JP2018121000A - 発光装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】撓みを備えたループ形状を有するワイヤを備えた発光装置を、容易に形成する方法を提供する。【解決手段】発光素子上の第１接続点と、第１接続点から＋Ｘ方向に位置する基板上の第２接続点とをワイヤで接続する工程を含む発光装置の製造方法であって、ワイヤのイニシャルボールを、発光素子上の第１接続点に当接してボール部を接続する第１接続工程と、キャピラリを第１接続点の上方の＋Ｚ方向に位置する第１点まで移動させる第１移動工程と、キャピラリを、第１点から前記第２接続点と反対側の−Ｘ方向に位置する第２点まで移動させる第２移動工程と、キャピラリを第２点から、基板上の第２接続点の上方を通り超えて＋Ｘ方向であって、かつ、＋Ｚ方向に位置する第３点まで移動する第３移動工程と、キャピラリを第３点から−Ｘ方向に位置する第２接続点まで移動して、ワイヤを第２接続点に接合する第２接続工程と、を備える発光装置の製造方法。【選択図】図４Ｂ

Description

本発明は、発光装置の製造方法に関する。
基板上に、発光素子や保護素子などの半導体素子が搭載されたＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）などの発光装置が知られている。半導体素子は、例えばワイヤを介して基板上の導電部材と電気的に接合されている。さらに、半導体素子及びワイヤは、例えば、外部環境から保護する等の目的のために、樹脂材料を用いた封止部材で封止されている。
ワイヤのループ形状は目的や用途に応じて種々の形状が知られている。例えば、撓みを備えたループ形状が知られている。例えば、第１ボンド点と第２ボンド点の間に、円弧部と水平部と傾斜部とを備えたループ形状が知られている（例えば、特許文献１）。このような形状のループ形状は、圧着ボールの上方においてキャピラリをリバース動作させることによって形成されている。
また、第２ボンディング点でのワイヤを滑走路ループ形状とする方法が知られている（例えば、特許文献２）。このようなループ形状は、第２ボンディング点に接続した後、再度、第２ボンディング点付近のワイヤの一部をキャピラリで潰すことで形成される。）
特開２００８−１６０１４９号公報 特開２００５−１４２３１４号公報
撓みを備えたループ形状を有するワイヤを備えた発光装置を、容易に形成することができる方法を提供する。
本発明の実施形態は、以下の構成を含む。
基板上に載置された発光素子上の第１接続点と、第１接続点から＋Ｘ方向に位置する基板上の第２接続点とをワイヤで接続する工程を含む発光装置の製造方法であって、発光素子が載置された前記基板を準備する工程と、キャピラリに挿通されたワイヤにイニシャルボールを形成し、イニシャルボールを発光素子上の第１接続点に当接してボール部を接続する第１接続工程と、キャピラリを、第１接続点の上方の＋Ｚ方向に位置する第１点まで移動させる第１移動工程と、キャピラリを、第１点から前記第２接続点と反対側の−Ｘ方向に位置する第２点まで移動させる第２移動工程と、キャピラリを、第２点から、基板上の第２接続点の上方を通り超えて＋Ｘ方向であって、かつ、＋Ｚ方向に位置する第３点まで移動する第３移動工程と、キャピラリを、第３点から−Ｘ方向に位置する第２接続点まで移動して、ワイヤを第２接続点に接合する第２接続工程と、ワイヤを封止する封止部材を形成する封止部材形成工程と、を備える発光装置の製造方法。
上記により、撓みを備えたループ形状を有するワイヤを備えた発光装置を、容易に形成することができる。
