JP2018142686A5 - - Google Patents

Description

本発明は、真空容器内にて第１の処理ガス及び第２の処理ガスを順番に供給するサイクルを複数回行って基板に成膜処理を行う成膜装置において、
基板を載置する基板載置領域がその一面側に形成され、前記真空容器内にて前記基板載置領域を公転させるための回転テーブルと、
前記回転テーブルに対向する対向面に、互いに孔径が揃っている第１のガスの吐出孔が複数形成されたガス吐出部及び当該ガス吐出部を囲む排気口並びに当該排気口を囲むパージガスの吐出口を備えた第１のガス供給部と、
前記第１のガス供給部に対して前記回転テーブルの周方向に離れて設けられた領域に第２のガスを供給するための第２のガス供給部と、
前記真空容器内を真空排気するための排気口と、を備え、
前記ガス吐出部は、回転テーブルの径方向に分割され、各々独立して第１のガスが供給される３つ以上のガス吐出領域を備え、
前記回転テーブルの中心側を内側、外周側を外側と定義すると、
最も外側に位置するガス吐出領域において、基板の通過領域の外縁部に対向する領域のガス吐出孔の配列密度ＤＯ_１は、前記外縁部に対向する領域から内寄りに外れた領域のガス吐出孔の配列密度ＤＯ_２よりも大きく設定されていることと、
最も内側に位置するガス吐出領域において、基板の通過領域の内縁部に対向する領域のガス吐出孔の配列密度ＤＩ_１は、前記内縁部に対向する領域から外寄りに外れた領域のガス吐出孔の配列密度ＤＩ_２よりも大きく設定されていることと、の少なくとも一方を満たすことを特徴とする。

Claims (6)

1. 真空容器内にて第１の処理ガス及び第２の処理ガスを順番に供給するサイクルを複数回行って基板に成膜処理を行う成膜装置において、
   基板を載置する基板載置領域がその一面側に形成され、前記真空容器内にて前記基板載置領域を公転させるための回転テーブルと、
   前記回転テーブルに対向する対向面に、互いに孔径が揃っている第１のガスの吐出孔が複数形成されたガス吐出部及び当該ガス吐出部を囲む排気口並びに当該排気口を囲むパージガスの吐出口を備えた第１のガス供給部と、
   前記第１のガス供給部に対して前記回転テーブルの周方向に離れて設けられた領域に第２のガスを供給するための第２のガス供給部と、
   前記真空容器内を真空排気するための排気口と、を備え、
   前記ガス吐出部は、回転テーブルの径方向に分割され、各々独立して第１のガスが供給される３つ以上のガス吐出領域を備え、
   前記回転テーブルの中心側を内側、外周側を外側と定義すると、
   最も外側に位置するガス吐出領域において、基板の通過領域の外縁部に対向する領域のガス吐出孔の配列密度ＤＯ_１は、前記外縁部に対向する領域から内寄りに外れた領域のガス吐出孔の配列密度ＤＯ_２よりも大きく設定されていることと、
   最も内側に位置するガス吐出領域において、基板の通過領域の内縁部に対向する領域のガス吐出孔の配列密度ＤＩ_１は、前記内縁部に対向する領域から外寄りに外れた領域のガス吐出孔の配列密度ＤＩ_２よりも大きく設定されていることと、の少なくとも一方を満たすことを特徴とする成膜装置。
2. 最も外側に位置するガス吐出領域から吐出される原料ガスの流速は、前記最も外側に位置するガス吐出領域に隣接するガス吐出領域から吐出される原料ガスの流速よりも大きく設定され、
   最も内側に位置するガス吐出領域から吐出される原料ガスの流速は、前記最も内側に位置するガス吐出領域に隣接するガス吐出領域から吐出される原料ガスの流速よりも大きく設定されていることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
3. 最も外側に位置するガス吐出領域から吐出される原料ガスの流速は、前記最も外側に位置するガス吐出領域に隣接するガス吐出領域から吐出される原料ガスの流速の２倍以上であり、
   最も内側に位置するガス吐出領域から吐出される原料ガスの流速は、前記最も内側に位置するガス吐出領域に隣接するガス吐出領域から吐出される原料ガスの流速の２倍以上であることを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
4. 前記最も外側に位置するガス吐出領域のガス吐出孔の配列密度は、前記最も外側に位置するガス吐出領域に隣接するガス吐出領域のガス吐出孔の配列密度よりも小さく、
   前記最も内側に位置するガス吐出領域のガス吐出孔の配列密度は、前記最も内側に位置するガス吐出領域に隣接するガス吐出領域のガス吐出孔の配列密度よりも小さいことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の成膜装置。
5. 前記最も外側に位置するガス吐出領域のガス吐出孔の配列密度は、前記最も外側に位置するガス吐出領域に隣接するガス吐出領域のガス吐出孔の配列密度の５分の１以下であり、
   前記最も内側に位置するガス吐出領域のガス吐出孔の配列密度は、前記最も内側に位置するガス吐出領域に隣接するガス吐出領域のガス吐出孔の配列密度の５分の１以下であることを特徴とする請求項４に記載の成膜装置。
6. 前記基板の通過領域の外縁部に対向する領域から内寄りに外れた領域のガス吐出孔の配列密度ＤＯ_２は、基板の通過領域の外縁部に対向する領域のガス吐出孔の配列密度ＤＯ_１の５分の１以下であり、
   前記基板の通過領域の内縁部に対向する領域から外寄りに外れた領域のガス吐出孔の配列密度ＤＩ_２は、基板の通過領域の内縁部に対向する領域のガス吐出孔の配列密度ＤＩ_１の５分の１以下であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の成膜装置。