JPS62108533A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents

ワイヤボンデイング方法

Info

Publication number
JPS62108533A
JPS62108533A JP60248217A JP24821785A JPS62108533A JP S62108533 A JPS62108533 A JP S62108533A JP 60248217 A JP60248217 A JP 60248217A JP 24821785 A JP24821785 A JP 24821785A JP S62108533 A JPS62108533 A JP S62108533A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
wire
tool
bonding point
point
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60248217A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihiro Yamamoto
章博 山本
Yutaka Makino
豊 牧野
Noriyuki Inagaki
典之 稲垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP60248217A priority Critical patent/JPS62108533A/ja
Publication of JPS62108533A publication Critical patent/JPS62108533A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313Wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313Wedge
    • H01L2224/78314Shape
    • H01L2224/78317Shape of other portions
    • H01L2224/78318Shape of other portions inside the capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512Aligning
    • H01L2224/85148Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ワイヤボンディング方法、詳しくはアルミニ
ウムワイヤを第1、第2各ボンディング点にボンディン
グしてそれら第1、第2各ボンディング点間を前記アル
ミニウムワイヤで接続するワイヤボンディング方法に関
し、例えば、電子回路基板上に形成された電極間をワイ
ヤで接続するのに利用される。
従来の技術 アルミニウムワイヤを用いた前記ワイヤボンディングは
、金線の場合のようにアークによる溶融玉いわゆるボー
ルを形成して電極上に接続することが実用上能しいため
に、第5図から第7図に示されるように、第1ボンディ
ング点P1と、第2ボンディング点P2との双方共、ボ
ンディングツール八による超音波振動でウェッジボンデ
ィングしている。従来、この超音波振動によるボンディ
ングは、ボンディングツールAによりアルミニウムワイ
ヤBを第5図のように電極Cヒの第1ボンディング点P
1にボンディングした後、ツールAを真上に少し上げ、
次いで第6図のように電極り上の第2ボンディング点P
2上へ移動させ、その位置からそのまま第7図のように
ツールAを下降させて第7図のように第2ボンディング
点P2ヘワイヤBをボンディングしている。第8図は前
記ツールへの移動軌跡を線aL a2、a3で示してい
る。
発明が解決しようとする問題点 前記第1ボンディング点P1への超音波振動によるワイ
ヤボンディングでは、アークにより形成したボールでボ
ンディングする金線の場合と異なり、第1ボンディング
点P1へのボンディングを終えたボンディングツールを
あまり高く持ち上げることができない。これは高く持ち
上げるとボンディングワイヤが大きく折れ曲がり、切断
する問題が生じるためであり、したがってボンディング
ワイヤBの第1ボンディング点P1での立ち上がり量を
多くとることができない。
このため、ボンディングツールを前記従来のように第2
ボンディング点P2の真上に移動させて即第2ボンディ
ング点P2へのワイヤボンディングを行うのでは、第8
図に見られるようにボンディングされたワイヤBが第1
、第2各ボンディング点P1.12間で形成しているル
ープを高くすることが困難で、第1、第2各ボンディン
グ点P1.12間に別の電極Eがある場合、ワイヤBと
の間隙S1が数μm程度に接近してしまう。このような
接近は中間の電極EとワイヤBとがショートし易く好ま
しくない。これを解消するには、第8図に仮想線で示さ
れるように、各電極C,D、Eを持っている電子回路基
板Fの電極C,D、’E間表面を、型表面5DSEより
も高い絶縁層Gで被覆し、不活性化すると云った処理が
必要である。
問題点を解決するための手段 本発明は前記問題点を解決するために、ボンディングツ
ールによりアルミニウムワイヤを第1、第2各ボンディ
ング点へ超音波振動で順次ボンディングし、第1、第2
各ボンディング点をアルミニウムワイヤで接続するワイ
ヤボンディング方法において、第1ボンディング点への
ボンディング後ボンディングツールをアルミニウムワイ
ヤと共に第2ボンディング点を越えた所定位置まで一旦
移動させてから第2ボンディング点上へ戻し、第2ボン
ディング点へのワイヤボンディングを行うことを特徴と
する。
作用 第1ボンディング点へのボンディング後ボンディングツ
ールを第2ボンディング点を越えた所定位置にまで一旦
移動させてから、第2ボンディング点へ戻すことによっ
て、第1ボンディング点とボンディングツールとの間に
ゆるい一ヒに凸の湾曲状態で繰出されているボンディン
グワイヤが、ツールと第1ボンディング点との間で押し
縮められ、前記上に凸の湾曲度を増し、ループ高さが高
くなり、第2ボンディング点へのボンディングによって
その状態に安定させられる。
実施例 以下本発明の一実施例を第1図から第4図を参照しなが
ら説明する。
第1図に示されるように電子回路基Fj、1の上面に多