図１Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法で得られる発光装置の一例を示す概略上面図である。 図１Ｂは、図１Ａの１Ｂ−１Ｂ線における概略断面図である。 図１Ｃは、図１Ｂの部分拡大図である。 図２は、実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略端面図である。 図３Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略端面図である。 図３Ｂは、実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略端面図である。 図４Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、キャピラリの移動軌跡を示す概略端面図である。 図４Ｂは、図４Ａの部分拡大図である。 図５は、図４Ｂに示す移動軌跡による各時点でのワイヤの形状を示す概略図である。 図６は、実施形態に係る発光装置の製造方法において、キャピラリの移動軌跡を示す概略端面図である。 図７は、実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略端面図である。 図８Ａ、実施形態に係る発光装置の製造方法で得られる発光装置の一例を示す概略上面図である。 図８Ｂは、図８Ａの部分拡大図である。 図９Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、キャピラリの移動軌跡を示す概略端面図である。 図９Ｂは、図９Ａの部分拡大図である。 図１０は、図９Ｂに示す移動軌跡による各時点でのワイヤの形状を示す概略図である。
本発明を実施するための形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置の製造方法を例示するものであって、本発明は、発光装置の製造方法を以下に限定するものではない。
また、本明細書は、特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限りは、本開示の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。尚、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。
図１Ａは実施形態に係る発光装置の製造方法によって得られる発光装置１００の概略上面図を示す。図１Ｂは、図１Ａの１Ｂ−１Ｂ線における概略断面図を示す。図１Ｃは、図１Ｂのワイヤ３０を含む部分を拡大した部分拡大図である。発光装置１００は、発光素子２０と、基板１０と、ワイヤ３０と、を備える。更に、発光素子２０及びワイヤ３０を被覆する封止部材４０と、を備える。
発光素子２０は、半導体層をふくむ積層構造体と、積層構造体の上面の電極と、を備える。電極の上面は、ワイヤ３０が接続される第１接続点Ｊ１を備える。
基板１０は、絶縁性の基材１１と、発光素子２０に給電するための電極として機能する導電部材１２と、を備える。導電部材１２は、ワイヤ３０が接続される第２接続点Ｊ２を備える。
ワイヤ３０は、第１接続点Ｊ１と第２接続点Ｊ２とに接続されている。ワイヤ３０は、第１接続点Ｊ１と接続されるボール部３２と、第２接続点Ｊ２と接続される接続部３４と、を備える。ボール部３２と接続部３４との間のループ部３３は、ボール部３２上のネック部３３１と、ループ部３３で最も高い位置となる屈曲部３３２と、を備える。さらにループ部３３は、屈曲部３３２と接続部３４との間に、撓み部３３３を有する。撓み部３３３は、屈曲部３３２と接続部３４とを直線で結んだ最短仮想線Ｌ１の長さよりも長い。さらに、撓み部３３３は、最短仮想線Ｌ１よりも下側に位置するように撓んだ形状である。
このような撓み部３３３を備えたループ形状のワイヤ３０とすることで、封止部材４０の伸縮によってワイヤ３０が断線することを抑制することができる。
上述のような発光装置１００は、以下の製造方法によって得ることができる。図２〜図７は、実施形態に係る製造方法を説明した概略図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法は、主として以下の工程を備える。すなわち、発光素子が載置された基板を準備する基板準備工程と、ワイヤ接続工程と、封止部材形成工程と、を主として備える。更に、ワイヤ接続工程は、第１接続工程、第１移動工程、第２移動工程、第３移動工程、第２接続工程、を備える。以下、各工程について詳説する。
＜発光素子が載置された基板を準備する工程＞
図２に示すように、発光素子２０が載置された基板１０を準備する。尚、図２では、１つの発光装置となる基板１０を例示しているが、工程内において、基板１０は、複数の発光装置となる部分を複数備えた集合基板として用いられる。
発光素子２０は、発光層を含む半導体層を備えた積層構造体と、その積層構造体に通電するための電極と、を備える。電極は、後述のワイヤが接続される第１接続点Ｊ１を有する。
積層構造体は、例えば、半導体層としてＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系化合物半導体が好適に用いられる。素子基板としては、例えば、サファイア、ＧａＮ等が挙げられる。
発光素子が有する一対の電極は、積層構造体の上面に配置される。第１接続点Ｊ１は、一対の電極のそれぞれに備えらえる。一対の電極が、積層構造体の対向する二つの面に配置されている場合は、第１接続点Ｊ１は１つである。電極としては、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ等が挙げられる。電極の厚みは、例えば、数μｍ程度が好ましい。
発光素子は、１個又は複数個を備えることができる。例えば、図１Ａに示す例では、それぞれ発光波長の異なる３つの発光素子（青色発光素子、緑色発光素子、赤色発光素子）を備えることができる。これに限らず同じ発光波長の発光素子を複数個備えることができる。また、紫外発光の発光素子を用いてもよい。また、発光素子に加えて、ツェナーダイオード、ブリッジダイオードなどの保護素子を備えていてもよい。
発光素子は、基板１０の上に、導電性又は絶縁性の接合部材によって固定されている。１つの発光装置は、１つ、又は複数個の発光素子を備えることができる。
基板１０は、電極として機能する導電部材１２と、それを保持する基材１１とを備える。基板１０は、図２に示すような凹部１３を備えることができる。あるいは、基板１０は平板状であってもよい。
基板１０の導電部材１２は、後述のワイヤが接続される第２接続点Ｊ２を備える。
基板１０は、当該分野で用いられる基板を用いることができる。例えば、基材１１として成形樹脂を備え、導電部材１２としてリードとを備えた樹脂パッケージを用いることができる。また、基材１１としてセラミックを備え、導電部材１２として配線を備えたセラミックパッケージ等を用いることができる。
準備された基板１０を、ワイヤボンダの所定の位置に固定する。
＜ワイヤ接続工程＞
図３Ａ〜図５は、ワイヤの接続工程を説明した概略図である。図４Ａ、図４Ｂは、キャピラリの移動軌跡Ｔを示す概略図であり、図４Ｂは図４Ａを部分的に拡大した図である。図５は、図４Ｂに示す移動軌跡Ｔによる各時点でのワイヤ３０の形状を示す概略図である。
尚、図４Ｂに示すように、右方向を＋Ｘ方向、その反対側の左方向を−Ｘ方向として説明する。さらに、第１接続点Ｊ１の＋Ｘ方向に第２接続点Ｊ２が位置しているものとして説明する。尚、第１接続点と第２接続点との位置関係によって、Ｘ方向の向きが規定される。そのため、図面において第１接続点の左方向に第２接続点がある場合は、その第２接続点が位置する方向を＋Ｘ方向とする。
また、＋Ｘ方向及び−Ｘ方向は、水平方向のみを指すものではない。＋Ｘ方向及び−Ｘ方向は、水平方向から上下方向に３０度程度傾斜した方向も含む。
ワイヤ接続工程は、第１接続工程、第１移動工程、第２移動工程、第３移動工程、第２接続工程、を備える。尚、これらの工程は、１本のワイヤの接続工程を説明するものであり、複数のワイヤを接合する場合は、ワイヤごとに以下の工程を行う。複数のワイヤを接続する場合は、それらすべてのワイヤに対して以下の工程を適用してもよく、あるいは、一部のワイヤに対してのみ適用してもよい。
（第１接続工程）
第１接続工程は、ワイヤ３０を第１接続点Ｊ１に接続させる工程である。そして、第１接続工程は、ワイヤ３０のボール部３２を形成する工程である。第１接続工程では、まず、図３Ａに示すように、キャピラリ５０に挿通されたワイヤ３０にイニシャルボール３１を形成する。詳細には、ワイヤ３０の先端を電気放電等によって溶融させることでイニシャルボール３１を形成する。電気放電等の条件は、ワイヤ３０の組成、径、目的とするイニシャルボール３１の大きさ等に応じて適宜選択することができる。
次に、図３Ｂ及び図５（ａ）に示すように、イニシャルボール３１を発光素子２０上の第１接続点Ｊ１に当接し、圧着接続させる。第１接続点Ｊ１は発光素子２０の上面の電極上に位置しており、この電極とイニシャルボール３１とを圧着接続させる。これにより、イニシャルボール３１がボール部３２となる。
（第１移動工程）
第１移動工程は、キャピラリ５０を上方向に移動させる工程である。そして、第１移動工程は、ワイヤ３０のネック部３３１を形成する工程である。第１移動工程は、詳細には、図４Ｂ、図５（ｂ）に示すように、キャピラリ５０を、第１接続点Ｊ１の上方の＋Ｚ方向に位置する第１点Ｐ１まで移動させる工程である。第１移動工程内において、ボール部３２から延伸するワイヤ３０は、キャピラリ５０の貫通孔内に挿通されており、固定されていない。そのため、第１移動工程によって、キャピラリ５０が移動するのに伴い、キャピラリ５０の先端からワイヤ３０が繰り出されることになる。後述の第２移動工程、及び第３移動工程においても、キャピラリ５０は先端からワイヤ３０を繰り出しながら移動する。
第１点Ｐ１は、ワイヤ３０のループ形状において、ネック部３３１の長さを規定するための位置である。つまり、この第１点Ｐ１の位置によってネック部３３１の長さが決まる。第１点Ｐ１は、第１接続部Ｊ１の直上が好ましい。すなわち、ボール部３２の直上が好ましい。更に好ましくは、ボール部３２の中心の直上が好ましい。
第１接続点Ｊ１から第１点Ｐ１までの距離Ｄ１、すなわち、第１移動工程の距離Ｄ１は、任意に設定できるが、８０μｍ以上ある方が好ましい。
（第２移動工程）
第２移動工程は、キャピラリ５０を第１点Ｐ１から第２点Ｐ２まで移動させる工程である。そして、第２移動工程は、ワイヤ３０の屈曲部３３２を形成する工程である。第２点Ｐ２は、図４Ｂに示すように、第１点Ｐ１からみて−Ｘ方向に位置する。この第２移動工程におけるキャピラリの動作は、いわゆるリバース動作と称される動きである。第２移動工程においてキャピラリ５０を第２点Ｐ２まで移動させることで、図５（ｃ）に示すように、ワイヤ３０は、ボール部３２から斜め方向に引っ張られる。
第２点Ｐ２は、ワイヤ３０のループ形状において、屈曲部３３２を規定するための位置であり、この第２点Ｐ２の位置によって屈曲部３３２の形状が決められる。
第１点Ｐ１から第２点Ｐ２までの距離Ｄ２、すなわち、第２移動工程の距離Ｄ２は、任意に設定できるが、１００μｍ以下であることが好ましい。
（第３移動工程）
第３移動工程は、キャピラリ５０を第２点Ｐ２から第３点Ｐ３まで移動させる工程である。そして、第３移動工程は、ワイヤ３０の撓み部３３３を形成する工程である。第３点Ｐ３は、図４に示すように、第２点Ｐ２からみて＋Ｘ方向に位置する。さらに、第３点Ｐ３は、基板１０上の第２接続点Ｊ２の上方を通り超えて＋Ｘ方向に位置している。詳細には、第３点Ｐ３は、第２接続点Ｊ２よりも距離Ｄ５だけ＋Ｘ方向に位置した位置にある。つまり、第３点Ｐ３は、第２接続点Ｊ２よりも遠い位置にある。
第３点Ｐ３は、ワイヤ３０のループ形状において、撓み部３３３の長さを規定するための位置であり、この第３点Ｐ３の位置によって撓み部３３３の長さが決められる。
第３点Ｐ３は、第２点Ｐ２から＋Ｚ方向に距離Ｄ３の位置であって、かつ、第２点Ｐ２から＋Ｘ方向に距離Ｄ４（上面視における距離）の位置にある。換言すると、第３点Ｐ３は、第２点Ｐ２から斜め上方向に位置する。第３移動工程によって、図５（ｄ）に示すように、ワイヤ３０は斜め上方向に引っ張られる。
距離Ｄ３は、距離Ｄ４と同等であるか、短い方が好ましい。また、距離Ｄ３と距離Ｄ４の比率は、例えば、Ｄ３：Ｄ４＝１：1〜１：５程度が好ましい
また、第２接続点Ｊ２と第３点Ｐ３との上面視における距離Ｄ５は、例えば、３０μｍ〜１５０μｍ程度が好ましい。
（第２接続工程）
第２接続工程は、ワイヤ３０を第２接続点Ｊ２に接続させる工程である。そして、第２接続工程は、ワイヤ３０の接続部３４を形成する工程である。第２接続点Ｊ２は基板１０上の導電部材１２上に位置しており、この導電部材１２とワイヤ３０とを接続させる。第２接続点Ｊ２は、図４に示すように、第３点Ｐ３からみて−Ｘ方向に距離Ｄ５の位置に位置している。
第２接続点Ｊ２が、第３点Ｐ３よりも−Ｘ方向に位置していることで、第３移動工程によってキャピラリ５０から繰り出されたワイヤ３０の長さは、第３点Ｐ３と第２接続点Ｊ２との最短距離よりも長い。これにより、図５（ｄ）に示すように、ワイヤ３０を、第３点Ｐ３と第２接続点Ｊ２との間で撓ませることができる。つまり、第２接続点Ｊ２よりも遠い位置にある第３点Ｐ３までキャピラリ５０を移動させることで、キャピラリ５０から繰り出されるワイヤ３０の長さを長くすることができる。これにより、撓み部３３３を形成する。
以上の工程により、図１Ｃに示すような撓み部３３３を備えたループ３３形状を備えたワイヤ３０とすることができる。
上述のようなワイヤ接続工程は、ワイヤごとに行われる。例えば、図１Ａに示すように、発光素子２０の上面にｐ電極及びｎ電極となる２つの電極を備え、それらの上にそれぞれ第１接続点を備えている場合を例に挙げる。
まず、１本のワイヤを接続するために、図４Ａに示すような移動軌跡Ｔでキャピラリを移動させてワイヤを接続する。次に、２本目のワイヤを接続するために、図６に示すような移動軌跡Ｔ‘でキャピラリを移動させてワイヤを接続する。２本目のワイヤを接続する際の移動軌跡Ｔ’は、１本目のワイヤの移動軌跡Ｔを左右反転させた移動軌跡である。このようにすることで、複数のワイヤが、それぞれ撓み部を備えたワイヤとして接続される。
以上に説明したループ形状は、屈曲部を１つ備えた略三角形状のループである。このような三角形状のループとすることで、熱衝撃性を改善することができる。
ループ形状としては、上述のような三角形状のループのほかの形状とすることもできる。以下、変形例として、台形状のループ形状を備えたワイヤについて説明する。変形例においても、撓み部を備える点においては上述の三角形状のループと同じ効果が得られる。
図８Ａは、屈曲部を２つ備えたループ形状（台形状のループ）を備えたワイヤ３０Ａを備えた発光装置１００Ａを示す概略断面図である。図８Ｂは、図８Ａのワイヤ３０Ａを含む部分を拡大した部分拡大図である。図１Ｂ等で示した発光装置１００とは、ワイヤのループ部の形状が異なるのみであり、他の構成は同じである。そのため、以下においては主としてワイヤのループ部の説明をし、それ以外の説明は適宜省略する。
ワイヤ３０Ａは、第１接続点Ｊ１と接続されるボール部３２と、第２接続点Ｊ２と接続される接続部３４と、を備える。ボール部３２と接続部３４との間のループ部３３は、ボール部３２上のネック部３３１と、ループ部３３で最も高い位置となる第１屈曲部３３２ａと、第２屈曲部３３２ｂと、を備える。さらにループ部３３は、第２屈曲部３３２ｂと接続部３４との間に、撓み部３３３を有する。撓み部３３３は、第２屈曲部３３２ｂと接続部３４とを直線で結んだ最短仮想線Ｌ２の長さよりも長い。さらに、撓み部３３３は、最短仮想線Ｌ２よりも下側に位置するように撓んだ形状である。
このような撓み部３３３を備えたループ形状のワイヤ３０Ａとすることで、封止部材４０の伸縮によってワイヤ３０Ａが断線することを抑制することができる。さらに、屈曲部を二つ備えることで、ワイヤ３０Ａが発光素子２０に接触しにくくすることができる。
上述のようなループ形状は、以下のワイヤ接続工程によって形成することができる。ワイヤ接続工程は、第１接続工程、第１移動工程、第２移動工程、第２ａ移動工程、第２ｂ移動工程、第３移動工程、第２接続工程、を備える。つまり、第２移動工程と、第３移動工程の間に、更に別の工程を備えている。これにより、例えば、屈曲部を複数備えたループ形状（台形状のループ）とすることができる。その場合も、第２接続点よりも＋Ｘ側にある第３点にまでキャピラリを移動させる第３移動工程を経ることで、撓み部を備えたループ形状とすることができる。
図９Ａ、図９Ｂは、キャピラリの移動軌跡Ｔ２を示す概略図であり、図９Ｂは図９Ａを部分的に拡大した図である。図１０は、図９Ｂに示す移動軌跡Ｔ２による各時点でのワイヤ３０Ａの形状を示す概略図である。
尚、第１接続工程、第１移動工程、及び、第２接続工程については、図４Ａ、図４Ｂ、図５の説明と重複するため必要な個所以外は省略する。
（第２ａ移動工程）
第２ａ移動工程は、第２移動工程のあとに行われる工程である。第２ａ移動工程は、キャピラリ５０を第２点Ｐ２から第２ａ点Ｐ２ａまで移動させる工程である。第２ａ点Ｐ２ａは、図９Ｂに示すように、第２点Ｐ２からみて＋Ｚ方向に位置する。第２点Ｐａ点の位置によって、第１屈曲部３３２ａと第２屈曲部３３２ｂまでの距離が決められる。
第２点Ｐ２から第２ａ点Ｐ２ａまでの距離Ｄ２ａ、すなわち、第２ａ移動工程の距離Ｄ２ａは、任意に設定できる。好ましくは、発光素子と接しない程度の距離に設定することが好ましい。
キャピラリ５０を上方向に移動させる工程である。
（第２ｂ移動工程）
第２ｂ移動工程は、キャピラリ５０を第２ａ点Ｐ２ａから第２ｂ点Ｐ２ｂまで移動させる工程である。そして、第２ｂ移動工程は、ワイヤ３０Ａの第２屈曲部３３２ｂを形成する工程である。第２ｂ点Ｐ２ｂは、図９Ｂに示すように、第２ａ点Ｐ２ａからみて−Ｘ方向に位置する。この第２ｂ移動工程におけるキャピラリの動作は、いわゆるリバース動作と称される動きである。第２ｂ移動工程においてキャピラリ５０を第２ｂ点Ｐ２ｂまで移動させることで、図１０（ｅ）に示すように、ワイヤ３０Ａは、斜め方向に引っ張られる。
第２ｂ点Ｐ２ｂは、ワイヤ３０Ａのループ形状において、第２屈曲部３３２ｂを規定するための位置であり、この第２ｂ点Ｐ２ｂの位置によって第２屈曲部３３２ｂの形状が決められる。
第２ａ点Ｐ２ａから第２ｂ点Ｐ２ｂまでの距離Ｄ２ｂ、すなわち、第２ｂ移動工程の距離Ｄ２ｂは、任意に設定できる。
以上のようなループ形状を備えたワイヤは、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及び少なくともそれらの金属を含有する合金を用いた導電性ワイヤが挙げられる。特に、熱抵抗等に優れた金を用いるのが好ましい。ワイヤの径は、１８μｍ〜３０μｍが好ましい。ワイヤの線膨張係数は、１４．２×１０-６以上１９．７×１０-６以下が好ましく、更に、１７．６×１０-６以上１８．９×１０-６以下が好ましい。
＜封止部材形成工程＞
次に、図７に示すように、発光素子２０及びワイヤ３０を封止する封止部材４０を形成する。ここでは、基板１０が凹部１３を備えている例を示しており、封止部材４０は、凹部１３内に形成される。封止部材４０は、液状又はペースト状の樹脂材料をディスペンスノズル等で供給し、その後、熱又は光で硬化させることで形成することができる。
封止部材の材料としては、発光素子からの光を透過可能な透光性を有し、且つ、耐光性を有するものが好ましい。また、線膨張係数が３×１０-６以上３５０×１０-６以下であるものが好ましい。具体的な材料としては、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等の、発光素子からの光を透過可能な透光性を有する絶縁樹脂組成物を挙げることができる。また、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂及びこれらの樹脂を少なくとも１種以上含むハイブリッド樹脂等も用いることができる。さらにまた、これらの有機物に限られず、ガラス、シリカゾル等の無機物も用いることができる。このような材料に加え、所望に応じて着色剤、光拡散剤、光反射材、各種フィラー、波長変換部材（蛍光体）などを含有させることもできる。
蛍光体としては、例えば、酸化物系、硫化物系、窒化物系の蛍光体などが挙げられる。例えば、発光素子として青色発光する窒化ガリウム系発光素子を用いる場合、青色光を吸収して黄色〜緑色系発光するＹＡＧ系、ＬＡＧ系、緑色発光するＳｉＡｌＯＮ系（βサイアロン）、赤色発光するＳＣＡＳＮ、ＣＡＳＮ系、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体、ナノ蛍光体等の少なくとも１種、又は２種以上を用いることができる。これらの蛍光体は、封止部材中に５質量％以上１２０質量％以下含有させるのが好ましい。
以上のようにして、図１Ｂで示すような、撓んだループ形状を備えたワイヤ３０を有する発光装置１００を得ることができる。
本開示の発光装置は、ワイヤを備えた種々の用途の発光装置に好適に用いられる。
１００、１００Ａ…発光装置
１０…基板
１１…基材
１２…導電部材
１３…凹部
２０…発光素子
３０、３０Ａ…ワイヤ
３１…イニシャルボール
３２…ボール部
３３…ループ部
３３１…ネック部
３３２…屈曲部（３３２ａ…第１屈曲部、３３２ｂ…第２屈曲部）
３３３…撓み部
３４…接続部
４０…封止部材
５０…キャピラリ
６０…ノズル
Ｊ１…第１接続点
Ｊ２…第２接続点
Ｐ１…第１点
Ｐ２…第２点（Ｐ２ａ…第２ａ点、Ｐ２ｂ…第２ｂ点）
Ｐ３…第３点
Ｌ１、Ｌ２…最短仮想線
Ｔ、Ｔ‘、Ｔ２…移動軌跡

Claims (3)

  1. 基板上に載置された発光素子上の第１接続点と、前記第１接続点から＋Ｘ方向に位置する前記基板上の第２接続点とをワイヤで接続する工程を含む発光装置の製造方法であって、
    前記発光素子が載置された前記基板を準備する工程と、
    キャピラリに挿通されたワイヤにイニシャルボールを形成し、前記イニシャルボールを前記発光素子上の前記第１接続点に当接してボール部を接続する第１接続工程と、
    前記キャピラリを、前記第１接続点の上方の＋Ｚ方向に位置する第１点まで移動させる第１移動工程と、
    前記キャピラリを、前記第１点から前記第２接続点と反対側の−Ｘ方向に位置する第２点まで移動させる第２移動工程と、
    前記キャピラリを、前記第２点から、前記基板上の前記第２接続点の上方を通り超えて＋Ｘ方向であって、かつ、＋Ｚ方向に位置する第３点まで移動する第３移動工程と、
    前記キャピラリを、前記第３点から−Ｘ方向に位置する前記第２接続点まで移動して、前記ワイヤを前記第２接続点に接合する第２接続工程と、
    前記ワイヤを封止する封止部材を形成する封止部材形成工程と、
    を備える発光装置の製造方法。
  2. 前記第３点と前記第２接続点との上面視における距離は、３０μｍ〜１５０μｍである請求項１記載の発光装置の製造方法。
  3. 前記第２移動工程の後に、前記前記キャピラリを前記第２点の上方に位置する第２ａ点まで移動させる第２ａ移動工程と、
    前記キャピラリを、前記第２ａ点から前記第２接続点と反対側の−Ｘ方向に位置する第２ｂ点まで移動させる第２ｂ移動工程と、
    前記第３移動工程として、前記キャピラリを、前記第２ｂ点から、前記基板上の前記第２接続点の上方を通り超えて＋Ｘ方向に位置する第３点まで移動する第３移動工程と、
    を備える、請求項１又は請求項２記載の発光装置の製造方法。
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