JP2018142746A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018142746A JP2018142746A JP2018116948A JP2018116948A JP2018142746A JP 2018142746 A JP2018142746 A JP 2018142746A JP 2018116948 A JP2018116948 A JP 2018116948A JP 2018116948 A JP2018116948 A JP 2018116948A JP 2018142746 A JP2018142746 A JP 2018142746A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base material
- semiconductor device
- resist layer
- sealing resin
- recesses
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 基材11と、基材11に配置された半導体素子3と、基材11に形成されたレジスト層2と、半導体素子3およびレジスト層2を覆う封止樹脂部5と、を備え、レジスト層2には、複数の凹部23が形成されており、複数の凹部23の各々には、封止樹脂部5の一部が充填されている。
【選択図】 図8
Description
図1〜図9を用いて、本発明の第1実施形態について説明する。
して回路基板801に配置される。
ってもよい。
に凹部23が形成されていてもよく、あるいは、アイランド部261やアイランド部263に凹部23が形成されていなくてもよい。
にて、封止樹脂部5とレジスト層2とを係合することができる。その結果、封止樹脂部5とレジスト層2とを更に強固に接合できる。よって、上述したのと同様に、半導体装置100を回路基板801に実装する際に、半導体素子3が基材11から剥離することをより好適に防止できる。このことは、半導体装置100の信頼性の向上に更に適する。
図10を用いて、本発明の第1実施形態の第1変形例について説明する。
図11を用いて、本発明の第1実施形態の第2変形例について説明する。
例の構成によっても、半導体装置100に関して述べた作用効果と同様の作用効果を奏する。
11 基材
111 基材表面
112 基材裏面
113 第1基材側面
113A 第1凹み
114 第2基材側面
114A 第2凹み
115 第1基材端面
116 第2基材端面
12 配線パターン
121 表面電極
121A ダイボンディング部
121B 第1配線部
121C ワイヤボンディング部
121D 第2配線部
122 裏面電極
123 第1連絡電極
124 第2連絡電極
2 レジスト層
21 レジスト層表面
23 凹部
231 凹部側面
232 凹部底面
239 縁
26,261,262,263,264,265 アイランド部
29 隙間
3 半導体素子
5 封止樹脂部
51 外面
71 接合層
77 ワイヤ
801 回路基板
891 導電性接合部
V1 仮想平面
X 第1方向
Y 第2方向
Z 厚さ方向
Z1,Z2 方向
θ 角度
Claims (31)
- 基材と、
前記基材に配置された半導体素子と、
前記基材に形成されたレジスト層と、
前記半導体素子および前記レジスト層を覆う封止樹脂部と、を備え、
前記レジスト層には、複数の凹部が形成されており、前記複数の凹部の各々には、前記封止樹脂部の一部が充填されている、半導体装置。 - 前記複数の凹部は各々、前記封止樹脂部が接する凹部側面を有し、
前記凹部側面は、前記基材に近づくほど前記凹部の開口面積が大きくなるように、前記基材の厚さ方向に対して傾斜している、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記複数の凹部は各々、直径0.5mmの円形の範囲内に収まる形状である、請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記基材は、前記レジスト層が形成された基材表面を有し、
前記レジスト層は、前記基材表面の向く方向と同一方向を向くレジスト層表面を有し、
前記複数の凹部は各々、前記レジスト層表面から凹んだ形状である、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記複数の凹部の各々の縁は、前記基材の厚さ方向視において、閉じた線を構成している、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記複数の凹部は各々、前記基材の厚さ方向視において、円形状である、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記複数の凹部のいずれかは、前記レジスト層を貫通している、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記複数の凹部のいずれかは、前記レジスト層によって構成された凹部底面を有している、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記複数の凹部のうちのいずれか2つは、前記基材の厚さ方向に平行であり且つ前記半導体素子を通る仮想平面を挟んで、互いに反対側に位置している、請求項1ないし請求項8のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記複数の凹部は、前記基材の厚さ方向視において、前記半導体素子を取り囲むように配置されている、請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記基材に形成された表面電極を更に備え、
前記複数の凹部は、前記基材の厚さ方向視において、前記基材のうち前記表面電極とは重ならない領域に、形成されている、請求項1ないし請求項10のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記表面電極は、前記半導体素子が配置されたダイボンディング部を含む、請求項11に記載の半導体装置。
- 前記レジスト層は、エポキシ樹脂、あるいは顔料よりなる、請求項1ないし請求項12のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記レジスト層の厚さは、20〜100μmである、請求項1ないし請求項13のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記レジスト層は、複数のアイランド部を含み、
前記複数のアイランド部は、隙間を介して離間しており、
前記複数のアイランド部のいずれかに、前記複数の凹部のいずれかが形成されている、請求項1ないし請求項14のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記基材の厚さ方向における前記封止樹脂部の寸法は、0.3〜3.0mmである、請求項1ないし請求項15のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記基材の厚さ方向視における、前記基材に対する前記封止樹脂部の占める面積は、10〜100%である、請求項1ないし請求項16のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記封止樹脂部は、前記基材から起立する外面を有し、
前記外面は、外部空間に露出している、請求項1ないし請求項17のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記封止樹脂部のうち前記外面を構成する部分の材料と、前記封止樹脂部のうち前記半導体素子に接する部分の材料とは、同一である、請求項18に記載の半導体装置。
- 前記封止樹脂部を構成する材料の線膨張率は、前記基材を構成する材料の線膨張率よりも大きい、請求項1ないし請求項19のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記封止樹脂部を構成する材料の線膨張率は、前記レジスト層を構成する材料の線膨張率よりも大きい、請求項1ないし請求項20のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記封止樹脂部を構成する材料の線膨張率は、10〜500ppm/Kであり、
前記レジスト層を構成する材料の線膨張率は、10〜500ppm/Kであり、
前記基材を構成する材料の線膨張率は、10〜500ppm/Kである、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記封止樹脂部は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、もしくは、ポリビニル系樹脂よりなる、請求項1ないし請求項22のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記封止樹脂部は、前記基材に接している、請求項1ないし請求項23のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、光学素子であり、
前記封止樹脂部は、光を透過させる材料よりなる、請求項1ないし請求項24のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記光学素子は、発光素子あるいは受光素子である、請求項25に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子および前記基材の間に介在する接合層を更に備える、請求項1ないし請求項26のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記接合層は、Agよりなる、請求項27に記載の半導体装置。