数の電極2.3.4、−・・−が配設されている。これ
ら電極の具体的な配置寸法例を示すと、各電極2.3.
4、−・−・−・の幅が80.17111で70μ慣の
間隔をあけて並設されている。
今、電極2と4とをそれらの上面の第1ボンディング点
P1と第2ボンディング点P2との間でアルミニウムワ
イヤ5により接続する場合について述べると、第1図に
見られるように超音波ホーン11に保持されたボンディ
ングツール12が用いられる。ツール12は、その下端
後部にワイヤ5が通され、そのワイヤ通し部の後方にワ
イヤクランパ13が設けられている。クランパ13は進
退動作されるもので、進出によりワイヤ5をツール12
の下端前部のボンディング作業面12e下に繰出し、後
退によってワイヤ5をボンディング部から切り離す。
先ず、作業面12eの下にワイヤ5が繰出された状態の
ツール12を第1ボンディング点Pl上へワイヤ5を介
し圧接させ、ホーン11から与えられる超音波振動によ
ってワイヤ5の端部を電極2に第1図の如くボンディン
グする。その後ツ−ル12を図の実線で見られるように
持ち一ヒげてから、仮想線で見られるように第2ボンデ
ィング点P2を越えた所定位置P3まで移動させる。こ
のときワイヤ5は自然に繰出され、第1ボンディング点
P1への後方側が上向きに傾斜した状態でのボンディン
グと、そのボンディング状態からツール12の上昇分だ
け持ち上げられていることによって、仮想線で示される
ような上向きの凸のゆるい湾曲状態をなしている。
ツール12は、第1図仮想線の位置から、第2図に示さ
れるように第2ボンディング点P2へのボンディング作
業高さ位置まで下降された後、第3図のように第2ボン
ディング点P2上に戻され、ワイヤ50作業面12e下
に位置している部分を第2ボンディング点P2ヘボンデ
ィングするこのときのツール12の所定位置P3から第
2ボンディング点P2への戻りストロークによって、ワ
イヤ5は第1ボンディング点P1とツール12との間で
押し縮められ、前記上向きに凸の湾曲度を第3図のよう
に増し、より高いループをなして第1、第2各ボンディ
ング間にボンディングされ、その状態で第4図のように
電極2.4を接続する。第3図での第2ボンディング点
にボンディングされたワイヤ5の後続部は、クランパ1
3の後退によって切離される。
前記ツール12の動きを示せば第4図の軌跡線12a 
、12b 、 12c 、 12dの通りである。これ
を具体的な寸法関係で見ると、第1、第2各ボンディン
グ点P1.12間の距離が3000μmであり、その1
0%分である300μmがツール12の第2ボンディン
グ点P2から所定位置P3へのオーバーラン量となって
いる。従って線12bで示されるツール12のストロー
クは330(Jun、また線12dで示されるストロー
クは300μmである。なお、線12a 、12cで示
されるツール12の上下動ストロークは100μmであ
る。
以上のようにボンディングされたワイヤ5は、ループ高
さが従来の場合よりも高いために、電極2.4間にある
電極3との隙間S2が、従来の場合の数μmに対し約3
0μmと約10倍に増大する。
なお、前記ツール12の所定位置P3から第2ボンディ
ング点P2への戻りストロークは、線12cで示される
下動ストロークの前に行われてもよいし、場合によって
は同時に行われてもよい。
また、第2ボンディング位置P2から所定位置P3への
オーバーラン量を可変にすることによって、ループの高
さを調整することができる。
発明の効果 本発明によれば、第1ボンディング点へのワイヤボンデ
ィングを終えたボンディングツールを、第2ボンディン
グ点を越えた所定の位置まで一旦移動させてから第2ボ
ンディング点へ戻して第1ボンディング点とツールとの
間に繰出されたボンディングワイヤをそれらの間で押し
縮め、自然な一ヒに凸の湾曲度を増大した状態で第2ボ
ンディング点へのワイヤボンディングを行うから、ボン
ディングされたワイヤの第1、第2各ボンディング点間
でのループ高さが従来に比し格段に高くなり、第1、第
2各ボンディング点間に位置する他の電極との接触を回
避することができ、特別な接触回避処理を行わなくても
よい。
【図面の簡単な説明】
第1図から第4図は本発明の一実施例を示すワイヤボン
ディング作業状態の側面図、第5図から第8図は従来の
ワイヤボンディング作業状態を示す側面図である。 pt−・−・−・−・・・−・−−−−一−−−−−−
・−・−第1ボンディング点P2・−・−・−一−−−
−−・−・・・・−・・−・−第2ポンデイング点5−
・・−・・−・・・・−・・・・−・−・・・−・・・
・アルミニウムワイヤ11・−・−・−・・・−・−・
−・・・・・・−・−−−−一超音波ホーン12・−・
−・−・−・−・・・・−・−・−・−・−・−ボンデ
ィングツール。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ボンディングツールによりアルミニウムワイヤを
    第1、第2各ボンディング点へ超音波振動で順次ボンデ
    ィングし、第1、第2各ボンディング点をアルミニウム
    ワイヤで接続するワイヤボンディング方法において、第
    1ボンディング点へのボンディング後ボンディングツー
    ルをアルミニウムワイヤと共に第2ボンディング点を越
    えた所定位置まで一旦移動させてから第2ボンディング
    点上へ戻し、第2ボンディング点へのワイヤボンディン
    グを行うことを特徴とするワイヤボンディング方法。
JP60248217A 1985-11-06 1985-11-06 ワイヤボンデイング方法 Pending JPS62108533A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60248217A JPS62108533A (ja) 1985-11-06 1985-11-06 ワイヤボンデイング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60248217A JPS62108533A (ja) 1985-11-06 1985-11-06 ワイヤボンデイング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62108533A true JPS62108533A (ja) 1987-05-19

Family

ID=17174922

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60248217A Pending JPS62108533A (ja) 1985-11-06 1985-11-06 ワイヤボンデイング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62108533A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04155843A (ja) * 1990-10-19 1992-05-28 Kaijo Corp ワイヤボンディング方法
CN103199028A (zh) * 2012-01-10 2013-07-10 株式会社东芝 半导体装置的制造方法以及接合装置
JP2018121000A (ja) * 2017-01-27 2018-08-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS558085A (en) * 1978-07-03 1980-01-21 Nec Corp Wire bonding method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS558085A (en) * 1978-07-03 1980-01-21 Nec Corp Wire bonding method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04155843A (ja) * 1990-10-19 1992-05-28 Kaijo Corp ワイヤボンディング方法
CN103199028A (zh) * 2012-01-10 2013-07-10 株式会社东芝 半导体装置的制造方法以及接合装置
JP2018121000A (ja) * 2017-01-27 2018-08-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US10181452B2 (en) 2017-01-27 2019-01-15 Nichia Corporation Method for manufacturing light-emitting device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2953424B2 (ja) フェイスダウンボンディング用リードフレーム
KR100536898B1 (ko) 반도체 소자의 와이어 본딩 방법
JP2814233B2 (ja) チップサイズ半導体パッケージの製造方法およびそれに用いるリードフレーム
US20070029367A1 (en) Semiconductor device
KR100721280B1 (ko) 반도체 칩 조립체의 형성 방법과 기판 상의 회로로부터반도체 칩으로 와이어 본드부를 형성하는 장치
US20110089566A1 (en) Wire bonding structure and method that eliminates special wire bondable finish and reduces bonding pitch on substrates
JPS62108533A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH10512399A (ja) 半導体チップを少なくとも1つの接触面と電気的に接続する方法
US4991286A (en) Method for replacing defective electronic components
JPS618960A (ja) リ−ドフレ−ム
US6270000B1 (en) Wire bonding method
JP2823000B2 (ja) ワイヤボンディング方法
KR100660821B1 (ko) 와이어본딩 방법
JPH0982742A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH05326601A (ja) ワイヤボンディング方法
JP2733418B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH05144867A (ja) 電子装置およびワイヤボンデイング方法ならびにワイヤボンデイング装置
JPS61105850A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPS63278264A (ja) Mosfetモジユ−ル
JPH0697350A (ja) リ−ドフレ−ム
JP2574531B2 (ja) バンプ電極の形成方法
JPH0738398B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH0669292A (ja) ワイヤーボンディング方法
JPS6178128A (ja) 半導体装置およびその製造において用いるボンデイングツ−ル
JPH0590320A (ja) ボール式ワイヤーボンデイング方法