JP2018137268A - 電子デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
なお、この感温感歪複合センサでは、温度センサ材料が、鉄とパラジウムと少量の不純物とからなり、歪センサ材料が、窒素とクロムと少量の不純物とからなるものを採用している。
すなわち、特許文献1に記載の技術では、温度センサ材料と歪センサ材料とを積層するために、これらの間に絶縁性膜を形成する必要があり、全体の工程数が増大してしまう不都合があった。
また、特許文献2に記載の技術では、樹脂等の高分子母材中に圧電セラミック粉末を混入した平板状複合圧電体であるため、高温で使用することができないという不都合があった。
また、樹脂等の高分子材料に比べて耐熱性に優れた金属窒化膜の積層構造を有することで、高温での使用が可能になる。また、第1金属窒化膜と第2金属窒化膜との積層構造と、第1電極と2以上の第2電極との電極構造とによって、温度センサと振動センサとを一体化した複合センサデバイスとすることができる。
すなわち、この電子デバイスでは、結晶性Al−Nの第1金属窒化膜が、圧電層かつ第2金属窒化膜の下地層となるので、結晶性Al−Nと同じ結晶系の第2金属窒化膜が第1金属窒化膜上に成膜されていることで、成膜開始直後のサーミスタ用MxAyNzの初期結晶成長時より、MxAyNz結晶は十分に窒化させることが可能であり、窒素欠陥量が極めて少ない柱状結晶化膜となり、さらに結晶配向度が高くなって、より高いB定数が得られる。
また、結晶性Al−Nの第1金属窒化膜と上記MxAyNzの第2金属窒化膜とが、比較的柔軟な膜であるため、柔軟な基材に形成した第1電極上に形成することで全体としてフレキシブル性を得ることが可能になる。
更に、MxAyNzの第2金属窒化膜より結晶性Al−Nの第1金属窒化膜の方が絶縁性がきわめて高いため、第2金属窒化膜のサーミスタ特性は第1金属窒化膜の影響を殆どうけることがなく、第1金属窒化膜と第2金属窒化膜との間に第3の絶縁性膜が不要となる。
また、上記「y/(x+y)」(すなわち、A/(M+A))が0.98を超えると、抵抗率が非常に高く、きわめて高い絶縁性を示すため、サーミスタ材料として適用できない。
また、上記「z」(すなわち、N/(M+A+N))が0.4未満であると、金属の窒化量が少ないため、ウルツ鉱型の単相が得られず、十分な高抵抗と高B定数とが得られない。
さらに、上記「z」(すなわち、N/(M+A+N))が0.5を超えると、ウルツ鉱型の単相を得ることができない。このことは、ウルツ鉱型の単相において、窒素サイトにおける欠陥がない場合の化学量論比が0.5(すなわち、N/(M+A+N)=0.5)であることに起因する。
すなわち、この電子デバイスでは、基材が、絶縁性フィルムであると共に、第1金属窒化膜及び第2金属窒化膜が柔軟性を有した膜であるので、全体としてフレキシブル性を得ることができ、測定対象物に押し当てた際に柔軟に湾曲して測定対象物と面接触させることが可能になるので、デバイスの設置自由度が向上すると共に、柔軟性と高い振動応答性と高い温度応答性を兼ね備えた電子デバイスが得られる。
すなわち、この電子デバイスでは、第2金属窒化膜が、Ti−Al−Nであるので、結晶性Al−Nの第1金属窒化膜とAlを共通元素としており、より結晶性の高い膜が得られる。
すなわち、この電子デバイスの製造方法では、結晶性Al−Nの第1金属窒化膜上に、M−A合金スパッタリングターゲット(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。)を用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜するので、結晶性が良く、結晶配向度の強い上記MxAyNzからなる第2金属窒化膜をエピタキシャル成長させることができる。また、熱処理が不要で、サーミスタとして高B定数を得ることができる。
結晶性Al−Nも熱処理が不要で、圧電特性を有するので、熱処理することなく圧電特性を有する第1金属窒化膜とサーミスタ特性を有する第2金属窒化膜との積層構造が得られ、温度センサと振動センサとが一体化された複合センサデバイスを容易に得ることができる。
前記第2金属窒化膜上にAlスパッタリングターゲットを用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って前記第1金属窒化膜を形成する第1窒化膜成膜工程と、
前記第1金属窒化膜上に前記第1電極を形成する第1電極形成工程とを有していることを特徴とする。
すなわち、本発明に係る電子デバイスによれば、圧電特性を有した第1金属窒化膜に形成された第1電極と、サーミスタ特性を有した第2金属窒化膜に形成された少なくとも2以上の第2電極とを備え、第1金属窒化膜と第2金属窒化膜との結晶構造が、いずれも六方晶系のウルツ鉱型の単相であるので、膜間に絶縁性膜が不要となると共に、高温での使用が可能になる。また、上記積層構造と上記電極構造とにより温度センサと振動センサとを一体化したことで、全体を小型化することも可能になる。
したがって、本発明の電子デバイスでは、従来よりも低コストかつ小型に作製可能であると共に、高温環境下でも使用が可能であり、例えばTPMS(Tire Pressure Monitoring System:タイヤ空気圧監視システム)等の温度と圧力とを両方同時に検出するモジュールに好適である。エネルギーハーベスタとしての使用も可能で、圧電特性を有した第1金属窒化膜で振動発電し、その電力を、サーミスタ特性を有した第2金属窒化膜で温度検出するための測定用電源または無線電源として利用することが可能である。
また、本発明に係る電子デバイスの製造方法では、結晶性Al−Nの第1金属窒化膜上に、上記M−A合金スパッタリングターゲットを用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜するので、結晶性が良く、結晶配向度の強い上記MxAyNzからなる第2金属窒化膜をエピタキシャル成長させることができる。
なお、結晶相の同定は、視斜角入射X線回折(Grazing Incidence X−ray Diffraction)により実施し、管球をCuとし、入射角を1度とする。なお、膜の表面に対して垂直方向(膜厚方向)にa軸配向(100)が強いかc軸配向(002)が強いかの判断は、上記X線回折(XRD)を用いて結晶軸の配向性を調べ、(100)(a軸配向を示すhkl指数)と(002)(c軸配向を示すhkl指数)とのピーク強度比から、「(100)のピーク強度」/「(002)のピーク強度」が1未満である場合、c軸配向が強いものとする。TEM(透過型電子顕微鏡)を用いて、膜断面の電子線回折像を取得し、第1金属窒化膜3と第2金属窒化膜4いずれも膜厚方向にc軸配向度が高いことが確認されている。
また、上記第1金属窒化膜3と第2金属窒化膜4とは、いずれも緻密な膜であり、基板面に垂直な方向に柱状の結晶が成長している様子が観測されている。なお、結晶形態の評価は、断面SEMおよび断面TEMにて実施している。
以上の結果より、上記第1金属窒化膜3と第2金属窒化膜4とは、いずれも基板面に垂直な方向(膜厚方向)にc軸配向度が大きい結晶配向をもつ緻密な柱状結晶化膜であることがわかる。
本実施形態では、第1金属窒化膜3が、結晶性Al−Nである。
なお、d33は、圧電歪定数であり、aixACCT社製のDouble Beam Laser Interferometer(DBLI)で評価した。DBLI装置では第1電極と第2電極の間に与えた電位差に対し、デバイスの上面と下面から照射するレーザーにより圧電層を含むデバイスの膜厚方向の変位量を測定し、電圧あたりのデバイスの膜厚方向の変位量の平均値として、d33を求める事ができる。具体的には電位差を最大100V、周波数1kHzの条件で測定を行った。
なお、第1金属窒化膜3として、結晶性Al−N以外にウルツ鉱型の圧電材料として知られている結晶性Sc−Al−Nや結晶性A−B−Al−N(A=Mg,Zn、B=Ti,Zr,Hf)等も採用可能である。
本実施形態では、第2金属窒化膜4として、結晶性Ti−Al−Nを採用している。
以下の表1にAl,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Siの各イオン種における有効イオン半径を示す(参照論文 R.D.Shannon, Acta Crystallogr., Sect.A, 32, 751(1976))。
上記絶縁性フィルムとしては、他にPET:ポリエチレンテレフタレート,PEN:ポリエチレンナフタレート等でも作製できるが、柔軟性と耐熱性とが要求される用途としては、耐熱性に優れたポリイミドフィルムが望ましい。
なお、基材2として、柔軟性が要求されていない場合、熱酸化膜付きSi基板、ガラス基板、アルミナなどの絶縁性セラミックス基板などを採用しても構わない。
この第1電極5は、第1金属窒化膜3の下面全体に形成されている。
上記第2電極6,7,8としては、例えばMo等の金属膜が採用されるが、金属窒化膜の結晶配向性等に影響を与えないため、Cr膜の単層や、Cr膜とAu膜との積層金属膜等の種々の金属膜が採用可能である。
なお、第2電極8は、圧電信号を大きく検出するために、できるだけ大きな面積にすることが好ましく、第2電極6,7よりも広い面積で矩形状に形成されている。
これらパターン配線9〜12の端部には、リード線接続用のパッド部9a〜12aが形成されている。
電子デバイス1の製造方法は、第1電極5上にAlスパッタリングターゲットを用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って第1金属窒化膜3を形成する第1窒化膜成膜工程と、第1金属窒化膜3上にM−A合金スパッタリングターゲット(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。)を用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って第2金属窒化膜4を成膜する第2窒化膜成膜工程と、第2金属窒化膜上に第2電極6,7,8を形成する第2電極形成工程とを有している。
さらに、このように成膜したMo膜を、図3の(a)に示すように、レジストを用いた露光パターニング等により第1電極5をパターン形成する。
また、このときパターン配線9〜12も同時に基材2上にパターン形成する。
また、第1金属窒化膜3及び第2金属窒化膜4は、メタルマスク又はレジストを用いた露光パターニング等によって第1電極5に対応した所望の形状にパターン形成される。
このとき、第2電極6,7,8を、基材2上の対応するパターン配線9,10,11と接続させることで、本実施形態の電子デバイス1が作製される。
また、上記工程では、パターン配線9,10,11を予め基材2上に形成したが、第2電極6,7,8と同時にパターン形成しても構わない。
特に、第2金属窒化膜4が、Ti−Al−Nであることで、結晶性Al−Nの第1金属窒化膜3とAlを共通元素としており、より結晶性の高い膜が得られる。
更に、MxAyNzの第2金属窒化膜4より結晶性Al−Nの第1金属窒化膜3の方が絶縁性がきわめて高いため、第2金属窒化膜4のサーミスタ特性は第1金属窒化膜3の影響を殆どうけることがなく、第1金属窒化膜3と第2金属窒化膜4との間に第3の絶縁性膜が不要となる。
特に、基材2が、絶縁性フィルムであることで、全体としてフレキシブル性を得ることができ、測定対象物に押し当てた際に柔軟に湾曲して測定対象物と面接触させることが可能になるので、デバイスの設置自由度が向上すると共に、柔軟性と高い振動応答性と高い温度応答性を兼ね備えた電子デバイスが得られる。
結晶性Al−Nも熱処理が不要で、圧電特性を有するので、熱処理することなく圧電特性を有する第1金属窒化膜とサーミスタ特性を有する第2金属窒化膜との積層構造が得られ、温度センサと振動センサとが一体化された複合センサデバイスを容易に得ることができる。
すなわち、第1実施形態では、サーミスタ用電極の2つの第2電極6,7と圧電検出用電極の第2電極8とを別々に形成しているが、第2実施形態では、2つのサーミスタ用電極の一方を圧電検出用電極として共用し、第2電極27を圧電検出用電極としても使用している点で異なっている。
すなわち、第2実施形態の電子デバイス21を作製する際には、図4の(a)に示すように、第1電極5及びパターン配線を形成する工程でパターン配線11を設けていない。
第2電極27は、複数の櫛部7aを有する櫛歯電極部分に広い矩形状の圧電検出用電極部27bが接続されたパターンとされる。
また、圧電検出用電極部27bは、対応するパターン配線10に連結部27cを介して接続されている。
Claims (6)
- 圧電特性を有した材料で形成された第1金属窒化膜と、
サーミスタ特性を有した材料で形成され前記第1金属窒化膜に積層された第2金属窒化膜と、
前記第1金属窒化膜に形成された少なくとも1以上の第1電極と、
前記第2金属窒化膜に形成された少なくとも2以上の第2電極とを備え、
前記第1金属窒化膜と前記第2金属窒化膜との結晶構造が、いずれも六方晶系のウルツ鉱型の単相であることを特徴とする電子デバイス。 - 請求項1に記載の電子デバイスにおいて、
前記第1金属窒化膜が、結晶性Al−Nであり、
前記第2金属窒化膜が、一般式:MxAyNz(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。0.70≦y/(x+y)≦0.98、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなることを特徴とする電子デバイス。 - 請求項2に記載の電子デバイスにおいて、
前記第1電極が形成された前記第1金属窒化膜及び前記第2電極が形成された前記第2金属窒化膜が積層された基材を備え、
前記基材が、絶縁性フィルムであることを特徴とする電子デバイス。 - 請求項2又は3に記載の電子デバイスにおいて、
前記第2金属窒化膜が、Ti−Al−Nであることを特徴とする電子デバイス。 - 請求項2から4のいずれか一項に記載の電子デバイスを製造する方法であって、
前記第1電極上にAlスパッタリングターゲットを用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って前記第1金属窒化膜を形成する第1窒化膜成膜工程と、
前記第1金属窒化膜上にM−A合金スパッタリングターゲット(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。)を用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って前記第2金属窒化膜を成膜する第2窒化膜成膜工程と、
前記第2金属窒化膜上に前記第2電極を形成する第2電極形成工程とを有していることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 請求項2から4のいずれか一項に記載の電子デバイスを製造する方法であって、
前記第2電極上にM−A合金スパッタリングターゲット(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。)を用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って前記第2金属窒化膜を成膜する第2窒化膜成膜工程と、
前記第2金属窒化膜上にAlスパッタリングターゲットを用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って前記第1金属窒化膜を形成する第1窒化膜成膜工程と、
前記第1金属窒化膜上に前記第1電極を形成する第1電極形成工程とを有していることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP3598225A1 (en) | 2018-07-20 | 2020-01-22 | Nikon Corporation | Interchangeable lens and method of transmitting data |
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63178571A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-22 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電変位素子 |
JPH0529677A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-05 | Toyota Motor Corp | 圧電積層体の駆動制御方法 |
JPH0516312U (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-02 | ブラザー工業株式会社 | インクジエツトプリンタヘツド |
JP2002022560A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 可撓性圧電素子 |
JP2013201346A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Ulvac Japan Ltd | 圧電素子及び圧電素子の製造方法 |
JP2013205319A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Mitsubishi Materials Corp | 温度センサ及びその製造方法 |
JP2014121025A (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電薄膜共振子 |
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2017
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63178571A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-22 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電変位素子 |
JPH0529677A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-05 | Toyota Motor Corp | 圧電積層体の駆動制御方法 |
JPH0516312U (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-02 | ブラザー工業株式会社 | インクジエツトプリンタヘツド |
JP2002022560A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 可撓性圧電素子 |
JP2013201346A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Ulvac Japan Ltd | 圧電素子及び圧電素子の製造方法 |
JP2013205319A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Mitsubishi Materials Corp | 温度センサ及びその製造方法 |
JP2014121025A (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電薄膜共振子 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3598225A1 (en) | 2018-07-20 | 2020-01-22 | Nikon Corporation | Interchangeable lens and method of transmitting data |
WO2020189397A1 (ja) | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 日東電工株式会社 | 積層体、これを用いた圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法 |
KR20210125554A (ko) | 2019-03-20 | 2021-10-18 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 적층체, 이를 이용한 압전 디바이스 및 압전 디바이스 제조방법 |
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Publication number | Publication date |
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