- 前記基材に形成された表面電極と、
前記半導体素子および前記表面電極にボンディングされたワイヤと、を更に備える、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記半導体素子に導通し、且つ、前記基材に形成された裏面電極を更に備え、
前記裏面電極は、前記基材を挟んで、前記半導体素子が配置された側とは反対側に位置している、請求項1ないし請求項29のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記基材は、絶縁性の樹脂あるいはセラミックよりなる、請求項1ないし請求項30のいずれかに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018116948A JP6543391B2 (ja) | 2018-06-20 | 2018-06-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018116948A JP6543391B2 (ja) | 2018-06-20 | 2018-06-20 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013255857A Division JP2015115432A (ja) | 2013-12-11 | 2013-12-11 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018142746A true JP2018142746A (ja) | 2018-09-13 |
JP6543391B2 JP6543391B2 (ja) | 2019-07-10 |
Family
ID=63528419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018116948A Active JP6543391B2 (ja) | 2018-06-20 | 2018-06-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6543391B2 (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06112363A (ja) * | 1992-09-25 | 1994-04-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体パッケージ |
JPH08306824A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-22 | Citizen Watch Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH10163608A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Nec Corp | プリント配線板及びその製造方法 |
JP2000216297A (ja) * | 1999-01-21 | 2000-08-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001274293A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置及び半導体素子搭載用基板 |
JP2007004775A (ja) * | 2005-05-23 | 2007-01-11 | Toshiba Corp | 半導体メモリカード |
JP2007184414A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子実装用基板、半導体装置及び電子機器 |
JP2013045888A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
-
2018
- 2018-06-20 JP JP2018116948A patent/JP6543391B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06112363A (ja) * | 1992-09-25 | 1994-04-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体パッケージ |
JPH08306824A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-22 | Citizen Watch Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH10163608A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Nec Corp | プリント配線板及びその製造方法 |
JP2000216297A (ja) * | 1999-01-21 | 2000-08-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001274293A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置及び半導体素子搭載用基板 |
JP2007004775A (ja) * | 2005-05-23 | 2007-01-11 | Toshiba Corp | 半導体メモリカード |
JP2007184414A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子実装用基板、半導体装置及び電子機器 |
JP2013045888A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6543391B2 (ja) | 2019-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI692122B (zh) | 發光二極體封裝結構及其製作方法 | |
JP5200301B2 (ja) | 発光素子パッケージ及び発光素子パッケージアレイ | |
TWI645580B (zh) | 發光二極體覆晶晶粒及顯示器 | |
US9293663B1 (en) | Light-emitting unit and semiconductor light-emitting device | |
JP4910220B1 (ja) | Ledモジュール装置及びその製造方法 | |
JP5940799B2 (ja) | 電子部品搭載用パッケージ及び電子部品パッケージ並びにそれらの製造方法 | |
JP2008244165A (ja) | 照明装置 | |
JP2015115432A (ja) | 半導体装置 | |
WO2017209149A1 (ja) | 発光装置 | |
JPWO2012050110A1 (ja) | Ledモジュール | |
JPWO2012036281A1 (ja) | 半導体発光装置、その製造方法、および表示装置 | |
TW201327948A (zh) | 發光二極體封裝與製作方法 | |
KR101051488B1 (ko) | 발광 다이오드 유닛의 제조 방법과, 이 방법에 의하여 제조된 발광 다이오드 유닛 | |
JP2008078401A (ja) | 照明装置 | |
JP2007059677A (ja) | 発光ダイオード装置 | |
JP2007335734A (ja) | 半導体装置 | |
JPWO2012057163A1 (ja) | 発光装置及び照明装置 | |
KR20180136723A (ko) | 발광 소자 패키지 및 이의 제조 방법 | |
JP5769129B2 (ja) | 発光装置及び照明装置 | |
JP2012104542A (ja) | Led発光素子用リードフレーム及びそれを用いたledパッケージ、およびその製造方法 | |
JP2006165138A (ja) | 表面実装型led | |
JP2015185685A (ja) | 発光装置の製造方法及び照明装置 | |
JP6543391B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015041722A (ja) | 半導体発光装置 | |
US9887179B2 (en) | Light emitting diode device and light emitting device using the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180620 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180620 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190319 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190516 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190604 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190614 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6543391 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |