JP2018137378A - 熱処理方法および熱処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】チャンバー内に飛散しているパーティクルが基板に付着するのを防止することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。【解決手段】チャンバー内に収容した半導体ウェハーにフラッシュランプからフラッシュ光を照射した後に、チャンバー内の圧力を一旦フラッシュ光照射時よりも低く減圧して維持することにより、チャンバー内における気体が滞留しやすい部分を消滅させる。その後、チャンバー内に供給する窒素ガスの流量を増加させてチャンバー内を排気することにより、フラッシュ光照射に起因してチャンバー内に飛散していたパーティクルを円滑に排出することができる。その結果、チャンバー内に飛散しているパーティクルが新たな半導体ウェハーに付着するのを防止することができる。【選択図】図８

Description

本発明は、半導体ウェハー等の薄板状精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法および熱処理装置に関する。
半導体デバイスの製造プロセスにおいて、極めて短時間で半導体ウェハーを加熱するフラッシュランプアニール（ＦＬＡ）が注目されている。フラッシュランプアニールは、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射することにより、半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリ秒以下）に昇温させる熱処理技術である。
キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリ秒以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。
このようなフラッシュランプアニールは、極短時間の加熱が必要とされる処理、例えば典型的には半導体ウェハーに注入された不純物の活性化に利用される。イオン注入法によって不純物が注入された半導体ウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射すれば、当該半導体ウェハーの表面を極短時間だけ活性化温度にまで昇温することができ、不純物を深く拡散させることなく、不純物活性化のみを実行することができるのである。
フラッシュランプから照射されるフラッシュ光は照射時間が極めて短く強度の強い光パルスであるため、フラッシュ光照射時には半導体ウェハーを収容しているチャンバー内の構造物や気体が急速に加熱され、瞬間的な気体膨張と続く収縮とが生じる。その結果、チャンバー内にはパーティクルが巻き上がって飛散することとなる。特許文献１には、このようなフラッシュ光照射時の現象を利用し、半導体ウェハーを収容していない空のチャンバーに意図的にフラッシュ光を複数回照射してチャンバー内にパーティクルを飛散させるとともに、チャンバー内に窒素ガスの気流を形成してパーティクルをチャンバー外に排出する技術が開示されている。
特開２００５−７２２９１号公報
しかしながら、フラッシュ光照射時にパーティクルが巻き上がってチャンバー内に飛散する現象は、処理対象の半導体ウェハーにフラッシュ加熱を行うときにも生じる。そして、このようなパーティクルが半導体ウェハーの表面に付着すると当該半導体ウェハーが汚染されるという問題が生じる。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、チャンバー内に飛散しているパーティクルが基板に付着するのを防止することができる熱処理方法および熱処理装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法において、チャンバー内に収容した基板の表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射する照射工程と、前記照射工程の後、前記チャンバー内の圧力を前記照射工程のときよりも低く維持する減圧工程と、前記減圧工程の後、前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加させるとともに、前記チャンバー内の気体を排出する置換工程と、を備えることを特徴とする。
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理方法において、前記減圧工程では、前記チャンバー内の圧力を前記照射工程のときよりも低くした状態を１秒以上５０秒以下維持することを特徴とする。
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る熱処理方法において、前記置換工程では、１分間に前記チャンバーの容積の２倍以上の流量にて不活性ガスを前記チャンバー内に供給することを特徴とする。
また、請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記置換工程では、前記チャンバー内の圧力を大気圧よりも大きな陽圧とすること特徴とする。
また、請求項５の発明は、基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて前記基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された前記基板の表面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、前記チャンバー内に不活性ガスを供給するガス供給部と、前記チャンバー内の気体を排出する排気部と、前記チャンバーと前記排気部との間に介挿されて前記チャンバー内の圧力を制御する圧力制御バルブと、を備え、前記フラッシュランプから前記基板にフラッシュ光を照射した後、前記圧力制御バルブが前記チャンバー内の圧力をフラッシュ光照射時よりも低く維持した後、前記ガス供給部が前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加するとともに、前記排気部が前記チャンバー内の気体を排出することを特徴とする。
また、請求項６の発明は、請求項５の発明に係る熱処理装置において、前記圧力制御バルブは、前記チャンバー内の圧力をフラッシュ光照射時よりも低くした状態を１秒以上５０秒以下維持することを特徴とする。
また、請求項７の発明は、請求項５または請求項６の発明に係る熱処理装置において、前記ガス供給部は、１分間に前記チャンバーの容積の２倍以上の流量にて不活性ガスを前記チャンバー内に供給することを特徴とする。
また、請求項８の発明は、請求項５から請求項７のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記ガス供給部が前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加して前記チャンバー内の圧力を大気圧よりも大きな陽圧とすること特徴とする。
請求項１から請求項４の発明によれば、基板の表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射する照射工程の後にチャンバー内の圧力を照射工程のときよりも低く維持し、さらにその後チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加させるとともに、チャンバー内の気体を排出するため、チャンバー内における気体が滞留しやすい部分を消滅させてからチャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加させることとなり、チャンバー内に飛散しているパーティクルを円滑に排出して基板に付着するのを防止することができる。
請求項５から請求項８の発明によれば、フラッシュランプから基板にフラッシュ光を照射した後、チャンバー内の圧力をフラッシュ光照射時よりも低く維持し、さらにその後チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加するとともに、チャンバー内の気体を排出するため、チャンバー内における気体が滞留しやすい部分を消滅させてからチャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加させることとなり、チャンバー内に飛散しているパーティクルを円滑に排出して基板に付着するのを防止することができる。
本発明に係る熱処理装置の構成を示す縦断面図である。 保持部の全体外観を示す斜視図である。 サセプタの平面図である。 サセプタの断面図である。 移載機構の平面図である。 移載機構の側面図である。 複数のハロゲンランプの配置を示す平面図である。 図１の熱処理装置における半導体ウェハーの処理手順を示すフローチャートである。 第１実施形態におけるチャンバーに対するガス供給流量を示す図である。 第１実施形態におけるチャンバー内の圧力変化を示す図である。 第２実施形態におけるチャンバーに対するガス供給流量を示す図である。 第２実施形態におけるチャンバー内の圧力変化を示す図である。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明に係る熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。本実施形態の熱処理装置１は、基板として円板形状の半導体ウェハーＷに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーＷのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ３００ｍｍやφ４５０ｍｍである（本実施形態ではφ３００ｍｍ）。熱処理装置１に搬入される前の半導体ウェハーＷには不純物が注入されており、熱処理装置１による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
熱処理装置１は、半導体ウェハーＷを収容するチャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するフラッシュ加熱部５と、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵するハロゲン加熱部４と、を備える。チャンバー６の上側にフラッシュ加熱部５が設けられるとともに、下側にハロゲン加熱部４が設けられている。また、熱処理装置１は、チャンバー６の内部に、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持する保持部７と、保持部７と装置外部との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う移載機構１０と、を備える。さらに、熱処理装置１は、ハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーＷの熱処理を実行させる制御部３を備える。
チャンバー６は、筒状のチャンバー側部６１の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部６１は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓６３が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓６４が装着されて閉塞されている。チャンバー６の天井部を構成する上側チャンバー窓６３は、石英により形成された円板形状部材であり、フラッシュ加熱部５から出射されたフラッシュ光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。また、チャンバー６の床部を構成する下側チャンバー窓６４も、石英により形成された円板形状部材であり、ハロゲン加熱部４からの光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。
また、チャンバー側部６１の内側の壁面の上部には反射リング６８が装着され、下部には反射リング６９が装着されている。反射リング６８，６９は、ともに円環状に形成されている。上側の反射リング６８は、チャンバー側部６１の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング６９は、チャンバー側部６１の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング６８，６９は、ともに着脱自在にチャンバー側部６１に装着されるものである。チャンバー６の内側空間、すなわち上側チャンバー窓６３、下側チャンバー窓６４、チャンバー側部６１および反射リング６８，６９によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。本実施形態においては、チャンバー６内の熱処理空間６５の容積が３０リットルとされている。
チャンバー側部６１に反射リング６８，６９が装着されることによって、チャンバー６の内壁面に凹部６２が形成される。すなわち、チャンバー側部６１の内壁面のうち反射リング６８，６９が装着されていない中央部分と、反射リング６８の下端面と、反射リング６９の上端面とで囲まれた凹部６２が形成される。凹部６２は、チャンバー６の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウェハーＷを保持する保持部７を囲繞する。チャンバー側部６１および反射リング６８，６９は、強度と耐熱性に優れた金属材料（例えば、ステンレススチール）にて形成されている。
また、チャンバー側部６１には、チャンバー６に対して半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部（炉口）６６が形設されている。搬送開口部６６は、ゲートバルブ１８５によって開閉可能とされている。搬送開口部６６は凹部６２の外周面に連通接続されている。このため、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を開放しているときには、搬送開口部６６から凹部６２を通過して熱処理空間６５への半導体ウェハーＷの搬入および熱処理空間６５からの半導体ウェハーＷの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を閉鎖するとチャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。
また、チャンバー６の内壁上部には熱処理空間６５に処理ガス（本実施形態では窒素ガス（Ｎ２））を供給するガス供給孔８１が形設されている。ガス供給孔８１は、凹部６２よりも上側位置に形設されており、反射リング６８に設けられていても良い。ガス供給孔８１はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８２を介してガス供給管８３に連通接続されている。ガス供給管８３はガス供給源８５に接続されている。また、ガス供給管８３の経路途中にはバルブ８４および流量調整バルブ８０が介挿されている。バルブ８４が開放されると、ガス供給源８５から緩衝空間８２に処理ガスが送給される。ガス供給管８３を流れる処理ガスの流量は流量調整バルブ８０によって調整される。緩衝空間８２に流入した処理ガスは、ガス供給孔８１よりも流体抵抗の小さい緩衝空間８２内を拡がるように流れてガス供給孔８１から熱処理空間６５内へと供給される。ガス供給源８５、ガス供給管８３、バルブ８４および流量調整バルブ８０によってガス供給部が構成される。なお、処理ガスは窒素ガスに限定されるものではなく、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）などの不活性ガス、または、酸素（Ｏ２）、水素（Ｈ２）、塩素（Ｃｌ２）、塩化水素（ＨＣｌ）、オゾン（Ｏ３）、アンモニア（ＮＨ３）などの反応性ガスであっても良い。
一方、チャンバー６の内壁下部には熱処理空間６５内の気体を排気するガス排気孔８６が形設されている。ガス排気孔８６は、凹部６２よりも下側位置に形設されており、反射リング６９に設けられていても良い。ガス排気孔８６はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８７を介してガス排気管８８に連通接続されている。ガス排気管８８は排気部１９０に接続されている。また、ガス排気管８８の経路途中には圧力制御バルブ８９が介挿されている。圧力制御バルブ８９が開放されると、熱処理空間６５の気体がガス排気孔８６から緩衝空間８７を経てガス排気管８８へと排出される。なお、ガス供給孔８１およびガス排気孔８６は、チャンバー６の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。
排気部１９０としては、真空ポンプや熱処理装置１が設置される工場の排気ユーティリティを用いることができる。排気部１９０として真空ポンプを採用し、バルブ８４を閉止してガス供給孔８１から何らのガス供給を行うことなく密閉空間である熱処理空間６５の雰囲気を排気すると、チャンバー６内を真空雰囲気にまで減圧することができる。また、排気部１９０として真空ポンプを用いていない場合であっても、ガス供給孔８１からガス供給を行うことなく排気を行うことにより、チャンバー６内を大気圧未満の気圧に減圧することができる。また、チャンバー６と排気部１９０との間に介挿された圧力制御バルブ８９は、チャンバー６内の圧力を測定する圧力センサ（図示省略）の測定値に基づいて、その圧力が設定値となるように排気流量を調整してチャンバー６内の圧力を制御することができる。
図２は、保持部７の全体外観を示す斜視図である。保持部７は、基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４を備えて構成される。基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４はいずれも石英にて形成されている。すなわち、保持部７の全体が石英にて形成されている。
基台リング７１は円環形状から一部が欠落した円弧形状の石英部材である。この欠落部分は、後述する移載機構１０の移載アーム１１と基台リング７１との干渉を防ぐために設けられている。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されることによって、チャンバー６の壁面に支持されることとなる（図１参照）。基台リング７１の上面に、その円環形状の周方向に沿って複数の連結部７２（本実施形態では４個）が立設される。連結部７２も石英の部材であり、溶接によって基台リング７１に固着される。
サセプタ７４は基台リング７１に設けられた４個の連結部７２によって支持される。図３は、サセプタ７４の平面図である。また、図４は、サセプタ７４の断面図である。サセプタ７４は、保持プレート７５、ガイドリング７６および複数の基板支持ピン７７を備える。保持プレート７５は、石英にて形成された略円形の平板状部材である。保持プレート７５の直径は半導体ウェハーＷの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート７５は、半導体ウェハーＷよりも大きな平面サイズを有する。
保持プレート７５の上面周縁部にガイドリング７６が設置されている。ガイドリング７６は、半導体ウェハーＷの直径よりも大きな内径を有する円環形状の部材である。例えば、半導体ウェハーＷの直径がφ３００ｍｍの場合、ガイドリング７６の内径はφ３２０ｍｍである。ガイドリング７６の内周は、保持プレート７５から上方に向けて広くなるようなテーパ面とされている。ガイドリング７６は、保持プレート７５と同様の石英にて形成される。ガイドリング７６は、保持プレート７５の上面に溶着するようにしても良いし、別途加工したピンなどによって保持プレート７５に固定するようにしても良い。或いは、保持プレート７５とガイドリング７６とを一体の部材として加工するようにしても良い。
保持プレート７５の上面のうちガイドリング７６よりも内側の領域が半導体ウェハーＷを保持する平面状の保持面７５ａとされる。保持プレート７５の保持面７５ａには、複数の基板支持ピン７７が立設されている。本実施形態においては、保持面７５ａの外周円（ガイドリング７６の内周円）と同心円の周上に沿って３０°毎に計１２個の基板支持ピン７７が立設されている。１２個の基板支持ピン７７を配置した円の径（対向する基板支持ピン７７間の距離）は半導体ウェハーＷの径よりも小さく、半導体ウェハーＷの径がφ３００ｍｍであればφ２７０ｍｍ〜φ２８０ｍｍ（本実施形態ではφ２７０ｍｍ）である。それぞれの基板支持ピン７７は石英にて形成されている。複数の基板支持ピン７７は、保持プレート７５の上面に溶接によって設けるようにしても良いし、保持プレート７５と一体に加工するようにしても良い。
図２に戻り、基台リング７１に立設された４個の連結部７２とサセプタ７４の保持プレート７５の周縁部とが溶接によって固着される。すなわち、サセプタ７４と基台リング７１とは連結部７２によって固定的に連結されている。このような保持部７の基台リング７１がチャンバー６の壁面に支持されることによって、保持部７がチャンバー６に装着される。保持部７がチャンバー６に装着された状態においては、サセプタ７４の保持プレート７５は水平姿勢（法線が鉛直方向と一致する姿勢）となる。すなわち、保持プレート７５の保持面７５ａは水平面となる。
チャンバー６に搬入された半導体ウェハーＷは、チャンバー６に装着された保持部７のサセプタ７４の上に水平姿勢にて載置されて保持される。このとき、半導体ウェハーＷは保持プレート７５上に立設された１２個の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。より厳密には、１２個の基板支持ピン７７の上端部が半導体ウェハーＷの下面に接触して当該半導体ウェハーＷを支持する。１２個の基板支持ピン７７の高さ（基板支持ピン７７の上端から保持プレート７５の保持面７５ａまでの距離）は均一であるため、１２個の基板支持ピン７７によって半導体ウェハーＷを水平姿勢に支持することができる。
また、半導体ウェハーＷは複数の基板支持ピン７７によって保持プレート７５の保持面７５ａから所定の間隔を隔てて支持されることとなる。基板支持ピン７７の高さよりもガイドリング７６の厚さの方が大きい。従って、複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれはガイドリング７６によって防止される。
