及び導電部１５４は、有機層１２０を導電部１５２及び導電部１５４の外側の領域から隔てるための隔壁として機能している。このため、互いに隣接する有機層１２０が互いに接触することを防止することができる。特に、互いに隣接する有機層１２０が発する光が互いに異なる場合、これらの有機層１２０が混ざることを防止することができる。

本図に示す例では、特定の波長の光が発光装置１０によって吸収されることを防止することができる。具体的には、本図に示す例では、導電部１５２及び導電部１５４が隔壁として機能しているため、有機層１２０を外側の領域から隔てるための絶縁層（例えば、ポリイミド）を設ける必要がない。このような絶縁層は、特定の波長を吸収することがある。このため、このような絶縁層が設けられていると、光が発光装置１０を透過しても、特定の波長が絶縁層によって吸収されることがある。これに対して、本図に示す例では、このような絶縁層を設ける必要がない。このようにして、特定の波長の光が発光装置１０によって吸収されることを防止することができる。

発光装置１０は、複数の発光部１４２、複数の透光部１４４ａ及び複数の透光部１４４ｂを有している。互いに隣接する発光部１４２の間には、２つの透光部１４４ａ及び透光部１４４ｂが位置している。

発光部１４２は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０の積層構造を含んでいる。具体的には、有機層１２０は、第１電極１１０上に位置し、第２電極１３０は、有機層１２０上に位置している。特に本図に示す例では、発光部１４２の幅は、第２電極１３０の幅と等しくなっている。具体的には、有機層１２０の幅は、第１電極１１０の幅よりも狭くなっており、第２電極１３０の幅は、有機層１２０の幅より狭くなっている。このため、第１電極１１０の幅方向において、発光部１４２の両端は、第２電極１３０の両端によって画定されることになる。言い換えると、第２電極１３０は、発光部１４２を画定するための絶縁層（例えば、図５示した絶縁層２１０）と重なっていない。このようにして、発光部１４２の幅は、第２電極１３０の幅と等しくなっている。

透光部１４４ａは、第１電極１１０の幅方向において、一の第１電極１１０上の導電部１５２（導電部１５４）から一の第１電極１１０上の第２電極１３０の端部にかけて広がっている。透光部１４４ａは、遮光層、具体的には、第２電極１３０、導電部１５２及び導電部１５４と重なっていない。このため、外部からの光は、透光部１４４ａを透過することができる。

透光部１４４ｃは、第１電極１１０の幅方向において、一の第１電極１１０の導電部１５２の端部から他の第１電極１１０の導電部１５４の端部にかけて広がっている。透光部１４４ｃは、遮光層、具体的には、第２電極１３０、導電部１５２及び導電部１５４と重なっていない。このため、外部からの光は、透光部１４４ｃを透過することができる。

本図に示す例においても、導電部１５２（導電部１５４）の厚さＴは、第１電極１１０の上面から第２電極１３０の上端までの高さＨ１よりも厚くなっている。このため、第２電極１３０の形成に用いられるマスク（例えば、図６に示したマスクＭＫ）を導電部１５２の上面に接触させることができる。

図１５は、図１３及び図１４に示した発光装置１０を製造する方法の一例を説明するための図である。この例は、以下の点を除いて、図６〜図１２を用いて説明した例と同様である。

まず、図６〜図１２を用いて説明した例と同様にして、基板１００の第１面１０２上に第１電極１１０、第１接続部１１２、第２接続部１３２、導電層１５０（導電部１５２、導電部１５４、導電部１５６及び配線１５８）及び導電層１６０（配線１６８）を形成する。

次いで、図１５に示すように、塗布材料１２２を塗布する。塗布材料１２２は、有機層１２０を形成する。塗布材料１２２は、塗布プロセスによって塗布され、一例において、インクジェット印刷によって塗布される。本図に示すように、塗布材料１２２は、導電部１５２及び導電部１５４によって、導電部１５２及び導電部１５４の外側の領域から隔てられる。このため、塗布材料１２２の位置を高い精度で調節することができる。さらに、互いに隣接する塗布材料１２２が混ざることを防止することができる。

次いで、塗布材料１２２を乾燥させる。これにより、有機層１２０が形成される。

次いで、図６〜図１２に示した例と同様にして、第２電極１３０を形成する。

このようにして、図１３及び図１４に示した発光装置１０が製造される。

図１６は、図１４の変形例を示す図である。本図に示す例において、導電部１５２（導電部１５４）の厚さＴは、第１電極１１０の上面から第２電極１３０の上端までの高さＨ１より薄く、第１電極１１０の上面から有機層１２０の上端までの高さＨ２より厚くなっている（Ｈ２＜Ｔ＜Ｈ１）。

本図に示す例においても、有機層１２０の位置を高い精度で調節することができる。具体的には、導電部１５２（導電部１５４）の厚さＴは、第１電極１１０の上面から有機層１２０の上端までの高さＨ２より厚くなっている。この場合、厚さＴが第１電極１１０の上面から第２電極１３０の上端までの高さＨ１より薄くても、塗布材料１２２の塗布に際して、導電部１５２及び導電部１５４は、塗布材料１２２（図１５）を導電部１５２及び導電部１５４の外側の領域から隔てるための隔壁として機能することができる。このようにして、有機層１２０の位置を高い精度で調節することができる。

図１７は、図１３の第１の変形例を示す図である。本図に示すように、導電層１５０は、導電部１５６（図１３）を有していなくてもよい。この場合においても、導電部１５２及び導電部１５４は、第１電極１１０の幅方向において、有機層１２０を外側の領域から隔てる隔壁として機能することができる。このため、第１電極１１０の幅方向において、有機層１２０の位置を高い精度で調節することができる。

図１８は、図１３の第２の変形例を示す図である。本図に示す例においては、導電部１５２及び導電部１５４の双方が配線１５８に接続している。有機層１２０は、配線１５８に接している。このようにして、配線１５８は、第１電極１１０の長さ方向において、有機層１２０を外側の領域から隔てるための隔壁として機能している。このため、第１電極１１０の幅方向では有機層１２０の位置を導電部１５２及び導電部１５４によって調節することができ、第１電極１１０の長さ方向では有機層１２０の位置を配線１５８によって調節することができる。

以上、本実施形態によれば、有機層１２０の端部は、導電部１５２及び導電部１５４に接している。このようにして、導電部１５２及び導電部１５４は、有機層１２０を導電部１５２及び導電部１５４の外側の領域から隔てるための隔壁として機能している。このため、有機層１２０の位置を高い精度で調節することができる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０ 発光装置
２０ 製造装置
３２ 搬送室
３４ 準備室
４０ 蒸着室
４０ａ 蒸着室
４０ｂ 蒸着室
４０ｃ 蒸着室
４０ｄ 蒸着室
４０ｅ 蒸着室
５０ 蒸着室
１００ 基板
１０２ 第１面
１０４ 第２面
１１０ 第１電極
１１２ 第１接続部
１２０ 有機層
１２２ 塗布材料
１３０ 第２電極
１３２ 第２接続部
１４２ 発光部
１４４ａ 透光部
１４４ｂ 透光部
１４４ｃ 透光部
１５０ 導電層
１５２ 導電部
１５２ａ 第１層
１５２ｂ 第２層
１５４ 導電部
１５６ 導電部
１５８ 配線
１６０ 導電層
１６８ 配線
２１０ 絶縁層
２１２ 開口
３１０ 封止基板
３１２ 第１面
３１４ 第２面
４１０ マスク
４１２ 第１面
４１２ａ 第１領域
４１２ｂ 第２領域
４１２ｃ 第３領域
４１６ 開口
４２０ ホルダ
４３０ 蒸着源
５１０ マスク
５１２ 第１面
５１２ａ 第１領域
５１２ｂ 第２領域
５１２ｃ 第３領域
５１６ 開口
５２０ ホルダ
５３０ 蒸着源

Claims (13)

1. 基板上に透光性の第１電極を形成する工程と、
   前記第１電極の前記基板と反対側の面である第１面上に導電部を形成する工程と、
   前記第１面上に有機層及び第２電極を含む積層構造を形成する工程と、
   を含み、
   前記積層構造を形成する工程は、前記導電部に導電性マスクを接触させ、前記導電性マスクを介して前記積層構造のうち少なくとも一部を蒸着によって形成する工程を含む発光装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の発光装置の製造方法において、
   前記導電部の厚さは、前記第１面から前記積層構造の上端までの高さより厚い発光装置の製造方法。
3. 請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法において、
   前記積層構造を形成する工程では、前記積層構造からそれぞれがなる複数の発光部が形成され、
   前記複数の発光部は、互いに隣接する発光部の間に透光部が位置するように形成される発光装置の製造方法。
4. 請求項３に記載の発光装置の製造方法において、
   前記導電部は、前記第１電極に含まれる材料の導電率より高い導電率を有する材料を含む発光装置の製造方法。
5. 請求項３又は４に記載の発光装置の製造方法において、
   前記第２電極の幅は、前記発光部の幅と等しい発光装置の製造方法。
6. 請求項５に記載の発光装置の製造方法において、
   前記有機層の幅は、前記第１電極の幅より狭く、
   前記第２電極の幅は、前記有機層の幅より狭い発光装置の製造方法。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
   前記有機層の端部は、前記導電部に接している発光装置の製造方法。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
   前記導電部は、アルミニウムを含む発光装置の製造方法。
9. 請求項８に記載の発光装置の製造方法において、
   前記導電部は、
   前記第１電極の前記第１面上に位置し、モリブデンを含む第１層と、
   前記第１層上に位置し、アルミニウムを含む第２層と、
   を有し、
   前記第２層の上面は、前記導電部の外部に露出している発光装置の製造方法。
10. 発光装置の製造装置であって、
    導電性マスクを備え、
    前記発光装置は、
    基板の第１面側に位置し、透光性の第１電極、発光層を含む有機層及び遮光性の第２電極の積層構造を含む発光部と、
    前記第１電極の前記基板と反対の面上に位置する導電部と、
    を備え、
    前記導電性マスクは、前記有機層を形成する工程又は前記第２電極を形成する工程において前記導電部に接触する発光装置の製造装置。
11. 請求項１０に記載の発光装置の製造装置において、
    前記導電部の厚さは、前記第１面から前記積層構造の上端までの高さより厚い発光装置の製造装置。
12. 請求項１０又は１１に記載の発光装置の製造装置において、
    前記導電性マスクは、第１領域、第２領域及び第３領域を含む第１面を有し、
    前記第１領域は、前記第２領域と前記第３領域の間に位置し、前記第２領域及び前記第３領域よりも深い位置にあり、
    前記導電性マスクの前記第１領域は、前記導電部が前記第２領域と前記第３領域の間に位置する状態で前記導電部に接触する発光装置の製造装置。
13. 請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の発光装置の製造装置において、
    前記導電部は、磁性材料を含み、
    前記導電性マスクは、前記磁性材料を引き付ける強磁性体材料を含む発光装置の製造装置。

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