また、図２および図３に示すように、サセプタ７４の保持プレート７５には、上下に貫通して開口部７８が形成されている。開口部７８は、放射温度計１２０（図１参照）がサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から放射される放射光（赤外光）を受光するために設けられている。すなわち、放射温度計１２０が開口部７８を介してサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から放射された光を受光し、別置のディテクタによってその半導体ウェハーＷの温度が測定される。さらに、サセプタ７４の保持プレート７５には、後述する移載機構１０のリフトピン１２が半導体ウェハーＷの受け渡しのために貫通する４個の貫通孔７９が穿設されている。
図５は、移載機構１０の平面図である。また、図６は、移載機構１０の側面図である。移載機構１０は、２本の移載アーム１１を備える。移載アーム１１は、概ね円環状の凹部６２に沿うような円弧形状とされている。それぞれの移載アーム１１には２本のリフトピン１２が立設されている。各移載アーム１１は水平移動機構１３によって回動可能とされている。水平移動機構１３は、一対の移載アーム１１を保持部７に対して半導体ウェハーＷの移載を行う移載動作位置（図５の実線位置）と保持部７に保持された半導体ウェハーＷと平面視で重ならない退避位置（図５の二点鎖線位置）との間で水平移動させる。水平移動機構１３としては、個別のモータによって各移載アーム１１をそれぞれ回動させるものであっても良いし、リンク機構を用いて１個のモータによって一対の移載アーム１１を連動させて回動させるものであっても良い。
また、一対の移載アーム１１は、昇降機構１４によって水平移動機構１３とともに昇降移動される。昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて上昇させると、計４本のリフトピン１２がサセプタ７４に穿設された貫通孔７９（図２，３参照）を通過し、リフトピン１２の上端がサセプタ７４の上面から突き出る。一方、昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて下降させてリフトピン１２を貫通孔７９から抜き取り、水平移動機構１３が一対の移載アーム１１を開くように移動させると各移載アーム１１が退避位置に移動する。一対の移載アーム１１の退避位置は、保持部７の基台リング７１の直上である。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されているため、移載アーム１１の退避位置は凹部６２の内側となる。
図１に戻り、チャンバー６の上方に設けられたフラッシュ加熱部５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、フラッシュ加熱部５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。フラッシュ加熱部５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状の石英窓である。フラッシュ加熱部５がチャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３が上側チャンバー窓６３と相対向することとなる。フラッシュランプＦＬはチャンバー６の上方からランプ光放射窓５３および上側チャンバー窓６３を介して熱処理空間６５にフラッシュ光を照射する。
複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。
キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプＨＬの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。すなわち、フラッシュランプＦＬは、１秒未満の極めて短い時間で瞬間的に発光するパルス発光ランプである。なお、フラッシュランプＦＬの発光時間は、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源のコイル定数によって調整することができる。
また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されている。
チャンバー６の下方に設けられたハロゲン加熱部４は、筐体４１の内側に複数本（本実施形態では４０本）のハロゲンランプＨＬを内蔵している。ハロゲン加熱部４は、複数のハロゲンランプＨＬによってチャンバー６の下方から下側チャンバー窓６４を介して熱処理空間６５への光照射を行って半導体ウェハーＷを加熱する光照射部である。
図７は、複数のハロゲンランプＨＬの配置を示す平面図である。４０本のハロゲンランプＨＬは上下２段に分けて配置されている。保持部７に近い上段に２０本のハロゲンランプＨＬが配設されるとともに、上段よりも保持部７から遠い下段にも２０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。各ハロゲンランプＨＬは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに２０本のハロゲンランプＨＬは、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプＨＬの配列によって形成される平面は水平面である。
また、図７に示すように、上段、下段ともに保持部７に保持される半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプＨＬの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプＨＬの配設ピッチが短い。このため、ハロゲン加熱部４からの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。
また、上段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群と下段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向と下段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向とが互いに直交するように計４０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。
ハロゲンランプＨＬは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素（ヨウ素、臭素等）を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプＨＬは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。すなわち、ハロゲンランプＨＬは少なくとも１秒以上連続して発光する連続点灯ランプである。また、ハロゲンランプＨＬは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプＨＬを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウェハーＷへの放射効率が優れたものとなる。
また、ハロゲン加熱部４の筐体４１内にも、２段のハロゲンランプＨＬの下側にリフレクタ４３が設けられている（図１）。リフレクタ４３は、複数のハロゲンランプＨＬから出射された光を熱処理空間６５の側に反射する。
制御部３は、熱処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置１における処理が進行する。
上記の構成以外にも熱処理装置１は、半導体ウェハーＷの熱処理時にハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬから発生する熱エネルギーによるハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー６の壁体には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ハロゲン加熱部４およびフラッシュ加熱部５は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓６３とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、フラッシュ加熱部５および上側チャンバー窓６３を冷却する。
次に、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順について説明する。ここで処理対象となる半導体ウェハーＷはイオン注入法により表面に不純物（イオン）が添加されたシリコンの半導体基板である。その不純物の活性化が熱処理装置１によるフラッシュ光照射加熱処理（アニール）により実行される。図８は、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順を示すフローチャートである。以下に示す半導体ウェハーＷの処理手順は、制御部３が熱処理装置１の各動作機構を制御することによって進行する。
まず、給気のためのバルブ８４が開放されるとともに、排気用の圧力制御バルブ８９が開放されてチャンバー６内に対する給排気が開始される（ステップＳ１）。バルブ８４が開放されると、ガス供給孔８１から熱処理空間６５に不活性ガスとして窒素ガスが供給される。また、圧力制御バルブ８９が開放されると、ガス排気孔８６からチャンバー６内の気体が排気される。これにより、チャンバー６内の熱処理空間６５の上部から供給された窒素ガスが下方へと流れ、熱処理空間６５の下部から排気される。
図９は、第１実施形態におけるチャンバー６に対するガス供給流量を示す図である。また、図１０は、第１実施形態におけるチャンバー６内の圧力変化を示す図である。チャンバー６内に対する給排気が開始された後、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、時刻ｔ０に装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介して不純物注入後の半導体ウェハーＷがチャンバー６内の熱処理空間６５に搬入される（ステップＳ２）。このときには、半導体ウェハーＷの搬入にともなって装置外部の雰囲気を巻き込むおそれがあるが、チャンバー６には窒素ガスが供給され続けているため、搬送開口部６６から窒素ガスが流出して、そのような外部雰囲気の巻き込みを最小限に抑制することができる。
搬送ロボットによって搬入された半導体ウェハーＷは保持部７の直上位置まで進出して停止する。そして、移載機構１０の一対の移載アーム１１が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２が貫通孔７９を通ってサセプタ７４の保持プレート７５の上面から突き出て半導体ウェハーＷを受け取る。このとき、リフトピン１２は基板支持ピン７７の上端よりも上方にまで上昇する。
半導体ウェハーＷがリフトピン１２に載置された後、搬送ロボットが熱処理空間６５から退出し、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖される。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、半導体ウェハーＷは移載機構１０から保持部７のサセプタ７４に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。半導体ウェハーＷは、保持プレート７５上に立設された複数の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。また、半導体ウェハーＷは、不純物が注入された表面を上面として保持部７に保持される。複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの裏面（表面とは反対側の主面）と保持プレート７５の保持面７５ａとの間には所定の間隔が形成される。サセプタ７４の下方にまで下降した一対の移載アーム１１は水平移動機構１３によって退避位置、すなわち凹部６２の内側に退避する。
半導体ウェハーＷが石英にて形成された保持部７のサセプタ７４によって水平姿勢にて下方より保持された後、ハロゲン加熱部４の４０本のハロゲンランプＨＬが一斉に点灯して予備加熱（アシスト加熱）が開始される（ステップＳ３）。ハロゲンランプＨＬから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓６４およびサセプタ７４を透過して半導体ウェハーＷの下面に照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって半導体ウェハーＷが予備加熱されて温度が上昇する。なお、移載機構１０の移載アーム１１は凹部６２の内側に退避しているため、ハロゲンランプＨＬによる加熱の障害となることは無い。
ハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うときには、半導体ウェハーＷの温度が放射温度計１２０によって測定されている。すなわち、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から開口部７８を介して放射された赤外光を放射温度計１２０が受光して昇温中のウェハー温度を測定する。測定された半導体ウェハーＷの温度は制御部３に伝達される。制御部３は、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度が所定の予備加熱温度Ｔ１に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、制御部３は、放射温度計１２０による測定値に基づいて、半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。予備加熱温度Ｔ１は、半導体ウェハーＷに添加された不純物が熱により拡散する恐れのない、２００℃ないし８００℃程度、好ましくは３５０℃ないし６００℃程度とされる（本実施の形態では６００℃）。
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した後、制御部３は半導体ウェハーＷをその予備加熱温度Ｔ１に暫時維持する。具体的には、放射温度計１２０によって測定される半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した時点にて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を調整し、半導体ウェハーＷの温度をほぼ予備加熱温度Ｔ１に維持している。
このようなハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うことによって、半導体ウェハーＷの全体を予備加熱温度Ｔ１に均一に昇温している。ハロゲンランプＨＬによる予備加熱の段階においては、より放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部の温度が中央部よりも低下する傾向にあるが、ハロゲン加熱部４におけるハロゲンランプＨＬの配設密度は、半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域の方が高くなっている。このため、放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部に照射される光量が多くなり、予備加熱段階における半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一なものとすることができる。
次に、半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達して所定時間が経過した時刻ｔ１にフラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷの上面にフラッシュ光を照射する（ステップＳ４）。フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー６内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてからチャンバー６内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。
フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光（閃光）照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。すなわち、フラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は、瞬間的に１０００℃以上の処理温度Ｔ２まで上昇し、半導体ウェハーＷに注入された不純物が活性化された後、表面温度が急速に下降する。このように、熱処理装置１では、半導体ウェハーＷの表面温度を極めて短時間で昇降することができるため、半導体ウェハーＷに注入された不純物の熱による拡散を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。なお、不純物の活性化に必要な時間はその熱拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であっても活性化は完了する。
フラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は照射時間が極めて短く強度の強い光パルスであるため、チャンバー６内の構造物および気体が急激に加熱され、瞬間的な気体膨張と続く収縮とが生じる。その結果、下側チャンバー窓６４等に堆積していたパーティクルが巻き上がってチャンバー６内の熱処理空間６５に飛散することとなる。また、フラッシュ光照射時には、半導体ウェハーＷも急激に熱膨張してサセプタ７４と擦れるため、これによるパーティクルも発生して熱処理空間６５に飛散する。なお、時刻ｔ０にチャンバー６内に半導体ウェハーＷが搬入されてから時刻ｔ１にフラッシュ光が照射されるまでの間は、チャンバー６内に３０リットル／分の流量にて窒素ガスが供給され、チャンバー６内の気圧がほぼ大気圧とされているが、周辺の大気圧よりも僅かに高い陽圧であっても良い。
続いて、フラッシュランプＦＬによるフラッシュ光照射の直後の時刻ｔ２にチャンバー６内に供給する不活性ガスとしての窒素ガスの供給流量を減少させてチャンバー６内を減圧する（ステップＳ５）。具体的には、フラッシュ光照射時にはチャンバー６内に３０リットル／分で窒素ガスを供給していたのを時刻ｔ２に供給流量を１０リットル／分に減少させる。チャンバー６内への窒素ガスの供給流量は流量調整バルブ８０によって調整される。また、チャンバー６からの排気は継続して行われる。チャンバー６内への窒素ガスの供給流量を減少させることによって、時刻ｔ３にはチャンバー６内の圧力が大気圧よりも０．４ｋＰａ低くなる。フラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射するときにはチャンバー６内がほぼ大気圧であったため、フラッシュ光照射後にチャンバー６内の圧力がフラッシュ光照射時よりも低く減圧されることとなる。
その後、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの間は、チャンバー６内の圧力が大気圧よりも０．４ｋＰａ低い減圧状態に維持される（ステップＳ６）。すなわち、チャンバー６内の圧力がフラッシュ光照射時よりも低く維持される。時刻ｔ３から時刻ｔ４までの間もチャンバー６内には１０リットル／分の供給流量にて窒素ガスが供給されるとともに、チャンバー６内の圧力が大気圧よりも０．４ｋＰａ低い減圧状態を維持するように圧力制御バルブ８９が排気流量を調整する。時刻ｔ３から時刻ｔ４までの時間、つまりチャンバー６内の圧力をフラッシュ光照射時よりも低く維持する時間は１秒以上５０秒以下である。
時刻ｔ３から時刻ｔ４までの間、チャンバー６内の圧力をフラッシュ光照射時よりも低く維持することによって、チャンバー６内に存在していた粒子がチャンバー６内に滞留しにくい状態となる。
次に、時刻ｔ４にチャンバー６内への窒素ガスの供給流量を増加させてチャンバー６内の圧力を周辺の大気圧よりも高い陽圧とする（ステップＳ７）。具体的には、時刻ｔ４にチャンバー６内への窒素ガスの供給流量を１０リットル／分から６０リットル／分に増加させる。チャンバー６内の容積が３０リットルであるため、時刻ｔ４には１分間にチャンバー６の容積の２倍の流量にて窒素ガスがチャンバー６内に供給されることとなる。また、チャンバー６からの排気は継続して行われる。チャンバー６内への窒素ガスの供給流量を急増させることによって、時刻ｔ４にチャンバー６内の圧力が周辺の大気圧よりも０．２ｋＰａ〜０．６ｋＰａ高い陽圧となる。そして、時刻ｔ４以降チャンバー６内の圧力が陽圧を維持するように圧力制御バルブ８９が排気流量を調整する。
１分間にチャンバー６の容積の２倍の大流量にて窒素ガスがチャンバー６内に供給されることによって、フラッシュ光照射に起因してチャンバー６内の熱処理空間６５に飛散していたパーティクルが窒素ガス流によってチャンバー６の外部に速やかに押し流される。そして、パーティクルがチャンバー６の外部に排出されることによって、チャンバー６内の熱処理空間６５が清浄な窒素雰囲気に置換されることとなる。
また、フラッシュランプＦＬがフラッシュ光を照射してから所定時間経過後にハロゲンランプＨＬが消灯する。これにより、半導体ウェハーＷが予備加熱温度Ｔ１から急速に降温する。降温中の半導体ウェハーＷの温度は放射温度計１２０によって測定され、その測定結果は制御部３に伝達される。制御部３は、放射温度計１２０の測定結果より半導体ウェハーＷの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウェハーＷの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構１０の一対の移載アーム１１が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２がサセプタ７４の上面から突き出て熱処理後の半導体ウェハーＷをサセプタ７４から受け取る。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、リフトピン１２上に載置された半導体ウェハーＷが装置外部の搬送ロボットにより搬出され、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの加熱処理が完了する（ステップＳ８）。搬送開口部６６が開放されて半導体ウェハーＷがチャンバー６から搬出されるときには、チャンバー６内が清浄な窒素雰囲気に置換されている。
ところで、半導体デバイスの製造プロセスにおいては、同じ処理条件にて処理を行う複数（例えば、２５枚）の半導体ウェハーＷからなるロットの単位で処理を行うことが多い。上記の熱処理装置１においてもロットの単位で熱処理を行う。先のロットの処理が終了してからしばらく後に次のロットの最初の半導体ウェハーＷを処理する段階では、チャンバー６内は、窒素ガスがパージされてパーティクルの飛散していない清浄な状態であり、チャンバー６内の雰囲気温度も常温である。但し、チャンバー６から排出しきれていないパーティクルがチャンバー６内の構造物（特に、下側チャンバー窓６４）に堆積している。
ロットの最初の半導体ウェハーＷにフラッシュ光を照射したときに、チャンバー６内の構造物および気体が急激に加熱され、瞬間的な気体膨張と続く収縮によって下側チャンバー窓６４等に堆積していたパーティクルが巻き上がってチャンバー６内の熱処理空間６５に飛散する。但し、フラッシュ加熱された直後のロットの最初の半導体ウェハーＷの温度はチャンバー６内の雰囲気温度よりも高いため、半導体ウェハーＷの表面から上方へと向かう熱対流が発生しており、その最初の半導体ウェハーＷの表面にパーティクルが付着することはない。
しかし、ロットの２枚目の半導体ウェハーＷがチャンバー６に搬入されると、その２枚目の半導体ウェハーＷは常温であるため、チャンバー６内の雰囲気から半導体ウェハーＷの表面へと向かうような気流が生じて、チャンバー６内に飛散していたパーティクルが半導体ウェハーの表面に付着するおそれがある。このようなパーティクル付着による汚染はロットの３枚目以降の半導体ウェハーＷについても同様に生じることとなる。
第１実施形態においては、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射後にチャンバー６内の圧力を一旦フラッシュ光照射時よりも低く減圧して暫時維持し、その後チャンバー６内に供給する窒素ガスの流量を増加させてチャンバー６内の気体を排出している。これにより、フラッシュ加熱後の半導体ウェハーＷがチャンバー６から搬出されるときにはフラッシュ光照射に起因してチャンバー６内に飛散していたパーティクルはチャンバー６から排出されている。そして、続く新たな半導体ウェハーＷがチャンバー６に搬入されるときには、チャンバー６内が清浄な窒素雰囲気に置換されているため、チャンバー６内に飛散していたパーティクルが半導体ウェハーＷに付着するのを防止することができる。よって、ロットの２枚目以降の半導体ウェハーＷにもパーティクルが付着することはない。
ここで、フラッシュ光照射後に直ちにチャンバー６内に供給する窒素ガスの流量を増加させてチャンバー６内に飛散しているパーティクルを排出しても同様の効果が得られるようにも考えられる。しかしながら、チャンバー６内には保持部７や移載機構１０等の種々の構造物が配置されており（図１）、そのような構造上の要因に起因してチャンバー６内には気体が滞留しやすい部分が存在している。フラッシュ光照射後に直ちにチャンバー６内に供給する窒素ガスの流量を増加させると、そのようなチャンバー６内の気体が滞留しやすい部分は新たな窒素ガスに置換されにくく、当該部分に存在していたパーティクルはそのままチャンバー６内に残留することがある。そうすると、チャンバー６内に残留したパーティクルが新たな半導体ウェハーＷに付着するおそれがある。
そこで、本実施形態のように、フラッシュ光照射後にチャンバー６内の圧力を一旦フラッシュ光照射時よりも低く減圧して維持することにより、チャンバー６内に存在していた粒子がチャンバー６内に滞留しにくい状態となり、チャンバー６内における気体が滞留しやすい部分を消滅させることができる。その後、チャンバー６内に供給する窒素ガスの流量を増加させることにより、チャンバー６内の全ての部分の気体を円滑に排出することができ、チャンバー６内にパーティクルが残留するのを防止することができる。その結果、チャンバー６内に飛散していたパーティクルがロットの２枚目以降の新たな半導体ウェハーＷに付着するのを確実に防止することができる。
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の熱処理装置１の構成は第１実施形態と同じである。また、第２実施形態における半導体ウェハーＷの処理手順についても概ね第１実施形態と同様である。第２実施形態が第１実施形態と相違するのは、チャンバー６内へのガス供給流量およびチャンバー６内の圧力変化である。
図１１は、第２実施形態におけるチャンバー６に対するガス供給流量を示す図である。また、図１２は、第２実施形態におけるチャンバー６内の圧力変化を示す図である。第１実施形態と同様に、チャンバー６内に対する給排気が開始された後、時刻ｔ０に半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入される。
第２実施形態においては、半導体ウェハーＷがチャンバー６に搬入されてゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖された後、チャンバー６内へのガス供給流量を減少させてチャンバー６内を大気圧未満の減圧雰囲気としている。そして、減圧雰囲気下にて半導体ウェハーＷには、ハロゲンランプＨＬによる予備加熱が行われ、時刻ｔ１にフラッシュランプＦＬからフラッシュ光が照射される。第２実施形態では、チャンバー６内にアンモニアを含む処理ガスを供給してアンモニアの減圧雰囲気中にて半導体ウェハーＷをフラッシュ加熱するようにしても良い。
フラッシュ光照射直後の時刻ｔ２にチャンバー６内に対するガス供給を完全に停止してチャンバー６内をフラッシュ光照射時よりもさらに減圧する。そして、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの間は、チャンバー６内へのガス供給を停止してチャンバー６内の圧力をフラッシュ光照射時よりも低い状態に維持する。時刻ｔ３から時刻ｔ４までの時間は１秒以上５０秒以下である。
その後、時刻ｔ４にチャンバー６内への窒素ガスの供給を開始し、その供給流量を増加させてチャンバー６内の圧力を周辺の大気圧よりも高い陽圧とする。第２実施形態においても、時刻ｔ４にチャンバー６内への窒素ガスの供給流量を６０リットル／分に増加させる。すなわち、時刻ｔ４には１分間にチャンバー６の容積の２倍の流量にて窒素ガスがチャンバー６内に供給されることとなる。チャンバー６内への窒素ガスの供給流量を急増させることによって、時刻ｔ４にチャンバー６内の圧力が周辺の大気圧よりも０．２ｋＰａ〜０．６ｋＰａ高い陽圧となる。そして、時刻ｔ４以降チャンバー６内の圧力が陽圧を維持するように圧力制御バルブ８９が排気流量を調整する。
１分間にチャンバー６の容積の２倍の大流量にて窒素ガスがチャンバー６内に供給されることによって、フラッシュ光照射に起因してチャンバー６内の熱処理空間６５に飛散していたパーティクルが窒素ガス流によってチャンバー６の外部に速やかに押し流される。そして、パーティクルがチャンバー６の外部に排出されることによって、チャンバー６内の熱処理空間６５が清浄な窒素雰囲気に置換されることとなる。
第２実施形態においては、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射後にチャンバー６内の圧力を一旦フラッシュ光照射時よりも低く減圧して暫時維持し、その後チャンバー６内に供給する窒素ガスの流量を増加させてチャンバー６内の気体を排出している。これにより、フラッシュ加熱後の半導体ウェハーＷがチャンバー６から搬出されるときにはフラッシュ光照射に起因してチャンバー６内に飛散していたパーティクルはチャンバー６から排出されている。そして、続く新たな半導体ウェハーＷがチャンバー６に搬入されるときには、チャンバー６内が清浄な窒素雰囲気に置換されているため、チャンバー６内に飛散していたパーティクルが半導体ウェハーＷに付着するのを防止することができる。
＜変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、第１実施形態においては、フラッシュ光照射後にチャンバー６内の圧力を大気圧よりも０．４ｋＰａ低く減圧していたが、これに限定されるものではなく、大気圧よりも少なくとも０．４ｋＰａ以上低く減圧すれば良い。フラッシュ光照射後のチャンバー６内の圧力が低くなるほど、チャンバー６内に存在していた粒子がチャンバー６内に滞留しにくくなる効果を高めることができるものの、減圧に要する時間は長くなる。
また、フラッシュ光照射後にチャンバー６内の圧力をフラッシュ光照射時よりも低く維持する時刻ｔ３から時刻ｔ４までの間、第１実施形態ではチャンバー６内に１０リットル／分の流量にて窒素ガスを供給し、第２実施形態ではガス供給を停止していたが、この期間の窒素ガスの供給流量は０リットル／分〜１０リットル／分であれば良い。
また、フラッシュ光照射後以降にチャンバー６内に供給する処理ガスは窒素ガスに限定されるものではなく、アルゴンやヘリウムであっても良い。すなわち、フラッシュ光照射後以降にチャンバー６内に供給する処理ガスは不活性ガスであれば良い。もっとも、プロセスのコストの観点からは安価な窒素ガスを用いるのが好ましい。
また、上記各実施形態においては、時刻ｔ４に１分間にチャンバー６の容積の２倍の流量にて窒素ガスをチャンバー６内に供給していたが、このときに１分間にチャンバー６の容積の２倍以上の流量（上記の例では６０リットル／分以上）にて窒素ガスをチャンバー６内に供給するようにしても良い。
また、上記各実施形態においては、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって半導体ウェハーＷの予備加熱を行うようにしていたが、これに代えて半導体ウェハーＷを保持するサセプタをホットプレート上に載置し、そのホットプレートからの熱伝導によって半導体ウェハーＷを予備加熱するようにしても良い。
また、上記各実施形態においては、フラッシュ加熱部５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。また、ハロゲン加熱部４に備えるハロゲンランプＨＬの本数も４０本に限定されるものではなく、任意の数とすることができる。
また、本発明に係る熱処理装置によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。また、本発明に係る技術は、高誘電率ゲート絶縁膜（High-k膜）の熱処理、金属とシリコンとの接合、或いはポリシリコンの結晶化に適用するようにしても良い。
１ 熱処理装置
３ 制御部
４ ハロゲン加熱部
５ フラッシュ加熱部
６ チャンバー
７ 保持部
６５ 熱処理空間
７４ サセプタ
７５ 保持プレート
７７ 基板支持ピン
８０ 流量調整バルブ
８３ ガス供給管
８４ バルブ
８５ ガス供給源
８８ ガス排気管
８９ 圧力制御バルブ
１２０ 放射温度計
１９０ 排気部
ＦＬ フラッシュランプ
ＨＬ ハロゲンランプ
Ｗ 半導体ウェハー

Claims (8)

  1. 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
    チャンバー内に収容した基板の表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射する照射工程と、
    前記照射工程の後、前記チャンバー内の圧力を前記照射工程のときよりも低く維持する減圧工程と、
    前記減圧工程の後、前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加させるとともに、前記チャンバー内の気体を排出する置換工程と、
    を備えることを特徴とする熱処理方法。
  2. 請求項１記載の熱処理方法において、
    前記減圧工程では、前記チャンバー内の圧力を前記照射工程のときよりも低くした状態を１秒以上５０秒以下維持することを特徴とする熱処理方法。
  3. 請求項１または請求項２記載の熱処理方法において、
    前記置換工程では、１分間に前記チャンバーの容積の２倍以上の流量にて不活性ガスを前記チャンバー内に供給することを特徴とする熱処理方法。
  4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の熱処理方法において、
    前記置換工程では、前記チャンバー内の圧力を大気圧よりも大きな陽圧とすること特徴とする熱処理方法。
  5. 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
    基板を収容するチャンバーと、
    前記チャンバー内にて前記基板を保持する保持部と、
    前記保持部に保持された前記基板の表面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
    前記チャンバー内に不活性ガスを供給するガス供給部と、
    前記チャンバー内の気体を排出する排気部と、
    前記チャンバーと前記排気部との間に介挿されて前記チャンバー内の圧力を制御する圧力制御バルブと、
    を備え、
    前記フラッシュランプから前記基板にフラッシュ光を照射した後、前記圧力制御バルブが前記チャンバー内の圧力をフラッシュ光照射時よりも低く維持した後、前記ガス供給部が前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加するとともに、前記排気部が前記チャンバー内の気体を排出することを特徴とする熱処理装置。
  6. 請求項５記載の熱処理装置において、
    前記圧力制御バルブは、前記チャンバー内の圧力をフラッシュ光照射時よりも低くした状態を１秒以上５０秒以下維持することを特徴とする熱処理装置。
  7. 請求項５または請求項６記載の熱処理装置において、
    前記ガス供給部は、１分間に前記チャンバーの容積の２倍以上の流量にて不活性ガスを前記チャンバー内に供給することを特徴とする熱処理装置。
  8. 請求項５から請求項７のいずれかに記載の熱処理装置において、
    前記ガス供給部が前記チャンバー内に供給する不活性ガスの流量を増加して前記チャンバー内の圧力を大気圧よりも大きな陽圧とすること特徴とする熱処理装置。
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